Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117828) > Сторінка 1947 з 1964

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1960 1964  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.32 грн
3+213.17 грн
10+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 198W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 198W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 52A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+303.68 грн
150+254.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR FM25L16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 160A; 56W; PG-TDSON-8
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 20mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Power dissipation: 56W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.84 грн
10+170.37 грн
25+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC060N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT260N10S5N019.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC060N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9b35e3600c3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60GAXKMA2 IKCM15H60GAXKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM15H60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Power dissipation: 25.2W
Case: PG-MDIP24
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -15...15A
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Frequency: 20kHz
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+696.85 грн
3+600.07 грн
5+577.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I CY8CMBR3102-SX1I INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
490+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3504ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES auirfr3504.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QN-40SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B108QN_CY15V108QN_Excelon(TM)_LP_8-Mbit_(1024K_X_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7134b6ff4 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 8MbFRAM; SPI; 1024kx8bit; 1.8÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 8Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 1024kx8bit
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QN-40SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B108QN_CY15V108QN_Excelon(TM)_LP_8-Mbit_(1024K_X_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7134b6ff4 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 8MbFRAM; SPI; 1024kx8bit; 1.8÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 8Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 1024kx8bit
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS02G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.57 грн
7+68.82 грн
10+62.94 грн
25+55.39 грн
50+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms5703pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms1902pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms2002pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC850BE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 7532 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.65 грн
51+8.31 грн
100+5.47 грн
250+4.65 грн
1000+3.69 грн
3000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CE6327 BC850CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC850BE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.75 грн
47+8.98 грн
59+7.22 грн
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgb4062dpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt412.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 3...25mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+409.43 грн
5+297.94 грн
10+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 27Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 140mA
On-state resistance: 27Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 0.5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+310.01 грн
150+259.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; 6Ω; THT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Manufacturer series: PV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+402.20 грн
100+336.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt322.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 500mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 100V
Technology: HEXFET®
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.77 грн
10+54.55 грн
50+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI020 S29AL008J70TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; TSSOP48; parallel
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSSOP48
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+220.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4200
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-012011-00 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-012011-00_EZ-BLE_Creator_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5988a552b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: BLE; 3dBm; I2C,SPI,UART
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 3dBm
Receiver sensitivity: -91dBm
Mounting: SMD
Bluetooth version: BLE
Frequency: 2.4GHz
Kind of module: wireless
Interface: I2C; SPI; UART
Dimensions: 14.52x19.2x2mm
Supply voltage: 1.8...4.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212020-01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-212020-01-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1d41a67e4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 3dBm
Receiver sensitivity: -91dBm
Mounting: SMD
Bluetooth version: 4.2; BLE
Frequency: 2.4GHz
Kind of module: wireless
Interface: I2C; I2S; SPI; UART
Dimensions: 19.2x14.5mm
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222014-01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-222014-01-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edac5815d5b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 3dBm
Receiver sensitivity: -91dBm
Mounting: SMD
Bluetooth version: 4.2; BLE
Frequency: 2.4GHz
Kind of module: wireless
Interface: I2C; SPI; UART
Dimensions: 10x10mm
Supply voltage: 1.8...4.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGF INFINEON TECHNOLOGIES Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; 12dBm; SMD; 2Mbps; 2400MHz
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 12dBm
Receiver sensitivity: -94.5dBm
Mounting: SMD
Data transfer rate: 2Mbps
Band: 2.4GHz
Operating temperature: -30...85°C
