Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1347) > Сторінка 22 з 23

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.79 грн
10+76.49 грн
100+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W 17m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T GOFORD Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T GT180P08T GOFORD SEMICONDUCTOR Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -89A; 245W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -89A
Power dissipation: 245W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2N10I GT1K2N10I GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.08 грн
11+40.72 грн
25+21.84 грн
100+9.42 грн
500+5.65 грн
1000+4.89 грн
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M GOFORD Semiconductor gt1k2p15m.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M GOFORD Semiconductor gt1k2p15m.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10M GOFORD Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.51 грн
50+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GOFORD Semiconductor GT2K0P20K.pdf GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K GOFORD SEMICONDUCTOR GT2K0P20K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -18A; 138W; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 138W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
10+82.89 грн
50+62.34 грн
100+52.28 грн
500+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20M GOFORD Semiconductor GT2K0P20M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T GOFORD Semiconductor GT2K0P20T
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T GT2K0P20T GOFORD SEMICONDUCTOR Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -19A; 138W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Power dissipation: 138W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GOFORD Semiconductor GT2K6P15K.pdf GT2K6P15K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K Goford Semiconductor GT2K6P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K Goford Semiconductor GT2K6P15K.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.24 грн
10+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15S GOFORD Semiconductor GT2K6P15S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15T GOFORD Semiconductor GT2K6P15T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+89.29 грн
100+69.42 грн
500+55.22 грн
1000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+98.20 грн
100+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.67 грн
10+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.57 грн
10+89.52 грн
50+67.58 грн
100+56.77 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GOFORD SEMICONDUCTOR GT52N10D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GOFORD Semiconductor GT52N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.75 грн
15000+40.36 грн
30000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I GT52N10D5I Goford Semiconductor GT52N10D5I.pdf Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T Goford Semiconductor GT52N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T Goford Semiconductor GT52N10T.pdf Description: N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.69 грн
10+93.63 грн
50+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT52N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GOFORD Semiconductor GT52N10T.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GOFORD Semiconductor GT52N10T.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+46.48 грн
15000+42.90 грн
30000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD Semiconductor GT55N06D5.pdf N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD Semiconductor GT55N06D5.pdf N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.84 грн
15000+22.96 грн
30000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.52 грн
10+58.82 грн
50+43.78 грн
100+36.51 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD SEMICONDUCTOR GT55N06D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 52W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH GOFORD Semiconductor gt6k2p10ih.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH GOFORD Semiconductor gt6k2p10ih.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.69 грн
1000+14.11 грн
1011+13.96 грн
1022+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
22+13.94 грн
100+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH GOFORD Semiconductor gt6k2p10ih.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+22.88 грн
100+14.22 грн
500+14.07 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH GOFORD Semiconductor goford-gt6k2p10kh.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+45.24 грн
25+44.79 грн
100+28.58 грн
500+20.79 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH GOFORD SEMICONDUCTOR GT6K2P10KH.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -4.3A; 25W; TO252
Mounting: SMD
Technology: SGT
Drain current: -4.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Power dissipation: 25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.79 грн
10+76.49 грн
100+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W 17m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T
GT180P08T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -80V; -89A; 245W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -89A
Power dissipation: 245W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2N10I
GT1K2N10I
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.3A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.08 грн
11+40.72 грн
25+21.84 грн
100+9.42 грн
500+5.65 грн
1000+4.89 грн
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M gt1k2p15m.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M gt1k2p15m.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+72.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
GT250P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
GT250P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.51 грн
50+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -18A; 138W; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 138W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.29 грн
10+82.89 грн
50+62.34 грн
100+52.28 грн
500+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20M
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20T
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T
GT2K0P20T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -200V; -19A; 138W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Power dissipation: 138W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: -19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
GT2K6P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15K GT2K6P15K.pdf
GT2K6P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.24 грн
10+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15S
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K6P15T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K6P15T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+89.29 грн
100+69.42 грн
500+55.22 грн
1000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.63 грн
10+98.20 грн
100+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.67 грн
10+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.57 грн
10+89.52 грн
50+67.58 грн
100+56.77 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+43.75 грн
15000+40.36 грн
30000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I GT52N10D5I.pdf
GT52N10D5I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T.pdf
GT52N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T.pdf
GT52N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.69 грн
10+93.63 грн
50+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T.pdf
GT52N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GT52N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
304+46.48 грн
15000+42.90 грн
30000+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
779+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.84 грн
15000+22.96 грн
30000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.52 грн
10+58.82 грн
50+43.78 грн
100+36.51 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 52W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K.pdf
GT650N15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH gt6k2p10ih.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH gt6k2p10ih.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
622+22.69 грн
1000+14.11 грн
1011+13.96 грн
1022+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.73 грн
22+13.94 грн
100+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH gt6k2p10ih.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+22.88 грн
100+14.22 грн
500+14.07 грн
1000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH goford-gt6k2p10kh.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+45.24 грн
25+44.79 грн
100+28.58 грн
500+20.79 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -4.3A; 25W; TO252
Mounting: SMD
Technology: SGT
Drain current: -4.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Power dissipation: 25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]