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BSC0502NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FP100R12N3T7BPSA1 FP100R12N3T7BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FP100R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12N2T7B11BPSA1 FP100R12N2T7B11BPSA1 INFINEON Infineon-FP100R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180a8df007a1d22 Description: INFINEON - FP100R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S29JL032J60TFI010 S29JL032J60TFI010 INFINEON 2309621.pdf Description: INFINEON - S29JL032J60TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 60ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S29JL032J70TFI010 S29JL032J70TFI010 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S29JL032J70BHI310 S29JL032J70BHI310 INFINEON Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021 Description: INFINEON - S29JL032J70BHI310 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, parallel, 70ns, FBGA-48
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 32Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL032P0XMFA013 S25FL032P0XMFA013 INFINEON CYPR-S-A0003069045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL032P0XMFA013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 104MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF INFINEON 695950.pdf Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 INFINEON INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 15044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD90N10S4L06ATMA1 IPD90N10S4L06ATMA1 INFINEON INFNS28019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD90N06S405ATMA2 IPD90N06S405ATMA2 INFINEON 2849604.pdf Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IAUC90N10S5N062ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1 INFINEON 3154647.pdf Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001303655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
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IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IQE030N06NM5SCATMA1 IQE030N06NM5SCATMA1 INFINEON 3795149.pdf Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSX33M5U16E6327XTSA1 BGSX33M5U16E6327XTSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2EDN7534FXTMA1 2EDN7534FXTMA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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2EDN7533BXTSA1 2EDN7533BXTSA1 INFINEON 3685641.pdf Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISZ143N13NM6ATMA1 ISZ143N13NM6ATMA1 INFINEON 4334672.pdf Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SMBD914E6327HTSA1 SMBD914E6327HTSA1 INFINEON INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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6ED003L06F2XUMA1 6ED003L06F2XUMA1 INFINEON 2334680.pdf Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAT1704E6327HTSA1 BAT1704E6327HTSA1 INFINEON INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISSI30R12HXUMA1 ISSI30R12HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISSI30R11HXUMA1 ISSI30R11HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISSI20R02HXUMA1 ISSI20R02HXUMA1 INFINEON 4127748.pdf Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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S27KL0642DPBHI020 S27KL0642DPBHI020 INFINEON INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF INFINEON IRF7469TRPBF.PDF Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
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BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 INFINEON 2820308.pdf Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON 1849685.html Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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KITLGPWRBOM16TOBO1 KITLGPWRBOM16TOBO1 INFINEON 4386889.pdf Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMT40R025M2HXTMA1 IMT40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384416.pdf Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R015M2HXTMA1 IMBG40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384410.pdf Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMT40R036M2HXTMA1 IMT40R036M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54 Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R011M2HXTMA1 IMBG40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384409.pdf Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMT40R015M2HXTMA1 IMT40R015M2HXTMA1 INFINEON 4384415.pdf Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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BSC0502NSIATMA1 Infineon-BSC0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe055d2f662a
BSC0502NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0502NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FP100R12N3T7BPSA1 3758284.pdf
FP100R12N3T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12N2T7B11BPSA1 Infineon-FP100R12N2T7_B11-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180a8df007a1d22
FP100R12N2T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N2T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S29JL032J60TFI010 2309621.pdf
S29JL032J60TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J60TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32 Mbit, 4M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 60ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S29JL032J70TFI010 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J70TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 4M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 32Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 4M x 8 Bit
Speichergröße: 32Mbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S29JL032J70BHI310 Infineon-S29JL032J_32_Mb_(4M_X_8_BIT_2M_X_16_BIT)_3_V_SIMULTANEOUS_READ_WRITE_FLASH-AdditionalTechnicalInformation-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed71e7d5831&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=2021
S29JL032J70BHI310
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29JL032J70BHI310 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 32MB, 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit, parallel, 70ns, FBGA-48
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
Speicherkonfiguration Flash: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Speichergröße: 32Mbit
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit / 4M x 8 Bit
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL032P0XMFA013 CYPR-S-A0003069045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL032P0XMFA013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL032P0XMFA013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 32 Mbit, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 32Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 104MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF540ZLPBF 695950.pdf
IRF540ZLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540ZLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 92W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0265ohm
