Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1277) > Сторінка 12 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.27 грн
15000+10.26 грн
30000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T GOFORD SEMICONDUCTOR products-detail.php?ProId=642 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.26 грн
10+56.11 грн
100+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.39 грн
6000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4614 GOFORD SEMICONDUCTOR Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 6/-7A; SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOP8
Technology: Trench
Gate charge: 15/25nC
Power dissipation: 1.9/2.66W
Drain current: 6/-7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 GOFORD SEMICONDUCTOR G4616.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 8/-7A; 2/2.8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-7A
Power dissipation: 2/2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 12/13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.41 грн
16000+10.12 грн
32000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 GOFORD Semiconductor G4616.pdf G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.39 грн
16000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.17 грн
10+42.63 грн
100+27.77 грн
500+20.04 грн
1000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.14 грн
10+39.31 грн
100+30.16 грн
500+22.38 грн
1000+17.90 грн
2000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.05 грн
11+29.82 грн
100+19.14 грн
500+13.63 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S GOFORD SEMICONDUCTOR G4953S.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -5A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE GOFORD Semiconductor G500P03IE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE GOFORD Semiconductor G500P03IE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 GOFORD SEMICONDUCTOR G50N03D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 50A; 25.5W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 25.5W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 38.4nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.60 грн
10+41.95 грн
100+27.32 грн
500+19.72 грн
1000+17.81 грн
2000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.13 грн
75+26.07 грн
150+23.08 грн
525+17.68 грн
1050+15.95 грн
2025+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J GOFORD SEMICONDUCTOR G50N03J.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 65A; 48W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 48W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 16.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K GOFORD SEMICONDUCTOR G50N03K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 65A; 48W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 48W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.26 грн
10+40.37 грн
100+26.19 грн
500+18.87 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06F G58N06F Goford Semiconductor G58N06F.pdf Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.10 грн
50+45.59 грн
100+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.90 грн
10+50.08 грн
100+33.02 грн
500+24.11 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L G5N02L Goford Semiconductor GOFORD-G5N02L.pdf Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L G5N02L Goford Semiconductor GOFORD-G5N02L.pdf Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L G5P40L Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=64 Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L G5P40L Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=64 Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.54 грн
12+27.26 грн
100+16.97 грн
500+10.90 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I G60KN30I Goford Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I G60KN30I Goford Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I G60KN30I Goford Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.03 грн
19+16.57 грн
100+8.36 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D5 G60N04D5 Goford Semiconductor G60N04D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,60A,65W,DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 20 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D5 G60N04D5 Goford Semiconductor G60N04D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,60A,65W,DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 GOFORD SEMICONDUCTOR G60N04D52.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 60A; 65W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52.pdf Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52.pdf Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 GOFORD Semiconductor G60N04D52.pdf Dual N-CH,40V,35A,RD(max) Less Than 9mOhm at 10V,RD(max) Less Than 12mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52.pdf Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.80 грн
10+63.49 грн
100+42.15 грн
500+30.95 грн
1000+28.18 грн
2000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K Goford Semiconductor G60N04K.pdf Description: N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2014 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K GOFORD Semiconductor G60N04K.pdf N-CH,40V,RD(max) Less Than 7mOhm at 10V,RD(max) Less Than 12mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.5V ,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.53 грн
15000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K Goford Semiconductor G60N04K.pdf Description: N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2014 pF @ 20 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.08 грн
10+45.19 грн
100+29.52 грн
500+21.37 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K GOFORD SEMICONDUCTOR G60N04K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 60A; 65W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 65W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N06T G60N06T GOFORD SEMICONDUCTOR G60N06T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 60W
Gate charge: 39nC
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N06T G60N06T Goford Semiconductor G60N06T.pdf Description: N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N06T GOFORD Semiconductor G60N06T.pdf N-CH,60V,50A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K Goford Semiconductor G60N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4118 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K Goford Semiconductor G60N10K.pdf Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K GOFORD Semiconductor G60N10K.pdf N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 25mOhm at 10V,RD(max) Less Than 30mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K Goford Semiconductor G60N10K.pdf Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10T GOFORD Semiconductor G60N10T.pdf N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 19mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10T G60N10T Goford Semiconductor G60N10T.pdf Description: N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5986 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.89 грн
