Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 14 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G75P04K GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=620 P-CH,-40V,-70A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K G75P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=620 Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K G75P04K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=620 Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+93.52 грн
100+72.91 грн
500+56.53 грн
1000+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04KI G75P04KI Goford Semiconductor Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6586 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04S G75P04S Goford Semiconductor G75P04S.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04SI G75P04SI Goford Semiconductor Description: P-40V,-11A,RD(MAX)<8M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6509 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04TI G75P04TI Goford Semiconductor Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6407 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE Goford Semiconductor G7K2N20HE.pdf Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
14+22.12 грн
100+14.94 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE Goford Semiconductor G7K2N20LLE.pdf Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE Goford Semiconductor G7K2N20LLE.pdf Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.62 грн
100+15.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7N80F G7N80F Goford Semiconductor G7N80F.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7A 45W TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184 pF @ 400 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03D2 G7P03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G7P03D2.pdf Description: P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L Goford Semiconductor G7P03L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.21 грн
100+13.45 грн
500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L Goford Semiconductor G7P03L.pdf Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L GOFORD SEMICONDUCTOR G7P03L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.71 грн
14+32.20 грн
25+18.53 грн
100+11.32 грн
500+8.55 грн
1000+7.55 грн
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L GOFORD Semiconductor G7P03L.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
15000+6.22 грн
30000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S GOFORD Semiconductor G7P03S.pdf P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.52 грн
16000+8.96 грн
32000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S G7P03S Goford Semiconductor G7P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1253 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.05 грн
16000+6.40 грн
32000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H Goford Semiconductor G800N06H.pdf Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.38 грн
100+12.91 грн
500+9.07 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H Goford Semiconductor G800N06H.pdf Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 GOFORD Semiconductor G800N06S2.pdf Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2 Goford Semiconductor G800N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.10 грн
100+17.34 грн
500+12.29 грн
1000+11.01 грн
2000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K GOFORD SEMICONDUCTOR G80N03K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K Goford Semiconductor G80N03K.pdf Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.21 грн
50+33.36 грн
100+27.70 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T GOFORD SEMICONDUCTOR G80N03T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T Goford Semiconductor G80N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.51 грн
50+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K G86N06K Goford Semiconductor GOFORD-G86N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+74.80 грн
100+58.33 грн
500+45.22 грн
1000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL Goford Semiconductor G8N03LL.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL Goford Semiconductor G8N03LL.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.13 грн
100+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T GOFORD Semiconductor G900N10T.pdf G900N10T
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T Goford Semiconductor G900N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A 55W 90M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.39 грн
100+71.38 грн
500+53.73 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 60A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 GOFORD Semiconductor G900P15D5.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5 Goford Semiconductor G900P15D5.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.44 грн
100+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K Goford Semiconductor G900P15K.pdf Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+114.80 грн
100+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M GOFORD Semiconductor G900P15M.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M Goford Semiconductor G900P15M.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T Goford Semiconductor G900P15T.pdf Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T GOFORD Semiconductor G900P15T.pdf P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K Goford Semiconductor G90P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K Goford Semiconductor G90P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+42.12 грн
100+27.55 грн
500+19.96 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S Goford Semiconductor G9435S.pdf Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S Goford Semiconductor G9435S.pdf Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.42 грн
100+11.65 грн
500+8.19 грн
1000+7.30 грн
2000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC030N65QF GC030N65QF Goford Semiconductor GC030N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.41 грн
30+443.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF GOFORD Semiconductor gc041n65qf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+439.73 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GOFORD Semiconductor GC041N65QF.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+607.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF GOFORD Semiconductor gc041n65qf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+598.18 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF Goford Semiconductor GC041N65QF.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+481.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF Goford Semiconductor GC060N65QF.pdf Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K products-detail.php?ProId=620
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-70A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K products-detail.php?ProId=620
G75P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04K products-detail.php?ProId=620
G75P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<10M@-10V,VTH-1.2V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.95 грн
10+93.52 грн
100+72.91 грн
500+56.53 грн
1000+44.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04KI