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSC070N10NS3GATMA1 INFNS30159-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC070N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD036N04LGATMA1 INFNS27874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD036N04LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD036N04LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 15044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N10S4L06ATMA1 INFNS28019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N10S4L06ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD90N06S405ATMA2 2849604.pdf
IPD90N06S405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IAUC90N10S5N062ATMA1 3154647.pdf
IAUC90N10S5N062ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC90N10S5N062ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0052 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD90N10S406ATMA1 INFN-S-A0001303655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N10S406ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 13960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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IPD90N06S4L06ATMA2 INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
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IQE030N06NM5SCATMA1 3795149.pdf
IQE030N06NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IQE030N06NM5SCATMA1 3795149.pdf
IQE030N06NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSX33M5U16E6327XTSA1 3758284.pdf
BGSX33M5U16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX33M5U16E6327XTSA1 - Kreuzschalter, Antenne, MIPI 2.1, 0.4 bis 7.125GHz, 38dBm, 1.65 bis 1.95V, 3P3T
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: 3P3T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: ULGA
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.41dB
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 7.125GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A991.g
Frequenzgang HF, min.: 400MHz
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2EDN7534FXTMA1 3685641.pdf
2EDN7534FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7534FXTMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: DSO
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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2EDN7533BXTSA1 3685641.pdf
2EDN7533BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7533BXTSA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 6 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe EiceDRIVER 2EDN753x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IMTA65R040M2HXTMA1 4265861.pdf
IMTA65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISZ143N13NM6ATMA1 4334672.pdf
ISZ143N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SMBD914E6327HTSA1 INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBD914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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SMBD914E6327HTSA1 INFNS10823-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMBD914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBD914E6327HTSA1 - Diodenmodul, 100 V, 250 mA, 1.25 V, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SMBD9
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 INFNS15016-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4H0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 10333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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6ED003L06F2XUMA1 2334680.pdf
6ED003L06F2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6ED003L06F2XUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 240mA, 13V bis 17.5V, DSO-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAT1704E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1704E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISSI30R11HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R11HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISSI30R12HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R12HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ISSI30R11HXUMA1 4127748.pdf
ISSI30R11HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI30R11HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ISSI20R02HXUMA1 4127748.pdf
ISSI20R02HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISSI20R02HXUMA1 - Digitaler Isolator, 1 Kanäle, 2.85 V, 3.5 V, DSO, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: CMOS
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5.7kVrms
Versorgungsspannung, min.: 2.85V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
Isolations-IC: Halbleiter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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S27KL0642DPBHI020 INFN-S-A0015373592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S27KL0642DPBHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S27KL0642DPBHI020 - DRAM, HyperRAM, 64MB, 8M x 8 Bit, 166MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 64Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: -
Zugriffszeit: 36ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 166MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 8M x 8 Bit
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7469TRPBF IRF7469TRPBF.PDF
IRF7469TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7469TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF7458TRPBF INFN-S-A0003645655-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7458TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF9335TRPBF INFN-S-A0012826305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 56 шт
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BTS612N1E3128ABUMA1 2820308.pdf
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS612N1E3128ABUMA1 - LEISTUNGSSCHALT HIGH-SIDE -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.16ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 34V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BB535E7904HTSA1 1849685.html
BB535E7904HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB535E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 20 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 20pF
Produktpalette: BB535
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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KITLGPWRBOM16TOBO1 4386889.pdf
KITLGPWRBOM16TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM16TOBO1 - Evaluationsboard, IPF021N13NM6, modulare Halbbrücken-Leistungs-PCB, MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Modulares Board mit Halbbrücken-Leistungs-MOSFET IPF021N13NM6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IPF021N13NM6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMT40R025M2HXTMA1 4384416.pdf
IMT40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 133A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344
IMBG40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R015M2HXTMA1 4384410.pdf
IMBG40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R025M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMT40R036M2HXTMA1 Infineon-IMT40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c5568a4d54
IMT40R036M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IMBG40R011M2HXTMA1 4384409.pdf
IMBG40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R015M2HXTMA1 4384415.pdf
IMT40R015M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT40R011M2HXTMA1 4384414.pdf
IMT40R011M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 144A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.