Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1356) > Сторінка 14 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G700P06LL GOFORD Semiconductor GOFORD-G700P06LL.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06LL G700P06LL Goford Semiconductor GOFORD-G700P06LL.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06T G700P06T Goford Semiconductor G700P06T.pdf Description: P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1428 pF @ 30 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.93 грн
50+37.86 грн
100+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06T G700P06T Goford Semiconductor G700P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70N04T G70N04T Goford Semiconductor G70N04T.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K Goford Semiconductor G70P02K.pdf Description: MOSFET P-CH 15V 70A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.04 грн
15000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K Goford Semiconductor G70P02K.pdf Description: P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5869 pF @ 7.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K Goford Semiconductor G70P02K.pdf Description: P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5869 pF @ 7.5 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.20 грн
10+47.42 грн
100+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K GOFORD Semiconductor G70P02K.pdf P-CH,-15V,-70A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 12mOhm at -2.5V,VTH -0.4V to -1.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.98 грн
15000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P04K G70P04K Goford Semiconductor G70P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 70A 88W 10M(MAX)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P04K G70P04K Goford Semiconductor G70P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 70A 88W 10M(MAX)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.58 грн
10+52.26 грн
50+38.78 грн
100+32.30 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5 Goford Semiconductor G75P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 20 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.26 грн
10+54.27 грн
100+37.72 грн
500+28.42 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5 Goford Semiconductor G75P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 80A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ -20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 GOFORD Semiconductor G75P04D5.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.91 грн
15000+30.44 грн
30000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 GOFORD Semiconductor G75P04D5.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.91 грн
15000+30.44 грн
30000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5 Goford Semiconductor G75P04D5.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5I G75P04D5I Goford Semiconductor GOFORD-G75P04D5I.pdf Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6414 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04FI G75P04FI Goford Semiconductor Description: P-40V,-60A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6275 pF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.04 грн
10+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K G75P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=620 Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K G75P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=620 Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.45 грн
10+92.23 грн
100+71.91 грн
500+55.75 грн
1000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=620 P-CH,-40V,-70A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04KI G75P04KI Goford Semiconductor Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6586 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04S G75P04S Goford Semiconductor G75P04S.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04SI G75P04SI Goford Semiconductor Description: P-40V,-11A,RD(MAX)<8M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6509 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04TI G75P04TI Goford Semiconductor Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6407 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE GOFORD Semiconductor goford-g7k2n20he.pdf N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE GOFORD SEMICONDUCTOR G7K2N20HE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE GOFORD Semiconductor goford-g7k2n20he.pdf N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+42.04 грн
343+41.62 грн
540+26.45 грн
718+19.18 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE GOFORD Semiconductor goford-g7k2n20he.pdf N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+42.39 грн
25+41.95 грн
100+26.66 грн
500+19.34 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.02 грн
10+30.30 грн
50+22.12 грн
100+18.28 грн
500+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE GOFORD SEMICONDUCTOR G7K2N20LLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT23-6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE Goford Semiconductor G7K2N20LLE.pdf Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE GOFORD Semiconductor G7K2N20LLE.pdf N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE Goford Semiconductor G7K2N20LLE.pdf Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.65 грн
14+22.78 грн
50+16.51 грн
100+13.59 грн
500+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7N80F G7N80F Goford Semiconductor G7N80F.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7A 45W TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184 pF @ 400 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.96 грн
10+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03D2 G7P03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G7P03D2.pdf Description: P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L GOFORD Semiconductor G7P03L.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L GOFORD SEMICONDUCTOR G7P03L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.72 грн
12+36.72 грн
25+21.09 грн
100+12.90 грн
131+7.20 грн
361+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L Goford Semiconductor G7P03L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L Goford Semiconductor G7P03L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.65 грн
14+22.78 грн
50+16.56 грн
100+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S GOFORD Semiconductor G7P03S.pdf P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.61 грн
16000+9.04 грн
32000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S G7P03S Goford Semiconductor G7P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1253 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.95 грн
16000+6.31 грн
32000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H Goford Semiconductor G800N06H.pdf Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.01 грн
15+20.10 грн
100+12.74 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H Goford Semiconductor G800N06H.pdf Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 GOFORD Semiconductor G800N06S2.pdf Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.84 грн
12+26.72 грн
100+17.10 грн
500+12.12 грн
1000+10.86 грн
2000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.66 грн
10+43.62 грн
50+32.20 грн
100+26.74 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K GOFORD SEMICONDUCTOR G80N03K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T GOFORD SEMICONDUCTOR G80N03T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T Goford Semiconductor G80N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.62 грн
10+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03D5 G80P03D5 Goford Semiconductor G80P03D5.pdf Description: MOSFET P-CH -30V 65A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03K G80P03K Goford Semiconductor G80P03K.pdf Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.85 грн
10+47.49 грн
50+35.12 грн
