Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122993) > Сторінка 2032 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW80C65D1XKSA1 IDW80C65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-idw80c65d1-ds-en.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; Ifsm: 320A; Ufmax: 1.7V; Ir: 40uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 80A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Reverse recovery time: 77ns
Leakage current: 40µA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH16G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 97W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 123µA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Power dissipation: 97W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDDD16G65C6.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 16A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-HDSOP-10-1
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.6µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 141W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD180N10N3_G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 43A; Idm: 43A; 71W; DPAK
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
31+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5402VH6327XTSA1 BAT5402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.6A
Case: SC79
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.29 грн
52+8.04 грн
70+5.95 грн
100+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5 IDH16G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 105A
Leakage current: 3.2µA
Power dissipation: 129W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.04 грн
6+73.29 грн
10+64.51 грн
50+48.84 грн
100+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
6+69.48 грн
10+61.60 грн
50+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.1A; 98W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.1A
Power dissipation: 98W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.8nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS25752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-099R-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389632964e8c Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.79 грн
22+19.24 грн
25+16.67 грн
100+9.63 грн
500+6.60 грн
1000+5.64 грн
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.30 грн
5+209.77 грн
10+180.75 грн
50+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DATMA1 BTS3142DATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS3142D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-3
On-state resistance: 28mΩ
Number of channels: 1
Output current: 4.6A
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+69.65 грн
10+62.18 грн
50+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.51 грн
10+78.77 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
10+60.77 грн
50+50.83 грн
100+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC40I12AHXUMA1 1EDC40I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 1EDC20I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDC60I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+202.69 грн
5+168.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.29A; 5W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.29A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHVV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR2607ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 45A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXA INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 3...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee624b26e3a Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; Core: 32-bit
Type of integrated circuit: microcontroller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+4873.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 0.17A
Manufacturer series: PV
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 15Ω
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+335.73 грн
100+281.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 320mA
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 10Ω
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+335.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 190mA
Manufacturer series: PV
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+336.62 грн
100+281.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 300mA
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x3.42x6.47mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 15Ω
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+335.73 грн
100+281.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB280N15NZ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-400BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 400MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-500BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 500MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ C6
Pulsed drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ C6
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW80C65D1XKSA1 infineon-idw80c65d1-ds-en.pdf
IDW80C65D1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 80A; Ifsm: 320A; Ufmax: 1.7V; Ir: 40uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 80A
Semiconductor structure: common cathode
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Reverse recovery time: 77ns
Leakage current: 40µA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6.pdf
IDH16G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 97W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 123µA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Power dissipation: 97W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 16A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-HDSOP-10-1
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.6µA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 141W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3_G.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 43A; Idm: 43A; 71W; DPAK
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116.pdf
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5402VH6327XTSA1 Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.6A
Case: SC79
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.29 грн
52+8.04 грн
70+5.95 грн
100+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3G-DTE.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3G-DTE.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5
IDH16G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 105A
Leakage current: 3.2µA
Power dissipation: 129W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CE-DTE.pdf
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.04 грн
6+73.29 грн
10+64.51 грн
50+48.84 грн
100+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CE-DTE.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
6+69.48 грн
10+61.60 грн
50+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1 Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.1A; 98W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.1A
Power dissipation: 98W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24.8nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752ltrpbf.pdf
IRS25752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF.pdf
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 Infineon-BAT15-099R-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389632964e8c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+26.79 грн
22+19.24 грн
25+16.67 грн
100+9.63 грн
500+6.60 грн
1000+5.64 грн
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP80P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.30 грн
5+209.77 грн
10+180.75 грн
50+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DATMA1 BTS3142D.pdf
BTS3142DATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-3
On-state resistance: 28mΩ
Number of channels: 1
Output current: 4.6A
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3G-DTE.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+69.65 грн
10+62.18 грн
50+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.51 грн
10+78.77 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.65 грн
10+60.77 грн
50+50.83 грн
100+46.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
IPP040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 252A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 241A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC40I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC40I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC20I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+202.69 грн
5+168.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.29A; 5W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.29A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN010 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHVV20 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN010 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN020 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZTRPBF.pdf
IRFR2607ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 45A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5-DTE.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6-DTE.pdf
IPP60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6-DTE.pdf
IPW60R280P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXA download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXAT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXET download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 3...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXA Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXAT Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXET Infineon-CY15B256J-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee624b26e3a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA1 Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; Core: 32-bit
Type of integrated circuit: microcontroller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+4873.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LSPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 0.17A
Manufacturer series: PV
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 15Ω
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+335.73 грн
100+281.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312PBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 320mA
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 10Ω
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+335.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312SPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 190mA
Manufacturer series: PV
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+336.62 грн
100+281.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312LPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 300mA
Manufacturer series: PV
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x3.42x6.47mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Turn-on time: 3ms
Turn-off time: 0.5ms
On-state resistance: 15Ω
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+335.73 грн
100+281.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3G-DTE.pdf
BSB280N15NZ3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-400BZXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 400MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-500BZXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 500MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ C6
Pulsed drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ C6
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2050  [ Наступна Сторінка >> ]