Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1263) > Сторінка 22 з 22
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GT800N10L | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
GT800N10L | Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
Транзистор MOSFET G135P04D3 Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Транзистор MOSFET P-CH -40V 25A 8-PowerVDFN Транзистори польові |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GT800N10L |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GT800N10L |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.67 грн |
| 16+ | 19.55 грн |
| 100+ | 9.85 грн |
| 500+ | 8.19 грн |
| 1000+ | 6.38 грн |
| Транзистор MOSFET G135P04D3 Goford Semiconductor |
Виробник: Goford Semiconductor
Транзистор MOSFET P-CH -40V 25A 8-PowerVDFN Транзистори польові
Транзистор MOSFET P-CH -40V 25A 8-PowerVDFN Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.