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2600+159.07 грн
Мінімальне замовлення: 2600
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-333074-02 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-343072-02_CYBLE-333073-02_CYBLE-333074-02_AIROC_Bluetooth_LE_module-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d9a4f3ee63c2d Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; 12dBm; I2C; SMD; 6Mbps; 2400MHz
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 12dBm
Receiver sensitivity: -94.5dBm
Mounting: SMD
Data transfer rate: 6Mbps
Band: 2.4GHz
Operating temperature: -30...85°C
Communications modules features: antenna
Interface: I2C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
500+413.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY3210-MINIPROG1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-MiniProg_Guide_e-Book-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eedc3cb7b94&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Software: included
Software: included
Programmers and development kits features: ISP programmer
Kit contents: board with DIP 28 socket; CY8C29466-24PXI microcontroller; USB cable; USB programmer
Associated circuits: PSoC
Interface: USB
Type of development kit: Cypress
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC822MT1FRIAAFXUMA1 XC822MT1FRIAAFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC82X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: I2C,SPI,UART; DALI; -40÷85°C
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: LEDTSCU; MDU; RTC; watchdog
Communictions protocol: DALI
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Case: PG-TSSOP-16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Number of PWM channels: 1
Number of 16bit timers: 3
Number of 10bit A/D converters: 4
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Memory: 500B SRAM; 4kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.09 грн
6+82.25 грн
25+77.21 грн
100+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 CY8C5267AXI-LP051 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 32kBSRAM,128kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 32kB SRAM; 128kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+902.02 грн
10+835.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
On-state resistance: 50/105mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.23 грн
10+59.84 грн
100+40.03 грн
250+34.75 грн
500+31.56 грн
1000+28.79 грн
2000+26.52 грн
4000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20957S.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.96 грн
10+155.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.42 грн
10+63.53 грн
50+45.82 грн
100+40.28 грн
200+35.84 грн
250+34.66 грн
500+31.39 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.92 грн
24+18.13 грн
50+12.34 грн
100+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.19 грн
12+37.60 грн
13+33.74 грн
25+27.28 грн
50+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.32 грн
3+213.17 грн
10+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 198W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 198W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 52A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+303.68 грн
150+254.30 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25L16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 160A; 56W; PG-TDSON-8
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 20mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Power dissipation: 56W
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.84 грн
10+170.37 грн
25+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3G-DTE.pdf
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3G-DTE.pdf
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3G-DTE.pdf
BSZ160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 240A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 88W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 91A; Idm: 995A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 995A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019.pdf
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 Infineon-ISC060N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9b35e3600c3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60GAXKMA2 IKCM15H60GA.pdf
IKCM15H60GAXKMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Power dissipation: 25.2W
Case: PG-MDIP24
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -15...15A
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Frequency: 20kHz
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.85 грн
3+600.07 грн
5+577.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
CY8CMBR3102-SX1I
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXIT Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF.pdf
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z auirfr3504.pdf
AUIRFR3504Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QN-40SXI Infineon-CY15B108QN_CY15V108QN_Excelon(TM)_LP_8-Mbit_(1024K_X_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7134b6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 8MbFRAM; SPI; 1024kx8bit; 1.8÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 8Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 1024kx8bit
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QN-40SXIT Infineon-CY15B108QN_CY15V108QN_Excelon(TM)_LP_8-Mbit_(1024K_X_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7134b6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 8MbFRAM; SPI; 1024kx8bit; 1.8÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 8Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 1024kx8bit
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f6f7d91513e6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02G.pdf
ICE2QS02GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.57 грн
7+68.82 грн
10+62.94 грн
25+55.39 грн
50+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF irlms5703pbf.pdf
IRLMS5703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF description irlms1503pbf.pdf
IRLMS1503TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF irlms1902pbf.pdf
IRLMS1902TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF description irlms2002pbf.pdf
IRLMS2002TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327.pdf
BC850BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 7532 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.65 грн
51+8.31 грн
100+5.47 грн
250+4.65 грн
1000+3.69 грн
