Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOFORD SEMICONDUCTOR (1057) > Сторінка 18 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.65 грн
10+98.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GT400P10T Goford Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD Semiconductor GOFORD-GT400P10T.pdf GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.55 грн
15000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GOFORD Semiconductor GT52N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.73 грн
15000+35.74 грн
30000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.71 грн
10+110.98 грн
100+75.51 грн
500+56.62 грн
1000+52.04 грн
2000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I GT52N10D5I Goford Semiconductor Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T GOFORD Semiconductor N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+41.15 грн
15000+37.98 грн
30000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GOFORD Semiconductor GT55N06D5.pdf N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.99 грн
15000+20.33 грн
30000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.56 грн
10+52.23 грн
100+34.38 грн
500+25.06 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K Goford Semiconductor GT650N15K.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH Goford Semiconductor GT6K2P10IH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.73 грн
22+14.53 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.46 грн
11+29.13 грн
100+18.73 грн
500+13.34 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH Goford Semiconductor GT6K2P10KH.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3 Goford Semiconductor GT700P08D3.pdf Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.14 грн
10+47.55 грн
100+31.15 грн
500+22.63 грн
1000+20.50 грн
2000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K Goford Semiconductor GT700P08K.pdf Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.73 грн
10+51.60 грн
100+33.98 грн
500+24.76 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S.pdf Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.19 грн
10+44.61 грн
100+29.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.13 грн
2000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S Goford Semiconductor GT700P08S.pdf Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08T GT700P08T Goford Semiconductor GT700P08T.pdf Description: P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 40 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.94 грн
50+51.53 грн
100+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K Goford Semiconductor GT750P08K.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K Goford Semiconductor GT750P08K.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5 Goford Semiconductor GT750P10D5.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5 Goford Semiconductor GT750P10D5.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K Goford Semiconductor GT750P10K.pdf Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.45 грн
10+58.66 грн
100+38.84 грн
500+28.46 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.61 грн
10+87.48 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M Goford Semiconductor GT750P10M.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L Goford Semiconductor GT800N10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L Goford Semiconductor GT800N10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
16+20.80 грн
100+10.48 грн
500+8.72 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L Goford Semiconductor GOFORD-GT800N10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.02 грн
15000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.65 грн
10+98.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
GT400P10T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3223 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
GT400P10T GOFORD-GT400P10T.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
GT400P10T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2626 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+36.55 грн
15000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.73 грн
15000+35.74 грн
30000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5 GT52N10D5.pdf
GT52N10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.71 грн
10+110.98 грн
100+75.51 грн
500+56.62 грн
1000+52.04 грн
2000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10D5I
GT52N10D5I
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2428 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT52N10T
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+41.15 грн
15000+37.98 грн
30000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 53A 8.2Ohm/MAX at 10V, 12Ohm/MAX at 4.5V DFN5x6-8L
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.99 грн
15000+20.33 грн
30000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 30 V
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.56 грн
10+52.23 грн
100+34.38 грн
500+25.06 грн
1000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT55N06D5 GT55N06D5.pdf
GT55N06D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT650N15K GT650N15K.pdf
GT650N15K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10IH GT6K2P10IH.pdf
GT6K2P10IH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 253 pF @ 50 V
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.73 грн
22+14.53 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.46 грн
11+29.13 грн
100+18.73 грн
500+13.34 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GT6K2P10KH GT6K2P10KH.pdf
GT6K2P10KH
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3.pdf
GT700P08D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08D3 GT700P08D3.pdf
GT700P08D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-16A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 40 V
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.14 грн
10+47.55 грн
100+31.15 грн
500+22.63 грн
1000+20.50 грн
2000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08K GT700P08K.pdf
GT700P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-20A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1615 pF @ 40 V
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.73 грн
10+51.60 грн
100+33.98 грн
500+24.76 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S.pdf
GT700P08S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.19 грн
10+44.61 грн
100+29.19 грн
500+21.15 грн
1000+19.13 грн
2000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08S GT700P08S.pdf
GT700P08S
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V,-6.5A,RD(MAX)<72M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1624 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT700P08T GT700P08T.pdf
GT700P08T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 40 V
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.94 грн
50+51.53 грн
100+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K.pdf
GT750P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P08K GT750P08K.pdf
GT750P08K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 80V 28A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1981 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5.pdf
GT750P10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10D5 GT750P10D5.pdf
GT750P10D5
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A 79W 60M(MAX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10K GT750P10K.pdf
GT750P10K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.45 грн
10+58.66 грн
100+38.84 грн
500+28.46 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.61 грн
10+87.48 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GT750P10M GT750P10M.pdf
GT750P10M
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1902 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L.pdf
GT800N10L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GT800N10L.pdf
GT800N10L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.50 грн
16+20.80 грн
100+10.48 грн
500+8.72 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GT800N10L GOFORD-GT800N10L.pdf
GT800N10L
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.02 грн
15000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18