Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122992) > Сторінка 2037 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2038 2039 2040 2041 2042 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S25FS064SAGNFN030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 16.3kA
Case: BG-PB60ECO-1
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+1328.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 BC847BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGB02N120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42799e03c76 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+436.63 грн
3+380.57 грн
10+312.58 грн
25+228.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF IRF7379TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7379pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCA505BG-2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: TCA505BG-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+237.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1 IKB06N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB06N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222014-01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CYBLE-222014-01-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edac5815d5b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Mounting: SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Interface: I2C; SPI; UART
Kind of module: wireless
Receiver sensitivity: -91dBm
Dimensions: 10x10mm
Supply voltage: 1.8...4.5V DC
Transmitter output power: 3dBm
Bluetooth version: 4.2; BLE
Frequency: 2.4GHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1 IPP026N10NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipp026n10nf2s-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 184A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.52 грн
10+138.46 грн
20+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135SH6327 BCR135SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.80 грн
65+6.47 грн
250+5.14 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327 BCR35PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR35PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.50 грн
60+6.96 грн
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135WH6327 BCR135WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES bcr135.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327 BCR10PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR10PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr35pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406b0def02ff Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 SN7002NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.18 грн
43+9.78 грн
67+6.20 грн
100+4.92 грн
250+3.66 грн
500+3.15 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2907ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65210A-24LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; GPIO x11,I2C; USB controller; Full Speed; QFN24
Interface: GPIO x11; I2C
Case: QFN24
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of ports: 1
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Data transfer rate: 12Mbps
USB speed: Full Speed
Kind of integrated circuit: USB controller
Type of integrated circuit: interface
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65217A-24LTXIT CY7C65217A-24LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x9,I2C,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x9; I2C; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65211A-24LTXIT CY7C65211A-24LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65211_USB.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x10,I2C,SPI,UART; USB controller; QFN24
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x10; I2C; SPI; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65215A-32LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65215_CY7C65215A.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x17,I2C,SPI,UART; USB controller; QFN32
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x17; I2C; SPI; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC30I12MHXUMA1 1EDC30I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxI12MH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Output current: -3...3A
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.26 грн
10+150.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDC10I12MHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxI12MH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.26 грн
5+172.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 IRL100HS121 INFINEON TECHNOLOGIES IRL100HS121.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA95R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.79 грн
10+69.65 грн
50+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO247-3; Ir: 2uA
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 46A
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 65W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI020 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IFX007TAUMA1IFX007TAUMA1
IFX007TAUMA1IFX007TAUMA1
 IFX007TAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IFX007T.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: 9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.19 грн
5+171.63 грн
10+155.05 грн
25+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHB053 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHV053 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25hs02gt-s25hs04gt-s25hl02gt-s25hl04gt-2-gb-ddp4-gb-qdp-semper-flash-with-quad-spi-1-8-v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee8d76471ad&utm_source=cypress&utm_medium=referral Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV050 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Kind of interface: serial
Operating frequency: 166MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB107N20NA-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+458.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD2314ELXUMA1 TLD2314ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD2314EL.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005S02LRHE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bas3005s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f403b235b4ec0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM30F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 30.3W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -20...20A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1073.26 грн
5+921.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM20F60GAXKMA1IGCM20F60GAXKMA1
IGCM20F60GAXKMA1IGCM20F60GAXKMA1
 IGCM20F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM20F60GAXKMA1.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; -20÷20A; 20kHz
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: DIP 36x21 (PG-DIP-24)
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -20...20A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+879.50 грн
5+702.26 грн
10+658.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10L60GAXKMA1 IKCM10L60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM10L60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 25.2W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -10...10A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
280+535.74 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+285.73 грн
