Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123035) > Сторінка 329 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ICE2QR4780ZXKLA1 ICE2QR4780ZXKLA1 Infineon Technologies Infineon-ICE2QR4780Z-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012ab20ddc3636f8 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 39 W
на замовлення 113956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A3065PBKSA1 ICE3A3065PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 128 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+128.37 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A5565PBKSA1 ICE3A5565PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Power (Watts): 240 W
Part Status: Obsolete
Control Features: Soft Start
Voltage - Start Up: 15 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 650V
Internal Switch(s): Yes
Frequency - Switching: 100kHz
Duty Cycle: 72%
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Packaging: Tube
на замовлення 26798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+143.23 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY241V8ASXC-12 CY241V8ASXC-12 Infineon Technologies CY241V08A-12.pdf Description: IC CLOCK GENERATOR 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 74.25MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV30LL-70BVXE Infineon Technologies CY62137CV%2830%2C33%29MoBL.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+213.65 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1362A-166AC CY7C1362A-166AC Infineon Technologies CY7C1360A_62A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 9Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Bag
Memory Organization: 512K x 18
Access Time: 3.5 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+477.47 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2DM1502ZXI CY2DM1502ZXI Infineon Technologies ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8TSSOP
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+546.18 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1413AV18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3157.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4275S TLE4275S Infineon Technologies Infineon-TLE4275V50-DS-v01_07-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b437f96169d5&ack=t Description: IC REG LIN 5V 450MA TO220-5-12
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO220-5-12
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 22 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4231V-15JXC CY7C4231V-15JXC Infineon Technologies CY7C4421%2C4201%2C11%2C21%2C31%2C41%2C51%20RevB.pdf Description: IC FIFO SYNC 2KX9 11NS 32PLCC
DigiKey Programmable: Not Verified
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
FWFT Support: No
Retransmit Capability: No
Programmable Flags Support: Yes
Expansion Type: Depth, Width
Bus Directional: Uni-Directional
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Current - Supply (Max): 20mA
Access Time: 11ns
Data Rate: 66.7MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Memory Size: 18K (2K x 9)
Function: Synchronous
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Packaging: Tube
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+468.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI45N06S409AKSA1 IPI45N06S409AKSA1 Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147DV30LL-70BVXA CY62147DV30LL-70BVXA Infineon Technologies CY62147DV30.pdf Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+188.62 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25682KV18-400BZC CY7C25682KV18-400BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C25682KV18_CY7C25702KV18_72-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebde66630e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15175.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1 SPD03N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD_U03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-200BBC CYD02S36V18-200BBC Infineon Technologies Description: IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8245.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K0CEAKMA1 IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 1154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R299CPXKSA1 IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-167BBC CYD02S36V18-167BBC Infineon Technologies Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6827.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4261-10JXI CY7C4261-10JXI Infineon Technologies CY7C4261,71_RevI.pdf Description: IC SYNC FIFO MEM 16KX9 32-PLCC
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
Expansion Type: Depth, Width
Bus Directional: Uni-Directional
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Current - Supply (Max): 40mA
Access Time: 8ns
Data Rate: 100MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Size: 144K (16K x 9)
Function: Synchronous
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
FWFT Support: No
Retransmit Capability: No
Programmable Flags Support: Yes
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1594.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S204AKSA2 IPI80N04S204AKSA2 Infineon Technologies IPx80N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH06S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+155.21 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBF IRF1104LPBF Infineon Technologies irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2541PBF IRS2541PBF Infineon Technologies IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-1561A2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT IPM 600V 15A 29-PWRSSIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+995.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP16CN10LGXKSA1 IPP16CN10LGXKSA1 Infineon Technologies IPP16CN10L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N10S3L12AKSA1 IPI70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies IPx70N10S3L-12.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CP.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+101.50 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP20N60HSXKSA1 SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies SGx20N60HS.pdf Description: IGBT NPT 600V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2AS01 ICE2AS01 Infineon Technologies ICE2AS01%28G%29%2C%20ICE2BS01%28G%29.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP085N06LGAKSA1 IPP085N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPB,IPP085N06L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N16KOFHPSA1 TT210N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TT210N.pdf Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 261 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9981.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3157.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-0461G Infineon Technologies iram136-0461g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d680561846 Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 4A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 9.4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+784.10 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5FKSA1 IDW30G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+682.67 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYDM128B08-55BVXI CYDM128B08-55BVXI Infineon Technologies Description: IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-VFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 100-VFBGA (6x6)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Dual Port, MoBL
