Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124873) > Сторінка 745 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 740 741 742 743 744 745 746 747 748 749 750 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA_Authenticate_NBT_DSE-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84d5b8d24f50 Description: OPTIGA AUTH NBT SHIELD
Packaging: Box
Function: Near Field Communication (NFC)
Type: RF
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NBT2000
Platform: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHDBTOBO1 TLE75602ESHDBTOBO1 Infineon Technologies infineon-infineon-spiderplusmb-eval-usermanual-v01-usermanual-en.pdf Description: TLE75602-ESH DB CONTAINS THE DAU
Packaging: Bulk
Function: Expansion Board
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE75602
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4282.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1525JV18-250BZC CY7C1525JV18-250BZC Infineon Technologies CY7C15%2812%2C14%2C25%29JV18_8.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1525JV18-250BZXC CY7C1525JV18-250BZXC Infineon Technologies CY7C15%2812%2C14%2C25%29JV18_8.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38807XUMA1 TDA38807XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38807-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190ba4e7e725b08 Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38807XUMA1 TDA38807XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDA38807-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190ba4e7e725b08 Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
10+99.39 грн
25+90.62 грн
100+75.93 грн
250+71.59 грн
500+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igld65r140d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igld65r140d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.97 грн
10+176.25 грн
100+123.59 грн
500+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igot65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igot65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.29 грн
10+319.30 грн
100+232.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBOARDTLD1124ELTOBO1 DEMOBOARDTLD1124ELTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD FOR TLD1124EL
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 40V
Voltage - Input: 5.5V ~ 40V
Contents: Board(s)
Current - Output / Channel: 360mA
Utilized IC / Part: TLD1124EL
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10158.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFBG13 S25FL512SAGMFBG13 Infineon Technologies Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J70BFI073 S29PL032J70BFI073 Infineon Technologies Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0 Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J70BFI073 S29PL032J70BFI073 Infineon Technologies Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0 Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.50 грн
10+362.06 грн
25+351.20 грн
50+321.84 грн
100+314.12 грн
250+303.99 грн
500+291.57 грн
1000+284.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45ZSXI CY62136EV30LL-45ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY62136EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8bb23239 Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
10+260.87 грн
25+253.17 грн
40+233.86 грн
135+224.21 грн
270+218.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXIT CY62136FV30LL-45ZSXIT Infineon Technologies Infineon-CY62136FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef2bb32ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXIT CY62136FV30LL-45ZSXIT Infineon Technologies Infineon-CY62136FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef2bb32ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.97 грн
10+250.95 грн
25+243.47 грн
50+223.20 грн
100+217.92 грн
250+210.97 грн
500+202.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXIT CY62136EV30LL-45BVXIT Infineon Technologies Infineon-CY62136EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8bb23239 Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+224.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXIT CY62136EV30LL-45BVXIT Infineon Technologies Infineon-CY62136EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8bb23239 Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
10+260.87 грн
25+253.17 грн
50+232.09 грн
100+226.58 грн
250+219.35 грн
500+210.42 грн
1000+205.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-55ZSXE CY62136FV30LL-55ZSXE Infineon Technologies Infineon-CY62136FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef2bb32ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02 description Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBF IRFH8337TRPBF Infineon Technologies IRFH8337TR2PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBF IRFH8337TRPBF Infineon Technologies IRFH8337TR2PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF IRFH4234TRPBF Infineon Technologies irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF IRFH4234TRPBF Infineon Technologies irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717TRPBF IRF3717TRPBF Infineon Technologies IRF3717PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717TRPBF IRF3717TRPBF Infineon Technologies IRF3717PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1 IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1bc3b8a21b8 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+200.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0010XUMA1 TLE4973RE35D5S0010XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4973-RE35x5-S0010-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bd3a9afe7609b Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0010XUMA1 TLE4973RE35D5S0010XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4973-RE35x5-S0010-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bd3a9afe7609b Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.52 грн
5+241.92 грн
10+231.32 грн
25+205.24 грн
50+197.16 грн
100+189.75 грн
500+171.98 грн
1000+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0001XUMA1 TLE4973RE35D5S0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4973_xE35x5_S0001_current_sensors-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018988b389ce50f6 Description: CURRENT SENSOR HE PG-TDSO-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0001XUMA1 TLE4973RE35D5S0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4973_xE35x5_S0001_current_sensors-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018988b389ce50f6 Description: CURRENT SENSOR HE PG-TDSO-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.55 грн
