Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1374) > Сторінка 6 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G110N06T G110N06T GOFORD SEMICONDUCTOR G110N06T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T Goford Semiconductor G110N06T.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G11S GOFORD Semiconductor G11S.pdf P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.93 грн
16000+9.34 грн
32000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S GOFORD SEMICONDUCTOR G11S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.37 грн
17+25.38 грн
25+19.14 грн
100+12.99 грн
500+11.54 грн
1000+10.34 грн
4000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S Goford Semiconductor G11S.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.18 грн
16000+6.52 грн
32000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 GOFORD Semiconductor G120N03D3.pdf G120N03D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.89 грн
10+38.14 грн
50+27.98 грн
100+23.18 грн
500+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 GOFORD Semiconductor G120N03D32.pdf G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 GOFORD Semiconductor G120P03S2.pdf P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Goford Semiconductor G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M Goford Semiconductor G120P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M GOFORD SEMICONDUCTOR G120P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M GOFORD Semiconductor G120P06M.pdf P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M Goford Semiconductor G120P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.68 грн
10+113.90 грн
50+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T Goford Semiconductor G120P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T GOFORD SEMICONDUCTOR G120P06T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Power dissipation: 277W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T GOFORD Semiconductor G120P06T.pdf P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T Goford Semiconductor G120P06T.pdf Description: MOSFET P-CH -60V 120A TO-220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.92 грн
11+28.61 грн
100+18.33 грн
500+13.04 грн
1000+11.69 грн
2000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 GOFORD Semiconductor G12P03D3.pdf P-CH -30V -12A 20mOhm/MAX at -10V, 26mOhm/MAX at -4.5V, DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 104387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.72 грн
10+36.68 грн
100+27.39 грн
500+20.20 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.97 грн
15000+11.99 грн
30000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K G12P04K Goford Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.54 грн
15000+9.38 грн
30000+8.38 грн
50000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD Semiconductor GOFORD-G12P04K.pdf P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K GOFORD Semiconductor g12p06k.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K GOFORD Semiconductor g12p06k.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K GOFORD Semiconductor g12p06k.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K GOFORD Semiconductor g12p06k.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.97 грн
15000+9.92 грн
30000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K GOFORD Semiconductor G12P06K.pdf P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.11 грн
10+42.99 грн
100+29.77 грн
500+23.35 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE GOFORD Semiconductor G12P10KE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.00 грн
15000+15.72 грн
30000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE GOFORD Semiconductor g12p10ke.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10KE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 45W; TO252; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 45W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: Trench
Drain current: -12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.33 грн
15000+10.96 грн
30000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE GOFORD Semiconductor g12p10ke.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 1212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE GOFORD Semiconductor g12p10ke.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE GOFORD Semiconductor G12P10TE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10TE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 44.6W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: Trench
Drain current: -12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE.pdf Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 90A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.39 грн
10+73.83 грн
50+55.26 грн
100+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M GOFORD Semiconductor G130N06M.pdf N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+50.83 грн
50+37.65 грн
100+31.32 грн
500+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.58 грн
10+78.52 грн
50+58.92 грн
100+49.36 грн
500+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06T G110N06T.pdf
G110N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-20V,-11A,RD(max) Less Than 18.4mOhm at -4.5V,RD(max) Less Than 24.5mOhm at -2.5V,VTH -0.5V to -1.1V ,SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.93 грн
16000+9.34 грн
32000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.37 грн
17+25.38 грн
25+19.14 грн
100+12.99 грн
500+11.54 грн
1000+10.34 грн
4000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G11S G11S.pdf
G11S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2455 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.18 грн
16000+6.52 грн
32000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G120N03D3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D3 G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.89 грн
10+38.14 грн
50+27.98 грн
100+23.18 грн
500+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120N03D32 G120N03D32.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G120N03D32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
G120P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2.pdf
G120P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M.pdf
G120P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 120A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M.pdf
G120P06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06M G120P06M.pdf
G120P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 120A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.68 грн
10+113.90 грн
50+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T.pdf
G120P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 120A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T.pdf
G120P06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120A
Power dissipation: 277W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G120P06T G120P06T.pdf
G120P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH -60V 120A TO-220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
G12P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 15 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.92 грн
11+28.61 грн
100+18.33 грн
500+13.04 грн
1000+11.69 грн
2000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P03D3 G12P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -12A 20mOhm/MAX at -10V, 26mOhm/MAX at -4.5V, DFN3x3-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 104387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.72 грн
10+36.68 грн
100+27.39 грн
500+20.20 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.97 грн
15000+11.99 грн
30000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
G12P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.54 грн
15000+9.38 грн
30000+8.38 грн
50000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P04K GOFORD-G12P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K g12p06k.pdf
G12P06K
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K g12p06k.pdf
G12P06K
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K g12p06k.pdf
G12P06K
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K g12p06k.pdf
G12P06K
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+84.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.97 грн
15000+9.92 грн
30000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-12A,RD(max) Less Than 75mOhm at -10V,RD(max) Less Than 120mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.11 грн
10+42.99 грн
100+29.77 грн
500+23.35 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.00 грн
15000+15.72 грн
30000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE g12p10ke.pdf
G12P10KE
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
199+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 45W; TO252; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 45W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: Trench
Drain current: -12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.33 грн
15000+10.96 грн
30000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE g12p10ke.pdf
G12P10KE
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1212+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 1212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE g12p10ke.pdf
G12P10KE
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
586+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
G12P10TE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 44.6W
Gate charge: 33nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: Trench
Drain current: -12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
G12P10TE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 90A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.39 грн
10+73.83 грн
50+55.26 грн
100+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+50.83 грн
50+37.65 грн
100+31.32 грн
500+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.58 грн
10+78.52 грн
50+58.92 грн
100+49.36 грн
500+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.