Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 348 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12B2XUMA1 INFINEON 2211675.pdf Description: INFINEON - 1ED020I12B2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 13-20V Versorgungsspannung, 170ms/165ms Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ms
Ausgabeverzögerung: 165ms
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.71 грн
250+192.73 грн
500+186.59 грн
1000+162.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPXUMA1 TLD5099EPXUMA1 INFINEON INFN-S-A0010061910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5099EPXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, 500KHZ, PG-TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 500kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.98 грн
250+89.84 грн
500+79.09 грн
1000+66.04 грн
2500+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5UE0001XUMA1 TLI4971A025T5UE0001XUMA1 INFINEON INFN-S-A0014137967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI4971A025T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: No
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.48 грн
10+262.48 грн
25+248.15 грн
50+203.80 грн
100+181.21 грн
250+174.30 грн
500+166.62 грн
1000+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A120T5UE0001XUMA1 TLI4971A120T5UE0001XUMA1 INFINEON Infineon-TLI4971-A120T5-E0001-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: INFINEON - TLI4971A120T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.15 грн
10+332.35 грн
25+314.44 грн
50+283.66 грн
100+252.62 грн
250+244.18 грн
500+234.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5UE0001XUMA1 TLI4971A025T5UE0001XUMA1 INFINEON INFN-S-A0014137967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI4971A025T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.21 грн
250+174.30 грн
500+166.62 грн
1000+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A120T5UE0001XUMA1 TLI4971A120T5UE0001XUMA1 INFINEON Infineon-TLI4971-A120T5-E0001-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: INFINEON - TLI4971A120T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+252.62 грн
250+244.18 грн
500+234.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82 Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.85 грн
11+88.24 грн
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 IPD029N04NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82 Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF IR21531STRPBF INFINEON 132778.pdf Description: INFINEON - IR21531STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 400mAout, 80ns Anstieg/45ns Abfall, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.27 грн
500+78.86 грн
1000+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP INFINEON 2043142.pdf Description: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.45 грн
250+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199853.pdf Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.46 грн
10+166.62 грн
100+163.94 грн
500+143.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 IPP055N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199859.pdf Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.10 грн
10+103.02 грн
100+94.96 грн
500+72.37 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199855.pdf Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+287.56 грн
10+153.19 грн
100+139.75 грн
500+124.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199854.pdf Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.88 грн
10+112.88 грн
100+111.08 грн
500+90.67 грн
1000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 IPP040N08NF2SAKMA1 INFINEON 3199857.pdf Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.10 грн
10+163.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 INFINEON 3199860.pdf Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.96 грн
15+61.01 грн
100+60.29 грн
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1 IPP030N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770290.pdf Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+174.69 грн
11+83.94 грн
100+75.16 грн
500+55.57 грн
1000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N10N5XKSA1 IPP018N10N5XKSA1 INFINEON 3934895.pdf Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.94 грн
10+534.81 грн
100+282.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N06NF2SAKMA1 IPP016N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770293.pdf Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.02 грн
10+184.54 грн
100+126.31 грн
500+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.90 грн
10+266.06 грн
100+186.33 грн
500+143.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770289.pdf Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.85 грн
13+70.05 грн
100+58.14 грн
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1 IPP019N06NF2SAKMA1 INFINEON 3770291.pdf Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.98 грн
10+146.92 грн
100+107.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N10N5AKSA1 IPP018N10N5AKSA1 INFINEON 3934895.pdf Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.21 грн
10+421.94 грн
100+341.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1 IPP026N04NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP026N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b43474c5666 Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.88 грн
10+113.77 грн
100+79.37 грн
500+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.79 грн
10+97.65 грн
100+94.96 грн
500+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP013N04NF2SAKMA1 IPP013N04NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP013N04NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831736c4a75b41 Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.90 грн
10+101.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 INFINEON 3704047.pdf Description: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1 IMW65R030M1HXKSA1 INFINEON 3629234.pdf Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.85 грн
5+1011.40 грн
10+980.04 грн
50+583.96 грн
100+468.39 грн
250+466.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITDPS3682GOTOBO1 KITDPS3682GOTOBO1 INFINEON 3968038.pdf Description: INFINEON - KITDPS3682GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS368, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS368
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS368
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON 3154640.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.79 грн
500+157.22 грн
1000+130.54 грн
2000+126.70 грн
5000+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1 INFINEON 4015570.pdf Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1 INFINEON 4015570.pdf Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.23 грн
13+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.54 грн
10+350.27 грн
100+275.02 грн
500+198.81 грн
1000+179.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 IPT60R080G7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+275.02 грн
500+198.81 грн
1000+179.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1 IPT60R150G7XTMA1 INFINEON 2712226.pdf Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.54 грн
500+98.99 грн
1000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+599.31 грн
50+438.06 грн
100+324.29 грн
500+281.16 грн
1000+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 INFINEON Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+508.83 грн
50+329.67 грн
100+251.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.62 грн
10+277.71 грн
100+211.42 грн
500+182.17 грн
1000+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON Infineon-IAUT260N10S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2460488e3241 Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+388.79 грн
50+270.54 грн
100+224.85 грн
500+198.81 грн
1000+175.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 INFINEON 2612491.pdf Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+427.31 грн
10+282.19 грн
100+210.52 грн
500+187.17 грн
1000+169.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.88 грн
