Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1044) > Сторінка 4 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G080N10M G080N10M Goford Semiconductor G080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.27 грн
10+133.64 грн
100+91.83 грн
500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T Goford Semiconductor G080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.77 грн
50+87.22 грн
100+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T Goford Semiconductor G080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A 236W TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T GOFORD Semiconductor G080N10T.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M GOFORD Semiconductor G080P06M.pdf P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-263
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.47 грн
10+109.28 грн
100+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T Goford Semiconductor G080P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T GOFORD Semiconductor G080P06T.pdf P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T Goford Semiconductor G080P06T.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14692 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.35 грн
50+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32 Goford Semiconductor G085C03D32.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32 Goford Semiconductor G085C03D32.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.85 грн
12+27.38 грн
100+18.59 грн
500+13.66 грн
1000+12.40 грн
2000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS G085P02TS Goford Semiconductor GOFORD-G085P02TS.pdf Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.45 грн
10+41.66 грн
100+31.93 грн
500+23.68 грн
1000+18.95 грн
2000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS G085P02TS Goford Semiconductor GOFORD-G085P02TS.pdf Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02H G08N02H Goford Semiconductor GOFORD-G08N02H.pdf Description: N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02L G08N02L Goford Semiconductor GOFORD-G08N02L.pdf Description: N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 929 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N03D2 G08N03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G08N03D2.pdf Description: N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.92 грн
11+31.19 грн
100+20.05 грн
500+14.33 грн
1000+12.88 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.41 грн
10+49.44 грн
100+32.34 грн
500+23.43 грн
1000+21.20 грн
2000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.96 грн
15000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.42 грн
10+62.38 грн
100+43.55 грн
500+32.93 грн
1000+30.33 грн
2000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L Goford Semiconductor G09P02L.pdf Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L Goford Semiconductor G09P02L.pdf Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.44 грн
14+22.86 грн
100+15.45 грн
500+11.31 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.90 грн
15000+2.57 грн
30000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.95 грн
27+12.14 грн
100+8.15 грн
500+5.87 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 GOFORD Semiconductor G1002.pdf G1002
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.05 грн
15000+2.88 грн
30000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.69 грн
15000+3.25 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L GOFORD Semiconductor G1002L.pdf N-CH,100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.87 грн
15000+3.54 грн
30000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L Goford Semiconductor G1002L.pdf Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.91 грн
15+22.46 грн
100+14.25 грн
500+10.02 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
15000+6.42 грн
30000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
15000+6.19 грн
30000+5.56 грн
51000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A G1003A Goford Semiconductor GOFORD-G1003A.pdf Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.38 грн
11+31.66 грн
100+21.54 грн
500+15.16 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B G1003B Goford Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.84 грн
15+21.27 грн
100+12.77 грн
500+11.09 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B G1003B Goford Semiconductor GOFORD-G1003B.pdf Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE G1006LE Goford Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf N-Channel Trench MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.75 грн
15000+6.26 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE G1006LE Goford Semiconductor GOFORD-G1006LE.pdf Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.44 грн
12+26.67 грн
100+15.99 грн
500+13.89 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B G1008B Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=406 Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.85 грн
10+35.63 грн
100+24.67 грн
500+19.34 грн
1000+16.46 грн
2000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=406 N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.81 грн
16000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=406 N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.81 грн
16000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B G1008B Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=406 Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.43 грн
16000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B G1008B Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=406 Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 GOFORD Semiconductor G100N03D5.pdf N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.04 грн
10+80.55 грн
100+54.19 грн
500+40.25 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 GOFORD Semiconductor G100N03D5.pdf N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.93 грн
15000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5 Goford Semiconductor G100N03D5.pdf Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S GOFORD Semiconductor G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S Goford Semiconductor G10N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.51 грн
16000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M.pdf
G080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.27 грн
10+133.64 грн
100+91.83 грн
500+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
G080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.77 грн
50+87.22 грн
100+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A 236W TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+60.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1600+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-263
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.47 грн
10+109.28 грн
100+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
G080P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
G080P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14692 pF @ 30 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.35 грн
50+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32.pdf
G085C03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32.pdf
G085C03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
12+27.38 грн
100+18.59 грн
500+13.66 грн
1000+12.40 грн
2000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS GOFORD-G085P02TS.pdf
G085P02TS
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.45 грн
10+41.66 грн
100+31.93 грн
500+23.68 грн
1000+18.95 грн
2000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS GOFORD-G085P02TS.pdf
G085P02TS
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02H GOFORD-G08N02H.pdf
G08N02H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02L GOFORD-G08N02L.pdf
G08N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 929 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N03D2 GOFORD-G08N03D2.pdf
G08N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.92 грн
11+31.19 грн
100+20.05 грн
500+14.33 грн
1000+12.88 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.41 грн
10+49.44 грн
100+32.34 грн
500+23.43 грн
1000+21.20 грн
2000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.96 грн
15000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2.pdf
G09N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2.pdf
G09N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.42 грн
10+62.38 грн
100+43.55 грн
500+32.93 грн
1000+30.33 грн
2000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.44 грн
14+22.86 грн
100+15.45 грн
500+11.31 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.90 грн
15000+2.57 грн
30000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.95 грн
27+12.14 грн
100+8.15 грн
500+5.87 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G1002
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.05 грн
15000+2.88 грн
30000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.69 грн
15000+3.25 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+3.87 грн
15000+3.54 грн
30000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
G1002L G1002L.pdf
G1002L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 413 pF @ 50 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.91 грн
15+22.46 грн
100+14.25 грн
500+10.02 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.91 грн
15000+6.42 грн
30000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.92 грн
15000+6.19 грн
30000+5.56 грн
51000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003A GOFORD-G1003A.pdf
G1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.38 грн
11+31.66 грн
100+21.54 грн
500+15.16 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
G1003B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.84 грн
15+21.27 грн
100+12.77 грн
500+11.09 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1003B GOFORD-G1003B.pdf
G1003B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
G1006LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.62 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Trench MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.75 грн
15000+6.26 грн
30000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G1006LE GOFORD-G1006LE.pdf
G1006LE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.44 грн
12+26.67 грн
100+15.99 грн
500+13.89 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
G1008B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
10+35.63 грн
100+24.67 грн
500+19.34 грн
1000+16.46 грн
2000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.81 грн
16000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,8A,RD(max) Less Than 130mOhm at 10V,RD(max) Less Than 145mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.81 грн
16000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
G1008B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.43 грн
16000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G1008B products-detail.php?ProId=406
G1008B
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.04 грн
10+80.55 грн
100+54.19 грн
500+40.25 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,100A,RD(max) Less Than 3.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 4.5mOhm at 5V,VTH 1.2V to 2.5V, DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.93 грн
15000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G100N03D5 G100N03D5.pdf
G100N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 30V, 100A, RD(MAX)<3.5M@10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G10N03S G10N03S.pdf
G10N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.51 грн
16000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]