Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1022) > Сторінка 1 з 18

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
03N06 03N06 Goford Semiconductor 03N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06 Goford Semiconductor 03N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
19+16.94 грн
100+10.64 грн
500+7.41 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 GOFORD Semiconductor 03N06.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3489+3.51 грн
15000+3.26 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3489
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L GOFORD Semiconductor 03N06L.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+3.83 грн
15000+3.51 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L Goford Semiconductor 03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.12 грн
15+22.07 грн
100+14.03 грн
500+9.86 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L Goford Semiconductor 03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L Goford Semiconductor 06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.12 грн
15+21.76 грн
100+13.86 грн
500+9.77 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L Goford Semiconductor 06N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.47 грн
15000+3.96 грн
30000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L Goford Semiconductor 06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L GOFORD Semiconductor 06N06L.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.14 грн
15000+4.73 грн
30000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1002 GOFORD Semiconductor 1001datasheet.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.02 грн
15000+2.77 грн
30000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
1002 GOFORD Semiconductor 1001datasheet.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
1002 GOFORD Semiconductor 1001datasheet.pdf Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1216D2 GOFORD Semiconductor P-CH -12V -16A 21mOhmMAX at -4.5V, 27mOhmMAX at -2.5V, DFN2x2-6L
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
15000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 GOFORD Semiconductor 18N10.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.84 грн
15000+13.70 грн
30000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.14 грн
10+52.68 грн
100+34.58 грн
500+25.13 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.74 грн
10+66.43 грн
100+44.17 грн
500+32.47 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.72 грн
15000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 GOFORD Semiconductor 18N20.pdf N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F GOFORD Semiconductor 18N20F.pdf N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+36.04 грн
15000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F Goford Semiconductor 18N20F.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F Goford Semiconductor 18N20F.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.91 грн
50+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J GOFORD Semiconductor 18N20J.pdf N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J Goford Semiconductor 18N20J.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J Goford Semiconductor 18N20J.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2002A 2002A Goford Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
20N06 20N06 Goford Semiconductor GOFORD-20N06.pdf Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F Goford Semiconductor 2300F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
15000+2.09 грн
30000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2300F GOFORD Semiconductor 2300F.pdf N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.45 грн
15000+2.28 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F Goford Semiconductor 2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.40 грн
23+13.75 грн
100+8.62 грн
500+5.97 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F Goford Semiconductor 2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301 Goford Semiconductor 2301.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
15000+2.11 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301 Goford Semiconductor 2301.pdf Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301 GOFORD Semiconductor 2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301 Goford Semiconductor 2301.pdf Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.82 грн
21+15.07 грн
100+9.43 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2301 GOFORD Semiconductor 2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.17 грн
27+11.73 грн
100+7.30 грн
500+5.03 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.39 грн
15000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.82 грн
21+15.00 грн
100+9.36 грн
500+6.52 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.36 грн
15000+2.20 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 5173
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302 Goford Semiconductor 2302.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
15000+1.84 грн
30000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.36 грн
15000+2.20 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 5173
В кошику  од. на суму  грн.
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+3.71 грн
15000+3.42 грн
30000+3.08 грн
50000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 GOFORD Semiconductor 25P06.pdf P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.92 грн
15000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 Goford Semiconductor 25P06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.46 грн
15000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 Goford Semiconductor 25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 Goford Semiconductor 25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.83 грн
10+59.13 грн
100+39.19 грн
500+28.73 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
3400 GOFORD Semiconductor 3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.10 грн
15000+2.94 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3948
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400 Goford Semiconductor 3400.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
15000+2.66 грн
30000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400 Goford Semiconductor 3400.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400 GOFORD Semiconductor 3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.10 грн
15000+2.94 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3948
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400 Goford Semiconductor 3400.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.82 грн
21+14.92 грн
100+9.33 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
3400 GOFORD Semiconductor 3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+2.84 грн
15000+2.62 грн
30000+2.36 грн
50000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L Goford Semiconductor 3400L.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L Goford Semiconductor 3400L.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.31 грн
15+21.29 грн
100+13.48 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.24 грн
19+16.94 грн
100+10.64 грн
500+7.41 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3489+3.51 грн
15000+3.26 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3489
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+3.83 грн
15000+3.51 грн
30000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.12 грн
15+22.07 грн
100+14.03 грн
500+9.86 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.12 грн
15+21.76 грн
100+13.86 грн
500+9.77 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.47 грн
15000+3.96 грн
30000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.14 грн
15000+4.73 грн
30000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1002 1001datasheet.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4055+3.02 грн
15000+2.77 грн
30000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 4055
В кошику  од. на суму  грн.
1002 1001datasheet.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4311+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
1002 1001datasheet.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1216D2
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -12V -16A 21mOhmMAX at -4.5V, 27mOhmMAX at -2.5V, DFN2x2-6L
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.36 грн
15000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.84 грн
15000+13.70 грн
30000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.14 грн
10+52.68 грн
100+34.58 грн
500+25.13 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.74 грн
10+66.43 грн
100+44.17 грн
500+32.47 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.72 грн
15000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
340+36.04 грн
15000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.91 грн
50+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
428+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J.pdf
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J.pdf
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2002A GOFORD-G2002A.pdf
2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
20N06 GOFORD-20N06.pdf
20N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
15000+2.09 грн
30000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.45 грн
15000+2.28 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.40 грн
23+13.75 грн
100+8.62 грн
500+5.97 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
2301
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
15000+2.11 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
2301
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
2301
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.82 грн
21+15.07 грн
100+9.43 грн
500+6.55 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.17 грн
27+11.73 грн
100+7.30 грн
500+5.03 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.39 грн
15000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 356 pF @ 10 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.82 грн
21+15.00 грн
100+9.36 грн
500+6.52 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5173+2.36 грн
15000+2.20 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 5173
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
2302
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.06 грн
15000+1.84 грн
30000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5173+2.36 грн
15000+2.20 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 5173
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3297+3.71 грн
15000+3.42 грн
30000+3.08 грн
50000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3297
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.92 грн
15000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.46 грн
15000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.83 грн
10+59.13 грн
100+39.19 грн
500+28.73 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3948+3.10 грн
15000+2.94 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3948
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.94 грн
15000+2.66 грн
30000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3948+3.10 грн
15000+2.94 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3948
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.82 грн
21+14.92 грн
100+9.33 грн
500+6.48 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4311+2.84 грн
15000+2.62 грн
30000+2.36 грн
50000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4311
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3400L 3400L.pdf
3400L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.31 грн
15+21.29 грн
100+13.48 грн
500+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]