Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1044) > Сторінка 6 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G13P04S G13P04S Goford Semiconductor G13P04S.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S GOFORD Semiconductor G13P04S.pdf P-CH,-40V,-13A,RD(max) Less Than 15mOhm at -10V,VTH -1.3V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K GOFORD Semiconductor G140P04K.pdf G140P04K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K Goford Semiconductor G140P04K.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.02 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K Goford Semiconductor G15N06K.pdf Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.81 грн
10+36.90 грн
100+23.87 грн
500+17.12 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.90 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C GOFORD Semiconductor G15N10C.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.52 грн
15000+10.62 грн
30000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C Goford Semiconductor G15N10C.pdf Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.39 грн
10+32.46 грн
100+20.92 грн
500+14.97 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
10+41.98 грн
100+29.17 грн
500+21.38 грн
1000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K G15P04K Goford Semiconductor GOFORD-G15P04K.pdf Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G1601 GOFORD Semiconductor High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.57 грн
10+32.22 грн
100+20.76 грн
500+14.86 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K GOFORD Semiconductor G160N04K.pdf N-CH,40V,25A,RD(max) Less Than 15mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.0V, TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K Goford Semiconductor G160N04K.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 GOFORD Semiconductor G160N04S2.pdf G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2 Goford Semiconductor G160N04S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.57 грн
10+32.22 грн
100+20.76 грн
500+14.86 грн
1000+13.36 грн
2000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI.pdf Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.09 грн
11+30.40 грн
100+21.09 грн
500+15.45 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor GOFORD-G160P03KI.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI Goford Semiconductor G160P03KI.pdf Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03A GOFORD Semiconductor Trench MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S G16N03S Goford Semiconductor GOFORD-G16N03S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.34 грн
16000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD Semiconductor GOFORD-G16N03S.pdf N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.21 грн
16000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.16 грн
10+38.97 грн
100+26.72 грн
500+19.85 грн
1000+18.13 грн
2000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3 Goford Semiconductor G16P03D3.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 GOFORD Semiconductor G16P03D3.pdf P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.68 грн
15000+11.69 грн
30000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S GOFORD Semiconductor G16P03S.pdf P-CH -30V -16A 12mOhm MAX at -10V, 18mOhm MAX at -4.5V, SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.50 грн
16000+12.68 грн
32000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S Goford Semiconductor G16P03S.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.55 грн
16000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S Goford Semiconductor G16P03S.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S Goford Semiconductor G16P03S.pdf Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.69 грн
10+37.14 грн
100+25.45 грн
500+18.89 грн
1000+17.25 грн
2000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2.pdf Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.68 грн
13+25.87 грн
100+16.48 грн
500+11.65 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2 Goford Semiconductor G170P02D2.pdf Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.74 грн
10+33.97 грн
100+23.23 грн
500+17.18 грн
1000+15.66 грн
2000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32 Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3.pdf Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3 Goford Semiconductor G170P03D3.pdf Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 G170P03S2 Goford Semiconductor GOFORD-G170P03S2.pdf Description: MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1786pF @ -15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.39 грн
10+35.08 грн
100+24.01 грн
500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.36 грн
10+53.09 грн
100+34.97 грн
500+25.49 грн
1000+23.14 грн
2000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.20 грн
16000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 GOFORD Semiconductor G180N06S2.pdf Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.81 грн
16000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K Goford Semiconductor G18N20K.pdf Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.71 грн
10+51.74 грн
100+34.09 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K Goford Semiconductor G18N20K.pdf Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T GOFORD Semiconductor G18N20T.pdf G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T Goford Semiconductor G18N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N50T G18N50T Goford Semiconductor G18N50T.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.04 грн
50+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.12 грн
10+51.03 грн
100+35.31 грн
500+26.47 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S G13P04S.pdf
G13P04S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 13A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G13P04S G13P04S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-40V,-13A,RD(max) Less Than 15mOhm at -10V,VTH -1.3V to -2.5V, SOP-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G140P04K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
G140P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
G140P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G140P04K G140P04K.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 45A 60W TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2261 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.02 грн
5000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N06K G15N06K.pdf
G15N06K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 762 pF @ 30 V
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.81 грн
10+36.90 грн
100+23.87 грн
500+17.12 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.90 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.52 грн
15000+10.62 грн
30000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15N10C G15N10C.pdf
G15N10C
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.39 грн
10+32.46 грн
100+20.92 грн
500+14.97 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 9568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
10+41.98 грн
100+29.17 грн
500+21.38 грн
1000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G15P04K GOFORD-G15P04K.pdf
G15P04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G1601
Виробник: GOFORD Semiconductor
High Power And Current Handing Capability MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5770+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 25A,RD<15M@10V,VTH1.0V~2.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 20 V
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.57 грн
10+32.22 грн
100+20.76 грн
500+14.86 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,40V,25A,RD(max) Less Than 15mOhm at 10V,RD(max) Less Than 21mOhm at 4.5V,VTH 1.1V to 2.0V, TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04K G160N04K.pdf
G160N04K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G160N04S2 G160N04S2.pdf
G160N04S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.57 грн
10+32.22 грн
100+20.76 грн
500+14.86 грн
1000+13.36 грн
2000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
11+30.40 грн
100+21.09 грн
500+15.45 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI GOFORD-G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 30A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G160P03KI G160P03KI.pdf
G160P03KI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1811 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03A
Виробник: GOFORD Semiconductor
Trench MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
G16N03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.34 грн
16000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16N03S GOFORD-G16N03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.21 грн
16000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
G16P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.16 грн
10+38.97 грн
100+26.72 грн
500+19.85 грн
1000+18.13 грн
2000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
G16P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03D3 G16P03D3.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhmMAX at -10V 18mOhmMAX at -4.5V DFN3x3-8L
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.68 грн
15000+11.69 грн
30000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -16A 12mOhm MAX at -10V, 18mOhm MAX at -4.5V, SOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.50 грн
16000+12.68 грн
32000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
G16P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.55 грн
16000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
G16P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G16P03S G16P03S.pdf
G16P03S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.69 грн
10+37.14 грн
100+25.45 грн
500+18.89 грн
1000+17.25 грн
2000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2.pdf
G170P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.68 грн
13+25.87 грн
100+16.48 грн
500+11.65 грн
1000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D2 G170P02D2.pdf
G170P02D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2179 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32.pdf
G170P02D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.74 грн
10+33.97 грн
100+23.23 грн
500+17.18 грн
1000+15.66 грн
2000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G170P02D32 G170P02D32.pdf
G170P02D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
G170P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03D3 G170P03D3.pdf
G170P03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G170P03S2 GOFORD-G170P03S2.pdf
G170P03S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P+P-CH 30V 11A SOP-8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1786pF @ -15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y.pdf
G180C06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.39 грн
10+35.08 грн
100+24.01 грн
500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.36 грн
10+53.09 грн
100+34.97 грн
500+25.49 грн
1000+23.14 грн
2000+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
G180N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.20 грн
16000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G180N06S2 G180N06S2.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Dual N-CH,60V,8A,RD(max) Less Than 20mOhm at 10V,RD(max) Less Than 22mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.4V,SOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.81 грн
16000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K.pdf
G18N20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.71 грн
10+51.74 грн
100+34.09 грн
500+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20K G18N20K.pdf
G18N20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,200V,18A,110W,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T G18N20T.pdf
G18N20T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G18N50T G18N50T.pdf
G18N50T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 189.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 250 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.04 грн
50+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
G18NP06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y.pdf
G18NP06Y
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.12 грн
10+51.03 грн
100+35.31 грн
500+26.47 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]