Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1356) > Сторінка 1 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
03N06 03N06 Goford Semiconductor 03N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06 GOFORD SEMICONDUCTOR 03N06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 14.6nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06 Goford Semiconductor 03N06.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.51 грн
20+15.33 грн
50+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 GOFORD Semiconductor 03N06.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L GOFORD Semiconductor 03N06L.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L Goford Semiconductor 03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.60 грн
18+16.82 грн
50+12.07 грн
100+9.90 грн
500+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L GOFORD SEMICONDUCTOR 03N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L Goford Semiconductor 03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L Goford Semiconductor 06N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.28 грн
15000+3.80 грн
30000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L Goford Semiconductor 06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L Goford Semiconductor 06N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.56 грн
15+20.84 грн
100+13.28 грн
500+9.36 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L GOFORD Semiconductor 06N06L.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
15000+5.52 грн
30000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.52 грн
15000+3.23 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4311+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1002 GOFORD Semiconductor 1002.pdf Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1216D2 GOFORD Semiconductor P-CH -12V -16A 21mOhmMAX at -4.5V, 27mOhmMAX at -2.5V, DFN2x2-6L
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.42 грн
15000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.49 грн
10+50.47 грн
100+33.13 грн
500+24.08 грн
1000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 GOFORD Semiconductor 18N10.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10 Goford Semiconductor 18N10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 GOFORD Semiconductor 18N20.pdf N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.37 грн
10+73.99 грн
50+55.46 грн
100+46.44 грн
500+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 GOFORD SEMICONDUCTOR 18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 65.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 65.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F Goford Semiconductor 18N20F.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.69 грн
10+86.35 грн
50+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F GOFORD Semiconductor 18N20F.pdf N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F GOFORD SEMICONDUCTOR 18N20F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J Goford Semiconductor 18N20J.pdf Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.05 грн
10+72.58 грн
75+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J GOFORD Semiconductor 18N20J.pdf N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J Goford Semiconductor 18N20J.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2002A 2002A Goford Semiconductor GOFORD-G2002A.pdf Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20N06 20N06 Goford Semiconductor GOFORD-20N06.pdf Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2300F GOFORD Semiconductor 2300F.pdf N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.85 грн
15000+2.66 грн
30000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F Goford Semiconductor 2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F Goford Semiconductor 2300F.pdf Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.10 грн
25+11.91 грн
100+7.43 грн
500+5.15 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2300F GOFORD Semiconductor 2300F.pdf N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 GOFORD Semiconductor 2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301 GOFORD SEMICONDUCTOR 2301.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301 Goford Semiconductor 2301.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 GOFORD Semiconductor 2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+3.04 грн
15000+2.85 грн
30000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 GOFORD Semiconductor 2301.pdf Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H GOFORD SEMICONDUCTOR 2301H.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.8A; 0.89W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301H GOFORD Semiconductor 2301H.pdf 2301H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.33 грн
26+11.69 грн
50+8.37 грн
100+6.83 грн
500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H Goford Semiconductor 2301H.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.76 грн
15000+2.57 грн
30000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302 GOFORD SEMICONDUCTOR 2302.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.5A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Technology: Trench
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.08 грн
16+26.80 грн
29+14.36 грн
100+6.22 грн
500+3.73 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+4.33 грн
15000+4.00 грн
30000+3.60 грн
50000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 GOFORD Semiconductor 2302.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.76 грн
15000+2.57 грн
30000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 GOFORD SEMICONDUCTOR 25P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -32A; 50W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -32A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 GOFORD Semiconductor 25p06.pdf P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+64.51 грн
223+64.00 грн
316+45.22 грн
500+34.79 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 GOFORD Semiconductor 25p06.pdf P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+64.51 грн
25+64.00 грн
100+45.22 грн
500+34.79 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 Goford Semiconductor 25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06 Goford Semiconductor 25P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.58 грн
10+52.26 грн
50+38.78 грн
100+32.30 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400 GOFORD SEMICONDUCTOR 3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400 Goford Semiconductor 3400.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 GOFORD Semiconductor 3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.61 грн
15000+3.42 грн
30000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400 Goford Semiconductor 3400.pdf Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 GOFORD Semiconductor 3400.pdf N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.61 грн
15000+3.42 грн
30000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
03N06
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 14.6nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
03N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.51 грн
20+15.33 грн
50+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06 03N06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.60 грн
18+16.82 грн
50+12.07 грн
100+9.90 грн
500+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
03N06L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L.pdf
03N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.28 грн
15000+3.80 грн
30000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
06N06L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 30 V
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.56 грн
15+20.84 грн
100+13.28 грн
500+9.36 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
06N06L 06N06L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.99 грн
15000+5.52 грн
30000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4055+3.52 грн
15000+3.23 грн
30000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N100V,2A,RD(max) Less Than 250mOhm at 10V,RD(max) Less Than 260mOhm at 4.5V,VTH -1V to 3V, SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4311+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 4311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1002 1002.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1216D2
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -12V -16A 21mOhmMAX at -4.5V, 27mOhmMAX at -2.5V, DFN2x2-6L
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.42 грн
15000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.49 грн
10+50.47 грн
100+33.13 грн
500+24.08 грн
1000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2161 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N10 18N10.pdf
18N10
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1318 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.37 грн
10+73.99 грн
50+55.46 грн
100+46.44 грн
500+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20.pdf
18N20
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 65.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 65.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F.pdf
18N20F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.69 грн
10+86.35 грн
50+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20F 18N20F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J.pdf
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.05 грн
10+72.58 грн
75+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.16Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
428+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 428 шт
В кошику  од. на суму  грн.
18N20J 18N20J.pdf
18N20J
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-251
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2002A GOFORD-G2002A.pdf
2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V,5A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
20N06 GOFORD-20N06.pdf
20N06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,25A,RD<24M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1609 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.85 грн
15000+2.66 грн
30000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
2300F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V, 6A,RD<27M@4.5V,VTH0.5V~0.9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 10 V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.10 грн
25+11.91 грн
100+7.43 грн
500+5.15 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2300F 2300F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,20V,6A,RD(max) Less Than 27mOhm at 4.5V,RD(max)41mOhm at 2.5V,VTH 0.5V to 0.9V,SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
2301
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
2301
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4688+3.04 грн
15000+2.85 грн
30000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301 2301.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Surface Mount MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5770+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 5770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.8A; 0.89W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
2301H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 15 V
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.33 грн
26+11.69 грн
50+8.37 грн
100+6.83 грн
500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2301H 2301H.pdf
2301H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5173+2.76 грн
15000+2.57 грн
30000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
2302
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.5A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
Technology: Trench
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.08 грн
16+26.80 грн
29+14.36 грн
100+6.22 грн
500+3.73 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3297+4.33 грн
15000+4.00 грн
30000+3.60 грн
50000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2302 2302.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5173+2.76 грн
15000+2.57 грн
30000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
25P06
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -32A; 50W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -32A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25p06.pdf
25P06
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
222+64.51 грн
223+64.00 грн
316+45.22 грн
500+34.79 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25p06.pdf
25P06
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-25A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+64.51 грн
25+64.00 грн
100+45.22 грн
500+34.79 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
25P06 25P06.pdf
25P06
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2527 pF @ 30 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.58 грн
10+52.26 грн
50+38.78 грн
100+32.30 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
3400
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5.6A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.8A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3948+3.61 грн
15000+3.42 грн
30000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
3400
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 552 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3400 3400.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 30V 5.6A 27mOhm/MAX at 10V, 33mOhm/MAX at 4.5V,SOT-23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3948+3.61 грн
15000+3.42 грн
30000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.