Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1277) > Сторінка 20 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT100P06K GT100P06K Goford Semiconductor Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.44 грн
5+91.17 грн
7+85.52 грн
10+80.08 грн
25+66.82 грн
50+59.41 грн
100+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K GT100P06K Goford Semiconductor Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GOFORD Semiconductor GT105N10F.pdf N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F Goford Semiconductor GT105N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F Goford Semiconductor GT105N10F.pdf Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.49 грн
10+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 48A; 50W; TO220F
Case: TO220F
Power dissipation: 50W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GOFORD Semiconductor GT105N10K.pdf N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.39 грн
15000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K Goford Semiconductor GT105N10K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.87 грн
10+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GT105N10M Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GT105N10M GOFORD SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GOFORD Semiconductor GT105N10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M GT105N10M Goford Semiconductor Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GOFORD Semiconductor GT105N10T.pdf N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T Goford Semiconductor GT105N10T.pdf Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+74.11 грн
100+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT105N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 80W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10.pdf Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.31 грн
10+33.51 грн
100+21.58 грн
500+15.43 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GOFORD Semiconductor GT10N10.pdf N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.42 грн
15000+11.48 грн
30000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10 GOFORD SEMICONDUCTOR GT10N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 9A; 23W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 23W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A DFN3*3-8L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.00 грн
15000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3.pdf Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GOFORD Semiconductor GT110N06D3.pdf N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.79 грн
15000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3 Goford Semiconductor GT110N06D3.pdf Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.39 грн
10+42.32 грн
100+27.69 грн
500+20.06 грн
1000+18.15 грн
2000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06D3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: DFN3x3-8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5.pdf Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GOFORD Semiconductor GT110N06D5.pdf N-CH,60V,45A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN5x6-8L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5.pdf Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.81 грн
10+52.94 грн
100+34.97 грн
500+25.57 грн
1000+23.24 грн
2000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M Goford Semiconductor GT110N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 9m(max)@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: SGT
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M Goford Semiconductor GT110N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M Goford Semiconductor GT110N06M.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.87 грн
10+72.60 грн
100+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GOFORD Semiconductor GT110N06S.pdf N-CH 60V 14A 11mOhmMAX at 10V, 14mOhmMAX at 4.5V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.23 грн
16000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.52 грн
16000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S.pdf Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 14A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S.pdf Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.64 грн
10+46.32 грн
100+30.41 грн
500+22.11 грн
1000+20.04 грн
2000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH Goford Semiconductor GT110N06SH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,12A,3W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH Goford Semiconductor GT110N06SH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06SH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 12A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH Goford Semiconductor GT110N06SH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.57 грн
10+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GOFORD Semiconductor GT110N06SH.pdf GT110N06SH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3 Goford Semiconductor GT130N10D3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GOFORD SEMICONDUCTOR GT130N10D3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 52A; 71W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3 Goford Semiconductor GT130N10D3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3 Goford Semiconductor GT130N10D3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.89 грн
10+61.45 грн
100+40.92 грн
500+30.13 грн
1000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F Goford Semiconductor GT130N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A 41.7W 12m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F Goford Semiconductor GT130N10F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 45A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GOFORD SEMICONDUCTOR GT130N10F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 45A; 41.7W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GOFORD Semiconductor GT130N10F.pdf GT130N10F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K Goford Semiconductor GT130N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K Goford Semiconductor GT130N10K.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.80 грн
10+63.79 грн
100+42.44 грн
500+31.21 грн
1000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.61 грн
10+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M Goford Semiconductor GT130N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT150N12T.pdf GT150N12T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GT150N12T Goford Semiconductor GOFORD-GT150N12T.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1596 pF @ 60 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.16 грн
10+70.19 грн
100+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K
GT100P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.44 грн
5+91.17 грн
7+85.52 грн
10+80.08 грн
25+66.82 грн
50+59.41 грн
100+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT100P06K
GT100P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 60A 104W 8M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,33A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
GT105N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
GT105N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1587 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.49 грн
10+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10F GT105N10F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 48A; 50W; TO220F
Case: TO220F
Power dissipation: 50W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.39 грн
15000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10K GT105N10K.pdf
GT105N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.87 грн
10+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
GT105N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
GT105N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO263
Case: TO263
Power dissipation: 80W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT105N10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10M
GT105N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 83W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1675 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
GT105N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,100V,60A,RD(max) Less Than 10.5mOhm at 10V, VTH2.5V to 4.0V, TO-252
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
369+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
GT105N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.18 грн
10+74.11 грн
100+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT105N10T GT105N10T.pdf
GT105N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 63A; 80W; TO220
Case: TO220
Power dissipation: 80W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7A TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.31 грн
10+33.51 грн
100+21.58 грн
500+15.43 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 7A 140mOhm/MAX at 10V, 175mOhm/MAX at 4.5V ,TO-252
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.42 грн
15000+11.48 грн
30000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT10N10 GT10N10.pdf
GT10N10
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 9A; 23W; TO252
Case: TO252
Power dissipation: 23W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 35A DFN3*3-8L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.00 грн
15000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,35A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN3x3-8L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.79 грн
15000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
GT110N06D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 35A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 30 V
на замовлення 3727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.39 грн
10+42.32 грн
100+27.69 грн
500+20.06 грн
1000+18.15 грн
2000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D3 GT110N06D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 35A; 25W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 25W
Case: DFN3x3-8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5.pdf
GT110N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,45A,RD(max) Less Than 11mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.4V,DFN5x6-8L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
603+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06D5 GT110N06D5.pdf
GT110N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.81 грн
10+52.94 грн
100+34.97 грн
500+25.57 грн
1000+23.24 грн
2000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 9m(max)@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 45A; 52W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Technology: SGT
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06M GT110N06M.pdf
GT110N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.87 грн
10+72.60 грн
100+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 14A 11mOhmMAX at 10V, 14mOhmMAX at 4.5V, SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.23 грн
16000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.52 грн
16000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 14A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Technology: SGT
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06S GT110N06S.pdf
GT110N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 3533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.64 грн
10+46.32 грн
100+30.41 грн
500+22.11 грн
1000+20.04 грн
2000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,12A,3W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 12A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Technology: Trench
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
GT110N06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 3W SOP-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.57 грн
10+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT110N06SH GT110N06SH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT110N06SH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
GT130N10D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 52A; 71W; DFN3x3-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DFN3x3-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
GT130N10D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10D3 GT130N10D3.pdf
GT130N10D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 52A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 50 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.89 грн
10+61.45 грн
100+40.92 грн
500+30.13 грн
1000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
GT130N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 45A 41.7W 12m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
GT130N10F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 45A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 45A; 41.7W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10F GT130N10F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT130N10F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K.pdf
GT130N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10K GT130N10K.pdf
GT130N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A 73.5W TO-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1215 pF @ 50 V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.80 грн
10+63.79 грн
100+42.44 грн
500+31.21 грн
1000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M.pdf
GT130N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.61 грн
10+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT130N10M GT130N10M.pdf
GT130N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1222 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD-GT150N12T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT150N12T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
375+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT150N12T GOFORD-GT150N12T.pdf
GT150N12T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1596 pF @ 60 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.16 грн
10+70.19 грн
100+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]