Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123088) > Сторінка 741 з 2052

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 736 737 738 739 740 741 742 743 744 745 746 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2052  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r020m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 IMBG65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r020m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.62 грн
10+616.22 грн
100+544.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 IPB65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb65r050cfd7a-datasheet-en.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+307.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 IPB65R050CFD7AATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb65r050cfd7a-datasheet-en.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.08 грн
10+499.44 грн
100+369.43 грн
500+301.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+543.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1103.47 грн
10+750.31 грн
100+640.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM636-015MBTR Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MODULES POWER DRIVERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC28T65EX1SA1 SIGC28T65EX1SA1 Infineon Technologies Infineon-SIGC28T65E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b9476ac4b2359 Description: IGBT 3 CHIP 600V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A050T5E0001XUMA1 TLE4971A050T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4971T-DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a018799e3198002e7 Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 24mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 210kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 700ns
Sensor Type: Current Sensor
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 50A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-6
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A075T5E0001XUMA1 TLE4971A075T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4971T-DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a018799e3198002e7 Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 210kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 700ns
Sensor Type: Current Sensor
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-6
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A120T5E0001XUMA1 TLE4971A120T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4971T-DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a018799e3198002e7 Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 10mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 210kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 700ns
Sensor Type: Current Sensor
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 120A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-6
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1461S45TXPSA1 D1461S45TXPSA1 Infineon Technologies Infineon-D1461S-DS-v01_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fb8fd4d32 Description: DIODE STANDARD 1720A BGD10026K1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200, Variant
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1720A
Supplier Device Package: BG-D10026K-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 140°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BG1XUMA1 ICE5QR4780BG1XUMA1 Infineon Technologies Description: ICE5QR4780BG1XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BG1XUMA1 ICE5QR4780BG1XUMA1 Infineon Technologies Description: ICE5QR4780BG1XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV25-167AXCT CY7C1370KV25-167AXCT Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370D-167AXCB CY7C1370D-167AXCB Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3241.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBDJDQ0BZSGSXQLA1 Infineon Technologies Description: IC MCU
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC275TC-64F200W DC SAK-TC275TC-64F200W DC Infineon Technologies Infineon-TC27xDC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953972c57046a Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
EEPROM Size: 24K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 424K x 8
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Peripherals: DMA, POR, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.17V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 48x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 Infineon Technologies Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1 IAUCN08S7L110ATMA1 Infineon Technologies Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.74 грн
10+61.19 грн
100+40.71 грн
500+29.96 грн
1000+27.30 грн
2000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 Infineon Technologies Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1 IAUCN10S7L180ATMA1 Infineon Technologies Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+63.95 грн
100+42.62 грн
500+31.42 грн
1000+28.66 грн
2000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG10055AFT Infineon Technologies Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A050N5E0002XUMA1 Infineon Technologies Description: CURRENT SENS ATV
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF466LQN-G-AVE2 CY9BF466LQN-G-AVE2 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 544KB FLASH 64QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 544KB (544K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF466LPMC-G-JNE2 CY9BF466LPMC-G-JNE2 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 544KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 544KB (544K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (12x12)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5466LTI-063 CY8C5466LTI-063 Infineon Technologies CY8C54.pdf Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 36
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 2K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 67MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LINDEMOBOARDTOBO1 LINDEMOBOARDTOBO1 Infineon Technologies infineon-z8f62962832-lin-demoboard-usermanual-en.pdf Description: EVAL BOARD FOR TLE7257SJ
Packaging: Bulk
Function: CAN Transceiver
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3G
Secondary Attributes: On-Board LEDs, Test Points
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6294.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM506-076PA IRSM506-076PA Infineon Technologies IRSM506-076.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 4A 23SOP
Supplier Device Package: 23-SOP
Voltage - Load: 480V (Max)
Technology: IGBT
Current - Peak Output: 15A
Current - Output / Channel: 4A
Applications: AC Motors
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 23-PowerSMD Module
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tube
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZS1XKLA1 ICE5AR4780BZS1XKLA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5ARxxxxBZS-DataSheet-v02_30-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607d612b2645ad Description: ICE5AR4780BZS1XKLA1
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Either
Topology: Buck, Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 32V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-10
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Power (Watts): 27.5 W
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.01 грн
50+53.89 грн
100+48.15 грн
500+35.73 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64215-28PVXIT CY7C64215-28PVXIT Infineon Technologies Infineon-CY7C64215_enCoRe_III_Full-Speed_USB_Controller-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecbcf87457f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CNTRLR USB FS 28SSOP
