Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1130) > Сторінка 4 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G070N06TH GOFORD Semiconductor G070N06TH.pdf G070N06TH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH Goford Semiconductor G070N06TH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W 6.4M(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 30 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.85 грн
10+77.13 грн
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M Goford Semiconductor G075N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M Goford Semiconductor G075N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI.pdf Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI.pdf Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.39 грн
10+82.44 грн
100+55.69 грн
500+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5 Goford Semiconductor G075P02D5.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5 Goford Semiconductor G075P02D5.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S G07P04S Goford Semiconductor G07P04S.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.87 грн
16000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S GOFORD Semiconductor G07P04S.pdf G07P04S
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.26 грн
15000+12.30 грн
30000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K Goford Semiconductor G080N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.88 грн
10+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K Goford Semiconductor G080N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M Goford Semiconductor G080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.56 грн
10+113.63 грн
100+78.10 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M Goford Semiconductor G080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T Goford Semiconductor G080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T GOFORD Semiconductor G080N10T.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.92 грн
10+103.01 грн
100+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M GOFORD Semiconductor G080P06M.pdf P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-263
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T Goford Semiconductor G080P06T.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14692 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.04 грн
50+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T Goford Semiconductor G080P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T GOFORD Semiconductor G080P06T.pdf P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32 Goford Semiconductor G085C03D32.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32 Goford Semiconductor G085C03D32.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.40 грн
12+25.81 грн
100+17.53 грн
500+12.88 грн
1000+11.69 грн
2000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS G085P02TS Goford Semiconductor GOFORD-G085P02TS.pdf Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS G085P02TS Goford Semiconductor GOFORD-G085P02TS.pdf Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.61 грн
10+39.27 грн
100+30.09 грн
500+22.32 грн
1000+17.86 грн
2000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02H G08N02H Goford Semiconductor GOFORD-G08N02H.pdf Description: N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02L G08N02L Goford Semiconductor GOFORD-G08N02L.pdf Description: N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 929 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N03D2 G08N03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G08N03D2.pdf Description: N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.39 грн
11+28.13 грн
100+18.07 грн
500+12.89 грн
1000+11.58 грн
2000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.99 грн
15000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.68 грн
10+46.60 грн
100+30.48 грн
500+22.09 грн
1000+19.98 грн
2000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.71 грн
10+33.74 грн
100+21.87 грн
500+15.71 грн
1000+14.16 грн
2000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.89 грн
10+58.80 грн
100+41.05 грн
500+31.04 грн
1000+28.59 грн
2000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L Goford Semiconductor G09P02L.pdf Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
14+21.54 грн
100+14.56 грн
500+10.66 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L Goford Semiconductor G09P02L.pdf Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.87 грн
27+11.45 грн
100+7.68 грн
500+5.53 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
15000+2.42 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 GOFORD Semiconductor G1002.pdf G1002
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.23 грн
15000+3.05 грн
30000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.48 грн
15000+3.06 грн
30000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
15+21.17 грн
100+13.43 грн
500+9.44 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L GOFORD Semiconductor G1002L.pdf N-CH,100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.10 грн
15000+3.75 грн
30000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
15000+6.80 грн
30000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
15000+5.83 грн
30000+5.24 грн
51000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
11+29.85 грн
100+20.30 грн
500+14.29 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B G1003B Goford Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B G1003B Goford Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.19 грн
15+20.05 грн
100+12.04 грн
500+10.46 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf N-Channel Trench MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
15000+6.63 грн
30000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE G1006LE Goford Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
6000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G070N06TH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH.pdf
G070N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W 6.4M(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 30 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.85 грн
10+77.13 грн
100+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M.pdf
G075N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M.pdf
G075N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI.pdf
G075N06MI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI.pdf
G075N06MI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.39 грн
10+82.44 грн
100+55.69 грн
500+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5.pdf
G075P02D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5.pdf
G075P02D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S G07P04S.pdf
G07P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 7A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.87 грн
16000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S G07P04S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G07P04S
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.26 грн
15000+12.30 грн
30000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K.pdf
G080N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.88 грн
10+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K.pdf
G080N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M.pdf
G080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.56 грн
10+113.63 грн
100+78.10 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M.pdf
G080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
G080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+67.25 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.92 грн
10+103.01 грн
100+73.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-263
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
G080P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14692 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.04 грн
50+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
G080P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32.pdf
G085C03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32.pdf
G085C03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.40 грн
12+25.81 грн
100+17.53 грн
500+12.88 грн
1000+11.69 грн
2000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS GOFORD-G085P02TS.pdf
G085P02TS
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS GOFORD-G085P02TS.pdf
G085P02TS
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.61 грн
10+39.27 грн
100+30.09 грн
500+22.32 грн
1000+17.86 грн
2000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02H GOFORD-G08N02H.pdf
G08N02H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02L GOFORD-G08N02L.pdf
G08N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 929 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N03D2 GOFORD-G08N03D2.pdf
G08N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.39 грн
11+28.13 грн
100+18.07 грн
500+12.89 грн
1000+11.58 грн
2000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.99 грн
15000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.68 грн
10+46.60 грн
100+30.48 грн
500+22.09 грн
1000+19.98 грн
2000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.71 грн
10+33.74 грн
100+21.87 грн
500+15.71 грн
1000+14.16 грн
2000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2.pdf
G09N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.89 грн
10+58.80 грн
100+41.05 грн
500+31.04 грн
1000+28.59 грн
2000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2.pdf
G09N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.40 грн
14+21.54 грн
100+14.56 грн
500+10.66 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.87 грн
27+11.45 грн
100+7.68 грн
500+5.53 грн
1000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.74 грн
15000+2.42 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G1002
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.23 грн
15000+3.05 грн
30000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.48 грн
15000+3.06 грн
30000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
15+21.17 грн
100+13.43 грн
500+9.44 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+4.10 грн
15000+3.75 грн
30000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.33 грн
15000+6.80 грн
30000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.53 грн
15000+5.83 грн
30000+5.24 грн
51000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.06 грн
11+29.85 грн
100+20.30 грн
500+14.29 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
G1003B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
G1003B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.19 грн
15+20.05 грн
100+12.04 грн
500+10.46 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Trench MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.15 грн
15000+6.63 грн
30000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
G1006LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.07 грн
6000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]