Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117841) > Сторінка 1946 з 1965

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
T3160N18TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T3160N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50055-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 55A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 4.4mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS50080-1TEA INFINEON TECHNOLOGIES BTS500801TEA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...30V DC
Output current: 10A
Output voltage: 39V
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+326.28 грн
10+203.94 грн
100+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.62 грн
5+318.08 грн
25+286.19 грн
100+265.21 грн
250+252.62 грн
500+227.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+461.85 грн
10+320.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R460CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c79199ef1e55 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R460CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 8.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N20SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD340N20S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 330A; BG-PB50SB-1; Ifsm: 10kA
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward impulse current: 10kA
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.31V
Load current: 330A
Max. off-state voltage: 2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.77 грн
10+109.10 грн
50+97.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.40 грн
10+111.62 грн
50+96.52 грн
100+89.80 грн
500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7805zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP620FH7764XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP620F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03a08d3926 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; automotive industry
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Power dissipation: 185mW
Current gain: 110
Frequency: 65GHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP620H7764XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP620-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0396db3924 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; SOT343; automotive industry
Mounting: SMD
Case: SOT343
Collector current: 80mA
Power dissipation: 185mW
Current gain: 110
Frequency: 65GHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.75 грн
12+37.26 грн
100+29.88 грн
250+28.62 грн
500+27.11 грн
1000+24.17 грн
2000+21.82 грн
4000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT23
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.11 грн
25+17.12 грн
50+12.00 грн
100+10.24 грн
500+7.05 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523E6433HTMA1 BCR523E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.59 грн
62+6.78 грн
100+6.10 грн
500+5.16 грн
2500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BCR533E6327HTSA1 BCR533E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr533.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a3730114407da25d030a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.36 грн
35+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 BCR135E6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.75 грн
53+7.97 грн
100+5.28 грн
500+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
91+4.63 грн
111+3.80 грн
250+3.36 грн
500+3.07 грн
1000+2.79 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP405.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Current gain: 90...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.21 грн
8+59.76 грн
10+54.64 грн
50+44.31 грн
100+41.38 грн
250+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2917.54 грн
2+2613.47 грн
3+2583.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4 INFINEON TECHNOLOGIES FP75R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONO3-3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+20417.37 грн
3+17146.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP450H6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 24GHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT343
Mounting: SMD
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.67 грн
13+32.98 грн
100+24.51 грн
250+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135SH6327 BCR135SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.94 грн
65+6.55 грн
250+5.20 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135WH6327 BCR135WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6251-2G TLE6251-2G INFINEON TECHNOLOGIES TLE6251-2G.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 5.5÷18VDC; PG-DSO-14; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Case: PG-DSO-14
Interface: CAN
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 80mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL215CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.71 грн
13+34.33 грн
50+24.17 грн
60+23.16 грн
100+20.73 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.98 грн
35+12.34 грн
100+7.49 грн
250+6.23 грн
500+5.37 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.71 грн
15+29.21 грн
100+20.73 грн
250+18.63 грн
500+17.04 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Gate charge: 115nC
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 326W
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.42 грн
6+298.78 грн
10+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 147nC
Turn-off time: 2004ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 92.4W
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.61 грн
10+175.41 грн
30+151.07 грн
60+142.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.11 грн
5+98.53 грн
10+88.63 грн
50+64.46 грн
100+56.06 грн
125+53.71 грн
250+47.42 грн
500+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3103spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7084TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15V104QSN-108LPXIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512x8bit; 1.71÷1.89VDC; 108MHz
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 1.71...1.89V DC
Clock frequency: 108MHz
Case: GQFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QSN-108LPXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B104QSN_CY15V104QSN_EXCELON_-Ultra_4_Mbit_(512K_x_8)_Quad_SPI_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee59c446d71 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 1.8÷3.6VDC; 108MHz; GQFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512kx8bit
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Clock frequency: 108MHz
Case: GQFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15V104QSN-108LPXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B104QSN_CY15V104QSN_EXCELON_-Ultra_4_Mbit_(512K_x_8)_Quad_SPI_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee59c446d71 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 1.71÷1.89VDC; 108MHz
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512kx8bit
Supply voltage: 1.71...1.89V DC
Clock frequency: 108MHz
Case: GQFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71KE6327 BCX71KE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
55+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71HE6327 BCX71HE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.59 грн
160+2.65 грн
180+2.38 грн
500+2.11 грн
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71GE6327 BCX71GE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX71.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
98+4.63 грн
109+3.87 грн
250+3.42 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.90 грн
10+196.39 грн
25+146.03 грн
50+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+155.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 448_AIMBG120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 202W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Power dissipation: 202W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+463.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R160M1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 448_AIMBG120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 17A; 106W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 106W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+229.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
T3160N18TOFVTXPSA1 T3160N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB.pdf
