Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (117828) > Сторінка 1948 з 1964

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1953 1960 1964  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY7C1021DV33-10ZSXI CY7C1021DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Access time: 10ns
Operating voltage: 3...3.6V
Memory organisation: 64kx16bit
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.67 грн
10+123.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.48 грн
5+110.78 грн
10+103.23 грн
25+98.19 грн
50+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Voltage class: 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.37 грн
10+147.71 грн
25+138.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 9...20V DC
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.05 грн
10+114.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 9...20V DC
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+225.05 грн
5+184.64 грн
10+168.69 грн
25+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Pulsed drain current: 340A
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.38 грн
14+31.05 грн
100+21.23 грн
250+18.72 грн
500+16.70 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R600C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 CY8C4247AXI-M485 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4245AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 48
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Clock frequency: 48MHz
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Case: TQFP64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 12...20V DC
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFx2905ZPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bas3010s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ddc9372011e24fd0b124647 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 4A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.65V
Leakage current: 0.3mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.25 грн
10+101.55 грн
20+92.32 грн
50+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7324pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9358pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.87 грн
50+17.37 грн
100+15.78 грн
200+14.18 грн
250+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9321pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9335pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf9321-datasheet-en.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV199E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 5nA
Power dissipation: 0.33W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-GTR FM24CL04B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP760.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: SiGe:C
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.21 грн
21+20.14 грн
25+18.13 грн
100+16.03 грн
250+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCR602XTSA1 BCR602XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BCR602-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855acb7e80020 Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; PG-SOT23-6; 10mA; Ch: 1
Protection: overheating OTP
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Case: PG-SOT23-6
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Output current: 10mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 8...60V DC
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.06 грн
16+26.27 грн
25+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
10+117.50 грн
25+95.68 грн
50+81.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
10+93.16 грн
25+80.57 грн
50+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP15N60CFD_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e8cee49eb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 13.4A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.4A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+169.92 грн
200+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7424pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT142N14KOF TT142N14KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT142N14KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 142A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 142A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.56V
Max. forward impulse current: 4.8kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01GXUMA1 ICE2HS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2HS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 6mA; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 30kHz...1MHz
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: SMPS
Operating voltage: 11...18V DC
Output current: 6mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.30 грн
10+137.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS6035SEPKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ITS6035S-EP-K-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a21c51e3b2599 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 13A; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 13A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 35mΩ
Active logical level: high
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+176.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4035SEPDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ITS4035S-EP-D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bd900d8c44e83 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 13.2A; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 13.2A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 27mΩ
Active logical level: high
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+122.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5116H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1A; 2W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO261-4
Mounting: SMD
на замовлення 677000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.44 грн
10+120.01 грн
50+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP3006PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+332.61 грн
10+224.92 грн
25+188.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50085-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 7.2mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...58V DC
Output current: 38A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+573.02 грн
10+482.58 грн
25+446.49 грн
50+424.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441RG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.30 грн
5+251.78 грн
25+225.76 грн
100+214.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6133D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.23 грн
4+157.78 грн
10+138.48 грн
25+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G INFINEON TECHNOLOGIES ITS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.41 грн
10+316.40 грн
50+265.21 грн
100+238.35 грн
250+220.73 грн
500+211.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS428L2ATMA1 ITS428L2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.44 грн
10+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA INFINEON TECHNOLOGIES BTS4300SGA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.11 грн
10+101.55 грн
25+88.96 грн
100+73.02 грн
250+64.62 грн
500+58.75 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.32 грн
10+49.52 грн
50+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.65 грн
7+63.78 грн
10+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPS70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.33 грн
13+34.41 грн
50+27.28 грн
100+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS01GTDPBHI033 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS01GTDPMHI013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.98 грн
33+13.09 грн
100+8.14 грн
250+7.05 грн
500+6.21 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.58 грн
16+27.53 грн
100+18.63 грн
250+16.45 грн
500+15.19 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.27 грн
11+38.52 грн
100+24.09 грн
500+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.79 грн
23+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+107.01 грн
5+90.64 грн
10+77.55 грн
20+66.13 грн
50+54.55 грн
100+48.51 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT012N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.88 грн
9+52.37 грн
10+46.50 грн
50+33.99 грн
100+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10ZSXI description Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1021DV33-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Access time: 10ns
Operating voltage: 3...3.6V
Memory organisation: 64kx16bit
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.67 грн
10+123.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.48 грн
5+110.78 грн
10+103.23 грн
25+98.19 грн
50+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description IR21271SPBF.pdf
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Voltage class: 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.37 грн
