Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 20 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.59 грн
500+7.39 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3.pdf Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.17 грн
100+17.40 грн
500+12.38 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GOFORD SEMICONDUCTOR GT100N04D3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Case: DFN3x3-8
Power dissipation: 25W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GOFORD Semiconductor GT100N04D3.pdf N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3 Goford Semiconductor GT100N04D3.pdf Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04K GT100N04K Goford Semiconductor GOFORD-GT100N04K.pdf Description: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04K GT100N04K Goford Semiconductor GOFORD-GT100N04K.pdf Description: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.63 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 GT100N12D5 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=588 Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 GOFORD SEMICONDUCTOR products-detail.php?ProId=588 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; DFN5x6-8
Case: DFN5x6-8
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 GT100N12D5 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=588 Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+107.18 грн
100+86.14 грн
500+66.41 грн
1000+55.03 грн
2000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=588 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K.pdf Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.91 грн
100+60.32 грн
500+45.12 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GOFORD Semiconductor GT100N12K.pdf GT100N12K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K GOFORD SEMICONDUCTOR GT100N12K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K.pdf Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M GOFORD SEMICONDUCTOR GT100N12M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GOFORD Semiconductor GT100N12M.pdf N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M Goford Semiconductor GT100N12M.pdf Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M Goford Semiconductor GT100N12M.pdf Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+112.99 грн
100+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12T GT100N12T Goford Semiconductor GT100N12T.pdf Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
50+72.73 грн
100+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12T GOFORD Semiconductor GT100N12T.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12T GT100N12T GOFORD SEMICONDUCTOR GT100N12T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K GT100P06K Goford Semiconductor Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.68 грн
5+91.38 грн
7+85.71 грн
10+80.25 грн
25+66.97 грн
50+59.54 грн
100+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K GT100P06K Goford Semiconductor Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 48A; 50W; TO220F
Case: TO220F
Power dissipation: 50W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F Goford Semiconductor GT105N10F.pdf Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F Goford Semiconductor GT105N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GOFORD Semiconductor GT105N10F.pdf N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GOFORD Semiconductor GT105N10K.pdf N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.46 грн
15000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GT105N10M Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GT105N10M Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GT105N10M GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GOFORD Semiconductor GT105N10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T.pdf Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+74.27 грн
100+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GOFORD Semiconductor GT105N10T.pdf N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 80W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GOFORD Semiconductor GT10N10.pdf N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.45 грн
15000+11.50 грн
30000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 GOFORD SEMICONDUCTOR GT10N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 9A; 23W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Power dissipation: 23W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.62 грн
500+15.46 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3.pdf Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06D3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: DFN3x3-8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3.pdf Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.42 грн
100+27.75 грн
500+20.11 грн
1000+18.19 грн
2000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GOFORD Semiconductor GT110N06D3.pdf N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.84 грн
15000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DFN3*3-8L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.03 грн
15000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5.pdf Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GOFORD Semiconductor GT110N06D5.pdf N-CH,60V,45A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN5x6-8L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5.pdf Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+53.06 грн
100+35.05 грн
500+25.63 грн
1000+23.29 грн
2000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M Goford Semiconductor GT110N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: SGT
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M Goford Semiconductor GT110N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+72.76 грн
100+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M Goford Semiconductor GT110N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 9m(max)@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 14A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.59 грн
500+7.39 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.46 грн
12+27.17 грн
100+17.40 грн
500+12.38 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 13A DFN3*3-8L
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 40V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Case: DFN3x3-8
Power dissipation: 25W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,13A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 16mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04D3 GT100N04D3.pdf
GT100N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 13A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04K GOFORD-GT100N04K.pdf
GT100N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N04K GOFORD-GT100N04K.pdf
GT100N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,50A,RD<10M@10V,VTH1.2V~2.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.60 грн
11+28.91 грн
100+18.63 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 products-detail.php?ProId=588
GT100N12D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+57.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 products-detail.php?ProId=588
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; DFN5x6-8
Case: DFN5x6-8
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 products-detail.php?ProId=588
GT100N12D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.84 грн
10+107.18 грн
100+86.14 грн
500+66.41 грн
1000+55.03 грн
2000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12D5 products-detail.php?ProId=588
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K.pdf
GT100N12K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.22 грн
10+88.91 грн
100+60.32 грн
500+45.12 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT100N12K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K.pdf
GT100N12K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12K GT100N12K.pdf
GT100N12K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2911 pF @ 60 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M.pdf
GT100N12M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,120V,70A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V, VTH2.5V to 3.5V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M.pdf
GT100N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12M GT100N12M.pdf
GT100N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.63 грн
10+112.99 грн
100+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12T GT100N12T.pdf
GT100N12T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 60 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.65 грн
50+72.73 грн
100+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12T GT100N12T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+53.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100N12T GT100N12T.pdf
GT100N12T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 120V; 70A; 100W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 100W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K
GT100P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.68 грн
5+91.38 грн
7+85.71 грн
10+80.25 грн
25+66.97 грн
50+59.54 грн
100+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K
GT100P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 48A; 50W; TO220F
Case: TO220F
Power dissipation: 50W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
GT105N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.73 грн
10+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
GT105N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.46 грн
15000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.14 грн
10+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
GT105N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
GT105N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
GT105N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT105N10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
GT105N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.44 грн
10+74.27 грн
100+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
369+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
GT105N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 80W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
GT105N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.45 грн
15000+11.50 грн
30000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 9A; 23W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Power dissipation: 23W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.62 грн
500+15.46 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: DFN3x3-8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.54 грн
10+42.42 грн
100+27.75 грн
500+20.11 грн
1000+18.19 грн
2000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.84 грн
15000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DFN3*3-8L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.03 грн
15000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5.pdf
GT110N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,45A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN5x6-8L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
603+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5.pdf
GT110N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.00 грн
10+53.06 грн
100+35.05 грн
500+25.63 грн
1000+23.29 грн
2000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: SGT
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.14 грн
10+72.76 грн
100+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 9m(max)@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 14A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]