Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1373) > Сторінка 12 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G35N02S G35N02S GOFORD SEMICONDUCTOR G35N02S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02S G35N02S Goford Semiconductor G35N02S.pdf Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.76 грн
13+23.66 грн
50+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5.pdf Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor G35P04D5.pdf Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.75 грн
10+44.87 грн
100+29.42 грн
500+21.35 грн
1000+19.34 грн
2000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K GOFORD SEMICONDUCTOR G36N03K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 36A; 31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.66 грн
10+33.39 грн
100+21.56 грн
500+15.42 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K Goford Semiconductor G370P10K.pdf Description: MOSFET,P-CH,-100V,-34A,94W,TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K GOFORD Semiconductor G370P10K.pdf G370P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K GOFORD SEMICONDUCTOR G370P10K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -34A; 94W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -34A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K Goford Semiconductor G370P10K.pdf Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K Goford Semiconductor G370P10K.pdf Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.56 грн
10+64.78 грн
50+48.33 грн
100+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3K8N15KE G3K8N15KE GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 150V; 6A; 20W; TO252; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 20W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: Trench
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.59 грн
10+40.28 грн
50+29.59 грн
100+24.53 грн
500+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S GOFORD Semiconductor G400P06S.pdf P-CH,-60V,-6A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor G400P06T.pdf Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.57 грн
50+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T GOFORD Semiconductor G400P06T.pdf P-CH,-60V,-32A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor G400P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.52 грн
10+48.01 грн
50+35.44 грн
100+29.46 грн
500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 GOFORD SEMICONDUCTOR G40P03D5.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -35A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 GOFORD Semiconductor G40P03D5.pdf P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K GOFORD Semiconductor G40P03K.pdf P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1136+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 1136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.93 грн
10+46.56 грн
50+34.35 грн
100+28.53 грн
500+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K GOFORD Semiconductor G40P03K.pdf P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.81 грн
15000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K GOFORD SEMICONDUCTOR G40P03K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -40A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5 Goford Semiconductor G450N10D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5 Goford Semiconductor G450N10D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.40 грн
10+60.42 грн
100+40.13 грн
500+29.51 грн
1000+26.88 грн
2000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K GOFORD SEMICONDUCTOR G450P04K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -11A; 48W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 48W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD SEMICONDUCTOR G45P02D3.pdf GOFORD-G45P02D3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -45A; 29W; DFN3x3-8
Case: DFN3x3-8
Power dissipation: 29W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD Semiconductor G45P02D3.pdf GOFORD-G45P02D3.pdf G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.36 грн
15000+14.48 грн
30000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.21 грн
10+39.13 грн
100+25.40 грн
500+18.30 грн
1000+16.51 грн
2000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.46 грн
15000+10.43 грн
30000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.77 грн
6000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.39 грн
10+57.05 грн
100+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T GOFORD SEMICONDUCTOR products-detail.php?ProId=642 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4614 GOFORD SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 6/-7A; SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOP8
Technology: Trench
Gate charge: 15/25nC
Power dissipation: 1.9/2.66W
Drain current: 6/-7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 GOFORD SEMICONDUCTOR G4616.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 8/-7A; 2/2.8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-7A
Power dissipation: 2/2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 12/13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 GOFORD Semiconductor G4616.pdf G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.97 грн
16000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.60 грн
16000+10.29 грн
32000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.36 грн
10+43.34 грн
100+28.23 грн
500+20.38 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+39.97 грн
100+30.67 грн
500+22.75 грн
1000+18.20 грн
2000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.89 грн
11+30.40 грн
50+22.16 грн
100+18.29 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S GOFORD SEMICONDUCTOR G4953S.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -5A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.89 грн
14+31.57 грн
25+23.99 грн
83+11.74 грн
227+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE GOFORD Semiconductor G500P03IE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02S G35N02S.pdf
G35N02S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 12A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02S G35N02S.pdf
G35N02S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,20V,12A,2.6W,SOP-8
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.76 грн
13+23.66 грн
50+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-35A,RD(MAX)<20M@-4.5V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 20 V
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.75 грн
10+44.87 грн
100+29.42 грн
500+21.35 грн
1000+19.34 грн
2000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 36A; 31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.66 грн
10+33.39 грн
100+21.56 грн
500+15.42 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-100V,-34A,94W,TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G370P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -34A; 94W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -34A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G370P10K G370P10K.pdf
G370P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -100V 34A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.56 грн
10+64.78 грн
50+48.33 грн
100+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3K8N15KE
G3K8N15KE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 150V; 6A; 20W; TO252; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 20W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: Trench
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.59 грн
10+40.28 грн
50+29.59 грн
100+24.53 грн
500+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-6A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.57 грн
50+35.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-32A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.52 грн
10+48.01 грн
50+35.44 грн
100+29.46 грн
500+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -35A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1136+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 1136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.93 грн
10+46.56 грн
50+34.35 грн
100+28.53 грн
500+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.81 грн
15000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -40A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5.pdf
G450N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D5 G450N10D5.pdf
G450N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,35A,80W,8-DFN (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.40 грн
10+60.42 грн
100+40.13 грн
500+29.51 грн
1000+26.88 грн
2000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -11A; 48W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 48W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf GOFORD-G45P02D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -45A; 29W; DFN3x3-8
Case: DFN3x3-8
Power dissipation: 29W
Gate charge: 44nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf GOFORD-G45P02D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.36 грн
15000+14.48 грн
30000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.21 грн
10+39.13 грн
100+25.40 грн
500+18.30 грн
1000+16.51 грн
2000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+11.46 грн
15000+10.43 грн
30000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.77 грн
6000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.39 грн
10+57.05 грн
100+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4614
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 6/-7A; SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOP8
Technology: Trench
Gate charge: 15/25nC
Power dissipation: 1.9/2.66W
Drain current: 6/-7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 8/-7A; 2/2.8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-7A
Power dissipation: 2/2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 12/13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.97 грн
16000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.60 грн
16000+10.29 грн
32000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.36 грн
10+43.34 грн
100+28.23 грн
500+20.38 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.92 грн
10+39.97 грн
100+30.67 грн
500+22.75 грн
1000+18.20 грн
2000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.89 грн
11+30.40 грн
50+22.16 грн
100+18.29 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -5A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.89 грн
14+31.57 грн
25+23.99 грн
83+11.74 грн
227+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE
Виробник: GOFORD Semiconductor
G500P03IE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.