Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1279) > Сторінка 17 з 22

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT025N06AM GT025N06AM GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM.pdf Description: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.76 грн
10+130.30 грн
100+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GOFORD Semiconductor GT025N06AM.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.0mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-263
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GT025N06AM6 Goford Semiconductor GOFORD-GT025N06AM6.pdf Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GT025N06AM6 Goford Semiconductor GOFORD-GT025N06AM6.pdf Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.99 грн
10+129.48 грн
100+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ Goford Semiconductor GT025N06AQ.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,175A,220W,TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ Goford Semiconductor GT025N06AQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GOFORD Semiconductor GT025N06AT.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.2mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT.pdf Description: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.35 грн
50+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.20 грн
10+118.08 грн
100+81.01 грн
500+61.12 грн
1000+56.33 грн
2000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06F GT025N06F Goford Semiconductor GT025N06F.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,120A,55W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.83 грн
10+110.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M Goford Semiconductor GT025N06M.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M Goford Semiconductor GT025N06M.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.02 грн
10+114.14 грн
100+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL Goford Semiconductor GT025N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL Goford Semiconductor GT025N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.62 грн
10+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 200A; 230W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 230W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT030N08T GT030N08T Goford Semiconductor GOFORD-GT030N08T.pdf Description: N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5822 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.10 грн
50+118.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N06T GT035N06T Goford Semiconductor GT035N06T.pdf Description: N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5064 pF @ 30 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.47 грн
50+86.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10M GT035N10M Goford Semiconductor GT035N10M.pdf Description: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10M GT035N10M Goford Semiconductor GT035N10M.pdf Description: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.07 грн
10+170.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10Q GT035N10Q Goford Semiconductor GT035N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6516 pF @ 50 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10Q GOFORD SEMICONDUCTOR GT035N10Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10T GT035N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT035N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10T GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T.pdf Description: N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6057 pF @ 50 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.88 грн
50+128.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N12T GT035N12T Goford Semiconductor GOFORD-GT035N12T.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8336 pF @ 60 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.45 грн
10+180.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT038P06M GT038P06M Goford Semiconductor GT038P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 386 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11988 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT038P06M GT038P06M Goford Semiconductor GT038P06M.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 386 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11988 pF @ 30 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.53 грн
10+169.83 грн
100+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04D5I GT040N04D5I Goford Semiconductor GOFORD-GT040N04D5I.pdf Description: N40V,110A,RD<3.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04M GT040N04M Goford Semiconductor GT040N04M.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,120A,82W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.56 грн
10+67.68 грн
100+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04M GT040N04M Goford Semiconductor GT040N04M.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,120A,82W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04T GT040N04T Goford Semiconductor GT040N04T.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,110A,87W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04T GT040N04T Goford Semiconductor GT040N04T.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A 96W 4M(MAX)
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2794 pF @ 20 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.44 грн
10+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04TI GT040N04TI Goford Semiconductor GT040N04TI.pdf Description: N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 20 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M Goford Semiconductor GT040N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M GOFORD SEMICONDUCTOR GT040N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M Goford Semiconductor GT040N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.32 грн
10+143.03 грн
100+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M Goford Semiconductor GT040N10M.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,140A,200W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T Goford Semiconductor GT040N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W 4.5m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT040N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GT042P06T Goford Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf Description: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GT042P06T Goford Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT042P06T.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15F GT043N15F Goford Semiconductor GT043N15F.pdf Description: MOSFET 150V 95A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.70 грн
50+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15M GT043N15M Goford Semiconductor GT043N15M.pdf Description: MOSFET,N-CH,150V,143A,275W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15M GT043N15M Goford Semiconductor GT043N15M.pdf Description: MOSFET,N-CH,150V,143A,275W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15Q GT043N15Q Goford Semiconductor GT043N15Q.pdf Description: MOSFET 150V 180A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.91 грн
30+168.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15T GT043N15T Goford Semiconductor GT043N15T.pdf Description: MOSFET 150V 143A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.51 грн
50+121.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15TL GT043N15TL Goford Semiconductor GT043N15TL.pdf Description: MOSFET,N-CH,150V,202A,350W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15TL GT043N15TL Goford Semiconductor GT043N15TL.pdf Description: MOSFET,N-CH,150V,202A,350W,TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5 Goford Semiconductor GT045N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.98 грн
10+118.68 грн
100+81.44 грн
500+61.46 грн
1000+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GOFORD SEMICONDUCTOR GT045N10D5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 120A; 180W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 180W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 78nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M.pdf Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M.pdf Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.17 грн