Package / Case: 28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 22
Supplier Device Package: 28-SSOP
Core Processor: M8C
Applications: USB Microcontroller
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Controller Series: CY7C642xx
Voltage - Supply: 3V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
RAM Size: 1K x 8
Interface: I2C, USB
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 Infineon Technologies Infineon-AUTOMOTIVE_PSOC_TM_4700S_PLUS_CY8CKIT-4700S-PLUS_EVALUATION_KIT_USER_GUIDE-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193659553155fd0 Description: CY8CKIT-4700S-PLUS
Packaging: Tray
Interface: I2C, SPI, UART, USB
Embedded: Yes, MCU
Utilized IC / Part: PSoC 4700S
Sensor Type: Proximity, Inductive
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19687.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD1600S33HE4BPSA1 DD1600S33HE4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD1600S33HE4-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191eaef415b350e Description: IHV IHM T
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1600A
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 1.6 kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+83438.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920829B0M2P4TAI100-ES CYW920829B0M2P4TAI100-ES Infineon Technologies Infineon-CYW920829B0M2P4XXI100-EVK-20829_module_Evaluation_Kit_user_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9cd7573a2c36 Description: AIROC CYW20829B0-P4TAI100 MODULE
Packaging: Box
Type: Transceiver; Bluetooth® 5.x (BLE)
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Utilized IC / Part: CYW20829
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5606.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B15AC1SXKMA1 Infineon Technologies Description: CIPOS MINI
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B20AC1SXKMA1 Infineon Technologies Description: CIPOS MINI
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B30AC1SXKMA1 Infineon Technologies Description: CIPOS MINI
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B50GC1XKMA1 IM06B50GC1XKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM06B50GC1-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601965ca7a4aa7a01 Description: IGBT IPM 600V 35A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module, Offset Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 35 A
Voltage: 600 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1659.08 грн
14+1098.68 грн
112+881.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35 Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.04 грн
10+203.71 грн
100+144.32 грн
500+117.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMM102T056MXUMA1 IMM102T056MXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMM100T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b7012c7993b83 Description: IMOTION
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 4A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: PG-IQFN-38-1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+501.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies infineon-fs150r07n3e4-ds-v02_00-en_de.pdf_fileid=db3a30432f29829e012f44ea50311f66.pdf Description: FS150R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6628.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12N2T4BOSA1 FP75R12N2T4BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
Packaging: Bulk
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9175.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XE164GN-24F80L AA SAK-XE164GN-24F80L AA Infineon Technologies Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9 Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 11x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XE164FN-24F80L AA SAK-XE164FN-24F80L AA Infineon Technologies Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9 Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 16x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XE164GN-40F80L AA SAK-XE164GN-40F80L AA Infineon Technologies Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9 Description: IC MCU 16BIT 320KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 11x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EB2ED24103D1BCDTOBO1 EB2ED24103D1BCDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006 Description: EB 2ED2410 3D 1BCD
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED2410-EM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EB2ED24103D1BCDPTOBO1 EB2ED24103D1BCDPTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006 Description: EB 2ED2410 3D 1BCDP
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED2410-EM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7200.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1 AIMBG75R020M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0262390273c Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+591.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1 AIMBG75R020M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0262390273c Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1101.14 грн
10+751.80 грн
100+697.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY22392FXC CY22392FXC Infineon Technologies download Description: IC CLKSYN FLSH PROG 3PLL 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 200MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: LVTTL, Crystal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:6
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1524.24 грн
10+1175.35 грн
96+1024.12 грн
192+932.80 грн
288+918.63 грн
576+897.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50XUMA1 TLS830A4EPV50XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS830A4EPV50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189f4ad2fe25137 Description: IC REG LIN 5V 300MA PG-TSDSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 55dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+56.94 грн
25+51.52 грн
100+42.75 грн
250+40.08 грн
500+38.48 грн
1000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Z8F80471187_TLS830A4EPV50_Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019108462f217635 Description: EVAL BOARD FOR TLS830A4EPV50
Packaging: Box
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.2V ~ 40V
Current - Output: 300mA
Contents: Board(s)
Regulator Type: Positive Fixed
Utilized IC / Part: TLS830A4EPV50
Channels per IC: 1 - Single
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2530.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+62.01 грн
25+56.14 грн
100+46.60 грн
250+43.69 грн
500+41.94 грн
1000+39.84 грн
2500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+44.77 грн
25+40.41 грн
100+33.35 грн
250+31.17 грн
500+29.85 грн
1000+28.30 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 infineon-imbg65r020m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1 infineon-imbg65r020m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R020M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+913.62 грн
10+616.22 грн
100+544.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 infineon-ipb65r050cfd7a-datasheet-en.pdf
IPB65R050CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+307.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R050CFD7AATMA1 infineon-ipb65r050cfd7a-datasheet-en.pdf
IPB65R050CFD7AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+757.08 грн
10+499.44 грн
100+369.43 грн
500+301.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 infineon-imbg65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+543.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1 infineon-imbg65r015m2h-datasheet-en.pdf
