Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124851) > Сторінка 2035 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2030 2031 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2038 2039 2040 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPS70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 50mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.72 грн
11+41.21 грн
50+30.26 грн
100+26.61 грн
125+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.22 грн
28+15.34 грн
100+8.71 грн
250+7.13 грн
500+6.22 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.50 грн
12+36.32 грн
100+24.79 грн
250+21.72 грн
500+19.73 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.07 грн
11+38.14 грн
100+25.29 грн
500+18.99 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.54 грн
23+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
5+92.03 грн
6+77.27 грн
10+69.56 грн
20+63.10 грн
50+56.13 грн
100+51.74 грн
500+43.69 грн
1000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Power dissipation: 83W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXE CY15B004Q-SXE INFINEON TECHNOLOGIES CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 16MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.23 грн
10+153.39 грн
100+121.88 грн
250+108.61 грн
500+99.49 грн
1000+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.04 грн
10+48.17 грн
100+35.32 грн
500+27.28 грн
1000+24.04 грн
2000+20.89 грн
4000+17.74 грн
6000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; VFBGA36; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Case: VFBGA36
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 45ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Case: TSOP32 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 45ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+412.52 грн
3+343.26 грн
10+282.73 грн
100+244.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.94 грн
10+180.75 грн
100+145.10 грн
250+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS125-0xW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Max. forward voltage: 0.95V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.5A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.15 грн
10+44.11 грн
11+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT323; double,common cathode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.18 грн
37+11.44 грн
44+9.53 грн
56+7.46 грн
100+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Kind of package: tube
Case: PLCC44
Turn-off time: 700ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+635.74 грн
10+467.62 грн
27+440.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2133JPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+900.04 грн
3+753.67 грн
10+662.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.08 грн
10+106.96 грн
25+92.03 грн
100+77.94 грн
125+76.28 грн
250+72.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 BTS70101EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Supply voltage: 4.1...28V DC
Mounting: SMD
Output current: 9A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 19.5mΩ
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
10+74.62 грн
25+68.82 грн
50+65.50 грн
100+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAW101E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1µs
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Operating voltage: 10.5...24V DC
Topology: flyback
Mounting: THT
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Operating temperature: -25...130°C
Application: SMPS
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Frequency: 39...65kHz
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
5+133.49 грн
10+124.37 грн
25+116.08 грн
50+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 PVI1050NSPBFHLLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; 2.5kV; SMD8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SMD8
Turn-on time: 90µs
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+498.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD03N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 7.5A
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 BSP135IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 3.7nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV62.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Case: SOT143
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 12...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
Output current: 0.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.29 грн
12+35.74 грн
100+25.37 грн
500+19.24 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...15.6V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS115B0LDXUMA1 TLS115B0LDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLS115B0.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSON-10
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±0.1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
10+108.61 грн
50+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZ60R040C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1035.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+656.28 грн
5+490.84 грн
10+417.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.90 грн
15+29.18 грн
50+21.23 грн
100+18.66 грн
500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF PVI5033RSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 2.5ms
Case: Gull wing 8
Turn-off time: 5ms
Number of channels: 2
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+864.32 грн
5+662.47 грн
25+582.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVI5033RS-TPBF.pdf Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 0.5ms
Turn-on time: 2.5ms
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2982STRPBF IRS2982STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2982S-DTE.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; SMPS controller,LED driver; PG-DSO-8; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Output current: 200...400mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 12.8...18V DC
Topology: flyback
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P BTS443P INFINEON TECHNOLOGIES BTS443P_DS_v10.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF PVG612APBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 0.1Ω
Turn-on time: 3.5ms
Turn-off time: 0.5ms
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+607.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.72 грн
10+140.95 грн
25+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3703.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR08PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+12.32 грн
45+10.12 грн
100+8.95 грн
500+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF IRFP4368PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4368pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.41 грн
10+212.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7S.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7S.pdf
IPS70R360P7SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
BSP129H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 50mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 240V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.72 грн
11+41.21 грн
50+30.26 грн
100+26.61 грн
125+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
28+15.34 грн
100+8.71 грн
250+7.13 грн
500+6.22 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.50 грн
12+36.32 грн
100+24.79 грн
250+21.72 грн
500+19.73 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Case: PG-TO252-5
Mounting: SMD
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.07 грн
11+38.14 грн
100+25.29 грн
500+18.99 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
BSO207PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.54 грн
23+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
5+92.03 грн
6+77.27 грн
10+69.56 грн
20+63.10 грн
50+56.13 грн
100+51.74 грн
500+43.69 грн
1000+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Power dissipation: 83W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXE CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf
CY15B004Q-SXE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 16MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03G.pdf
ICE3PCS03GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G.pdf
