Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149481) > Сторінка 330 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFN24E6327HTSA1 BFN24E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d Description: TRANS NPN 250V 0.2A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5973+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 5973
В кошику  од. на суму  грн.
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGA30N60H3.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS4630DPBF IRGS4630DPBF Infineon Technologies IRGx4630D%28-E%29PbF.pdf Description: IGBT 600V 47A 206W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns
Switching Energy: 95µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 18A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 47 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 206 W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+155.19 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2 IPI80N06S405AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S4-05.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+116.95 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
CY25811ZXC CY25811ZXC Infineon Technologies cy25811,12,14_8.pdf Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-TSSOP
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L05AKSA1 IPI80N06S4L05AKSA1 Infineon Technologies Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B2565FKLA1 ICE3B2565FKLA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 68 W
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+114.84 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1423TV18-267BZXC CY7C1423TV18-267BZXC Infineon Technologies Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bag
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5518.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR4780ZXKLA1 ICE2QR4780ZXKLA1 Infineon Technologies Infineon-ICE2QR4780Z-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012ab20ddc3636f8 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 39 W
на замовлення 113956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+93.41 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A3065PBKSA1 ICE3A3065PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 128 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+139.01 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A5565PBKSA1 ICE3A5565PBKSA1 Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 240 W
на замовлення 26798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
CY241V8ASXC-12 CY241V8ASXC-12 Infineon Technologies CY241V08A-12.pdf Description: IC CLOCK GENERATOR 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 74.25MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV30LL-70BVXE Infineon Technologies CY62137CV%2830%2C33%29MoBL.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+234.79 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1362A-166AC CY7C1362A-166AC Infineon Technologies CY7C1360A_62A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+524.72 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
CY2DM1502ZXI CY2DM1502ZXI Infineon Technologies ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8TSSOP
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+600.23 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1413AV18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3470.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4275S TLE4275S Infineon Technologies Infineon-TLE4275V50-DS-v01_07-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b437f96169d5&ack=t Description: IC REG LIN 5V 450MA TO220-5-12
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO220-5-12
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 22 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4231V-15JXC CY7C4231V-15JXC Infineon Technologies CY7C4421%2C4201%2C11%2C21%2C31%2C41%2C51%20RevB.pdf Description: IC FIFO SYNC 2KX9 11NS 32PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 18K (2K x 9)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 11ns
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+515.38 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 IPP60R1K4C6XKSA1 Infineon Technologies DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
IPI45N06S409AKSA1 IPI45N06S409AKSA1 Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 799
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147DV30LL-70BVXA CY62147DV30LL-70BVXA Infineon Technologies CY62147DV30.pdf Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+207.29 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25682KV18-400BZC CY7C25682KV18-400BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C25682KV18_CY7C25702KV18_72-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebde66630e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+16677.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1 SPD03N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD_U03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-200BBC CYD02S36V18-200BBC Infineon Technologies Description: IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9061.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K0CEAKMA1 IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R299CPXKSA1 IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+102.23 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-167BBC CYD02S36V18-167BBC Infineon Technologies Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+7503.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4261-10JXI CY7C4261-10JXI Infineon Technologies CY7C4261,71_RevI.pdf Description: IC SYNC FIFO MEM 16KX9 32-PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 144K (16K x 9)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 40mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1752.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S204AKSA2 IPI80N04S204AKSA2 Infineon Technologies IPx80N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH06S60C.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+170.57 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBF IRF1104LPBF Infineon Technologies irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2541PBF IRS2541PBF Infineon Technologies IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-1561A2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+957.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPP16CN10LGXKSA1 IPP16CN10LGXKSA1 Infineon Technologies IPP16CN10L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Infineon Technologies INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N10S3L12AKSA1 IPI70N10S3L12AKSA1 Infineon Technologies IPx70N10S3L-12.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CP.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+111.54 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
SGP20N60HSXKSA1 SGP20N60HSXKSA1 Infineon Technologies SGx20N60HS.pdf Description: IGBT NPT 600V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+144.45 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2AS01 ICE2AS01 Infineon Technologies ICE2AS01%28G%29%2C%20ICE2BS01%28G%29.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
SGP04N60XKSA1 SGP04N60XKSA1 Infineon Technologies SGx04N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IPP085N06LGAKSA1 IPP085N06LGAKSA1 Infineon Technologies IPB,IPP085N06L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N16KOFHPSA1 TT210N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TT210N.pdf Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 261 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11009.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1411,13,15,26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3470.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-0461G Infineon Technologies iram136-0461g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d680561846 Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 4A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 9.4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+861.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5FKSA1 IDW30G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+750.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYDM128B08-55BVXI CYDM128B08-55BVXI Infineon Technologies Description: IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 100-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Dual Port, MoBL
