Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124851) > Сторінка 2036 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2031 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2038 2039 2040 2041 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.84 грн
10+198.16 грн
50+185.72 грн
100+179.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC030N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9a9887300a4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+69.98 грн
10+66.00 грн
50+58.12 грн
100+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBTA06UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-G FM24CL16B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 2kx8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XMFA010 S25FL032P0XMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL032P_32-Mbit_3.0_V_Flash_Memory-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed4e2dd5369&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; SPI; 104MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 104MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI010 S25FL064LABMFI010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: SPI
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 108MHz
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.51 грн
5+262.00 грн
25+227.18 грн
100+218.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-2R8 IPC100N04S5-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S52R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R9 IPC100N04S5-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S51R9.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R5 IPC100N04S5L-1R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N04S303.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R1 IPC100N04S5L-1R1 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R9 IPC100N04S5L-1R9 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L1R9.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-2R6 IPC100N04S5L-2R6 INFINEON TECHNOLOGIES IPC100N04S5L2R6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.47 грн
10+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 341W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 281A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.42 грн
10+169.14 грн
25+138.46 грн
50+135.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+368.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+108.61 грн
10+93.69 грн
20+88.72 грн
50+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 206A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50251EL TLF50251EL INFINEON TECHNOLOGIES TLF50251EL.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50201EL TLF50201EL INFINEON TECHNOLOGIES TLF50201EL.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHA020 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXCT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65632_CY7C65634_HX2VL.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C,SPI; HUB controller; 3.15÷3.6VDC,4.75÷5.25VDC
Type of integrated circuit: interface
Interface: I2C; SPI
Kind of integrated circuit: HUB controller
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.6V DC; 4.75...5.25V DC
Case: TQFP48
Kind of core: 8-bit
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.54 грн
26+16.08 грн
29+14.34 грн
35+12.19 грн
50+10.86 грн
100+9.78 грн
250+8.79 грн
500+8.21 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.39 грн
14+30.59 грн
25+29.27 грн
50+28.19 грн
100+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE49462KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.00 грн
10+50.99 грн
100+36.15 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE4945L INFINEON TECHNOLOGIES TLE49x5L.PDF Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.86 грн
10+101.15 грн
25+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.68 грн
11+37.97 грн
13+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3103pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.23 грн
10+145.10 грн
25+128.51 грн
100+106.96 грн
500+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 70nC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 29ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+296.44 грн
10+226.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR106E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
50+13.76 грн
100+13.18 грн
250+11.61 грн
500+9.62 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.22 грн
10+82.17 грн
25+70.97 грн
50+61.44 грн
100+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.89 грн
16+26.53 грн
50+17.91 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP62H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR92p.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
37+11.36 грн
40+10.53 грн
50+10.03 грн
100+9.45 грн
250+8.95 грн
500+8.62 грн
1000+8.21 грн
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7540TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.19 грн
10+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5030-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.9W
Technology: PROFET™+ 12V
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.37 грн
10+124.37 грн
25+112.76 грн
100+96.18 грн
250+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.76 грн
10+85.40 грн
20+76.28 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
200+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.83 грн
10+78.77 грн
20+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.24 грн
10+112.76 грн
20+95.35 грн
50+77.94 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.26 грн
10+126.86 грн
50+113.59 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.90 грн
10+143.44 грн
25+129.34 грн
50+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.65 грн
5+111.10 грн
10+79.60 грн
25+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.84 грн
10+198.16 грн
50+185.72 грн
100+179.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 IPI030N10N3G-DTE.pdf
IPI030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1 Infineon-ISC030N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9a9887300a4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 179A; 208W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 179A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon-IPA030N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0179176bf1c41165
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 154nC
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2106S06FXUMA1 infineon-2ed2182-4-s06f-j-datasheet-en.pdf
2ED2106S06FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83