10+257.10 грн
100+183.65 грн
500+160.55 грн
1000+131.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2612487.pdf Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+120.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 INFINEON 3668061.pdf Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.96 грн
10+239.19 грн
100+173.79 грн
500+139.75 грн
1000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0002298864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+319.81 грн
500+294.47 грн
1000+266.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+599.31 грн
50+438.06 грн
100+324.29 грн
500+281.16 грн
1000+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON 2612486.pdf Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.17 грн
500+75.70 грн
1000+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 INFINEON 3668061.pdf Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.79 грн
500+139.75 грн
1000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.94 грн
500+182.17 грн
1000+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 IPT111N20NFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0002298864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+507.04 грн
50+473.90 грн
100+440.75 грн
500+370.17 грн
1000+323.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+388.79 грн
50+236.50 грн
100+184.54 грн
500+150.56 грн
1000+135.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4 Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+421.04 грн
10+338.62 грн
25+308.17 грн
100+257.87 грн
500+203.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+368.19 грн
500+321.09 грн
1000+265.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.71 грн
500+158.88 грн
1000+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.54 грн
500+150.56 грн
1000+135.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.42 грн
500+182.17 грн
1000+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IST006N04NM6AUMA1 IST006N04NM6AUMA1 INFINEON 3379810.pdf Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.12 грн
10+110.19 грн
100+109.29 грн
500+100.65 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1 IPT030N12N3GATMA1 INFINEON infineon-ipt030n12n3-g-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.04 грн
500+188.83 грн
1000+172.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON Infineon-IAUT260N10S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2460488e3241 Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+224.85 грн
500+198.81 грн
1000+175.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 2211675.pdf
1ED020I12B2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED020I12B2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 13-20V Versorgungsspannung, 170ms/165ms Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ms
Ausgabeverzögerung: 165ms
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.71 грн
250+192.73 грн
500+186.59 грн
1000+162.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPXUMA1 INFN-S-A0010061910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5099EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5099EPXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, 500KHZ, PG-TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 500kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.98 грн
250+89.84 грн
500+79.09 грн
1000+66.04 грн
2500+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5UE0001XUMA1 INFN-S-A0014137967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI4971A025T5UE0001XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4971A025T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: No
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.48 грн
10+262.48 грн
25+248.15 грн
50+203.80 грн
100+181.21 грн
250+174.30 грн
500+166.62 грн
1000+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A120T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971-A120T5-E0001-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A120T5UE0001XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4971A120T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+377.15 грн
10+332.35 грн
25+314.44 грн
50+283.66 грн
100+252.62 грн
250+244.18 грн
500+234.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A025T5UE0001XUMA1 INFN-S-A0014137967-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI4971A025T5UE0001XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4971A025T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 3.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+181.21 грн
250+174.30 грн
500+166.62 грн
1000+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A120T5UE0001XUMA1 Infineon-TLI4971-A120T5-E0001-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A120T5UE0001XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4971A120T5UE0001XUMA1 - Stromsensor, XENSIV, Hall-Effekt, linear, Open-Loop, Unidirektional, bidirektional, ±2%, TISON
tariffCode: 85423990
Stromsensor: Hall-Effekt, linear, Open-Loop
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensor-IC-Montage: Oberflächenmontage
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Strommessrichtung: Unidirektional, bidirektional
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 2.5kV
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Sensorgehäuse/-bauform: TISON
Bauform - Sensor: TISON
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 240kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Genauigkeit: ±2%
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Ausgangsschnittstelle: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+252.62 грн
250+244.18 грн
500+234.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82
IPD029N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.85 грн
11+88.24 грн
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon-IPD029N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a7dfd4282d82
IPD029N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 2400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF 132778.pdf
IR21531STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR21531STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 400mAout, 80ns Anstieg/45ns Abfall, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.27 грн
500+78.86 грн
1000+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP 2043142.pdf
IRF3805STRL-7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3805STRL-7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 240 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.45 грн
250+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N08NF2SAKMA1 3199853.pdf
IPP016N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+374.46 грн
10+166.62 грн
100+163.94 грн
500+143.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N08NF2SAKMA1 3199859.pdf
IPP055N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.10 грн
10+103.02 грн
100+94.96 грн
500+72.37 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 3199855.pdf
IPP024N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+287.56 грн
10+153.19 грн
100+139.75 грн
500+124.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 3199854.pdf
IPP019N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.88 грн
10+112.88 грн
100+111.08 грн
500+90.67 грн
1000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 3199857.pdf
IPP040N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+257.10 грн
10+163.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 3199860.pdf
IPP082N10NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 7300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.96 грн
15+61.01 грн
100+60.29 грн
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1 3770290.pdf
IPP030N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+174.69 грн
11+83.94 грн
100+75.16 грн
500+55.57 грн
1000+44.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N10N5XKSA1 3934895.pdf
IPP018N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+550.94 грн
10+534.81 грн
100+282.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP016N06NF2SAKMA1 3770293.pdf
IPP016N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.02 грн