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+471.04 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1 IDH15S120AKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+925.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS105N03LGAKMA1 IPS105N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29105N03L%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1598+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 1598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N04S2L03AKSA1 IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B100N04S2L-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b9443455d&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5240GXUMA1 BTS5240GXUMA1 Infineon Technologies BTS5240G.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H3046.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31HXKSA1 BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327HUSA1 BSP299L6327HUSA1 Infineon Technologies BSP299.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBBAUMA1 BTS54040LBBAUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBB.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 38218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+157.95 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25819SXCT CY25819SXCT Infineon Technologies CY25819.pdf Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-SOIC
на замовлення 13955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+110.50 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBAAUMA1 BTS54040LBAAUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBA.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 54441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+170.26 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY26114ZC CY26114ZC Infineon Technologies CY26114.pdf Description: IC CLOCK GENERATOR 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 100MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution, Multiplexer
Input: Crystal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:4
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS7811KDTMA1 BTS7811KDTMA1 Infineon Technologies INFNS12368-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBAAUMA1 BTS54220LBAAUMA1 Infineon Technologies Automotive_Application_Guide_2016_BR.PDF?fileId=5546d46158f23e7b0158f8cac4de0051 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: SPI
Number of Outputs: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 24-PowerTDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Rds On (Typ): 9mOhm, 27mOhm
Output Configuration: High Side
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R520E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281ba841551b3c Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5305WH6327XTSA1 BBY5305WH6327XTSA1 Infineon Technologies bby53series.pdf Description: DIODE TUNING 6V 20MA SOT323
Capacitance Ratio: 2.6
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1888+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 1888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N18SHPSA1 DD180N18SHPSA1 Infineon Technologies DD180N18S.pdf Description: MODULE DIODE THY PB34SB-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR4780ZXKLA1 Infineon-ICE2QR4780Z-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012ab20ddc3636f8
ICE2QR4780ZXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 39 W
на замовлення 113956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A3065PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A3065PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 128 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+128.37 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A5565PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A5565PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Power (Watts): 240 W
Part Status: Obsolete
Control Features: Soft Start
Voltage - Start Up: 15 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 650V
Internal Switch(s): Yes
Frequency - Switching: 100kHz
Duty Cycle: 72%
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Packaging: Tube
на замовлення 26798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+143.23 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY241V8ASXC-12 CY241V08A-12.pdf
CY241V8ASXC-12
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 74.25MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
417+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV%2830%2C33%29MoBL.pdf
CY62137CV30LL-70BVXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+213.65 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1362A-166AC CY7C1360A_62A.pdf
CY7C1362A-166AC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 9Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Bag
Memory Organization: 512K x 18
Access Time: 3.5 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+477.47 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2DM1502ZXI ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2DM1502ZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8TSSOP
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+546.18 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3157.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4275S Infineon-TLE4275V50-DS-v01_07-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b437f96169d5&ack=t
TLE4275S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 450MA TO220-5-12
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO220-5-12
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 22 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4231V-15JXC CY7C4421%2C4201%2C11%2C21%2C31%2C41%2C51%20RevB.pdf
CY7C4231V-15JXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 2KX9 11NS 32PLCC
DigiKey Programmable: Not Verified
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
FWFT Support: No
Retransmit Capability: No
Programmable Flags Support: Yes
Expansion Type: Depth, Width
Bus Directional: Uni-Directional
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Current - Supply (Max): 20mA
Access Time: 11ns
Data Rate: 66.7MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Memory Size: 18K (2K x 9)
Function: Synchronous
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Packaging: Tube
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+468.97 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e
IPP60R1K4C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
568+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI45N06S409AKSA1 IPx45N06S4-09.pdf
IPI45N06S409AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
799+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147DV30LL-70BVXA CY62147DV30.pdf
CY62147DV30LL-70BVXA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
111+188.62 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25682KV18-400BZC Infineon-CY7C25682KV18_CY7C25702KV18_72-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebde66630e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
CY7C25682KV18-400BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15175.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1 SPD_U03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f
SPD03N60S5BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
383+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-200BBC
CYD02S36V18-200BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+8245.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a
IPS65R1K0CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1154+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 1154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R299CPXKSA1 IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3