IPP030N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+69.98 грн
10+66.00 грн
50+58.12 грн
100+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327.pdf
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-G Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
FM24CL16B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 2kx8bit
Case: SO8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL032P0XMFA010 Infineon-S25FL032P_32-Mbit_3.0_V_Flash_Memory-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed4e2dd5369&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL032P0XMFA010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; SPI; 104MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 32Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 104MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI010 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
S25FL064LABMFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: SPI
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 108MHz
Case: SO8
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.51 грн
5+262.00 грн
25+227.18 грн
100+218.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-2R8 IPC100N04S52R8.pdf
IPC100N04S5-2R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5-1R9 IPC100N04S51R9.pdf
IPC100N04S5-1R9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R5 IPC100N04S5L1R5.pdf
IPC100N04S5L-1R5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303.pdf
IPB100N04S303ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R1 IPC100N04S5L1R1.pdf
IPC100N04S5L-1R1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-1R9 IPC100N04S5L1R9.pdf
IPC100N04S5L-1R9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 100W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L-2R6 IPC100N04S5L2R6.pdf
IPC100N04S5L-2R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 75W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.47 грн
10+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF irfp7530pbf.pdf
IRFP7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Power dissipation: 341W
Gate charge: 274nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 281A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.42 грн
10+169.14 грн
25+138.46 грн
50+135.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+368.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+108.61 грн
10+93.69 грн
20+88.72 грн
50+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N04NM5ATMA1 Infineon-ISC015N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4302e0001
ISC015N04NM5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 115W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 206A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50251EL TLF50251EL.pdf
TLF50251EL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF50201EL TLF50201EL.pdf
TLF50201EL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 4.75÷45VDC; Uout: 5VDC; 500mA; SSOP14
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 4.75...45V DC
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.5A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHA020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXCT Infineon-CY7C65632_CY7C65634_HX2VL.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; I2C,SPI; HUB controller; 3.15÷3.6VDC,4.75÷5.25VDC
Type of integrated circuit: interface
Interface: I2C; SPI
Kind of integrated circuit: HUB controller
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.6V DC; 4.75...5.25V DC
Case: TQFP48
Kind of core: 8-bit
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.54 грн
26+16.08 грн
29+14.34 грн
35+12.19 грн
50+10.86 грн
100+9.78 грн
250+8.79 грн
500+8.21 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.39 грн
14+30.59 грн
25+29.27 грн
50+28.19 грн
100+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f
TLE49462KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.00 грн
10+50.99 грн
100+36.15 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE49x5L.PDF
TLE4945L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+117.86 грн
10+101.15 грн
25+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.68 грн
11+37.97 грн
13+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF irlr3103pbf.pdf
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
IRFS7430TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.23 грн
10+145.10 грн
25+128.51 грн
100+106.96 грн
500+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 70nC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 29ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.44 грн
10+226.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327-dte.pdf
BFR106E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.07 грн
50+13.76 грн
100+13.18 грн
250+11.61 грн
500+9.62 грн
1000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF.pdf
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.22 грн
10+82.17 грн
25+70.97 грн
50+61.44 грн
100+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.89 грн
16+26.53 грн
50+17.91 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP62H6327XTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92p.pdf
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
37+11.36 грн
40+10.53 грн
50+10.03 грн
100+9.45 грн
250+8.95 грн
500+8.62 грн
1000+8.21 грн
3000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF.pdf
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 330W
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.19 грн
10+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA.pdf
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.9W
Technology: PROFET™+ 12V
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.37 грн
10+124.37 грн
25+112.76 грн
100+96.18 грн
250+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.76 грн
10+85.40 грн
20+76.28 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
200+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.83 грн
10+78.77 грн
20+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.24 грн
10+112.76 грн
20+95.35 грн
50+77.94 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.26 грн
10+126.86 грн
50+113.59 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.90 грн
10+143.44 грн
25+129.34 грн
50+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF irfs7537pbf.pdf
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.65 грн
5+111.10 грн
10+79.60 грн
25+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF irfs3307zpbf.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2031 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2038 2039 2040 2041 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]