Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1263) > Сторінка 16 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT011N03D5E GT011N03D5E Goford Semiconductor GT011N03D5E.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.04 грн
10+86.49 грн
100+67.24 грн
500+53.49 грн
1000+43.57 грн
2000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03D5E GT011N03D5E Goford Semiconductor GOFORD--GT011N03D5E.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03D5E GT011N03D5E Goford Semiconductor GT011N03D5E.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03ME GT011N03ME Goford Semiconductor GT011N03ME.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03ME GT011N03ME Goford Semiconductor GT011N03ME.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
10+95.14 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TE GT011N03TE Goford Semiconductor GOFORD--GT011N03TE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A 89W TO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5988 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE Goford Semiconductor GT011N03TLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 250A 300W 1.2M(
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6278 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TOLL-8L
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.48 грн
10+125.59 грн
100+86.31 грн
500+65.24 грн
1000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GOFORD SEMICONDUCTOR GT011N03TLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 30V; 250A; 300W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 250A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±18V
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE Goford Semiconductor GT011N03TLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 250A 300W 1.2M(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6278 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: TOLL-8L
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE Goford Semiconductor GT011N03TLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 250A 300W 1.2m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6278 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04D5 GT013N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT013N04D5.pdf Description: N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-GT013N04D5.pdf GT013N04D5.pdf N-CH,40V,195A,RD(max) Less Than 1.7mOhm at 10V,VTH 2V to 4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04D5 GT013N04D5 Goford Semiconductor GT013N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 195A 96W 1.7m(ma
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04Q GT013N04Q Goford Semiconductor GT013N04Q.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 195A 96W TO-247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04TI GT013N04TI Goford Semiconductor GT013N04TI.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3986 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04TI GOFORD Semiconductor GT013N04TI.pdf N-CH,40V,220A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,VTH 2V to 5V, TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL Goford Semiconductor GT015N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL Goford Semiconductor GT015N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.29 грн
10+177.82 грн
100+124.97 грн
500+98.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT015N06TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 350A; 350W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 350A
Power dissipation: 350W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL Goford Semiconductor GT015N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1m(ma
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL Goford Semiconductor GT015N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT015N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 365A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 365A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL Goford Semiconductor GT015N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.22 грн
10+151.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GOFORD Semiconductor GT015N10TL.pdf GT015N10TL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10Q GT016N10Q Goford Semiconductor GT016N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 228A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 50 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.73 грн
10+250.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL Goford Semiconductor GT016N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT016N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 362A; 380W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 362A
Power dissipation: 380W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL Goford Semiconductor GT016N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.70 грн
10+264.23 грн
100+189.91 грн
500+163.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5.pdf Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5.pdf Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.40 грн
100+35.80 грн
500+26.10 грн
1000+23.69 грн
2000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.81 грн
15000+17.50 грн
30000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M Goford Semiconductor GT020N04M.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M Goford Semiconductor GT020N04M.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.16 грн
10+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M Goford Semiconductor GT020N10M.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M Goford Semiconductor GT020N10M.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT020N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 300A; 330W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 330W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL Goford Semiconductor GT020N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL Goford Semiconductor GT020N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.80 грн
10+147.82 грн
100+103.23 грн
500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL Goford Semiconductor GT020N10TL.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,300A,330W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M.pdf Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8148 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 265W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M.pdf Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8148 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q Goford Semiconductor GT023N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+104.14 грн
12000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GOFORD Semiconductor GT023N10Q.pdf Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q Goford Semiconductor GT023N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T Goford Semiconductor GT023N10T.pdf Description: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.47 грн
50+129.15 грн
100+117.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T Goford Semiconductor GT023N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W 2.7m(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.19 грн
10+196.85 грн
100+139.56 грн
500+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GOFORD Semiconductor GT023N10TL.pdf GT023N10TL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 330A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 330A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5 Goford Semiconductor GT025N06AD5.pdf Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5 Goford Semiconductor GT025N06AD5.pdf Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.65 грн
10+114.10 грн
100+78.21 грн
500+58.97 грн
