Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1081) > Сторінка 16 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT060N10T GOFORD Semiconductor GT060N10T.pdf GT060N10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.52 грн
10+93.65 грн
100+74.56 грн
500+59.20 грн
1000+50.23 грн
2000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ -30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GOFORD Semiconductor GT065P06T.pdf P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+60.40 грн
15000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.16 грн
8000+48.81 грн
16000+47.23 грн
30000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.87 грн
10+219.04 грн
100+161.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15T GT070N15T Goford Semiconductor GT070N15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.38 грн
10+214.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N08D5 GT080N08D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT080N08D5.pdf Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.25 грн
10+98.41 грн
100+66.74 грн
500+49.93 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10KI GT080N10KI Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10KI.pdf Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+169.47 грн
10+104.64 грн
100+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T Goford Semiconductor GT080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T Goford Semiconductor GT080N10T.pdf Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+169.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10TI GT080N10TI Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10TI.pdf Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T.pdf Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1116 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.89 грн
10+77.66 грн
100+52.08 грн
500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GOFORD Semiconductor GT090N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H Goford Semiconductor GT090N06D5H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H Goford Semiconductor GT090N06D5H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.46 грн
10+50.19 грн
100+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.97 грн
15000+16.01 грн
30000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.38 грн
10+57.57 грн
100+37.99 грн
500+27.75 грн
1000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH Goford Semiconductor GT090N06MH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH Goford Semiconductor GT090N06MH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH Goford Semiconductor GT090N06MH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06S GT090N06S Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06S.pdf Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.56 грн
15000+8.42 грн
30000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
11+32.15 грн
100+20.63 грн
500+14.68 грн
1000+13.16 грн
2000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GT095N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GT095N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.84 грн
10+38.13 грн
100+26.50 грн
500+19.42 грн
1000+15.78 грн
2000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.85 грн
10+80.94 грн
100+54.16 грн
500+40.07 грн
1000+36.60 грн
2000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GOFORD Semiconductor GT095N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K Goford Semiconductor GT095N10K.pdf Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K Goford Semiconductor GT095N10K.pdf Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.00 грн
10+80.53 грн
100+53.91 грн
500+39.87 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10S GT095N10S Goford Semiconductor GOFORD-GT095N10S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.60 грн
16000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.77 грн
16+20.99 грн
100+13.25 грн
500+9.28 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GOFORD Semiconductor GT1003A.pdf High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.93 грн
15000+4.59 грн
30000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
18+18.29 грн
100+11.51 грн
500+8.03 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GOFORD Semiconductor GT1003D.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
15000+4.00 грн
30000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3.pdf Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3.pdf Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.39 грн
12+29.52 грн
100+18.90 грн
500+13.45 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GOFORD Semiconductor GT100N04D3.pdf N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT060N10T GT060N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT060N10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.52 грн
10+93.65 грн
100+74.56 грн
500+59.20 грн
1000+50.23 грн
2000+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ -30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+60.40 грн
15000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+53.16 грн
8000+48.81 грн
16000+47.23 грн
30000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.87 грн
10+219.04 грн
100+161.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15T GT070N15T.pdf
GT070N15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.38 грн
10+214.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N08D5 GOFORD-GT080N08D5.pdf
GT080N08D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.25 грн
10+98.41 грн
100+66.74 грн
500+49.93 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10KI GOFORD-GT080N10KI.pdf
GT080N10KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.47 грн
10+104.64 грн
100+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10TI GOFORD-GT080N10TI.pdf
GT080N10TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T.pdf
GT088N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1116 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T.pdf
GT088N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.89 грн
10+77.66 грн
100+52.08 грн
500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H.pdf
GT090N06D5H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H.pdf
GT090N06D5H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.46 грн
10+50.19 грн
100+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.97 грн
15000+16.01 грн
30000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
10+57.57 грн
100+37.99 грн
500+27.75 грн
1000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH.pdf
GT090N06MH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH.pdf
GT090N06MH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH.pdf
GT090N06MH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06S GOFORD-GT090N06S.pdf
GT090N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.56 грн
15000+8.42 грн
30000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
11+32.15 грн
100+20.63 грн
500+14.68 грн
1000+13.16 грн
2000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GOFORD-GT095N04D5.pdf
GT095N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GOFORD-GT095N04D5.pdf
GT095N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.84 грн
10+38.13 грн
100+26.50 грн
500+19.42 грн
1000+15.78 грн
2000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.85 грн
10+80.94 грн
100+54.16 грн
500+40.07 грн
1000+36.60 грн
2000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K.pdf
GT095N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K.pdf
GT095N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+80.53 грн
100+53.91 грн
500+39.87 грн
1000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10S GOFORD-GT095N10S.pdf
GT095N10S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.60 грн
16000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.77 грн
16+20.99 грн
100+13.25 грн
500+9.28 грн
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.93 грн
15000+4.59 грн
30000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
18+18.29 грн
100+11.51 грн
500+8.03 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.34 грн
15000+4.00 грн
30000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.39 грн
12+29.52 грн
100+18.90 грн
500+13.45 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]