IMBG65R015M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1103.47 грн
10+750.31 грн
100+640.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM636-015MBTR fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULES POWER DRIVERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIGC28T65EX1SA1 Infineon-SIGC28T65E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b9476ac4b2359
SIGC28T65EX1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 3 CHIP 600V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A050T5E0001XUMA1 Infineon-TLE4971T-DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a018799e3198002e7
TLE4971A050T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 24mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 210kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 700ns
Sensor Type: Current Sensor
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 50A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-6
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A075T5E0001XUMA1 Infineon-TLE4971T-DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a018799e3198002e7
TLE4971A075T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 16mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 210kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 700ns
Sensor Type: Current Sensor
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 75A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-6
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A120T5E0001XUMA1 Infineon-TLE4971T-DS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a018799e3198002e7
TLE4971A120T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Polarization: Bidirectional
Sensitivity: 10mV/A
Mounting Type: Surface Mount
Output: Ratiometric, Voltage
Frequency: 210kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.1V ~ 3.5V
Response Time: 700ns
Sensor Type: Current Sensor
For Measuring: AC/DC
Current - Supply (Max): 25mA
Current - Sensing: 120A
Supplier Device Package: PG-TISON-8-6
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1461S45TXPSA1 Infineon-D1461S-DS-v01_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fb8fd4d32
D1461S45TXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 1720A BGD10026K1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200, Variant
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1720A
Supplier Device Package: BG-D10026K-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 140°C
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BG1XUMA1
ICE5QR4780BG1XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE5QR4780BG1XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BG1XUMA1
ICE5QR4780BG1XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE5QR4780BG1XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV25-167AXCT download
CY7C1370KV25-167AXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370D-167AXCB download
CY7C1370D-167AXCB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP
Packaging: Bag
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3241.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYT4BFBDJDQ0BZSGSXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC275TC-64F200W DC Infineon-TC27xDC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953972c57046a
SAK-TC275TC-64F200W DC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 4MB FLASH 176LQFP
EEPROM Size: 24K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 424K x 8
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 176-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-22
Peripherals: DMA, POR, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.17V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 48x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1
IAUCN08S7L110ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1
IAUCN08S7L110ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.74 грн
10+61.19 грн
100+40.71 грн
500+29.96 грн
1000+27.30 грн
2000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1
IAUCN10S7L180ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1
IAUCN10S7L180ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+63.95 грн
100+42.62 грн
500+31.42 грн
1000+28.66 грн
2000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG10055AFT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4971A050N5E0002XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENS ATV
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF466LQN-G-AVE2 download
CY9BF466LQN-G-AVE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 544KB FLASH 64QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 544KB (544K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF466LPMC-G-JNE2 download
CY9BF466LPMC-G-JNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 544KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 160MHz
Program Memory Size: 544KB (544K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Data Converters: A/D 15x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LQFP (12x12)
Number of I/O: 48
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5466LTI-063 CY8C54.pdf
CY8C5466LTI-063
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 68QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 36
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 2x12b; D/A 4x8b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 2K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 67MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LINDEMOBOARDTOBO1 infineon-z8f62962832-lin-demoboard-usermanual-en.pdf
LINDEMOBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLE7257SJ
Packaging: Bulk
Function: CAN Transceiver
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3G
Secondary Attributes: On-Board LEDs, Test Points
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6294.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM506-076PA IRSM506-076.pdf
IRSM506-076PA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 4A 23SOP
Supplier Device Package: 23-SOP
Voltage - Load: 480V (Max)
Technology: IGBT
Current - Peak Output: 15A
Current - Output / Channel: 4A
Applications: AC Motors
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 23-PowerSMD Module
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tube
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZS1XKLA1 Infineon-ICE5ARxxxxBZS-DataSheet-v02_30-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607d612b2645ad
ICE5AR4780BZS1XKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE5AR4780BZS1XKLA1
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Either
Topology: Buck, Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 32V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-10
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Power (Watts): 27.5 W
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.01 грн
50+53.89 грн
100+48.15 грн
500+35.73 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64215-28PVXIT Infineon-CY7C64215_enCoRe_III_Full-Speed_USB_Controller-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecbcf87457f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C64215-28PVXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CNTRLR USB FS 28SSOP
Package / Case: 28-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 22
Supplier Device Package: 28-SSOP
Core Processor: M8C
Applications: USB Microcontroller
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Controller Series: CY7C642xx
Voltage - Supply: 3V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
RAM Size: 1K x 8
Interface: I2C, USB
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 Infineon-AUTOMOTIVE_PSOC_TM_4700S_PLUS_CY8CKIT-4700S-PLUS_EVALUATION_KIT_USER_GUIDE-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193659553155fd0