50+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+11.27 грн
15000+10.26 грн
30000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -45A; 80W; TO220
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain current: -45A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 42nC
Power dissipation: 80W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.26 грн
10+56.11 грн
100+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.39 грн
6000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4614
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 6/-7A; SOP8
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOP8
Technology: Trench
Gate charge: 15/25nC
Power dissipation: 1.9/2.66W
Drain current: 6/-7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 8/-7A; 2/2.8W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8/-7A
Power dissipation: 2/2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 12/13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.41 грн
16000+10.12 грн
32000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.39 грн
16000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.17 грн
10+42.63 грн
100+27.77 грн
500+20.04 грн
1000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.14 грн
10+39.31 грн
100+30.16 грн
500+22.38 грн
1000+17.90 грн
2000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.05 грн
11+29.82 грн
100+19.14 грн
500+13.63 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -5A; 1.6W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE
Виробник: GOFORD Semiconductor
G500P03IE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE
Виробник: GOFORD Semiconductor
G500P03IE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 50A; 25.5W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 25.5W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 38.4nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.60 грн
10+41.95 грн
100+27.32 грн
500+19.72 грн
1000+17.81 грн
2000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.13 грн
75+26.07 грн
150+23.08 грн
525+17.68 грн
1050+15.95 грн
2025+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 65A; 48W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 48W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 16.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 65A; 48W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 48W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 16.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.26 грн
10+40.37 грн
100+26.19 грн
500+18.87 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06F G58N06F.pdf
G58N06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.10 грн
50+45.59 грн
100+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.90 грн
10+50.08 грн
100+33.02 грн
500+24.11 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L GOFORD-G5N02L.pdf
G5N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L GOFORD-G5N02L.pdf
G5N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L products-detail.php?ProId=64
G5P40L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L products-detail.php?ProId=64
G5P40L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.54 грн
12+27.26 грн
100+16.97 грн
500+10.90 грн
1000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
G60KN30I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
G60KN30I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
G60KN30I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.03 грн
19+16.57 грн
100+8.36 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D5 G60N04D5.pdf
G60N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,60A,65W,DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 20 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D5 G60N04D5.pdf
G60N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,60A,65W,DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 60A; 65W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52.pdf
G60N04D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52.pdf
G60N04D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-CH,40V,35A,RD(max) Less Than 9mOhm at 10V,RD(max) Less Than 12mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04D52 G60N04D52.pdf
G60N04D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.80 грн
10+63.49 грн
100+42.15 грн
500+30.95 грн
1000+28.18 грн
2000+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K.pdf
G60N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2014 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,RD(max) Less Than 7mOhm at 10V,RD(max) Less Than 12mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.5V ,TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.53 грн
15000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K.pdf
G60N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2014 pF @ 20 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.08 грн
10+45.19 грн
100+29.52 грн
500+21.37 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N04K G60N04K.pdf
G60N04K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 60A; 65W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Power dissipation: 65W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N06T G60N06T.pdf
G60N06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 55A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 60W
Gate charge: 39nC
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N06T G60N06T.pdf
G60N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 50A,RD<17M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2333 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N06T G60N06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,50A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K.pdf
G60N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4118 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K.pdf
G60N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,60A,RD(max) Less Than 25mOhm at 10V,RD(max) Less Than 30mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10K G60N10K.pdf
G60N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5944 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10T G60N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 17mOhm at 10V,RD(max) Less Than 19mOhm at 4.5V,VTH 0.8V to 2.5V, TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G60N10T G60N10T.pdf
G60N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5986 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.89 грн
50+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]