5+208.79 грн
10+199.54 грн
25+176.95 грн
50+169.88 грн
100+163.40 грн
500+147.91 грн
1000+143.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+520.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1084.10 грн
10+734.49 грн
100+612.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0 Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0 Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.21 грн
10+522.35 грн
100+407.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r181m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r181m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.88 грн
10+251.92 грн
100+180.49 грн
500+154.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5046SICAKLRHALA1 TLE5046SICAKLRHALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5046SIC-AK-LR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fc5c6a0420295 Description: SPEED SENS
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-1
Output Type: Current
Type: Magnetoresistive
Operating Temperature: -40°C ~ 190°C
Voltage - Supply: 5.2V ~ 20V
Must Operate: 2mT
Actuator Material: Magnet
Grade: Automotive
Frequency: 3 kHz
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK95N16LOFHOSA1 TDB6HK95N16LOFHOSA1 Infineon Technologies Infineon-TXXB6XX95N16XX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0b84bf754a33 Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Bridge, 3-Phase - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 720A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 6 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 130 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 75 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185 Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
868+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.96 грн
30+200.73 грн
120+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGI60F270A1LAUMA1 IGI60F270A1LAUMA1 Infineon Technologies Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 21TIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 21-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output Configuration: Half Bridge
Rds On (Typ): 270mOhm
Applications: General Purpose
Supplier Device Package: PG-TIQFN-21-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG9059AM Infineon Technologies Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR12A8MA2BHPSA1 FS01MR12A8MA2BHPSA1 Infineon Technologies Description: FS01MR12A8MA2BHPSA1
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.87mOhm @ 18V, 500A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+146400.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY9AF004BGL-GMJK7E1 CY9AF004BGL-GMJK7E1 Infineon Technologies Description: IC MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12OE4PNOSA1 FS300R12OE4PNOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS300R12OE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d5ff1ab4a53be Description: IGBT MOD 1200V 600A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23107.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AN983X-AH-T-21 AN983X-AH-T-21 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC PCI TO ETHERNET LAN 128QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 128-BFQFP
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: PG-PQFP-128
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TR IRF7403TR Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N03LF2SAKSA1 IPP033N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP033N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019030cc6d352b2a Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+92.98 грн
100+62.94 грн
500+46.99 грн
1000+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3843AMTRPBF IR3843AMTRPBF Infineon Technologies ir3843am.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d557e217ea Description: IC REG BUCK ADJ 3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 15-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 225kHz ~ 1.32MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.9V
Voltage - Input (Min): 1.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+224.14 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGATMA1 IPB065N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28B%2CP%29065N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KT210 KT210 Infineon Technologies KT%2CKTY.pdf Description: SENSOR PTC 1KOHM 3% TO92MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C
Resistance Tolerance: ±3%
Supplier Device Package: TO-92MINI
Resistance @ 25°C: 1 kOhms
на замовлення 73495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QUS01XUMA2 TLF35585QUS01XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Applications: Automotive
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.38 грн
10+415.56 грн
25+385.40 грн
100+330.57 грн
250+322.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QUS01XUMA2 TLF35585QUS01XUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Applications: Automotive
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.60 грн
10+283.26 грн
100+204.23 грн
500+177.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF Infineon Technologies pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965 Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 170 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 10 Ohms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.30 грн
10+575.33 грн
25+549.42 грн
50+497.92 грн
100+480.82 грн
250+459.12 грн
500+436.06 грн
1000+421.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322S-TPBF PVT322S-TPBF Infineon Technologies pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965 Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 170 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 10 Ohms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+480.63 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1 Infineon-OPTIGA_Authenticate_NBT_DSE-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84d5b8d24f50
NBT2000A8K0T4SHLDV1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIGA AUTH NBT SHIELD
Packaging: Box
Function: Near Field Communication (NFC)
Type: RF
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: NBT2000
Platform: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHDBTOBO1 infineon-infineon-spiderplusmb-eval-usermanual-v01-usermanual-en.pdf