100+29.19 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03K G80P03K GOFORD SEMICONDUCTOR G80P03K.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03K G80P03K Goford Semiconductor G80P03K.pdf Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06LL GOFORD-G700P06LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06LL GOFORD-G700P06LL.pdf
G700P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 5A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06T G700P06T.pdf
G700P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1428 pF @ 30 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.93 грн
50+37.86 грн
100+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G700P06T G700P06T.pdf
G700P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 25A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70N04T G70N04T.pdf
G70N04T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K.pdf
G70P02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 15V 70A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.04 грн
15000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K.pdf
G70P02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5869 pF @ 7.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K.pdf
G70P02K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5869 pF @ 7.5 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.20 грн
10+47.42 грн
100+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P02K G70P02K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-15V,-70A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 12mOhm at -2.5V,VTH -0.4V to -1.5V ,TO-252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.98 грн
15000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P04K G70P04K.pdf
G70P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 70A 88W 10M(MAX)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G70P04K G70P04K.pdf
G70P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 70A 88W 10M(MAX)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.58 грн
10+52.26 грн
50+38.78 грн
100+32.30 грн
500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5.pdf
G75P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 20 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.26 грн
10+54.27 грн
100+37.72 грн
500+28.42 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5.pdf
G75P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 80A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ -20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.91 грн
15000+30.44 грн
30000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+32.91 грн
15000+30.44 грн
30000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5 G75P04D5.pdf
G75P04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ -20A, -10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04D5I GOFORD-G75P04D5I.pdf
G75P04D5I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6414 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04FI
G75P04FI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-60A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6275 pF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.04 грн
10+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K products-detail.php?ProId=620
G75P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K products-detail.php?ProId=620
G75P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.45 грн
10+92.23 грн
100+71.91 грн
500+55.75 грн
1000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K products-detail.php?ProId=620
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-70A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04KI
G75P04KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6586 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04S G75P04S.pdf
G75P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04SI
G75P04SI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-11A,RD(MAX)<8M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6509 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04TI
G75P04TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6407 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE goford-g7k2n20he.pdf
G7K2N20HE
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE.pdf
G7K2N20HE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 10.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE goford-g7k2n20he.pdf
G7K2N20HE
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
340+42.04 грн
343+41.62 грн
540+26.45 грн
718+19.18 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE.pdf
G7K2N20HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE goford-g7k2n20he.pdf
G7K2N20HE
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+42.39 грн
25+41.95 грн
100+26.66 грн
500+19.34 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE.pdf
G7K2N20HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.02 грн
10+30.30 грн
50+22.12 грн
100+18.28 грн
500+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE.pdf
G7K2N20HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE.pdf
G7K2N20LLE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 2A; 1.8W; SOT23-6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE.pdf
G7K2N20LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N200V, ESD,2A,RD Less Than 0.7Ohm at 10V,VTH 1V to 2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE.pdf
G7K2N20LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.65 грн
14+22.78 грн
50+16.51 грн
100+13.59 грн
500+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7N80F G7N80F.pdf
G7N80F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 45W TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184 pF @ 400 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.96 грн
10+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03D2 GOFORD-G7P03D2.pdf
G7P03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
G7P03L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.72 грн
12+36.72 грн
25+21.09 грн
100+12.90 грн
131+7.20 грн
361+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
G7P03L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
G7P03L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.65 грн
14+22.78 грн
50+16.56 грн
100+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S G7P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.61 грн
16000+9.04 грн
32000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S G7P03S.pdf
G7P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1253 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.95 грн
16000+6.31 грн
32000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H.pdf
G800N06H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.01 грн
15+20.10 грн
100+12.74 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H.pdf
G800N06H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
G800N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
G800N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.84 грн
12+26.72 грн
100+17.10 грн
500+12.12 грн
1000+10.86 грн
2000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.66 грн
10+43.62 грн
50+32.20 грн
100+26.74 грн
500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
G80N03T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
G80N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.62 грн
10+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03D5 G80P03D5.pdf
G80P03D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -30V 65A 8-POWERTDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03K G80P03K.pdf
G80P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.85 грн
10+47.49 грн
50+35.12 грн
100+29.19 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03K G80P03K.pdf
G80P03K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -80A; 78W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -80A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80P03K G80P03K.pdf
G80P03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -30V 80A TO-252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.