Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1263) > Сторінка 4 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G06N02H G06N02H Goford Semiconductor GOFORD-G06N02H.pdf Description: N20V, 6A, RD<14.3M@4.5V,VTH0.5V~
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N06S G06N06S Goford Semiconductor G06N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.86 грн
16000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N06S G06N06S Goford Semiconductor G06N06S.pdf Description: N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2477 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N06S G06N06S Goford Semiconductor G06N06S.pdf Description: N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2477 pF @ 30 V
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.74 грн
10+41.86 грн
100+27.29 грн
500+19.72 грн
1000+17.82 грн
2000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N10 G06N10 Goford Semiconductor G06N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N10 G06N10 Goford Semiconductor G06N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+27.01 грн
100+18.75 грн
500+13.74 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06NP06S2 G06NP06S2 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=569 Description: N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06NP06S2 GOFORD SEMICONDUCTOR products-detail.php?ProId=569 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 6/-6A; 2/2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2/2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22/25nC
Kind of channel: enhancement
Case: SOP8
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G06NP06S2 G06NP06S2 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=569 Description: N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+53.35 грн
100+40.90 грн
500+30.34 грн
1000+24.28 грн
2000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06P01E G06P01E Goford Semiconductor G06P01E.pdf Description: P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1087 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06P01E G06P01E Goford Semiconductor G06P01E.pdf Description: P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1087 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+16.19 грн
100+10.16 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH Goford Semiconductor G070N06TH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W 6.4m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH Goford Semiconductor G070N06TH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W 6.4M(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 30 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.54 грн
10+76.93 грн
100+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH GOFORD Semiconductor G070N06TH.pdf G070N06TH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M Goford Semiconductor G075N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M Goford Semiconductor G075N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI.pdf Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
10+82.23 грн
100+55.55 грн
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI Goford Semiconductor G075N06MI.pdf Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5 Goford Semiconductor G075P02D5.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5 Goford Semiconductor G075P02D5.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S G07P04S Goford Semiconductor G07P04S.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.84 грн
16000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S GOFORD Semiconductor G07P04S.pdf G07P04S
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.33 грн
15000+13.29 грн
30000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K Goford Semiconductor G080N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.64 грн
10+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K Goford Semiconductor G080N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M Goford Semiconductor G080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M Goford Semiconductor G080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.10 грн
10+113.35 грн
100+77.90 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T GOFORD SEMICONDUCTOR G080N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 140A; 236W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 236W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T GOFORD Semiconductor G080N10T.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T Goford Semiconductor G080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M GOFORD Semiconductor G080P06M.pdf P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-263
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.53 грн
10+102.75 грн
100+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M Goford Semiconductor G080P06M.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T Goford Semiconductor G080P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T Goford Semiconductor G080P06T.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14692 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.66 грн
50+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T GOFORD Semiconductor G080P06T.pdf P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32 Goford Semiconductor G085C03D32.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32 Goford Semiconductor G085C03D32.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.47 грн
10+31.49 грн
100+20.30 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
2000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS G085P02TS Goford Semiconductor GOFORD-G085P02TS.pdf Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS G085P02TS Goford Semiconductor GOFORD-G085P02TS.pdf Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
10+39.18 грн
100+30.02 грн
500+22.27 грн
1000+17.82 грн
2000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02H G08N02H Goford Semiconductor GOFORD-G08N02H.pdf Description: N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02L G08N02L Goford Semiconductor GOFORD-G08N02L.pdf Description: N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 929 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N03D2 G08N03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G08N03D2.pdf Description: N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S GOFORD SEMICONDUCTOR G08N06S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S Goford Semiconductor G08N06S.pdf Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
11+29.55 грн
100+18.98 грн
500+13.53 грн
1000+12.15 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+46.49 грн
100+30.41 грн
500+22.03 грн
1000+19.94 грн
2000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3 Goford Semiconductor G08P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.95 грн
15000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S Goford Semiconductor G090P02S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.65 грн
100+21.81 грн
500+15.67 грн
1000+14.13 грн
2000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+58.65 грн
100+40.94 грн
500+30.96 грн
1000+28.51 грн
2000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2 Goford Semiconductor G09N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L Goford Semiconductor G09P02L.pdf Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -9A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 2.5W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.68 грн
15+29.52 грн
25+16.91 грн
100+10.20 грн
500+8.87 грн
1000+8.04 грн
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L Goford Semiconductor G09P02L.pdf Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+21.49 грн
100+14.53 грн
500+10.63 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
15000+2.42 грн
30000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002 Goford Semiconductor G1002.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N02H GOFORD-G06N02H.pdf