10+133.72 грн
100+92.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M Goford Semiconductor GT045N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
GT025N06AM
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
GT025N06AM
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.76 грн
10+130.30 грн
100+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.0mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-263
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GOFORD-GT025N06AM6.pdf
GT025N06AM6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GOFORD-GT025N06AM6.pdf
GT025N06AM6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.99 грн
10+129.48 грн
100+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ.pdf
GT025N06AQ
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,175A,220W,TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ.pdf
GT025N06AQ
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
GT025N06AT
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
GT025N06AT
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.2mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
GT025N06AT
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.35 грн
50+96.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5.pdf
GT025N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5.pdf
GT025N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.20 грн
10+118.08 грн
100+81.01 грн
500+61.12 грн
1000+56.33 грн
2000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06F GT025N06F.pdf
GT025N06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,120A,55W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.83 грн
10+110.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M.pdf
GT025N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M.pdf
GT025N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.02 грн
10+114.14 грн
100+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL.pdf
GT025N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL.pdf
GT025N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.62 грн
10+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 200A; 230W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 230W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT030N08T GOFORD-GT030N08T.pdf
GT030N08T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5822 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.10 грн
50+118.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N06T GT035N06T.pdf
GT035N06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5064 pF @ 30 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.47 грн
50+86.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10M GT035N10M.pdf
GT035N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10M GT035N10M.pdf
GT035N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.07 грн
10+170.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10Q GT035N10Q.pdf
GT035N10Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6516 pF @ 50 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10Q GT035N10Q.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10T GT035N10T.pdf
GT035N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 190A; Idm: 760A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N10T GT035N10T.pdf
GT035N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6057 pF @ 50 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.88 грн
50+128.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT035N12T GOFORD-GT035N12T.pdf
GT035N12T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8336 pF @ 60 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.45 грн
10+180.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT038P06M GT038P06M.pdf
GT038P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 386 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11988 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT038P06M GT038P06M.pdf
GT038P06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 386 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11988 pF @ 30 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.53 грн
10+169.83 грн
100+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04D5I GOFORD-GT040N04D5I.pdf
GT040N04D5I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,110A,RD<3.5M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04M GT040N04M.pdf
GT040N04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,120A,82W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.56 грн
10+67.68 грн
100+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04M GT040N04M.pdf
GT040N04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,120A,82W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04T GT040N04T.pdf
GT040N04T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,110A,87W,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04T GT040N04T.pdf
GT040N04T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A 96W 4M(MAX)
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2794 pF @ 20 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.44 грн
10+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N04TI GT040N04TI.pdf
GT040N04TI
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V, 110A,RD<4M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 20 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M.pdf
GT040N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M.pdf
GT040N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M.pdf
GT040N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.32 грн
10+143.03 грн
100+99.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10M GT040N10M.pdf
GT040N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,140A,200W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T.pdf
GT040N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 140A 200W 4.5m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT040N10T GT040N10T.pdf
GT040N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 140A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
GT042P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
GT042P06T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT042P06T GOFORD-GT042P06T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15F GT043N15F.pdf
GT043N15F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 150V 95A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+256.70 грн
50+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15M GT043N15M.pdf
GT043N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,150V,143A,275W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+104.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15M GT043N15M.pdf
GT043N15M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,150V,143A,275W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15Q GT043N15Q.pdf
GT043N15Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 150V 180A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.91 грн
30+168.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15T GT043N15T.pdf
GT043N15T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 150V 143A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.51 грн
50+121.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15TL GT043N15TL.pdf
GT043N15TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,150V,202A,350W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT043N15TL GT043N15TL.pdf
GT043N15TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,150V,202A,350W,TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5.pdf
GT045N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5.pdf
GT045N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.98 грн
10+118.68 грн
100+81.44 грн
500+61.46 грн
1000+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10D5 GT045N10D5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 120A; 180W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SGT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 180W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 78nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M.pdf
GT045N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M.pdf
GT045N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.17 грн
10+133.72 грн
100+92.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT045N10M GT045N10M.pdf
GT045N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]