10+147.71 грн
25+138.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF.pdf
IR21271SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 9...20V DC
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.05 грн
10+114.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description IR21271SPBF.pdf
IR21271PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 9...20V DC
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+225.05 грн
5+184.64 грн
10+168.69 грн
25+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Pulsed drain current: 340A
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.38 грн
14+31.05 грн
100+21.23 грн
250+18.72 грн
500+16.70 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6-DTE.pdf
IPI65R600C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6-DTE.pdf
IPD65R600C6BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 CY8C4245AZI-M443.pdf
CY8C4247AXI-M485
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 48
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Clock frequency: 48MHz
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Case: TQFP64
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR21271SPBF.pdf
IR2128SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 12...20V DC
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFx2905ZPBF.pdf
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 bas3010s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ddc9372011e24fd0b124647
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 1A
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 4A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.65V
Leakage current: 0.3mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.25 грн
10+101.55 грн
20+92.32 грн
50+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf.pdf
IRF7324TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF irf9358pbf.pdf
IRF9358TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
IRF9393TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.87 грн
50+17.37 грн
100+15.78 грн
200+14.18 грн
250+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF irf9321pbf.pdf
IRF9321TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF irf9335pbf.pdf
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBFXTMA1 infineon-irf9321-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327.pdf
BAV199E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 5nA
Power dissipation: 0.33W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-GTR Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL04B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760.pdf
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: SiGe:C
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.21 грн
21+20.14 грн
25+18.13 грн
100+16.03 грн
250+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCR602XTSA1 Infineon-BCR602-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855acb7e80020
BCR602XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; PG-SOT23-6; 10mA; Ch: 1
Protection: overheating OTP
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Case: PG-SOT23-6
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Output current: 10mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 8...60V DC
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+37.06 грн
16+26.27 грн
25+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF irfb4227pbf.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.98 грн
10+117.50 грн
25+95.68 грн
50+81.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.98 грн
10+93.16 грн
25+80.57 грн
50+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N60CFDXKSA1 SPP15N60CFD_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e8cee49eb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 13.4A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.4A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+169.92 грн
200+141.84 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF irf7424pbf.pdf
IRF7424TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT142N14KOF TT142N14KOF.pdf
TT142N14KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 142A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 142A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.56V
Max. forward impulse current: 4.8kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01GXUMA1 ICE2HS01G.pdf
ICE2HS01GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 6mA; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 30kHz...1MHz
Case: PG-DSO-20
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: push-pull
Application: SMPS
Operating voltage: 11...18V DC
Output current: 6mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.30 грн
10+137.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS6035SEPKXUMA1 Infineon-ITS6035S-EP-K-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a21c51e3b2599
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 13A; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 13A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 35mΩ
Active logical level: high
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+176.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4035SEPDXUMA1 Infineon-ITS4035S-EP-D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bd900d8c44e83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 13.2A; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 13.2A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 27mΩ
Active logical level: high
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+122.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5116H6327XTSA1 bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1A; 2W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO261-4
Mounting: SMD
на замовлення 677000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
SPP11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.44 грн
10+120.01 грн
50+104.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF.pdf
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.61 грн
10+224.92 грн
25+188.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA.pdf
BTS50085-1TMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 7.2mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...58V DC
Output current: 38A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.02 грн
10+482.58 грн
25+446.49 грн
50+424.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG.pdf
BTS441RG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.30 грн
5+251.78 грн
25+225.76 грн
100+214.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D.pdf
BTS6133D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.23 грн
4+157.78 грн
10+138.48 грн
25+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G.pdf
ITS716G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+381.41 грн
10+316.40 грн
50+265.21 грн
100+238.35 грн
250+220.73 грн
500+211.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ITS428L2ATMA1 ITS428L2.pdf
ITS428L2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R.pdf
BSP752R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.44 грн
10+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA.pdf
BTS4300SGA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.11 грн
10+101.55 грн
25+88.96 грн
100+73.02 грн
250+64.62 грн
500+58.75 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
IPA70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.32 грн
10+49.52 грн
50+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7S.pdf
IPAN70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+106.65 грн
7+63.78 грн
10+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7S.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7S.pdf
IPS70R360P7SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
BSP129H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.33 грн
13+34.41 грн
50+27.28 грн
100+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS01GTDPBHI033
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS01GTDPMHI013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.98 грн
33+13.09 грн
100+8.14 грн
250+7.05 грн
500+6.21 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.58 грн
16+27.53 грн
100+18.63 грн
250+16.45 грн
500+15.19 грн
1000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.27 грн
11+38.52 грн
100+24.09 грн
500+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
BSO207PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.79 грн
23+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.01 грн
5+90.64 грн
10+77.55 грн
20+66.13 грн
50+54.55 грн
100+48.51 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5-DTE.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.88 грн
9+52.37 грн
10+46.50 грн
50+33.99 грн
100+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N50C3ATMA1 Infineon-SPD03N50C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f144a43c7038b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 196 392 588 784 980 1176 1372 1568 1764 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1950 1951 1952 1953 1960 1964  [ Наступна Сторінка >> ]