G75P04KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<6.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6586 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04S G75P04S.pdf
G75P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04SI
G75P04SI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-11A,RD(MAX)<8M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6509 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G75P04TI
G75P04TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-70A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6407 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE.pdf
G7K2N20HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20HE G7K2N20HE.pdf
G7K2N20HE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
14+22.12 грн
100+14.94 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE.pdf
G7K2N20LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7K2N20LLE G7K2N20LLE.pdf
G7K2N20LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.97 грн
13+23.62 грн
100+15.03 грн
500+10.61 грн
1000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7N80F G7N80F.pdf
G7N80F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 45W TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184 pF @ 400 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.25 грн
10+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03D2 GOFORD-G7P03D2.pdf
G7P03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
G7P03L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.06 грн
15+21.21 грн
100+13.45 грн
500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
G7P03L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
G7P03L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.71 грн
14+32.20 грн
25+18.53 грн
100+11.32 грн
500+8.55 грн
1000+7.55 грн
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03L G7P03L.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.79 грн
15000+6.22 грн
30000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S G7P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Trench MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.52 грн
16000+8.96 грн
32000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G7P03S G7P03S.pdf
G7P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1253 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.05 грн
16000+6.40 грн
32000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H.pdf
G800N06H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
15+20.38 грн
100+12.91 грн
500+9.07 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06H G800N06H.pdf
G800N06H
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 457 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
G800N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N60V, 3A,RD Less Than 80mOhm at 10V,VTH 0.7V to 1.2V, SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G800N06S2 G800N06S2.pdf
G800N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.46 грн
12+27.10 грн
100+17.34 грн
500+12.29 грн
1000+11.01 грн
2000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03K G80N03K.pdf
G80N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1673 pF @ 15 V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.25 грн
10+45.21 грн
50+33.36 грн
100+27.70 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
G80N03T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 90A; 53.4W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 53.4W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G80N03T G80N03T.pdf
G80N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 53.4W 4M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 53.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.30 грн
10+49.51 грн
50+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G86N06K GOFORD-G86N06K.pdf
G86N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.00 грн
10+74.80 грн
100+58.33 грн
500+45.22 грн
1000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL.pdf
G8N03LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G8N03LL G8N03LL.pdf
G8N03LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,8A,1.6W,SOT-23-6
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.00 грн
18+17.13 грн
100+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G900N10T
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900N10T G900N10T.pdf
G900N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A 55W 90M(MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 50 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.81 грн
10+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.52 грн
10+104.39 грн
100+71.38 грн
500+53.73 грн
1000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 60A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, DFN5x6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15D5 G900P15D5.pdf
G900P15D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.82 грн
10+101.44 грн
100+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15K G900P15K.pdf
G900P15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.98 грн
10+114.80 грн
100+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ -10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ -75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15M G900P15M.pdf
G900P15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 150V 35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4056 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
G900P15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 75 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G900P15T G900P15T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-150V,-60A,RD(max) Less Than 80mOhm at -10V,VTH -1V to -4V, TO-220
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
230+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K.pdf
G90P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G90P04K G90P04K.pdf
G90P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 90A
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331 pF @ 20 V
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.76 грн
10+42.12 грн
100+27.55 грн
500+19.96 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S.pdf
G9435S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G9435S G9435S.pdf
G9435S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-5.1A,RD(MAX)<55M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.35 грн
17+18.42 грн
100+11.65 грн
500+8.19 грн
1000+7.30 грн
2000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC030N65QF GC030N65QF.pdf
GC030N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+774.41 грн
30+443.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF gc041n65qf.pdf
GC041N65QF
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+439.73 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+607.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF gc041n65qf.pdf
GC041N65QF
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
900+598.18 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
GC041N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+837.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC041N65QF GC041N65QF.pdf
GC041N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+481.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC060N65QF GC060N65QF.pdf
GC060N65QF
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,50A,388W,TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]