G06N02H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A, RD<14.3M@4.5V,VTH0.5V~
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N06S G06N06S.pdf
G06N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.86 грн
16000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N06S G06N06S.pdf
G06N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2477 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N06S G06N06S.pdf
G06N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2477 pF @ 30 V
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.74 грн
10+41.86 грн
100+27.29 грн
500+19.72 грн
1000+17.82 грн
2000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N10 G06N10.pdf
G06N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06N10 G06N10.pdf
G06N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
12+27.01 грн
100+18.75 грн
500+13.74 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06NP06S2 products-detail.php?ProId=569
G06NP06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06NP06S2 products-detail.php?ProId=569
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 6/-6A; 2/2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 6/-6A
Power dissipation: 2/2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22/25nC
Kind of channel: enhancement
Case: SOP8
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G06NP06S2 products-detail.php?ProId=569
G06NP06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.54 грн
10+53.35 грн
100+40.90 грн
500+30.34 грн
1000+24.28 грн
2000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06P01E G06P01E.pdf
G06P01E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1087 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G06P01E G06P01E.pdf
G06P01E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1087 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+16.19 грн
100+10.16 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH.pdf
G070N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W 6.4m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH.pdf
G070N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W 6.4M(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6512 pF @ 30 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.54 грн
10+76.93 грн
100+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G070N06TH G070N06TH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G070N06TH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M.pdf
G075N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06M G075N06M.pdf
G075N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A 160W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI.pdf
G075N06MI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.06 грн
10+82.23 грн
100+55.55 грн
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075N06MI G075N06MI.pdf
G075N06MI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6443 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5.pdf
G075P02D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G075P02D5 G075P02D5.pdf
G075P02D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4775 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S G07P04S.pdf
G07P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 7A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.84 грн
16000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G07P04S G07P04S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G07P04S
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.33 грн
15000+13.29 грн
30000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K.pdf
G080N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.64 грн
10+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N06K G080N06K.pdf
G080N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 110W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3408 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M.pdf
G080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10M G080N10M.pdf
G080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13950 pF @ 50 V
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.10 грн
10+113.35 грн
100+77.90 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 140A; 236W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 236W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080N10T G080N10T.pdf
G080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-263
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.53 грн
10+102.75 грн
100+73.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1600+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06M G080P06M.pdf
G080P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
G080P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
G080P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14692 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.66 грн
50+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G080P06T G080P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32.pdf
G085C03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085C03D32 G085C03D32.pdf
G085C03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 13W (Tc), 30W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.47 грн
10+31.49 грн
100+20.30 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
2000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS GOFORD-G085P02TS.pdf
G085P02TS
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G085P02TS GOFORD-G085P02TS.pdf
G085P02TS
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
10+39.18 грн
100+30.02 грн
500+22.27 грн
1000+17.82 грн
2000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02H GOFORD-G08N02H.pdf
G08N02H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 12A, RD<11.3M@4.5V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N02L GOFORD-G08N02L.pdf
G08N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 8A, RD<12.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 929 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N03D2 GOFORD-G08N03D2.pdf
G08N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,8A,RD<20M@10V,VTH1.0V~2.0V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 681 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08N06S G08N06S.pdf
G08N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 30 V
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
11+29.55 грн
100+18.98 грн
500+13.53 грн
1000+12.15 грн
2000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+46.49 грн
100+30.41 грн
500+22.03 грн
1000+19.94 грн
2000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G08P06D3 G08P06D3.pdf
G08P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.95 грн
15000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G090P02S G090P02S.pdf
G090P02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2225 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+33.65 грн
100+21.81 грн
500+15.67 грн
1000+14.13 грн
2000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2.pdf
G09N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.66 грн
10+58.65 грн
100+40.94 грн
500+30.96 грн
1000+28.51 грн
2000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09N06S2 G09N06S2.pdf
G09N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -9A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 2.5W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.68 грн
15+29.52 грн
25+16.91 грн
100+10.20 грн
500+8.87 грн
1000+8.04 грн
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G09P02L G09P02L.pdf
G09P02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+21.49 грн
100+14.53 грн
500+10.63 грн
1000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.73 грн
15000+2.42 грн
30000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1002 G1002.pdf
G1002
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A 1.3W SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]