120+238.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60C IDD03SG60C INFINEON TECHNOLOGIES IDD03SG60C.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 3A; 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Leakage current: 0.23µA
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 9.7A
Power dissipation: 38W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NPBFHKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+487.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT020N10N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 156nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD1600S33HE4BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DD1600S33HE4-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191eaef415b350e Category: Diodes - others
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side; SOIC8; 9A; Ch: 1; MOSFET; 1.38W
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 9A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 1.38W
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 5ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Impulse rise time: 8.3ns
Topology: H-bridge
Mounting: SMD
Maximum output current: 9A
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21094S06JXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Type of integrated circuit: driver
Case: PG-DSO-14
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250SJXUMA1 TLE9250SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9250.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN-FD
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ800N16KOFHPSA3 INFINEON TECHNOLOGIES TZ800N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 819A; BG-PB70AT-1
Case: BG-PB70AT-1
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.51V
Load current: 819A
Max. forward impulse current: 35kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ810N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TZ810N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 819A; BG-PB70AT-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 819A
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 1.51V
Max. forward impulse current: 39kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ800N18KOFHPSA3 INFINEON TECHNOLOGIES TZ800N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 819A; BG-PB70AT-1
Case: BG-PB70AT-1
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.51V
Load current: 819A
Max. forward impulse current: 35kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3018TCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3018TC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aadcb19894c31 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Case: PG-TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 18mΩ
Number of channels: 1
Output current: 6A
Technology: HITFET®
Output voltage: 60V
Kind of integrated circuit: low-side
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3018TCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3018TC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aadcb19894c31 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT23
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.15Ω
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.47 грн
22+19.40 грн
50+13.10 грн
100+11.11 грн
500+7.79 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD2252-2EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626da6c043016dba1517ee6995 Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; 60÷120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: 60...120mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFN030 Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 16.3kA
Case: BG-PB60ECO-1
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1328.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGB02N120ATMA1 SGB02N120_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42799e03c76
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 6.2A; 62W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 6.2A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 9.6A
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
IRF150P221AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+436.63 грн
3+380.57 грн
10+312.58 грн
25+228.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF irf7379pbf.pdf
IRF7379TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCA505BG-2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TCA505BG-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+237.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB06N60TATMA1 IKB06N60T.pdf
IKB06N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222014-01 Infineon-CYBLE-222014-01-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edac5815d5b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: Bluetooth Low Energy; Bluetooth: 4.2,BLE; 3dBm; SMD
Mounting: SMD
Type of communications module: Bluetooth Low Energy
Interface: I2C; SPI; UART
Kind of module: wireless
Receiver sensitivity: -91dBm
Dimensions: 10x10mm
Supply voltage: 1.8...4.5V DC
Transmitter output power: 3dBm
Bluetooth version: 4.2; BLE
Frequency: 2.4GHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1 infineon-ipp026n10nf2s-datasheet-en.pdf
IPP026N10NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 184A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.52 грн
10+138.46 грн
20+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135SH6327 bcr135.pdf
BCR135SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.80 грн
65+6.47 грн
250+5.14 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327 BCR35PNH6327.pdf
BCR35PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.50 грн
60+6.96 грн
100+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135WH6327 bcr135.pdf
BCR135WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327 BCR10PNH6327.pdf
BCR10PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433XTMA1 bcr35pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406b0def02ff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6433XTMA1 Infineon-SN7002N-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601311934e76045d5
SN7002NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.16A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.18 грн
43+9.78 грн
67+6.20 грн
100+4.92 грн
250+3.66 грн
500+3.15 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF.pdf
IRF2907ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65210A-24LTXIT Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; GPIO x11,I2C; USB controller; Full Speed; QFN24
Interface: GPIO x11; I2C
Case: QFN24
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of ports: 1
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Data transfer rate: 12Mbps
USB speed: Full Speed
Kind of integrated circuit: USB controller
Type of integrated circuit: interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65217A-24LTXIT Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf
CY7C65217A-24LTXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x9,I2C,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x9; I2C; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65211A-24LTXIT Infineon-CY7C65211_USB.pdf
CY7C65211A-24LTXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x10,I2C,SPI,UART; USB controller; QFN24
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x10; I2C; SPI; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65215A-32LTXIT Infineon-CY7C65215_CY7C65215A.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x17,I2C,SPI,UART; USB controller; QFN32