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-VFBGA (6x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 16K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+517.66 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1 IDH15S120AKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1016.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPS105N03LGAKMA1 IPS105N03LGAKMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29105N03L%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1598+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N04S2L03AKSA1 IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B100N04S2L-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b9443455d&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5240GXUMA1 BTS5240GXUMA1 Infineon Technologies BTS5240G.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+372.18 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31H3046XKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H3046.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31HXKSA1 BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies BUZ31_H.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327HUSA1 BSP299L6327HUSA1 Infineon Technologies BSP299.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBBAUMA1 BTS54040LBBAUMA1 Infineon Technologies BTS54040-LBB.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
на замовлення 38218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+173.59 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
BFN24E6327HTSA1 bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d
BFN24E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 250V 0.2A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5973+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 5973
В кошику  од. на суму  грн.
IGA30N60H3XKSA1 IGA30N60H3.pdf
IGA30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 1.17mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 43 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS4630DPBF IRGx4630D%28-E%29PbF.pdf
IRGS4630DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 47A 206W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/105ns
Switching Energy: 95µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 18A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 47 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 206 W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+155.19 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S405AKSA2 IPx80N06S4-05.pdf
IPI80N06S405AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+116.95 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
CY25811ZXC cy25811,12,14_8.pdf
CY25811ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN 3.3V SS 8-TSSOP
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L05AKSA1 Infineon-I80N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038e65fed0d07
IPI80N06S4L05AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B2565FKLA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3B2565FKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 68 W
на замовлення 10866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+114.84 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1423TV18-267BZXC
CY7C1423TV18-267BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Bag
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 267 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+5518.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR4780ZXKLA1 Infineon-ICE2QR4780Z-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012ab20ddc3636f8
ICE2QR4780ZXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 7DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-1
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 39 W
на замовлення 113956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+93.41 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A3065PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A3065PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 128 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+139.01 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A5565PBKSA1 CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A5565PBKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO220-6
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-47
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 240 W
на замовлення 26798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
CY241V8ASXC-12 CY241V08A-12.pdf
CY241V8ASXC-12
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 74.25MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-SOIC
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
417+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137CV30LL-70BVXE CY62137CV%2830%2C33%29MoBL.pdf
CY62137CV30LL-70BVXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+234.79 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1362A-166AC CY7C1360A_62A.pdf
CY7C1362A-166AC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512K x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+524.72 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
CY2DM1502ZXI ?utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY2DM1502ZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8TSSOP
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+600.23 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3470.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4275S Infineon-TLE4275V50-DS-v01_07-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b437f96169d5&ack=t
TLE4275S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 450MA TO220-5-12
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 450mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO220-5-12
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit, Transient Voltage
Current - Supply (Max): 22 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4231V-15JXC CY7C4421%2C4201%2C11%2C21%2C31%2C41%2C51%20RevB.pdf
CY7C4231V-15JXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 2KX9 11NS 32PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 18K (2K x 9)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Data Rate: 66.7MHz
Access Time: 11ns
Current - Supply (Max): 20mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+515.38 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R1K4C6XKSA1 DS_IPP60R1K4C6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433899edae0138b2b95bbb0f7e
IPP60R1K4C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
IPI45N06S409AKSA1 IPx45N06S4-09.pdf
IPI45N06S409AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
799+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 799
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147DV30LL-70BVXA CY62147DV30.pdf
CY62147DV30LL-70BVXA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
111+207.29 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25682KV18-400BZC Infineon-CY7C25682KV18_CY7C25702KV18_72-Mbit_DDR_II+_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture_(2.5_Cycle_Read_Latency)_with_ODT-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebde66630e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
CY7C25682KV18-400BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+16677.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5BTMA1 SPD_U03N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f
SPD03N60S5BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 11526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
383+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-200BBC
