Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1197) > Сторінка 6 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G12P06K G12P06K Goford Semiconductor G12P06K.pdf Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K G12P10K Goford Semiconductor products-detail.php?ProId=489 Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.32 грн
10+42.32 грн
100+29.31 грн
500+22.98 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE GOFORD Semiconductor G12P10KE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.92 грн
15000+13.80 грн
30000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE Goford Semiconductor G12P10KE.pdf Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.14 грн
15000+10.79 грн
30000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE GOFORD Semiconductor G12P10TE.pdf P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE Goford Semiconductor G12P10TE.pdf Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+68.74 грн
100+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 90A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M Goford Semiconductor G130N06M.pdf Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M GOFORD Semiconductor G130N06M.pdf N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S Goford Semiconductor G130N06S.pdf Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.62 грн
10+47.47 грн
100+31.20 грн
500+22.71 грн
1000+20.59 грн
2000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G130N06S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2 Goford Semiconductor G130N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.50 грн
10+73.13 грн
100+49.07 грн
500+36.37 грн
1000+33.26 грн
2000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G135P04S G135P04S Goford Semiconductor G135P04S.pdf Description: MOSFET,P-CH,-40V,-10A,2.8W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S G13P04S Goford Semiconductor G13P04S.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S GOFORD Semiconductor G13P04S.pdf P-CH,-40V,-13A,RD(max) Less Than 15mOhm at -10V,VTH -1.3V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K GOFORD Semiconductor G140P04K.pdf G140P04K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.96 грн
10+35.20 грн
100+22.77 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.33 грн
5000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C GOFORD SEMICONDUCTOR G15N10C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 22A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.18 грн
10+34.90 грн
100+22.64 грн
500+16.29 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C GOFORD Semiconductor G15N10C.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.07 грн
15000+11.12 грн
30000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.80 грн
15000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.74 грн
10+40.05 грн
100+27.83 грн
500+20.39 грн
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G1601 GOFORD Semiconductor High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32 Goford Semiconductor G160N04D32.pdf Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32 Goford Semiconductor G160N04D32.pdf Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K GOFORD Semiconductor G160N04K.pdf N-CH,40V,25A,RD(max) Less Than 15mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.0V, TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
10+30.96 грн
100+19.96 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K GOFORD SEMICONDUCTOR G160N04K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 25A; 43W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 25A
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S Goford Semiconductor G160N04S.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S Goford Semiconductor G160N04S.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 GOFORD Semiconductor G160N04S2.pdf G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G160N04S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.89 грн
10+30.96 грн
100+19.96 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
2000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI.pdf Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.38 грн
11+29.00 грн
100+20.12 грн
500+14.74 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor GOFORD-G160P03KI.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI.pdf Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03A GOFORD Semiconductor Trench MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD Semiconductor GOFORD-G16N03S.pdf N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.69 грн
16000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S G16N03S Goford Semiconductor GOFORD-G16N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.91 грн
16000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.39 грн
10+37.17 грн
100+25.49 грн
500+18.94 грн
1000+17.30 грн
2000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 GOFORD Semiconductor G16P03D3.pdf P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.28 грн
15000+12.25 грн
30000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G12P06K G12P06K.pdf
G12P06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10K products-detail.php?ProId=489
G12P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.32 грн
10+42.32 грн
100+29.31 грн
500+22.98 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.5V, TO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.92 грн
15000+13.80 грн
30000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10KE G12P10KE.pdf
G12P10KE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 100V 12A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.14 грн
15000+10.79 грн
30000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
586+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
G12P10TE G12P10TE.pdf
G12P10TE
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.42 грн
10+68.74 грн
100+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 90A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 36.6nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
G130N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06M G130N06M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 9A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S G130N06S.pdf
G130N06S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH,60V,9A,RD(MAX)<12M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3068 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.62 грн
10+47.47 грн
100+31.20 грн
500+22.71 грн
1000+20.59 грн
2000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G130N06S2 G130N06S2.pdf
G130N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.50 грн
10+73.13 грн
100+49.07 грн
500+36.37 грн
1000+33.26 грн
2000+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G135P04S G135P04S.pdf
G135P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,P-CH,-40V,-10A,2.8W,SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S G13P04S.pdf
G13P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S G13P04S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-13A,RD(max) Less Than 15mOhm at -10V,VTH -1.3V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G140P04K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
G140P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
G140P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.96 грн
10+35.20 грн
100+22.77 грн
500+16.33 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.33 грн
5000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 22A; 55W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 55W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.18 грн
10+34.90 грн
100+22.64 грн
500+16.29 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.07 грн
15000+11.12 грн
30000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.80 грн
15000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.74 грн
10+40.05 грн
100+27.83 грн
500+20.39 грн
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G1601
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32.pdf
G160N04D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04D32 G160N04D32.pdf
G160N04D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,DUAL N-CH,40V,21A,23W,8-D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,25A,RD(max) Less Than 15mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.0V, TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.89 грн
10+30.96 грн
100+19.96 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 25A; 43W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 25A
Power dissipation: 43W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S.pdf
G160N04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S G160N04S.pdf
G160N04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,9A,2.5W,8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.89 грн
10+30.96 грн
100+19.96 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
2000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.38 грн
11+29.00 грн
100+20.12 грн
500+14.74 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI GOFORD-G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03A
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.69 грн
16000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
G16N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.91 грн
16000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
G16P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+37.17 грн
100+25.49 грн
500+18.94 грн
1000+17.30 грн
2000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.28 грн
15000+12.25 грн
30000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]