Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 19 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT065P06D5 GT065P06D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT065P06D5.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.93 грн
8000+44.93 грн
16000+43.47 грн
30000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GOFORD Semiconductor GT065P06T.pdf P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.95 грн
15000+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T.pdf Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.77 грн
10+201.60 грн
100+148.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M Goford Semiconductor GT070N15M.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15T GT070N15T Goford Semiconductor GT070N15T.pdf Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.61 грн
10+197.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL Goford Semiconductor GT070N15TL.pdf Description: MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 75 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+207.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT070N15TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 150V; 200A; 430W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 200A
Power dissipation: 430W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL Goford Semiconductor GT070N15TL.pdf Description: MOSFET,N-CH,150V,200A,430W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL Goford Semiconductor GT070N15TL.pdf Description: MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N08D5 GT080N08D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT080N08D5.pdf Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.03 грн
100+64.33 грн
500+48.05 грн
1000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K Goford Semiconductor GT080N10K.pdf Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10KI GT080N10KI Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10KI.pdf Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.49 грн
10+111.03 грн
100+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M.pdf Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T Goford Semiconductor GT080N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T Goford Semiconductor GT080N10T.pdf Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT080N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10TI GT080N10TI Goford Semiconductor GOFORD-GT080N10TI.pdf Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT085N10D5 GT085N10D5 Goford Semiconductor GT085N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 71A 100W DFN5*6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT085N10D5 GT085N10D5 Goford Semiconductor GT085N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 71A 100W DFN5*6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.14 грн
10+90.76 грн
100+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT085N10D5 GT085N10D5 Goford Semiconductor GT085N10D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,71A,100W,DFN5*6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100W
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T.pdf Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1116 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T Goford Semiconductor GT088N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GOFORD Semiconductor GT090N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52 Goford Semiconductor GT090N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H Goford Semiconductor GT090N06D5H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H Goford Semiconductor GT090N06D5H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.19 грн
100+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K.pdf Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.96 грн
500+25.54 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K Goford Semiconductor GT090N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.54 грн
15000+14.73 грн
30000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH Goford Semiconductor GT090N06MH.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06S GT090N06S Goford Semiconductor GOFORD-GT090N06S.pdf Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.59 грн
100+18.99 грн
500+13.51 грн
1000+12.12 грн
2000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3 Goford Semiconductor GT095N04D3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.80 грн
15000+7.75 грн
30000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GT095N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GT095N04D5 Goford Semiconductor GOFORD-GT095N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
10+35.10 грн
100+24.39 грн
500+17.87 грн
1000+14.52 грн
2000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.32 грн
10000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.89 грн
100+43.99 грн
500+32.48 грн
1000+29.65 грн
2000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GOFORD Semiconductor GT095N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5 Goford Semiconductor GT095N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.13 грн
15000+20.61 грн
30000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K Goford Semiconductor GT095N10K.pdf Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.12 грн
100+49.62 грн
500+36.70 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K Goford Semiconductor GT095N10K.pdf Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10S GT095N10S Goford Semiconductor GOFORD-GT095N10S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.72 грн
16000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A GOFORD SEMICONDUCTOR GT1003A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.5A; 1.7W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A Goford Semiconductor GT1003A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GOFORD Semiconductor GT1003A.pdf High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
15000+5.09 грн
30000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D GOFORD SEMICONDUCTOR GT1003D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D Goford Semiconductor GT1003D.pdf Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.59 грн
500+7.39 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06D5 GOFORD-GT065P06D5.pdf
GT065P06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.93 грн
8000+44.93 грн
16000+43.47 грн
30000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-82A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,RD(max) Less Than 9.5mOhm at -4.5V,VTH-1V to -2.5V ,TO-220
на замовлення 16450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+66.95 грн
15000+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT065P06T GT065P06T.pdf
GT065P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.77 грн
10+201.60 грн
100+148.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15M GT070N15M.pdf
GT070N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 140A 320W 5.8m(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 75 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+111.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15T GT070N15T.pdf
GT070N15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V140A 320W TO-22
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5864 pF @ 75 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.61 грн
10+197.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL.pdf
GT070N15TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 75 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.07 грн
10+207.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 150V; 200A; 430W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 200A
Power dissipation: 430W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL.pdf
GT070N15TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,150V,200A,430W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT070N15TL GT070N15TL.pdf
GT070N15TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V,200A,430W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5865 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N08D5 GOFORD-GT080N08D5.pdf
GT080N08D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.41 грн
10+95.03 грн
100+64.33 грн
500+48.05 грн
1000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10K GT080N10K.pdf
GT080N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10KI GOFORD-GT080N10KI.pdf
GT080N10KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2394 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.49 грн
10+111.03 грн
100+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10M GT080N10M.pdf
GT080N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2915 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 50 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10T GT080N10T.pdf
GT080N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 70A; 100W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 100W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT080N10TI GOFORD-GT080N10TI.pdf
GT080N10TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT085N10D5 GT085N10D5.pdf
GT085N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 71A 100W DFN5*6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT085N10D5 GT085N10D5.pdf
GT085N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 71A 100W DFN5*6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.14 грн
10+90.76 грн
100+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT085N10D5 GT085N10D5.pdf
GT085N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,71A,100W,DFN5*6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100W
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T.pdf
GT088N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1116 pF @ 30 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT088N06T GT088N06T.pdf
GT088N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D52 GT090N06D52.pdf
GT090N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H.pdf
GT090N06D5H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06D5H GT090N06D5H.pdf
GT090N06D5H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 69W DFN5*6-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.81 грн
10+46.19 грн
100+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.96 грн
500+25.54 грн
1000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06K GT090N06K.pdf
GT090N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.54 грн
15000+14.73 грн
30000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06MH GT090N06MH.pdf
GT090N06MH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A 52W 11m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT090N06S GOFORD-GT090N06S.pdf
GT090N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.38 грн
11+29.59 грн
100+18.99 грн
500+13.51 грн
1000+12.12 грн
2000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D3 GT095N04D3.pdf
GT095N04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.80 грн
15000+7.75 грн
30000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GOFORD-GT095N04D5.pdf
GT095N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N04D5 GOFORD-GT095N04D5.pdf
GT095N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.11 грн
10+35.10 грн
100+24.39 грн
500+17.87 грн
1000+14.52 грн
2000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+27.32 грн
10000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 50 V
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.38 грн
10+65.89 грн
100+43.99 грн
500+32.48 грн
1000+29.65 грн
2000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10D5 GT095N10D5.pdf
GT095N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+23.13 грн
15000+20.61 грн
30000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K.pdf
GT095N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.49 грн
10+74.12 грн
100+49.62 грн
500+36.70 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10K GT095N10K.pdf
GT095N10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT095N10S GOFORD-GT095N10S.pdf
GT095N10S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.72 грн
16000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3.5A; 1.7W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
GT1003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003A GT1003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Density Cell Design MOSFET
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.47 грн
15000+5.09 грн
30000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SGT
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT1003D GT1003D.pdf
GT1003D
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
18+16.83 грн
100+10.59 грн
500+7.39 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]