Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1057) > Сторінка 10 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G35N02K G35N02K Goford Semiconductor GOFORD-G35N02K.pdf Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 G35P04D5 Goford Semiconductor GOFORD-G35P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.70 грн
10+34.61 грн
100+22.35 грн
500+15.99 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K Goford Semiconductor G36N03K.pdf Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S GOFORD Semiconductor G400P06S.pdf P-CH,-60V,-6A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S Goford Semiconductor G400P06S.pdf Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.77 грн
10+40.01 грн
100+25.89 грн
500+18.60 грн
1000+16.77 грн
2000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T GOFORD Semiconductor G400P06T.pdf P-CH,-60V,-32A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor G400P06T.pdf Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.19 грн
50+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T Goford Semiconductor G400P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.61 грн
10+49.30 грн
100+32.22 грн
500+23.34 грн
1000+21.12 грн
2000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5 Goford Semiconductor G40P03D5.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 GOFORD Semiconductor G40P03D5.pdf P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K GOFORD Semiconductor G40P03K.pdf P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.16 грн
15000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.02 грн
10+44.93 грн
100+29.28 грн
500+21.13 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K Goford Semiconductor G40P03K.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52 Goford Semiconductor G450N10D52.pdf Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+63.43 грн
100+42.01 грн
500+30.79 грн
1000+28.02 грн
2000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K Goford Semiconductor G450P04K.pdf Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.88 грн
15000+10.82 грн
30000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.08 грн
15000+12.33 грн
30000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 G45P02D3 Goford Semiconductor GOFORD-G45P02D3.pdf Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.16 грн
10+38.34 грн
100+26.55 грн
500+20.82 грн
1000+17.72 грн
2000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.89 грн
10+59.14 грн
100+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T G45P40T Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=642 Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.60 грн
6000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.02 грн
16000+10.67 грн
32000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616 Goford Semiconductor G4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.02 грн
10+44.93 грн
100+29.27 грн
500+21.13 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 GOFORD Semiconductor G4616.pdf G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.74 грн
16000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 G48N03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=442 Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.64 грн
10+41.44 грн
100+31.79 грн
500+23.59 грн
1000+18.87 грн
2000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S Goford Semiconductor G4953S.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.46 грн
11+29.53 грн
100+18.99 грн
500+13.53 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE GOFORD Semiconductor G500P03IE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.25 грн
15000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5 Goford Semiconductor G50N03D5.pdf Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.89 грн
10+42.71 грн
100+27.86 грн
500+20.15 грн
1000+18.21 грн
2000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J Goford Semiconductor G50N03J.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.89 грн
75+29.01 грн
150+25.75 грн
525+19.80 грн
1050+17.91 грн
2025+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.11 грн
15000+9.87 грн
30000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K Goford Semiconductor G50N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.12 грн
10+38.74 грн
100+25.15 грн
500+18.12 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06F G58N06F Goford Semiconductor G58N06F.pdf Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.80 грн
50+42.72 грн
100+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.19 грн
10+44.61 грн
100+29.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K Goford Semiconductor G58N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L G5N02L Goford Semiconductor GOFORD-G5N02L.pdf Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L G5N02L Goford Semiconductor GOFORD-G5N02L.pdf Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L G5P40L Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=64 Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.57 грн
12+28.74 грн
100+17.89 грн
500+11.49 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L G5P40L Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=64 Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I G60KN30I Goford Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.38 грн
19+17.46 грн
100+8.81 грн
500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I G60KN30I Goford Semiconductor GOFORD-G60KN30I.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G35N02K GOFORD-G35N02K.pdf
G35N02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G35P04D5 GOFORD-G35P04D5.pdf
G35P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.70 грн
10+34.61 грн
100+22.35 грн
500+15.99 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 36A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G36N03K G36N03K.pdf
G36N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,36A,RD<8.5M@10V,VTH1.0V~2.2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-6A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06S G400P06S.pdf
G400P06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 60V,6A,SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2506 pF @ 30 V
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+40.01 грн
100+25.89 грн
500+18.60 грн
1000+16.77 грн
2000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-32A,RD(max) Less Than 40mOhm at -10V, VTH-2V to -3V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2598 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.19 грн
50+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G400P06T G400P06T.pdf
G400P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-35A,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.61 грн
10+49.30 грн
100+32.22 грн
500+23.34 грн
1000+21.12 грн
2000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
G40P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 35A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2716 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03D5 G40P03D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-35A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 14mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-30V,-40A,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 12.5mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.16 грн
15000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2622 pF @ 15 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.02 грн
10+44.93 грн
100+29.28 грн
500+21.13 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G40P03K G40P03K.pdf
G40P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 40A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450N10D52 G450N10D52.pdf
G450N10D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 80W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.87 грн
10+63.43 грн
100+42.01 грн
500+30.79 грн
1000+28.02 грн
2000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-40V,-11A,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G450P04K G450P04K.pdf
G450P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -40V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 45A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.88 грн
15000+10.82 грн
30000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G45P02D3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.08 грн
15000+12.33 грн
30000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G45P02D3 GOFORD-G45P02D3.pdf
G45P02D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4867 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.16 грн
10+38.34 грн
100+26.55 грн
500+20.82 грн
1000+17.72 грн
2000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3269 pF @ 20 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.89 грн
10+59.14 грн
100+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G45P40T products-detail.php?ProId=642
G45P40T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+23.60 грн
6000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.02 грн
16000+10.67 грн
32000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
G4616
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.02 грн
10+44.93 грн
100+29.27 грн
500+21.13 грн
1000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G4616 G4616.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G4616
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.74 грн
16000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G48N03D3 products-detail.php?ProId=442
G48N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.64 грн
10+41.44 грн
100+31.79 грн
500+23.59 грн
1000+18.87 грн
2000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G4953S G4953S.pdf
G4953S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.46 грн
11+29.53 грн
100+18.99 грн
500+13.53 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G500P03IE
Виробник: GOFORD Semiconductor
G500P03IE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3847+3.25 грн
15000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3847
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03D5 G50N03D5.pdf
G50N03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1661 pF @ 15 V
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.89 грн
10+42.71 грн
100+27.86 грн
500+20.15 грн
1000+18.21 грн
2000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03J G50N03J.pdf
G50N03J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 15 V
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.89 грн
75+29.01 грн
150+25.75 грн
525+19.80 грн
1050+17.91 грн
2025+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.11 грн
15000+9.87 грн
30000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G50N03K G50N03K.pdf
G50N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.12 грн
10+38.74 грн
100+25.15 грн
500+18.12 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06F G58N06F.pdf
G58N06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30006 pF @ 30 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.80 грн
50+42.72 грн
100+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,58A,RD<13M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.19 грн
10+44.61 грн
100+29.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G58N06K G58N06K.pdf
G58N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L GOFORD-G5N02L.pdf
G5N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G5N02L GOFORD-G5N02L.pdf
G5N02L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 5A, RD<18M@10V,VTH0.4V~1.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L products-detail.php?ProId=64
G5P40L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.57 грн
12+28.74 грн
100+17.89 грн
500+11.49 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G5P40L products-detail.php?ProId=64
G5P40L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<85M@-10V,RD(MAX)<12
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
G60KN30I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.38 грн
19+17.46 грн
100+8.81 грн
500+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
G60KN30I GOFORD-G60KN30I.pdf
G60KN30I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]