CYD02S36V18-200BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+9061.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon-IPS65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7a3c90c1e8a
IPS65R1K0CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1154+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R299CPXKSA1 IPI60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e79d249d3
IPI60R299CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+102.23 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
CYD02S36V18-167BBC
CYD02S36V18-167BBC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+7503.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4261-10JXI CY7C4261,71_RevI.pdf
CY7C4261-10JXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SYNC FIFO MEM 16KX9 32-PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Synchronous
Memory Size: 144K (16K x 9)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Data Rate: 100MHz
Access Time: 8ns
Current - Supply (Max): 40mA
Supplier Device Package: 32-PLCC (11.43x13.97)
Bus Directional: Uni-Directional
Expansion Type: Depth, Width
Programmable Flags Support: Yes
Retransmit Capability: No
FWFT Support: No
Part Status: Obsolete
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+1752.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N04S204AKSA2 IPx80N04S2-04.pdf
IPI80N04S204AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06S60CAKSA1 IDH06S60C.pdf
IDH06S60CAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+170.57 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104LPBF irf1104spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da952e1897
IRF1104LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2541PBF IRS254%280%2C1%29%28S%29PbF.pdf
IRS2541PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-PDIP
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9V
Voltage - Supply (Max): 15.6V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-1561A2 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+957.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPP16CN10LGXKSA1 IPP16CN10L_G.pdf
IPP16CN10LGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4190 pF @ 50 V
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R299CPFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI70N10S3L12AKSA1 IPx70N10S3L-12.pdf
IPI70N10S3L12AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
452+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 452
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R250CPXKSA1 IPA60R250CP.pdf
IPA60R250CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 21936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+111.54 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
SGP20N60HSXKSA1 SGx20N60HS.pdf
SGP20N60HSXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/207ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+144.45 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
293+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R950C6XKSA1 IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb
IPP60R950C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 74450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
454+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2AS01 ICE2AS01%28G%29%2C%20ICE2BS01%28G%29.pdf
ICE2AS01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 13.5 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Obsolete
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
394+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
SGP04N60XKSA1 SGx04N60.pdf
SGP04N60XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 9.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
IPP085N06LGAKSA1 IPB,IPP085N06L_G.pdf
IPP085N06LGAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A. 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
385+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
TT210N16KOFHPSA1 TT210N.pdf
TT210N16KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6600A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 261 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+11009.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413AV18-250BZC CY7C1411,13,15,26AV18.pdf
CY7C1413AV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3470.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPS031N03LGAKMA1 IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPS031N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM136-0461G iram136-0461g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d680561846
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 4A MOTOR
Packaging: Tube
Package / Case: 23-PowerSSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 9.4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+861.70 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5FKSA1 IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca
IDW30G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 30A PGTO24731
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+750.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R299CPATMA1 IPB60R299CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152837f87d12ad&fileId=db3a30431689f4420116d30161ca0c0b
IPB60R299CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd0122a83539b37d74
IPP60R600C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYDM128B08-55BVXI
CYDM128B08-55BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 100-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Dual Port, MoBL
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-VFBGA (6x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 16K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+517.66 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IDH15S120AKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IDH15S120AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 15A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1200 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+1016.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPS105N03LGAKMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29105N03L%20G.pdf
IPS105N03LGAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1598+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon-IPP_B100N04S2L-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b9443455d&ack=t
IPP100N04S2L03AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+104.07 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5240GXUMA1 BTS5240G.pdf
BTS5240GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+372.18 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R1K4CEBTMA1 INFN-S-A0002262916-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50R1K4CEBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31H3046XKSA1 BUZ31_H3046.pdf
BUZ31H3046XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 7239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
406+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 406
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ31HXKSA1 BUZ31_H.pdf
BUZ31HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 3411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
BSP299L6327HUSA1 BSP299.pdf
BSP299L6327HUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
547+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 547
В кошику  од. на суму  грн.
BTS54040LBBAUMA1 BTS54040-LBB.pdf
BTS54040LBBAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TSON-24
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerTDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: SPI
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 39mOhm
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.8V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSON-24-3
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
на замовлення 38218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+173.59 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 325 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]