Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1303) > Сторінка 8 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 G18P03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=538 Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 G18P03D3 Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=538 Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+51.40 грн
100+39.39 грн
500+29.22 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 GOFORD Semiconductor products-detail.php?ProId=538 P-CH,-30V,-28A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S Goford Semiconductor G18P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S GOFORD Semiconductor G18P03S.pdf P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S GOFORD Semiconductor G18P03S.pdf P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH G1K1P06HH Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
16+19.02 грн
100+11.40 грн
500+9.91 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH G1K1P06HH Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH Goford Semiconductor G1K1P06LH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH Goford Semiconductor G1K1P06LH.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH GOFORD Semiconductor G1K1P06LH.pdf G1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL GOFORD Semiconductor G1K1P06LL.pdf P-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL.pdf Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL.pdf Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.76 грн
50+15.01 грн
100+12.33 грн
500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SH G1K1P06SH Goford Semiconductor G1K1P06SH.pdf Description: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 G1K2C10S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K2C10S2.pdf Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10G.pdf Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G Goford Semiconductor GOFORD-G1K3N10G.pdf Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+90.57 грн
100+72.08 грн
500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G G1K3N10G GOFORD SEMICONDUCTOR GOFORD-G1K3N10G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 5A; 1.6W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.76 грн
50+15.01 грн
100+12.33 грн
500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL Goford Semiconductor G1K3N10LL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
12+25.36 грн
100+15.21 грн
500+13.21 грн
1000+8.98 грн
2000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE Goford Semiconductor G1NP02LLE.pdf Description: MOSFET 20V 1.3A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.61 грн
50+11.99 грн
100+9.82 грн
500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE GOFORD SEMICONDUCTOR G1NP02LLE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 1.3/-1.1A; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.3/-1.1A
Power dissipation: 1.25/1.25W
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 1/1.22nC
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23-6
Technology: Trench
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A GOFORD Semiconductor goford-g2002a.pdf N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+23.37 грн
809+17.50 грн
1000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A Goford Semiconductor G2002A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A GOFORD Semiconductor goford-g2002a.pdf N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+23.22 грн
500+17.40 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A Goford Semiconductor G2003A.pdf Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A GOFORD SEMICONDUCTOR G2003A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 190V; 3A; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 190V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A GOFORD Semiconductor G2003A.pdf N-CH,190V,3A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.45 грн
15000+6.88 грн
30000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A Goford Semiconductor G2003A.pdf Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.61 грн
100+15.68 грн
500+11.10 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2009G GOFORD Semiconductor N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N03S2 GOFORD Semiconductor G200N03S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH GOFORD Semiconductor G200N06TH.pdf G200N06TH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH Goford Semiconductor G200N06TH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH Goford Semiconductor G200N06TH.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N10K GOFORD Semiconductor G200N10K
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.31 грн
15000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3.pdf Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 GOFORD Semiconductor G200P04D3.pdf G200P04D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3 Goford Semiconductor G200P04D3.pdf Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 G200P04S2 Goford Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 G200P04S2 Goford Semiconductor GOFORD-G200P04S2.pdf Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+60.16 грн
100+46.12 грн
500+34.21 грн
1000+27.37 грн
2000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2012 GOFORD Semiconductor Heyco-Full-Lines-Datasheet.pdf Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2014 GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 GOFORD Semiconductor G20N03D2.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
15+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K Goford Semiconductor G20N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.26 грн
500+15.25 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K Goford Semiconductor G20N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52 Goford Semiconductor G20N06D52.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 GOFORD Semiconductor G20N06D52.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 GOFORD SEMICONDUCTOR G20N06D52.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K Goford Semiconductor G20P06K.pdf Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
G18P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
G18P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+51.40 грн
100+39.39 грн
500+29.22 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03D3 products-detail.php?ProId=538
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-28A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,DFN3x3-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
G18P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 15A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G18P03S G18P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-15A,RD(max) Less Than 10mOhm at -10V,RD(max) Less Than 15mOhm at -4.5V,VTH -1.1V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
G1K1P06HH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
16+19.02 грн
100+11.40 грн
500+9.91 грн
1000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
G1K1P06HH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06HH GOFORD-G1K1P06HH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
G1K1P06LH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
G1K1P06LH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ -3A,- 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.92 грн
16+19.32 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LH G1K1P06LH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G1K1P06LH
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.71 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-60V,-3A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,RD(max) Less Than 130mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOT-23-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
G1K1P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06LL G1K1P06LL.pdf
G1K1P06LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
15+20.76 грн
50+15.01 грн
100+12.33 грн
500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K1P06SH G1K1P06SH.pdf
G1K1P06SH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-60V,-4A,1.2W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K2C10S2 GOFORD-G1K2C10S2.pdf
G1K2C10S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 100V 3A/3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 50V, 1732pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V, 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 50 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.65 грн
10+90.57 грн
100+72.08 грн
500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10G GOFORD-G1K3N10G.pdf
G1K3N10G
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 5A; 1.6W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
15+20.76 грн
50+15.01 грн
100+12.33 грн
500+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K3N10LL G1K3N10LL.pdf
G1K3N10LL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 GOFORD-G1K8P06S2.pdf
G1K8P06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1K8P06S2 GOFORD-G1K8P06S2.pdf
G1K8P06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
12+25.36 грн
100+15.21 грн
500+13.21 грн
1000+8.98 грн
2000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE.pdf
G1NP02LLE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 20V 1.3A SOT23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 10V, 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.22 грн
19+16.61 грн
50+11.99 грн
100+9.82 грн
500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G1NP02LLE G1NP02LLE.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 1.3/-1.1A; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.3/-1.1A
Power dissipation: 1.25/1.25W
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 1/1.22nC
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23-6
Technology: Trench
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A goford-g2002a.pdf
G2002A
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
606+23.37 грн
809+17.50 грн
1000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A G2002A.pdf
G2002A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2002A goford-g2002a.pdf
G2002A
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,2A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-6L
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+23.22 грн
500+17.40 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
G2003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
G2003A
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 190V; 3A; 1.8W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 190V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,190V,3A,RD(max) Less Than 540mOhm at 10V,RD(max) Less Than 560mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 3.0V, SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.45 грн
15000+6.88 грн
30000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2003A G2003A.pdf
G2003A
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
13+24.61 грн
100+15.68 грн
500+11.10 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2009G
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N03S2
Виробник: GOFORD Semiconductor
G200N03S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G200N06TH
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH.pdf
G200N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Packaging: Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N06TH G200N06TH.pdf
G200N06TH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,55A,60W,TO-220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.95 грн
10+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200N10K
Виробник: GOFORD Semiconductor
G200N10K
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.31 грн
15000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3.pdf
G200P04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G200P04D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04D3 G200P04D3.pdf
G200P04D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ -5A, -10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2662 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
G200P04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual P-CH,-40V,-9A,RD(max) Less Than 20mOhm at -10V,RD(max) Less Than 25mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G200P04S2 GOFORD-G200P04S2.pdf
G200P04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-40V,-9A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.33 грн
10+60.16 грн
100+46.12 грн
500+34.21 грн
1000+27.37 грн
2000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2012 Heyco-Full-Lines-Datasheet.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2014
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2.pdf
G20N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03D2 G20N03D2.pdf
G20N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 30 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
15+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K.pdf
G20N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.26 грн
500+15.25 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N03K G20N03K.pdf
G20N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
G20N06D52
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G20N06D52 G20N06D52.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 48W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G20P06K G20P06K.pdf
G20P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]