Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1347) > Сторінка 17 з 23

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GT015N06TL GT015N06TL Goford Semiconductor GT015N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL Goford Semiconductor GT015N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.10 грн
10+186.81 грн
50+144.80 грн
100+123.19 грн
500+103.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT015N06TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 350A; 350W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 350A
Power dissipation: 350W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL Goford Semiconductor GT015N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.84 грн
10+155.34 грн
50+119.69 грн
100+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT015N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 365A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 365A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL Goford Semiconductor GT015N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GOFORD Semiconductor GT015N10TL.pdf GT015N10TL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10Q GT016N10Q Goford Semiconductor GT016N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 228A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 50 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.55 грн
10+256.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL Goford Semiconductor GT016N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL Goford Semiconductor GT016N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.32 грн
10+269.77 грн
100+193.89 грн
500+166.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT016N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 362A; 380W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 362A
Power dissipation: 380W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5.pdf Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5.pdf Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+55.54 грн
100+36.55 грн
500+26.65 грн
1000+24.18 грн
2000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5 Goford Semiconductor GT019N04D5.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.22 грн
15000+17.87 грн
30000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M Goford Semiconductor GT020N04M.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M Goford Semiconductor GT020N04M.pdf Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+74.66 грн
50+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M Goford Semiconductor GT020N10M.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M Goford Semiconductor GT020N10M.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT020N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 300A; 330W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 330W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL Goford Semiconductor GT020N10TL.pdf Description: MOSFET,N-CH,100V,300A,330W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL Goford Semiconductor GT020N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL Goford Semiconductor GT020N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.11 грн
50+113.87 грн
100+96.51 грн
500+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 265W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q Goford Semiconductor GT023N10Q.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.97 грн
10+242.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GOFORD Semiconductor GT023N10Q.pdf Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.39 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T Goford Semiconductor GT023N10T.pdf Description: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.79 грн
50+159.78 грн
100+145.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T Goford Semiconductor GT023N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W 2.7m(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GOFORD SEMICONDUCTOR GT023N10TL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 330A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 330A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GOFORD Semiconductor GT023N10TL.pdf GT023N10TL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+134.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL Goford Semiconductor GT023N10TL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.23 грн
10+226.65 грн
100+161.08 грн
500+132.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5 Goford Semiconductor GT025N06AD5.pdf Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GOFORD Semiconductor GT025N06AD5.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2mOhm at 10V,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V,DFN5x6-8L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+61.90 грн
15000+57.20 грн
30000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5 Goford Semiconductor GT025N06AD5.pdf Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.46 грн
10+118.93 грн
50+90.63 грн
100+76.48 грн
500+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AD5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AK GT025N06AK Goford Semiconductor GT025N06AK.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AK GT025N06AK Goford Semiconductor GT025N06AK.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GOFORD Semiconductor GT025N06AM.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.0mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-263
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM.pdf Description: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.82 грн
10+133.02 грн
50+101.78 грн
100+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM.pdf Description: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GT025N06AM6 Goford Semiconductor GOFORD-GT025N06AM6.pdf Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.03 грн
10+132.18 грн
50+101.10 грн
100+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GT025N06AM6 Goford Semiconductor GOFORD-GT025N06AM6.pdf Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ Goford Semiconductor GT025N06AQ.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,175A,220W,TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GOFORD Semiconductor GT025N06AT.pdf N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.2mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT.pdf Description: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.28 грн
10+129.21 грн
50+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5 Goford Semiconductor GT025N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.63 грн
10+120.60 грн
50+91.94 грн
100+77.61 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06F GT025N06F Goford Semiconductor GT025N06F.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,120A,55W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.18 грн
10+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M Goford Semiconductor GT025N06M.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M Goford Semiconductor GT025N06M.pdf Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.49 грн
50+88.73 грн
100+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL Goford Semiconductor GT025N06TL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
GT015N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
GT015N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1M(MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10694 pF @ 30 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.10 грн
10+186.81 грн
50+144.80 грн
100+123.19 грн
500+103.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N06TL GT015N06TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 350A; 350W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 350A
Power dissipation: 350W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 204nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
GT015N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.84 грн
