Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 10 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G26P04K G26P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=587 Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+46.42 грн
100+35.63 грн
500+26.44 грн
1000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N02T G28N02T Goford Semiconductor GOFORD-G28N02T.pdf Description: N20V, 28A, RD<7.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
6000+5.57 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.51 грн
100+11.05 грн
500+7.72 грн
1000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 GOFORD Semiconductor G29.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 GOFORD SEMICONDUCTOR G29.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -15V; -4.1A; 1.05W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.05W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.38 грн
16+27.76 грн
25+16.77 грн
100+8.80 грн
500+6.10 грн
1000+5.22 грн
3000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
10+34.72 грн
100+24.13 грн
500+17.68 грн
1000+14.37 грн
2000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.31 грн
100+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+19.62 грн
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6.pdf Description: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S G2K8P15S Goford Semiconductor G2K8P15S.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6 Goford Semiconductor G300C03L6.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6 Goford Semiconductor G300C03L6.pdf Description: MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6 Goford Semiconductor G300C03L6.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
15+20.23 грн
100+12.76 грн
500+8.95 грн
1000+7.98 грн
2000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.04 грн
15000+4.49 грн
30000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
15000+3.14 грн
30000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor GOFORD-G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+20.15 грн
100+10.16 грн
500+7.78 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 Goford Semiconductor G300N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 Goford Semiconductor G300N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+25.96 грн
100+16.60 грн
500+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 Goford Semiconductor G300N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 GOFORD Semiconductor G300N04S2.pdf G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G300N04S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 5.5A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 G300P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.23 грн
15000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.72 грн
100+27.79 грн
500+20.06 грн
1000+18.12 грн
2000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T GOFORD Semiconductor G300P06T.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
50+45.27 грн
100+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 GOFORD Semiconductor G3035.pdf P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.68 грн
15000+3.39 грн
30000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.34 грн
50+10.27 грн
100+8.41 грн
500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 GOFORD SEMICONDUCTOR G3035.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD Semiconductor G3035L.pdf P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.43 грн
15000+4.05 грн
30000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.98 грн
50+12.20 грн
100+9.99 грн
500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L GOFORD SEMICONDUCTOR G3035L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.1A; 1.4W; SOT23
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 12.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T G30N02T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=623 Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T G30N02T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=623 Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=623 N-CH,20V,30A,RD(max) Less Than 13mOhm at 4.5V,VTH 0.5V to 1.2V,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.38 грн
100+20.92 грн
500+14.99 грн
1000+13.50 грн
2000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 GOFORD Semiconductor G30N03D3.pdf N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.69 грн
15000+10.75 грн
30000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+39.78 грн
100+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 GOFORD Semiconductor G30N04D3.pdf N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3 Goford Semiconductor G33N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Power - Max: 18.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+50.80 грн
100+35.17 грн
500+27.57 грн
1000+23.47 грн
2000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K products-detail.php?ProId=587
G26P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.87 грн
10+46.42 грн
100+35.63 грн
500+26.44 грн
1000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N02T GOFORD-G28N02T.pdf
G28N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 28A, RD<7.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3.pdf
G28N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3.pdf
G28N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.39 грн
6000+5.57 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
18+17.51 грн
100+11.05 грн
500+7.72 грн
1000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3334+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -15V; -4.1A; 1.05W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.05W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.38 грн
16+27.76 грн
25+16.77 грн
100+8.80 грн
500+6.10 грн
1000+5.22 грн
3000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.33 грн
10+34.72 грн
100+24.13 грн
500+17.68 грн
1000+14.37 грн
2000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.49 грн
10+56.31 грн
100+37.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE.pdf
G2K2P10SE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
16+19.62 грн
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6.pdf
G2K3N10L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S G2K8P15S.pdf
G2K8P15S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6.pdf
G300C03L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6.pdf
G300C03L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6.pdf
G300C03L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
15+20.23 грн
100+12.76 грн
500+8.95 грн
1000+7.98 грн
2000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+5.04 грн
15000+4.49 грн
30000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.47 грн
15000+3.14 грн
30000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L GOFORD-G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
15+20.15 грн
100+10.16 грн
500+7.78 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.89 грн
12+25.96 грн
100+16.60 грн
500+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 5.5A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
G300P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.23 грн
15000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.54 грн
10+42.72 грн
100+27.79 грн
500+20.06 грн
1000+18.12 грн
2000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
492+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.33 грн
50+45.27 грн
100+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+3.68 грн
15000+3.39 грн
30000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
22+14.34 грн
50+10.27 грн
100+8.41 грн
500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3192+4.43 грн
15000+4.05 грн
30000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.00 грн
18+16.98 грн
50+12.20 грн
100+9.99 грн
500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.1A; 1.4W; SOT23
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 12.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
G30N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
G30N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N02T products-detail.php?ProId=623
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,30A,RD(max) Less Than 13mOhm at 4.5V,VTH 0.5V to 1.2V,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
729+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.08 грн
10+32.38 грн
100+20.92 грн
500+14.99 грн
1000+13.50 грн
2000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 30A 7mOhm/MAX at 10V, 12mOhm/MAX at 5V DFN3x3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+11.69 грн
15000+10.75 грн
30000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N03D3 G30N03D3.pdf
G30N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
G30N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 20 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.62 грн
10+39.78 грн
100+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G30N04D3 G30N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 40V 30A 9.5mOhmMAX at 4.5V,16mOhmMAX at 4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G33N03D3 G33N03D3.pdf
G33N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Power - Max: 18.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 107329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+50.80 грн
100+35.17 грн
500+27.57 грн
1000+23.47 грн
2000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]