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CY8CKIT-4700S-PLUS
Packaging: Tray
Interface: I2C, SPI, UART, USB
Embedded: Yes, MCU
Utilized IC / Part: PSoC 4700S
Sensor Type: Proximity, Inductive
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19687.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD1600S33HE4BPSA1 Infineon-DD1600S33HE4-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191eaef415b350e
DD1600S33HE4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IHV IHM T
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1600A
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 1.6 kA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+83438.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf
ISC060N06NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920829B0M2P4TAI100-ES Infineon-CYW920829B0M2P4XXI100-EVK-20829_module_Evaluation_Kit_user_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9cd7573a2c36
CYW920829B0M2P4TAI100-ES
Виробник: Infineon Technologies
Description: AIROC CYW20829B0-P4TAI100 MODULE
Packaging: Box
Type: Transceiver; Bluetooth® 5.x (BLE)
Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Utilized IC / Part: CYW20829
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5606.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B15AC1SXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MINI
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B20AC1SXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MINI
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B30AC1SXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MINI
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM06B50GC1XKMA1 Infineon-IM06B50GC1-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601965ca7a4aa7a01
IM06B50GC1XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 35A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module, Offset Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 35 A
Voltage: 600 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1659.08 грн
14+1098.68 грн
112+881.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf
IQDH35N03LM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf
IQDH35N03LM5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 700A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.35mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.46mA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 15 V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.04 грн
10+203.71 грн
100+144.32 грн
500+117.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMM102T056MXUMA1 Infineon-IMM100T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b7012c7993b83
IMM102T056MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMOTION
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 4A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Supplier Device Package: PG-IQFN-38-1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+501.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07N3E4BOSA1 infineon-fs150r07n3e4-ds-v02_00-en_de.pdf_fileid=db3a30432f29829e012f44ea50311f66.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS150R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6628.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12N2T4BOSA1
FP75R12N2T4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER ECONO
Packaging: Bulk
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9175.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XE164GN-24F80L AA Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9
SAK-XE164GN-24F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 11x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XE164FN-24F80L AA Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9
SAK-XE164FN-24F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 16x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XE164GN-40F80L AA Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9
SAK-XE164GN-40F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 320KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
RAM Size: 34K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 11x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EB2ED24103D1BCDTOBO1 Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006
EB2ED24103D1BCDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EB 2ED2410 3D 1BCD
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED2410-EM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EB2ED24103D1BCDPTOBO1 Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006
EB2ED24103D1BCDPTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EB 2ED2410 3D 1BCDP
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED2410-EM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7200.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1 Infineon-AIMBG75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0262390273c
AIMBG75R020M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+591.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R020M1HXTMA1 Infineon-AIMBG75R020M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef0262390273c
AIMBG75R020M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 34.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2326 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1101.14 грн
10+751.80 грн
100+697.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY22392FXC download
CY22392FXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLKSYN FLSH PROG 3PLL 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 200MHz
Type: Clock Generator, Fanout Distribution
Input: LVTTL, Crystal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:6
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 16-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: Yes/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1524.24 грн
10+1175.35 грн
96+1024.12 грн
192+932.80 грн
288+918.63 грн
576+897.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50XUMA1 Infineon-TLS830A4EPV50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d0189f4ad2fe25137
TLS830A4EPV50XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 300MA PG-TSDSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 55dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.37 грн
10+56.94 грн
25+51.52 грн
100+42.75 грн
250+40.08 грн
500+38.48 грн
1000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS830A4EPV50BOARDTOBO1 Infineon-Z8F80471187_TLS830A4EPV50_Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019108462f217635
TLS830A4EPV50BOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLS830A4EPV50
Packaging: Box
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.2V ~ 40V
Current - Output: 300mA
Contents: Board(s)
Regulator Type: Positive Fixed
Utilized IC / Part: TLS830A4EPV50
Channels per IC: 1 - Single
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2530.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
ISC009N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
ISC009N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
10+62.01 грн
25+56.14 грн
100+46.60 грн
250+43.69 грн
500+41.94 грн
1000+39.84 грн
2500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff
ISC015N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff
ISC015N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC015N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 214A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.09 грн
10+44.77 грн
25+40.41 грн
100+33.35 грн
250+31.17 грн
500+29.85 грн
1000+28.30 грн
2500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 736 737 738 739 740 741 742 743 744 745 746 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2052  [ Наступна Сторінка >> ]