1000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GOFORD Semiconductor GT025N06AD5.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2mOhm at 10V,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V,DFN5x6-8L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.04 грн
15000+57.33 грн
30000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AD5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AK GT025N06AK Goford Semiconductor GT025N06AK.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03D5E GT011N03D5E.pdf
GT011N03D5E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.04 грн
10+86.49 грн
100+67.24 грн
500+53.49 грн
1000+43.57 грн
2000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03D5E GOFORD--GT011N03D5E.pdf
GT011N03D5E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03D5E GT011N03D5E.pdf
GT011N03D5E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03ME GT011N03ME.pdf
GT011N03ME
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03ME GT011N03ME.pdf
GT011N03ME
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.34 грн
10+95.14 грн
100+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TE GOFORD--GT011N03TE.pdf
GT011N03TE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 209A 89W TO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5988 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE.pdf
GT011N03TLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 250A 300W 1.2M(
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6278 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TOLL-8L
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.48 грн
10+125.59 грн
100+86.31 грн
500+65.24 грн
1000+60.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 30V; 250A; 300W; TOLL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 250A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±18V
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE.pdf
GT011N03TLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 250A 300W 1.2M(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6278 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±18V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: TOLL-8L
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT011N03TLE GT011N03TLE.pdf
GT011N03TLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 250A 300W 1.2m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6278 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04D5 GOFORD-GT013N04D5.pdf
GT013N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04D5 GOFORD-GT013N04D5.pdf GT013N04D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,195A,RD(max) Less Than 1.7mOhm at 10V,VTH 2V to 4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04D5 GT013N04D5.pdf
GT013N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 195A 96W 1.7m(ma
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04Q GT013N04Q.pdf
GT013N04Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 195A 96W TO-247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04TI GT013N04TI.pdf
GT013N04TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3986 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT013N04TI GT013N04TI.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,220A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,VTH 2V to 5V, TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
GT015N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
GT015N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.29 грн
10+177.82 грн
100+124.97 грн
500+98.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 350A; 350W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 350A
Power dissipation: 350W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
GT015N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1m(ma
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
GT015N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 365A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 365A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
GT015N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.22 грн
10+151.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT015N10TL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+84.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10Q GT016N10Q.pdf
GT016N10Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 228A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 50 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.73 грн
10+250.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL.pdf
GT016N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 362A; 380W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 362A
Power dissipation: 380W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL.pdf
GT016N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+410.70 грн
10+264.23 грн
100+189.91 грн
500+163.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5.pdf
GT019N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5.pdf
GT019N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.40 грн
100+35.80 грн
500+26.10 грн
1000+23.69 грн
2000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5.pdf
GT019N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+19.81 грн
15000+17.50 грн
30000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M.pdf
GT020N04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M.pdf
GT020N04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.16 грн
10+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M.pdf
GT020N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M.pdf
GT020N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 300A; 330W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 330W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
GT020N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
GT020N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.80 грн
10+147.82 грн
100+103.23 грн
500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
GT020N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,300A,330W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M.pdf
GT023N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8148 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 265W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M.pdf
GT023N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M.pdf
GT023N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8148 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1200+104.14 грн
12000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.72 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
GT023N10Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T.pdf
GT023N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.47 грн
50+129.15 грн
100+117.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T.pdf
GT023N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W 2.7m(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
GT023N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.19 грн
10+196.85 грн
100+139.56 грн
500+121.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT023N10TL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+134.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
GT023N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+95.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 330A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 330A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
GT023N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
GT025N06AD5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
GT025N06AD5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.65 грн
10+114.10 грн
100+78.21 грн
500+58.97 грн
1000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2mOhm at 10V,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V,DFN5x6-8L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+62.04 грн
15000+57.33 грн
30000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AK GT025N06AK.pdf
GT025N06AK
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]