ICE3PCS01G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.23 грн
10+153.39 грн
100+121.88 грн
250+108.61 грн
500+99.49 грн
1000+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRLPBF irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.04 грн
10+48.17 грн
100+35.32 грн
500+27.28 грн
1000+24.04 грн
2000+20.89 грн
4000+17.74 грн
6000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; VFBGA36; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Case: VFBGA36
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 45ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62148EV30_MOBL_4_MBIT_(512K_X_8)_STATIC_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebeb904328d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 45ns; TSOP32 II; parallel
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Case: TSOP32 II
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 45ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BE6327HTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3G-DTE.pdf
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+412.52 грн
3+343.26 грн
10+282.73 грн
100+244.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3G-DTE.pdf
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.94 грн
10+180.75 грн
100+145.10 грн
250+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS125-0xW.pdf
BAS12504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Max. forward voltage: 0.95V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.5A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.15 грн
10+44.11 грн
11+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT323; double,common cathode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT323
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.18 грн
37+11.44 грн
44+9.53 грн
56+7.46 грн
100+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
Kind of package: tube
Case: PLCC44
Turn-off time: 700ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+635.74 грн
10+467.62 грн
27+440.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2133JPBF.pdf
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+900.04 грн
3+753.67 грн
10+662.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.08 грн
10+106.96 грн
25+92.03 грн
100+77.94 грн
125+76.28 грн
250+72.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70101EPAXUMA1 Infineon-BTS7010-1EPA-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fada108bf
BTS70101EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Supply voltage: 4.1...28V DC
Mounting: SMD
Output current: 9A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 19.5mΩ
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
10+74.62 грн
25+68.82 грн
50+65.50 грн
100+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW101E6327HTSA1 BAW101E6327HTSA1.pdf
BAW101E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 300V; 0.25A; 1us; SOT143; Ufmax: 1.3V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1µs
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Operating voltage: 10.5...24V DC
Topology: flyback
Mounting: THT
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Operating temperature: -25...130°C
Application: SMPS
Case: DIP8
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Frequency: 39...65kHz
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.33 грн
5+133.49 грн
10+124.37 грн
25+116.08 грн
50+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI1050NSPBFHLLA1 Infineon-PVI1050N-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff00c5cca
PVI1050NSPBFHLLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; 2.5kV; SMD8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Insulation voltage: 2.5kV
Case: SMD8
Turn-on time: 90µs
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+498.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RF.pdf
IKD03N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 7.5A
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3G-DTE.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135IXTSA1 Infineon-BSP135I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a4188551361e
BSP135IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 120mA; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 3.7nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62BE6327 BCV62.pdf
BCV62BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Case: SOT143
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; Ch: 1; MOSFET; Uin: 12÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 12...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 500mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
Output current: 0.5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 IPD70R900P7S.pdf
IPD70R900P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+64.29 грн
12+35.74 грн
100+25.37 грн
500+19.24 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7S.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±16V
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6A
Power dissipation: 30.5W
Case: TO251
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 260mA; Ch: 2; bridge; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.26A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...15.6V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS115B0LDXUMA1 TLS115B0.pdf
TLS115B0LDXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2÷14V; 0.15A; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 2...14V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSON-10
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±0.1%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKA08N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 24A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
10+108.61 грн
50+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7-DTE.pdf
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1035.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
IMZA65R048M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+656.28 грн
5+490.84 грн
10+417.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.90 грн
15+29.18 грн
50+21.23 грн
100+18.66 грн
500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RSPBF IRSDS10627-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PVI5033RSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 2.5ms
Case: Gull wing 8
Turn-off time: 5ms
Number of channels: 2
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+864.32 грн
5+662.47 грн
25+582.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5033RS-TPBF PVI5033RS-TPBF.pdf
PVI5033RS-TPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5033RPbF
Case: Gull wing 8
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 0.5ms
Turn-on time: 2.5ms
Number of channels: 2
Insulation voltage: 3.75kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2982STRPBF IRS2982S-DTE.pdf
IRS2982STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; SMPS controller,LED driver; PG-DSO-8; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Output current: 200...400mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 12.8...18V DC
Topology: flyback
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P description BTS443P_DS_v10.pdf
BTS443P
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612APBF pvg612a.pdf?fileId=5546d462533600a401535683ca14293a
PVG612APBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
On-state resistance: 0.1Ω
Turn-on time: 3.5ms
Turn-off time: 0.5ms
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+607.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF irfp3710.pdf
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF irfp3415.pdf
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+185.72 грн
10+140.95 грн
25+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF irfp3703.pdf
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PNH6327 BCR08PNH6327.pdf
BCR08PNH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+12.32 грн
45+10.12 грн
100+8.95 грн
500+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBF description irfp4368pbf.pdf
IRFP4368PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
IPP030N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+363.41 грн
10+212.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2030 2031 2032 2033 2034 2035 2036 2037 2038 2039 2040 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]