10+184.54 грн
100+126.31 грн
500+96.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
IPP014N06NF2SAKMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.90 грн
10+266.06 грн
100+186.33 грн
500+143.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 3770289.pdf
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.85 грн
13+70.05 грн
100+58.14 грн
500+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N06NF2SAKMA1 3770291.pdf
IPP019N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.98 грн
10+146.92 грн
100+107.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N10N5AKSA1 3934895.pdf
IPP018N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+514.21 грн
10+421.94 грн
100+341.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP026N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b43474c5666
IPP026N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.88 грн
10+113.77 грн
100+79.37 грн
500+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
IPP011N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+304.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.79 грн
10+97.65 грн
100+94.96 грн
500+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP013N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP013N04NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831736c4a75b41
IPP013N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 1020 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1020µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+258.90 грн
10+101.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 3704047.pdf
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R030M1HXKSA1 3629234.pdf
IMW65R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1041.85 грн
5+1011.40 грн
10+980.04 грн
50+583.96 грн
100+468.39 грн
250+466.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITDPS3682GOTOBO1 3968038.pdf
KITDPS3682GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITDPS3682GOTOBO1 - Evaluationskit, DPS368, Luftdrucksensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS368
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: DPS368
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1029.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 3154640.pdf
IAUA250N04S6N006AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 0.00047 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+216.79 грн
500+157.22 грн
1000+130.54 грн
2000+126.70 грн
5000+124.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1 4015570.pdf
IAUA120N04S5N014AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA120N04S5N014AUMA1 4015570.pdf
IAUA120N04S5N014AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA120N04S5N014AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.23 грн
13+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+485.54 грн
10+350.27 грн
100+275.02 грн
500+198.81 грн
1000+179.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R080G7XTMA1 INFN-S-A0002943024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R080G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.08 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+275.02 грн
500+198.81 грн
1000+179.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1 2712226.pdf
IPT60R150G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.54 грн
500+98.99 грн
1000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+599.31 грн
50+438.06 грн
100+324.29 грн
500+281.16 грн
1000+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N015-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2469d7203245
IAUT300N10S5N015ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N10S5N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+508.83 грн
50+329.67 грн
100+251.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+381.62 грн
10+277.71 грн
100+211.42 грн
500+182.17 грн
1000+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon-IAUT260N10S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2460488e3241
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+388.79 грн
50+270.54 грн
100+224.85 грн
500+198.81 грн
1000+175.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 2612491.pdf
IAUT300N08S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+427.31 грн
10+282.19 грн
100+210.52 грн
500+187.17 грн
1000+169.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 INFN-S-A0003614467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT240N08S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.88 грн
10+257.10 грн
100+183.65 грн
500+160.55 грн
1000+131.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 2612487.pdf
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 2300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+120.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 3668061.pdf
IPT063N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+309.96 грн
10+239.19 грн
100+173.79 грн
500+139.75 грн
1000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 INFN-S-A0002298864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT111N20NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+319.81 грн
500+294.47 грн
1000+266.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+599.31 грн
50+438.06 грн
100+324.29 грн
500+281.16 грн
1000+246.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 2612486.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT165N08S5N029ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 0.0024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.17 грн
500+75.70 грн
1000+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 3668061.pdf
IPT063N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+173.79 грн
500+139.75 грн
1000+115.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 INFNS27665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+206.94 грн
500+182.17 грн
1000+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT111N20NFDATMA1 INFN-S-A0002298864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT111N20NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT111N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 96 A, 0.0111 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+507.04 грн
50+473.90 грн
100+440.75 грн
500+370.17 грн
1000+323.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+388.79 грн
50+236.50 грн
100+184.54 грн
500+150.56 грн
1000+135.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4
IPT019N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+421.04 грн
10+338.62 грн
25+308.17 грн
100+257.87 грн
500+203.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 Infineon-IPT012N08N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+368.19 грн
500+321.09 грн
1000+265.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 INFNS27664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 400 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.71 грн
500+158.88 грн
1000+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 INFN-S-A0008893639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+184.54 грн
500+150.56 грн
1000+135.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 INFN-S-A0003258088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N08S5N012ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+211.42 грн
500+182.17 грн
1000+165.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IST006N04NM6AUMA1 3379810.pdf
IST006N04NM6AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.12 грн
10+110.19 грн
100+109.29 грн
500+100.65 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1 infineon-ipt030n12n3-g-datasheet-en.pdf
IPT030N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+206.04 грн
500+188.83 грн
1000+172.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon-IAUT260N10S5N019-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f2460488e3241
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT260N10S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 1900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+224.85 грн
500+198.81 грн
1000+175.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 343 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]