10+155.34 грн
50+119.69 грн
100+101.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 365A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 365A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
GT015N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V,365A,395W TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT015N10TL GT015N10TL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT015N10TL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10Q GT016N10Q.pdf
GT016N10Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 228A TO-247
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 50 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.55 грн
10+256.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL.pdf
GT016N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL.pdf
GT016N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+419.32 грн
10+269.77 грн
100+193.89 грн
500+166.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT016N10TL GT016N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 362A; 380W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 362A
Power dissipation: 380W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5.pdf
GT019N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5.pdf
GT019N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.77 грн
10+55.54 грн
100+36.55 грн
500+26.65 грн
1000+24.18 грн
2000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT019N04D5 GT019N04D5.pdf
GT019N04D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.22 грн
15000+17.87 грн
30000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M.pdf
GT020N04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N04M GT020N04M.pdf
GT020N04M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,40V,140A,85W,TO-263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3235 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.63 грн
10+74.66 грн
50+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M.pdf
GT020N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10M GT020N10M.pdf
GT020N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,236A,270W,TO-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 236A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 300A; 330W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 330W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
GT020N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,100V,300A,330W,TOLL-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
GT020N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT020N10TL GT020N10TL.pdf
GT020N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 330W 2.0M(
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 50 V
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.56 грн
10+148.11 грн
50+113.87 грн
100+96.51 грн
500+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M.pdf
GT023N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 265W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 265W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10M GT023N10M.pdf
GT023N10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
GT023N10Q
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W TO-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8488 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.97 грн
10+242.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10Q GT023N10Q.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.39 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T.pdf
GT023N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 226A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 226A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 137nC
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T.pdf
GT023N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.79 грн
50+159.78 грн
100+145.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10T GT023N10T.pdf
GT023N10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 226A 250W 2.7m(
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
GT023N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+103.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
GT023N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 330A; 395W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 330A
Power dissipation: 395W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT023N10TL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+134.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT023N10TL GT023N10TL.pdf
GT023N10TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+355.23 грн
10+226.65 грн
100+161.08 грн
500+132.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
GT025N06AD5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2mOhm at 10V,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V,DFN5x6-8L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+61.90 грн
15000+57.20 грн
30000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
GT025N06AD5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.46 грн
10+118.93 грн
50+90.63 грн
100+76.48 грн
500+61.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AD5 GT025N06AD5.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; DFN5x6-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: DFN5x6-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AK GT025N06AK.pdf
GT025N06AK
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AK GT025N06AK.pdf
GT025N06AK
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
GT025N06AM
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.0mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-263
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
GT025N06AM
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
GT025N06AM
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.82 грн
10+133.02 грн
50+101.78 грн
100+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM GT025N06AM.pdf
GT025N06AM
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GOFORD-GT025N06AM6.pdf
GT025N06AM6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.03 грн
10+132.18 грн
50+101.10 грн
100+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AM6 GOFORD-GT025N06AM6.pdf
GT025N06AM6
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AQ GT025N06AQ.pdf
GT025N06AQ
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,175A,220W,TO-247
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,170A,RD(max) Less Than 2.5mOhm at 10V,RD(max) Less Than 3.2mOhm at 4.5V,VTH 1.2V to 2.5V, TO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
GT025N06AT
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
GT025N06AT
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 170A; 215W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 170A
Power dissipation: 215W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06AT GT025N06AT.pdf
GT025N06AT
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.28 грн
10+129.21 грн
50+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5.pdf
GT025N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06D5 GT025N06D5.pdf
GT025N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
на замовлення 4759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.63 грн
10+120.60 грн
50+91.94 грн
100+77.61 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06F GT025N06F.pdf
GT025N06F
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,120A,55W,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.18 грн
10+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M.pdf
GT025N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06M GT025N06M.pdf
GT025N06M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,170A,215W,TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+116.49 грн
50+88.73 грн
100+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GT025N06TL GT025N06TL.pdf
GT025N06TL
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 200A 230W TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]