IPI60R299CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
231+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-167BBC
CYD02S36V18-167BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6827.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4261-10JXI CY7C4261,71_RevI.pdf
CY7C4261-10JXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SYNC FIFO MEM 16KX9 32-PLCC
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
Expansion Type: Depth, Width
Bus Directional: Uni-Directional
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Current - Supply (Max): 40mA
Access Time: 8ns
Data Rate: 100MHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Size: 144K (16K x 9)
Function: Synchronous
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
FWFT Support: No
Retransmit Capability: No
Programmable Flags Support: Yes
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1594.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S204AKSA2 IPx80N04S2-04.pdf
IPI80N04S204AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
296+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60C.pdf
IDH06S60CAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+155.21 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBF irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897
IRF1104LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2541PBF IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf
IRS2541PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-1561A2 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 15A 29-PWRSSIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+995.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP16CN10LGXKSA1 IPP16CN10L_G.pdf
IPP16CN10LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R299CPFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N10S3L12AKSA1 IPx70N10S3L-12.pdf
IPI70N10S3L12AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
452+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CP.pdf
IPA60R250CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
211+101.50 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP20N60HSXKSA1 SGx20N60HS.pdf
SGP20N60HSXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+99.58 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb
IPP60R950C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
454+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2AS01 ICE2AS01%28G%29%2C%20ICE2BS01%28G%29.pdf
ICE2AS01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
394+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 394 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP085N06LGAKSA1 IPB,IPP085N06L_G.pdf
IPP085N06LGAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N16KOFHPSA1 TT210N.pdf
TT210N16KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 261 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+9981.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZC CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3157.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPS031N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-0461G iram136-0461g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d680561846
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 4A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 9.4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+784.10 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5FKSA1 IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca
IDW30G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+682.67 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b
IPB60R299CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74
IPP60R600C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYDM128B08-55BVXI
CYDM128B08-55BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-VFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Supplier Device Package: 100-VFBGA (6x6)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Dual Port, MoBL
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+471.04 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IDH15S120AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+925.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS105N03LGAKMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29105N03L%20G.pdf
IPS105N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1598+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 1598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon-IPP_B100N04S2L-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b9443455d&ack=t
IPP100N04S2L03AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5240GXUMA1 BTS5240G.pdf
BTS5240GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+338.66 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31_H3046.pdf
BUZ31H3046XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
406+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31HXKSA1 BUZ31_H.pdf
BUZ31HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
341+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327HUSA1 BSP299.pdf
BSP299L6327HUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
547+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBBAUMA1 BTS54040-LBB.pdf
BTS54040LBBAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 38218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+157.95 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25819SXCT CY25819.pdf
CY25819SXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-SOIC
на замовлення 13955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+110.50 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBAAUMA1 BTS54040-LBA.pdf
BTS54040LBAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 54441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+170.26 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY26114ZC CY26114.pdf
CY26114ZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 100MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution, Multiplexer
Input: Crystal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:4
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+113.77 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125L6327HTSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125L6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 343141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
472+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS7811KDTMA1 INFNS12368-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS7811KDTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54220LBAAUMA1 Automotive_Application_Guide_2016_BR.PDF?fileId=5546d46158f23e7b0158f8cac4de0051
BTS54220LBAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: SPI
Number of Outputs: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 24-PowerTDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Rds On (Typ): 9mOhm, 27mOhm
Output Configuration: High Side
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281ba841551b3c
IPP60R520E6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
295+67.76 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5305WH6327XTSA1 bby53series.pdf
BBY5305WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE TUNING 6V 20MA SOT323
Capacitance Ratio: 2.6
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1888+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 1888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N18SHPSA1 DD180N18S.pdf
DD180N18SHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE DIODE THY PB34SB-1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 324 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]