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x17; I2C; SPI; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC30I12MHXUMA1 1EDCxxI12MH.pdf
1EDC30I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Output current: -3...3A
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.26 грн
10+150.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC10I12MHXUMA1 1EDCxxI12MH.pdf
1EDC10I12MHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: single transistor
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+206.26 грн
5+172.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 IRL100HS121.pdf
IRL100HS121
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.8A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.79 грн
10+69.65 грн
50+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc
IDW10G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO247-3; Ir: 2uA
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 46A
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 65W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI020 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G-DTE.pdf
BSC520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IFX007TAUMA1 IFX007T.pdf
IFX007TAUMA1IFX007TAUMA1
IFX007TAUMA1IFX007TAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: 9A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 10mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Application: DC motors
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+215.19 грн
5+171.63 грн
10+155.05 грн
25+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHB053
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25HS02GTDPBHV053 infineon-s25hs02gt-s25hs04gt-s25hl02gt-s25hl04gt-2-gb-ddp4-gb-qdp-semper-flash-with-quad-spi-1-8-v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee8d76471ad&utm_source=cypress&utm_medium=referral
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Operating frequency: 133MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV050
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating voltage: 1.7...2V
Case: BGA24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Interface: octal
Kind of interface: serial
Operating frequency: 166MHz
Memory: 2Gb FLASH
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NA-DTE.pdf
IPB107N20NAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+458.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD2314ELXUMA1 TLD2314EL.pdf
TLD2314ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.12A
Number of channels: 3
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005S02LRHE6327XTSA1 bas3005s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f403b235b4ec0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GA.pdf
IKCM30F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 30.3W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -20...20A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1073.26 грн
5+921.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM20F60GAXKMA1 IGCM20F60GAXKMA1.pdf
IGCM20F60GAXKMA1IGCM20F60GAXKMA1
IGCM20F60GAXKMA1IGCM20F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; -20÷20A; 20kHz
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: DIP 36x21 (PG-DIP-24)
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -20...20A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+879.50 грн
5+702.26 грн
10+658.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10L60GAXKMA1 IKCM10L60GA.pdf
IKCM10L60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 25.2W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -10...10A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
280+535.74 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+285.73 грн
120+238.79 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60C IDD03SG60C.pdf
IDD03SG60C
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-3; SiC; SMD; 600V; 3A; 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Leakage current: 0.23µA
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 9.7A
Power dissipation: 38W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NPBFHKLA1 Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler
Type of optocoupler: optocoupler
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+487.52 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF.pdf
IPB020N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3-DTE.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 156nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5-dte.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD1600S33HE4BPSA1 Infineon-DD1600S33HE4-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191eaef415b350e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d997f90532
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side; SOIC8; 9A; Ch: 1; MOSFET; 1.38W
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 9A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 1.38W
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 5ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Impulse rise time: 8.3ns
Topology: H-bridge
Mounting: SMD
Maximum output current: 9A
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21094S06JXUMA1 Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Type of integrated circuit: driver
Case: PG-DSO-14
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250SJXUMA1 TLE9250.pdf
TLE9250SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN-FD
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ800N16KOFHPSA3 TZ800N16KOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 819A; BG-PB70AT-1
Case: BG-PB70AT-1
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.51V
Load current: 819A
Max. forward impulse current: 35kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ810N22KOFHPSA2 TZ810N22KOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 819A; BG-PB70AT-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 819A
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 1.51V
Max. forward impulse current: 39kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ800N18KOFHPSA3 TZ800N18KOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 819A; BG-PB70AT-1
Case: BG-PB70AT-1
Gate current: 250mA
Max. forward voltage: 1.51V
Load current: 819A
Max. forward impulse current: 35kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3018TCATMA1 Infineon-BTS3018TC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aadcb19894c31
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Case: PG-TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 18mΩ
Number of channels: 1
Output current: 6A
Technology: HITFET®
Output voltage: 60V
Kind of integrated circuit: low-side
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3018TCATMA1 Infineon-BTS3018TC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aadcb19894c31
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT23
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.15Ω
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.47 грн
22+19.40 грн
50+13.10 грн
100+11.11 грн
500+7.79 грн
1000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD22522EPXUMA1 Infineon-TLD2252-2EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626da6c043016dba1517ee6995
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; 60÷120mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: 60...120mA
Number of channels: 2
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2038 2039 2040 2041 2042 2050  [ Наступна Сторінка >> ]