TLE75602ESHDBTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE75602-ESH DB CONTAINS THE DAU
Packaging: Bulk
Function: Expansion Board
Type: Interface
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE75602
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4282.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1525JV18-250BZC CY7C15%2812%2C14%2C25%29JV18_8.pdf
CY7C1525JV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1525JV18-250BZXC CY7C15%2812%2C14%2C25%29JV18_8.pdf
CY7C1525JV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 8M x 9
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38807XUMA1 Infineon-TDA38807-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190ba4e7e725b08
TDA38807XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38807XUMA1 Infineon-TDA38807-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190ba4e7e725b08
TDA38807XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.26 грн
10+99.39 грн
25+90.62 грн
100+75.93 грн
250+71.59 грн
500+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 infineon-igld65r140d2-datasheet-en.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R140D2AUMA1 infineon-igld65r140d2-datasheet-en.pdf
IGLD65R140D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.97 грн
10+176.25 грн
100+123.59 грн
500+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 infineon-igot65r055d2-datasheet-en.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 infineon-igot65r055d2-datasheet-en.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+491.29 грн
10+319.30 грн
100+232.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBOARDTLD1124ELTOBO1
DEMOBOARDTLD1124ELTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLD1124EL
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 40V
Voltage - Input: 5.5V ~ 40V
Contents: Board(s)
Current - Output / Channel: 360mA
Utilized IC / Part: TLD1124EL
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10158.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFBG13 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL512SAGMFBG13
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J70BFI073 Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0
S29PL032J70BFI073
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J70BFI073 Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0
S29PL032J70BFI073
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Supplier Device Package: 48-VFBGA (8.15x6.15)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+404.50 грн
10+362.06 грн
25+351.20 грн
50+321.84 грн
100+314.12 грн
250+303.99 грн
500+291.57 грн
1000+284.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62136EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8bb23239
CY62136EV30LL-45ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.59 грн
10+260.87 грн
25+253.17 грн
40+233.86 грн
135+224.21 грн
270+218.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62136FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef2bb32ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62136FV30LL-45ZSXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62136FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef2bb32ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62136FV30LL-45ZSXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.97 грн
10+250.95 грн
25+243.47 грн
50+223.20 грн
100+217.92 грн
250+210.97 грн
500+202.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62136EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8bb23239
CY62136EV30LL-45BVXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+224.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136EV30LL-45BVXIT Infineon-CY62136EV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe8bb23239
CY62136EV30LL-45BVXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.59 грн
10+260.87 грн
25+253.17 грн
50+232.09 грн
100+226.58 грн
250+219.35 грн
500+210.42 грн
1000+205.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62136FV30LL-55ZSXE Infineon-CY62136FV30_MoBL_2-Mbit_(128_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebef2bb32ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62136FV30LL-55ZSXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7932TRPBF description irfh7932pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f59df1f02
IRFH7932TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 15 V
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
406+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBF IRFH8337TR2PbF.pdf
IRFH8337TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8337TRPBF IRFH8337TR2PbF.pdf
IRFH8337TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a
IRFH4234TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a
IRFH4234TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717TRPBF IRF3717PbF.pdf
IRF3717TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3717TRPBF IRF3717PbF.pdf
IRF3717TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1bc3b8a21b8
IPAN70R600P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+200.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0010XUMA1 Infineon-TLE4973-RE35x5-S0010-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bd3a9afe7609b
TLE4973RE35D5S0010XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0010XUMA1 Infineon-TLE4973-RE35x5-S0010-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bd3a9afe7609b
TLE4973RE35D5S0010XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED & CURRENT SENSORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.52 грн
5+241.92 грн
10+231.32 грн
25+205.24 грн
50+197.16 грн
100+189.75 грн
500+171.98 грн
1000+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0001XUMA1 Infineon-TLE4973_xE35x5_S0001_current_sensors-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018988b389ce50f6
TLE4973RE35D5S0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE PG-TDSO-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4973RE35D5S0001XUMA1 Infineon-TLE4973_xE35x5_S0001_current_sensors-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018988b389ce50f6
TLE4973RE35D5S0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR HE PG-TDSO-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5V
Sensor Type: Hall Effect
For Measuring: DC
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
Number of Channels: 1
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.55 грн
5+208.79 грн
10+199.54 грн
25+176.95 грн
50+169.88 грн
100+163.40 грн
500+147.91 грн
1000+143.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
