Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1263) > Сторінка 14 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G800N06S2 GOFORD Semiconductor G800N06S2.pdf Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.94 грн
12+26.79 грн
100+17.14 грн
500+12.15 грн
1000+10.89 грн
2000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.52 грн
10+42.16 грн
100+27.57 грн
500+19.98 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K GOFORD SEMICONDUCTOR G80N03K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T Goford Semiconductor G80N03T.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,90A,53.4W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T GOFORD SEMICONDUCTOR G80N03T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T Goford Semiconductor G80N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.14 грн
10+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+73.95 грн
100+57.67 грн
500+44.71 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL Goford Semiconductor G8N03LL.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL Goford Semiconductor G8N03LL.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T Goford Semiconductor G900N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A 55W 90M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T GOFORD Semiconductor G900N10T.pdf G900N10T
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 GOFORD Semiconductor G900P15D5.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 60A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+103.20 грн
100+70.57 грн
500+53.12 грн
1000+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.96 грн
10+100.29 грн
100+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.88 грн
10+113.50 грн
100+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M GOFORD Semiconductor G900P15M.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T Goford Semiconductor G900P15T.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T GOFORD Semiconductor G900P15T.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K Goford Semiconductor G90P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K Goford Semiconductor G90P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+41.64 грн
100+27.24 грн
500+19.73 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S Goford Semiconductor G9435S.pdf Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S Goford Semiconductor G9435S.pdf Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
17+18.21 грн
100+11.52 грн
500+8.09 грн
1000+7.21 грн
2000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC030N65QF GC030N65QF Goford Semiconductor GC030N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.33 грн
30+450.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+475.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF GOFORD Semiconductor gc041n65qf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+439.73 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GOFORD Semiconductor GC041N65QF.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+607.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF GOFORD Semiconductor gc041n65qf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+598.18 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GOFORD Semiconductor GC060N65QF.pdf GC060N65QF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+229.78 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GOFORD SEMICONDUCTOR GC060N65QF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247
Case: TO247
Technology: SJ-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 388W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF Goford Semiconductor GC060N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+161.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC080N65QF GC080N65QF Goford Semiconductor GC080N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 380 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.89 грн
30+429.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65FF GC085N65FF Goford Semiconductor GC085N65FF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,34A,58W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 400 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.68 грн
10+227.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65QF GOFORD SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 76nC
Drain current: 40A
Power dissipation: 299W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GOFORD Semiconductor GC11N65D5.pdf N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5 Goford Semiconductor GC11N65D5.pdf Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.83 грн
10+122.30 грн
100+84.12 грн
500+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GOFORD Semiconductor GC11N65F.pdf N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 360mOhm at 10V,VTH 2.5V to 4V ,TO-220F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.77 грн
15000+69.02 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31.3W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F Goford Semiconductor GC11N65F.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.77 грн
50+100.68 грн
100+90.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.10 грн
10+112.68 грн
100+77.16 грн
500+58.15 грн
1000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 179W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 179W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GOFORD Semiconductor GC11N65K.pdf Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.10 грн
15000+56.39 грн
30000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M.pdf Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.97 грн
10+135.74 грн
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
G800N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.94 грн
12+26.79 грн
100+17.14 грн
500+12.15 грн
1000+10.89 грн
2000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.52 грн
10+42.16 грн
100+27.57 грн
500+19.98 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
G80N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,90A,53.4W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
G80N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.14 грн
10+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
10+73.95 грн
100+57.67 грн
500+44.71 грн
1000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL.pdf
G8N03LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL.pdf
G8N03LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
18+16.94 грн
100+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T.pdf
G900N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A 55W 90M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G900N10T
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 60A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.61 грн
10+103.20 грн
100+70.57 грн
500+53.12 грн
1000+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.96 грн
10+100.29 грн
100+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.88 грн
10+113.50 грн
100+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
G900P15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K.pdf
G90P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K.pdf
G90P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+41.64 грн
100+27.24 грн
500+19.73 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S.pdf
G9435S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S.pdf
G9435S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
17+18.21 грн
100+11.52 грн
500+8.09 грн
1000+7.21 грн
2000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC030N65QF GC030N65QF.pdf
GC030N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+780.33 грн
30+450.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
GC041N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+475.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
GC041N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+827.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF gc041n65qf.pdf
GC041N65QF
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+439.73 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+607.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF gc041n65qf.pdf
GC041N65QF
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
900+598.18 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GC060N65QF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
900+229.78 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 50A; 388W; TO247
Case: TO247
Technology: SJ-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 388W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
GC060N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+161.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC080N65QF GC080N65QF.pdf
GC080N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 380 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+750.89 грн
30+429.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65FF GC085N65FF.pdf
GC085N65FF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,34A,58W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 21.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 400 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.68 грн
10+227.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC085N65QF
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; 299W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 76nC
Drain current: 40A
Power dissipation: 299W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 650V 11A 360mOhm/MAX at 10V DFN5x6-8L
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 78W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 78W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65D5 GC11N65D5.pdf
GC11N65D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.83 грн
10+122.30 грн
100+84.12 грн
500+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,650V,11A,RD(max) Less Than 360mOhm at 10V,VTH 2.5V to 4V ,TO-220F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+74.77 грн
15000+69.02 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 31.3W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31.3W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65F GC11N65F.pdf
GC11N65F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.77 грн
50+100.68 грн
100+90.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.10 грн
10+112.68 грн
100+77.16 грн
500+58.15 грн
1000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 179W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 179W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Small Package MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.10 грн
15000+56.39 грн
30000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65K GC11N65K.pdf
GC11N65K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC11N65M GC11N65M.pdf
GC11N65M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 768 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.97 грн
10+135.74 грн
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]