Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1023) > Сторінка 17 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W 17m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M Goford Semiconductor GT180N12M.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.30 грн
10+78.01 грн
100+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T GOFORD Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M GOFORD Semiconductor GT1K2P15M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10M GOFORD Semiconductor P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T Goford Semiconductor GT250P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GOFORD Semiconductor GT250P10T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K Goford Semiconductor GT2K0P20K.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GOFORD Semiconductor GT2K0P20K.pdf GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T GOFORD Semiconductor GT2K0P20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+91.07 грн
100+70.80 грн
500+56.32 грн
1000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GT400P10K Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10K.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.07 грн
10+100.16 грн
100+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GT400P10M Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf GT400P10T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.03 грн
10+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GOFORD Semiconductor GT52N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.91 грн
15000+34.98 грн
30000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.90 грн
10+108.63 грн
100+73.91 грн
500+55.42 грн
1000+50.93 грн
2000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.77 грн
15000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I GT52N10D5I Goford Semiconductor Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+40.28 грн
15000+37.18 грн
30000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 30 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.65 грн
15000+17.49 грн
30000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.37 грн
10+54.62 грн
100+35.94 грн
500+26.20 грн
1000+23.78 грн
2000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD Semiconductor GT55N06D5.pdf N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.53 грн
15000+19.89 грн
30000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K.pdf Description: N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K.pdf Description: N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.48 грн
10+62.47 грн
100+41.34 грн
500+30.27 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.63 грн
15000+3.20 грн
30000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
20+16.01 грн
100+10.04 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.26 грн
10+31.62 грн
100+20.31 грн
500+14.47 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.27 грн
15000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.65 грн
100+32.56 грн
500+23.65 грн
1000+21.43 грн
2000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.57 грн
10+54.00 грн
100+35.51 грн
500+25.88 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S.pdf Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S.pdf Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.46 грн
10+46.62 грн
100+30.51 грн
500+22.10 грн
1000+20.00 грн
2000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08T GT700P08T Goford Semiconductor GT700P08T.pdf Description: P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 40 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.54 грн
50+50.44 грн
100+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K Goford Semiconductor GT750P08K.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K Goford Semiconductor GT750P08K.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5 Goford Semiconductor GT750P10D5.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5 Goford Semiconductor GT750P10D5.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.83 грн
10+58.51 грн
100+38.70 грн
500+28.36 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.59 грн
10+85.63 грн
100+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W 17m(max
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT180N12M GT180N12M.pdf
GT180N12M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 55A 96W TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 60 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.30 грн
10+78.01 грн
100+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT180P08T
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
GT1K2P15M
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT1K2P15M
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10M
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
GT250P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A 173.6W 30m(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+54.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
GT250P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 173.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4059 pF @ 50 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
GT250P10T GT250P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
GT2K0P20K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 18A 138W 220M(M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20K GT2K0P20K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT2K0P20T
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT2K0P20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.39 грн
10+91.07 грн
100+70.80 грн
500+56.32 грн
1000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10K GOFORD-GT400P10K.pdf
GT400P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10M
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.07 грн
10+100.16 грн
100+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10M GOFORD-GT400P10M.pdf
GT400P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3073 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.03 грн
10+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.91 грн
15000+34.98 грн
30000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.90 грн
10+108.63 грн
100+73.91 грн
500+55.42 грн
1000+50.93 грн
2000+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.77 грн
15000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I
GT52N10D5I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+40.28 грн
15000+37.18 грн
30000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 30 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.65 грн
15000+17.49 грн
30000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.37 грн
10+54.62 грн
100+35.94 грн
500+26.20 грн
1000+23.78 грн
2000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.53 грн
15000+19.89 грн
30000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K.pdf
GT650N15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K.pdf
GT650N15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K.pdf
GT650N15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.48 грн
10+62.47 грн
100+41.34 грн
500+30.27 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.63 грн
15000+3.20 грн
30000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.43 грн
20+16.01 грн
100+10.04 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.26 грн
10+31.62 грн
100+20.31 грн
500+14.47 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.27 грн
15000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3.pdf
GT700P08D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3.pdf
GT700P08D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.30 грн
10+49.65 грн
100+32.56 грн
500+23.65 грн
1000+21.43 грн
2000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.57 грн
10+54.00 грн
100+35.51 грн
500+25.88 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S.pdf
GT700P08S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S.pdf
GT700P08S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.46 грн
10+46.62 грн
100+30.51 грн
500+22.10 грн
1000+20.00 грн
2000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08T GT700P08T.pdf
GT700P08T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 40 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.54 грн
50+50.44 грн
100+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K.pdf
GT750P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K.pdf
GT750P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5.pdf
GT750P10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5.pdf
GT750P10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.83 грн
10+58.51 грн
100+38.70 грн
500+28.36 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.59 грн
10+85.63 грн
100+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]