3000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CE6327 BC850BE6327.pdf
BC850CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.75 грн
47+8.98 грн
59+7.22 грн
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4062DPBF irgb4062dpbf.pdf
IRGP4062DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF pvt412.pdf
PVT412LSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 3...25mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.43 грн
5+297.94 грн
10+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412PBF description pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 27Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 140mA
On-state resistance: 27Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 0.5ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+310.01 грн
150+259.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; 6Ω; THT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Manufacturer series: PV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Control current max.: 25mA
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+402.20 грн
100+336.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pvt322.pdf
PVT322PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 500mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
IRFI540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 100V
Technology: HEXFET®
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.77 грн
10+54.55 грн
50+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI020 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
S29AL008J70TFI020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; TSSOP48; parallel
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSSOP48
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+220.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRLPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4200
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-012011-00 Infineon-CYBLE-012011-00_EZ-BLE_Creator_Module-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5988a552b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: BLE; 3dBm; I2C,SPI,UART
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 3dBm
Receiver sensitivity: -91dBm
Mounting: SMD
Bluetooth version: BLE
Frequency: 2.4GHz
Kind of module: wireless
Interface: I2C; SPI; UART
Dimensions: 14.52x19.2x2mm
Supply voltage: 1.8...4.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-212020-01 Infineon-CYBLE-212020-01-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1d41a67e4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 3dBm
Receiver sensitivity: -91dBm
Mounting: SMD
Bluetooth version: 4.2; BLE
Frequency: 2.4GHz
Kind of module: wireless
Interface: I2C; I2S; SPI; UART
Dimensions: 19.2x14.5mm
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222014-01 Infineon-CYBLE-222014-01-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edac5815d5b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 3dBm
Receiver sensitivity: -91dBm
Mounting: SMD
Bluetooth version: 4.2; BLE
Frequency: 2.4GHz
Kind of module: wireless
Interface: I2C; SPI; UART
Dimensions: 10x10mm
Supply voltage: 1.8...4.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20835PB1KML1GGF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; 12dBm; SMD; 2Mbps; 2400MHz
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 12dBm
Receiver sensitivity: -94.5dBm
Mounting: SMD
Data transfer rate: 2Mbps
Band: 2.4GHz
Operating temperature: -30...85°C
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2600+159.07 грн
Мінімальне замовлення: 2600
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-333074-02 Infineon-CYBLE-343072-02_CYBLE-333073-02_CYBLE-333074-02_AIROC_Bluetooth_LE_module-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d9a4f3ee63c2d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; 12dBm; I2C; SMD; 6Mbps; 2400MHz
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Transmitter output power: 12dBm
Receiver sensitivity: -94.5dBm
Mounting: SMD
Data transfer rate: 6Mbps
Band: 2.4GHz
Operating temperature: -30...85°C
Communications modules features: antenna
Interface: I2C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+413.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY3210-MINIPROG1 Infineon-MiniProg_Guide_e-Book-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eedc3cb7b94&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Software: included
Software: included
Programmers and development kits features: ISP programmer
Kit contents: board with DIP 28 socket; CY8C29466-24PXI microcontroller; USB cable; USB programmer
Associated circuits: PSoC
Interface: USB
Type of development kit: Cypress
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC822MT1FRIAAFXUMA1 XC82X-DTE.pdf
XC822MT1FRIAAFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: I2C,SPI,UART; DALI; -40÷85°C
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: LEDTSCU; MDU; RTC; watchdog
Communictions protocol: DALI
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Case: PG-TSSOP-16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Number of PWM channels: 1
Number of 16bit timers: 3
Number of 10bit A/D converters: 4
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Memory: 500B SRAM; 4kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.09 грн
6+82.25 грн
25+77.21 грн
100+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 download
CY8C5267AXI-LP051
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 32kBSRAM,128kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 32kB SRAM; 128kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+902.02 грн
10+835.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
On-state resistance: 50/105mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.23 грн
10+59.84 грн
100+40.03 грн
250+34.75 грн
500+31.56 грн
1000+28.79 грн
2000+26.52 грн
4000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957S.pdf
IRS20957STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.96 грн
10+155.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.42 грн
10+63.53 грн
50+45.82 грн
100+40.28 грн
200+35.84 грн
250+34.66 грн
500+31.39 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.92 грн
24+18.13 грн
50+12.34 грн
100+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
IRL6372TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
12+37.60 грн
13+33.74 грн
25+27.28 грн
50+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1960 1964  [ Наступна Сторінка >> ]