AIMBG120R030M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+520.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
AIMBG120R030M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1084.10 грн
10+734.49 грн
100+612.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0
IMBG120R034M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+784.21 грн
10+522.35 грн
100+407.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 infineon-imbg120r181m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 infineon-imbg120r181m2h-datasheet-en.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.88 грн
10+251.92 грн
100+180.49 грн
500+154.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5046SICAKLRHALA1 Infineon-TLE5046SIC-AK-LR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fc5c6a0420295
TLE5046SICAKLRHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPEED SENS
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-1
Output Type: Current
Type: Magnetoresistive
Operating Temperature: -40°C ~ 190°C
Voltage - Supply: 5.2V ~ 20V
Must Operate: 2mT
Actuator Material: Magnet
Grade: Automotive
Frequency: 3 kHz
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK95N16LOFHOSA1 Infineon-TXXB6XX95N16XX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0b84bf754a33
TDB6HK95N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Bridge, 3-Phase - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 720A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 6 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 130 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 75 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon-IPU80R2K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cedc9e56d1185
IPU80R2K4P7AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
868+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 868 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44
IRF100PW219XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+371.96 грн
30+200.73 грн
120+166.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGI60F270A1LAUMA1
IGI60F270A1LAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 21TIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 21-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output Configuration: Half Bridge
Rds On (Typ): 270mOhm
Applications: General Purpose
Supplier Device Package: PG-TIQFN-21-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG9059AM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR12A8MA2BHPSA1
FS01MR12A8MA2BHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS01MR12A8MA2BHPSA1
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.87mOhm @ 18V, 500A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+146400.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY9AF004BGL-GMJK7E1
CY9AF004BGL-GMJK7E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS300R12OE4PNOSA1 Infineon-FS300R12OE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015d5ff1ab4a53be
FS300R12OE4PNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23107.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AN983X-AH-T-21 fundamentals-of-power-semiconductors
AN983X-AH-T-21
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PCI TO ETHERNET LAN 128QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 128-BFQFP
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: PG-PQFP-128
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TR irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP033N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019030cc6d352b2a
IPP033N03LF2SAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.11 грн
10+92.98 грн
100+62.94 грн
500+46.99 грн
1000+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3843AMTRPBF ir3843am.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d557e217ea
IR3843AMTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 15-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 225kHz ~ 1.32MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.9V
Voltage - Input (Min): 1.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.7V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N08S2L07AKSA1 Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t
IPP80N08S2L07AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+224.14 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGATMA1 IP%28B%2CP%29065N03LG.pdf
IPB065N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KT210 KT%2CKTY.pdf
KT210
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR PTC 1KOHM 3% TO92MINI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C
Resistance Tolerance: ±3%
Supplier Device Package: TO-92MINI
Resistance @ 25°C: 1 kOhms
на замовлення 73495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
417+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QUS01XUMA2 Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d
TLF35585QUS01XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Applications: Automotive
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+556.38 грн
10+415.56 грн
25+385.40 грн
100+330.57 грн
250+322.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF35585QUS01XUMA2 Infineon-TLF35585QUS01-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186bd5fc0e8505d
TLF35585QUS01XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIREG PMIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 40V
Applications: Automotive
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.60 грн
10+283.26 грн
100+204.23 грн
500+177.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965
PVT322PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Load Current: 170 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 10 Ohms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+670.30 грн
10+575.33 грн
25+549.42 грн
50+497.92 грн
100+480.82 грн
250+459.12 грн
500+436.06 грн
1000+421.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322S-TPBF pvt322.pdf?fileId=5546d462533600a40153568427eb2965
PVT322S-TPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 170MA 0-250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD (0.300", 7.62mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 2
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 170 mA
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 8-SMD
Voltage - Load: 0 V ~ 250 V
On-State Resistance (Max): 10 Ohms
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+480.63 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 740 741 742 743 744 745 746 747 748 749 750 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]