BTS50055-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 55A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 4.4mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS500801TEA.pdf
BTS50080-1TEA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...30V DC
Output current: 10A
Output voltage: 39V
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.28 грн
10+203.94 грн
100+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA.pdf
BTS50080-1TMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+407.62 грн
5+318.08 грн
25+286.19 грн
100+265.21 грн
250+252.62 грн
500+227.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB.pdf
BTS50080-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.85 грн
10+320.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R460CEXKSA2 Infineon-IPA80R460CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c79199ef1e55
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFD-DTE.pdf
IPL65R460CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 8.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N20SHPSA1 DD340N20S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 330A; BG-PB50SB-1; Ifsm: 10kA
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward impulse current: 10kA
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.31V
Load current: 330A
Max. off-state voltage: 2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.77 грн
10+109.10 грн
50+97.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA045N10N3GXKSA1 IPA045N10N3G-DTE.pdf
IPA045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.40 грн
10+111.62 грн
50+96.52 грн
100+89.80 грн
500+88.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G-DTE.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF irf7805zpbf.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP620FH7764XTSA1 Infineon-BFP620F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03a08d3926
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; automotive industry
Mounting: SMD
Collector current: 80mA
Power dissipation: 185mW
Current gain: 110
Frequency: 65GHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP620H7764XTSA1 Infineon-BFP620-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0396db3924
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; 185mW; SOT343; automotive industry
Mounting: SMD
Case: SOT343
Collector current: 80mA
Power dissipation: 185mW
Current gain: 110
Frequency: 65GHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.75 грн
12+37.26 грн
100+29.88 грн
250+28.62 грн
500+27.11 грн
1000+24.17 грн
2000+21.82 грн
4000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT23
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.11 грн
25+17.12 грн
50+12.00 грн
100+10.24 грн
500+7.05 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BCR523E6433HTMA1 bcr523series.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407c929c0309
BCR523E6433HTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.59 грн
62+6.78 грн
100+6.10 грн
500+5.16 грн
2500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BCR533E6327HTSA1 bcr533.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a3730114407da25d030a
BCR533E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.36 грн
35+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 bcr135.pdf
BCR135E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.75 грн
53+7.97 грн
100+5.28 грн
500+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185.pdf
BCR185E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.23 грн
91+4.63 грн
111+3.80 грн
250+3.36 грн
500+3.07 грн
1000+2.79 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405.pdf
BFP405H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Current gain: 90...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 526 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.21 грн
8+59.76 грн
10+54.64 грн
50+44.31 грн
100+41.38 грн
250+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4B3.pdf
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2917.54 грн
2+2613.47 грн
3+2583.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4.pdf
FP75R12KT4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONO3-3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20417.37 грн
3+17146.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327-dte.pdf
BFP450H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 24GHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT343
Mounting: SMD
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.67 грн
13+32.98 грн
100+24.51 грн
250+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135SH6327 bcr135.pdf
BCR135SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.94 грн
65+6.55 грн
250+5.20 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135WH6327 bcr135.pdf
BCR135WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6251-2G TLE6251-2G.pdf
TLE6251-2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 5.5÷18VDC; PG-DSO-14; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Case: PG-DSO-14
Interface: CAN
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 80mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.71 грн
13+34.33 грн
50+24.17 грн
60+23.16 грн
100+20.73 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.98 грн
35+12.34 грн
100+7.49 грн
250+6.23 грн
500+5.37 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.7A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.71 грн
15+29.21 грн
100+20.73 грн
250+18.63 грн
500+17.04 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Gate charge: 115nC
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 326W
Pulsed collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.42 грн
6+298.78 грн
10+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 147nC
Turn-off time: 2004ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 92.4W
Pulsed collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.61 грн
10+175.41 грн
30+151.07 грн
60+142.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.11 грн
5+98.53 грн
10+88.63 грн
50+64.46 грн
100+56.06 грн
125+53.71 грн
250+47.42 грн
500+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf
IRL3103STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF.pdf
IRFH7084TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irfs3206pbf.pdf
IRFS3206TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15V104QSN-108LPXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512x8bit; 1.71÷1.89VDC; 108MHz
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 1.71...1.89V DC
Clock frequency: 108MHz
Case: GQFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QSN-108LPXI Infineon-CY15B104QSN_CY15V104QSN_EXCELON_-Ultra_4_Mbit_(512K_x_8)_Quad_SPI_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee59c446d71
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 1.8÷3.6VDC; 108MHz; GQFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512kx8bit
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Clock frequency: 108MHz
Case: GQFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15V104QSN-108LPXI Infineon-CY15B104QSN_CY15V104QSN_EXCELON_-Ultra_4_Mbit_(512K_x_8)_Quad_SPI_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee59c446d71
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 1.71÷1.89VDC; 108MHz
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512kx8bit
Supply voltage: 1.71...1.89V DC
Clock frequency: 108MHz
Case: GQFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. load current: 1.1kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71KE6327 BCX71.pdf
BCX71KE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71HE6327 BCX71.pdf
BCX71HE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
60+7.59 грн
160+2.65 грн
180+2.38 грн
500+2.11 грн
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71GE6327 BCX71.pdf
BCX71GE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
98+4.63 грн
109+3.87 грн
250+3.42 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6327HTSA1 bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.90 грн
10+196.39 грн
25+146.03 грн
50+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+155.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 202W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Power dissipation: 202W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+463.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R160M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 17A; 106W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17A
Power dissipation: 106W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+229.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1960 1965  [ Наступна Сторінка >> ]