Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1347) > Сторінка 10 з 23

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G250N03IE G250N03IE GOFORD SEMICONDUCTOR G250N03IE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.3A; 1.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE Goford Semiconductor G250N03IE.pdf Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE GOFORD Semiconductor G250N03IE.pdf N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K GOFORD Semiconductor G25N06K.pdf NChannel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.68 грн
15000+13.55 грн
30000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K Goford Semiconductor G25N06K.pdf Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K Goford Semiconductor G25N06K.pdf Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
10+40.68 грн
50+29.91 грн
100+24.81 грн
500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 G26P04D5 Goford Semiconductor G26P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 26A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K G26P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=587 Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K G26P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=587 Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.38 грн
10+46.85 грн
100+35.97 грн
500+26.68 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N02T G28N02T Goford Semiconductor GOFORD-G28N02T.pdf Description: N20V, 28A, RD<7.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3 Goford Semiconductor G28N03D3.pdf Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
6000+5.62 грн
9000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 GOFORD SEMICONDUCTOR G29.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -15V; -4.1A; 1.05W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.05W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.87 грн
16+28.02 грн
25+16.93 грн
100+8.88 грн
500+6.15 грн
1000+5.27 грн
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 GOFORD Semiconductor G29.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29 Goford Semiconductor G29.pdf Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
18+17.68 грн
100+11.15 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
10+35.05 грн
100+24.36 грн
500+17.84 грн
1000+14.50 грн
2000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E G2K2P10D3E Goford Semiconductor GOFORD-G2K2P10D3E.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.36 грн
10+56.83 грн
100+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E Goford Semiconductor G2K2P10S2E.pdf Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE Goford Semiconductor G2K2P10SE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
16+19.81 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G Goford Semiconductor G2K3N10G.pdf Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6 Goford Semiconductor G2K3N10L6.pdf Description: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S G2K8P15S Goford Semiconductor G2K8P15S.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6 Goford Semiconductor G300C03L6.pdf Description: MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6 Goford Semiconductor G300C03L6.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6 Goford Semiconductor G300C03L6.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.18 грн
14+22.25 грн
50+16.12 грн
100+13.26 грн
500+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3 Goford Semiconductor G300N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 GOFORD SEMICONDUCTOR G300N04D3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 6A; 1.25W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: DFN3x3-8
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
18+17.37 грн
50+12.52 грн
100+10.27 грн
500+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L GOFORD SEMICONDUCTOR G300N04L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 5A; 2.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L Goford Semiconductor G300N04L.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 Goford Semiconductor G300N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 Goford Semiconductor G300N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 Goford Semiconductor G300N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.10 грн
12+26.82 грн
50+19.46 грн
100+16.05 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 GOFORD Semiconductor G300N04S2.pdf G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G300N04S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 5.5A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3 Goford Semiconductor G300P06D3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 G300P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-G300P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.40 грн
15000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S Goford Semiconductor G300P06S.pdf Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.20 грн
10+43.12 грн
100+28.05 грн
500+20.25 грн
1000+18.29 грн
2000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.27 грн
50+45.70 грн
100+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T GOFORD Semiconductor G300P06T.pdf P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T Goford Semiconductor G300P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 GOFORD Semiconductor G3035.pdf P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
30000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 GOFORD SEMICONDUCTOR G3035.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035 Goford Semiconductor G3035.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
22+14.48 грн
50+10.36 грн
100+8.49 грн
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L Goford Semiconductor G3035L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.27 грн
18+17.14 грн
50+12.31 грн
100+10.09 грн
500+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L GOFORD Semiconductor G3035L.pdf P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.42 грн
15000+4.05 грн
30000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.3A; 1.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 30V 5.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
G250N03IE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G250N03IE G250N03IE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N30V,ESD 5.3A,RD Less Than 25mOhm at 10V,VTH 0.5V to 1.3V, SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
NChannel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.68 грн
15000+13.55 грн
30000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K.pdf
G25N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G25N06K G25N06K.pdf
G25N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.04 грн
10+40.68 грн
50+29.91 грн
100+24.81 грн
500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04D5 G26P04D5.pdf
G26P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 26A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K products-detail.php?ProId=587
G26P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G26P04K products-detail.php?ProId=587
G26P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.38 грн
10+46.85 грн
100+35.97 грн
500+26.68 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N02T GOFORD-G28N02T.pdf
G28N02T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 28A, RD<7.3M@4.5V,VTH0.5V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3.pdf
G28N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G28N03D3 G28N03D3.pdf
G28N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 896 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.45 грн
6000+5.62 грн
9000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -15V; -4.1A; 1.05W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.1A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.05W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.87 грн
16+28.02 грн
25+16.93 грн
100+8.88 грн
500+6.15 грн
1000+5.27 грн
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3334+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G29 G29.pdf
G29
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.06 грн
18+17.68 грн
100+11.15 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.72 грн
10+35.05 грн
100+24.36 грн
500+17.84 грн
1000+14.50 грн
2000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10D3E GOFORD-G2K2P10D3E.pdf
G2K2P10D3E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.36 грн
10+56.83 грн
100+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10S2E G2K2P10S2E.pdf
G2K2P10S2E
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 100V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K2P10SE G2K2P10SE.pdf
G2K2P10SE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
FET Feature: Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.48 грн
16+19.81 грн
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10G G2K3N10G.pdf
G2K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 2.5A,RD<220M@10V,VTH1V~2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2K3N10L6 G2K3N10L6.pdf
G2K3N10L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2K8P15S G2K8P15S.pdf
G2K8P15S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6.pdf
G300C03L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 30V 5.6A/4.2A SOT-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6.pdf
G300C03L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300C03L6 G300C03L6.pdf
G300C03L6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.6A SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.18 грн
14+22.25 грн
50+16.12 грн
100+13.26 грн
500+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
G300N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 479 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04D3 G300N04D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 6A; 1.25W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Power dissipation: 1.25W
Case: DFN3x3-8
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.06 грн
18+17.37 грн
50+12.52 грн
100+10.27 грн
500+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 5A; 2.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04L G300N04L.pdf
G300N04L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.5A 8SOP
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.10 грн
12+26.82 грн
50+19.46 грн
100+16.05 грн
500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G300N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300N04S2 G300N04S2.pdf
G300N04S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 5.5A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D3 G300P06D3.pdf
G300P06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V -28A 50W 30M(MAX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06D5 GOFORD-G300P06D5.pdf
G300P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.40 грн
15000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06S G300P06S.pdf
G300P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-60V,-12A,RD(MAX)<30M@-10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2719 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.20 грн
10+43.12 грн
100+28.05 грн
500+20.25 грн
1000+18.29 грн
2000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2736 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.27 грн
50+45.70 грн
100+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-40A,RD(max) Less Than 30mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
492+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G300P06T G300P06T.pdf
G300P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.6A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
30000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3035 G3035.pdf
G3035
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 607 pF @ 15 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.53 грн
22+14.48 грн
50+10.36 грн
100+8.49 грн
500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
G3035L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.27 грн
18+17.14 грн
50+12.31 грн
100+10.09 грн
500+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3035L G3035L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.1A 59mOhm/MAX at -10V, 75mOhm/MAX at -4.5V,SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3192+4.42 грн
15000+4.05 грн
30000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]