Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24873) > Сторінка 343 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAT54E6327HTSA1 BAT54E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT54E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.82 грн
1000+3.03 грн
5000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.02 грн
10+105.38 грн
100+75.33 грн
500+60.09 грн
1000+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.25 грн
200+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1 IPLK80R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1 IPP80R750P7XKSA1 INFINEON 2327430.pdf Description: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.38 грн
10+99.62 грн
100+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3GATMA1 INFINEON BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.194 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.194ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.18 грн
50+51.87 грн
250+45.61 грн
1000+32.49 грн
3000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1 IPLK60R600PFD7ATMA1 INFINEON 3542795.pdf Description: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.97 грн
10+82.33 грн
100+62.82 грн
500+49.62 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SPHXUMA1 BSO203SPHXUMA1 INFINEON 2577520.pdf Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.40 грн
14+60.76 грн
100+50.30 грн
500+41.89 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2 IPB90R340C3ATMA2 INFINEON Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.23 грн
10+312.85 грн
100+235.46 грн
500+202.59 грн
1000+186.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY23EP05SXI-1H CY23EP05SXI-1H INFINEON 2309547.pdf Description: INFINEON - CY23EP05SXI-1H - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-220MHz, 5 Ausgänge, 2.3V bis 3.6 V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5190QUXUMA1 TLD5190QUXUMA1 INFINEON INFN-S-A0004843252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5190QUXUMA1 - LED-Treiber, Boost, Buck, Buck-Boost, AEC-Q100, 1 Ausgang, 4.5V bis 40Vin, 55V, 300kHz, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 55V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: LITIX
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.59 грн
10+148.19 грн
25+144.08 грн
50+129.96 грн
100+116.44 грн
250+110.09 грн
500+107.26 грн
1000+103.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLD700216OTPPRGTOBO1 INFINEON 3812089.pdf Description: INFINEON - TLD700216OTPPRGTOBO1 - Board, OTP-Programmierer, WRITE/READ/EMULATE, LITIX Pixel Rear
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: OTP-Programmierer-Board
euEccn: NLR
Unterstützte Produktfamilien: LITIX Pixel Rear
Merkmale: 7x Chip-Select zum Programmieren von bis zu 7 Bausteinen im gleichen Bus
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43929.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304PNSBTOBO1 EVALAUDIOMA2304PNSBTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluation_board_EVAL_AUDIO_MA2304DNS_B_and_EVAL_AUDIO_MA2304PNS_B-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01894e562c0a37a9 Description: INFINEON - EVALAUDIOMA2304PNSBTOBO1 - Evaluationskit, MA2304PNS, Audio-Leistungsverstärker, Klasse D, Audio
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: MA2304PNS
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MA2304PNS, 3x Schnittstellenboard, Micro-USB-Kabel, Leistungsinduktivität
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21078.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 - Evaluationskit, MA2304DNS, Audio-Leistungsverstärker, Klasse D, Audio
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MA2304DNS
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MA2304DNS, 3x Schnittstellenboard, Micro-USB-Kabel, Leistungsinduktivität
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21185.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.14 грн
50+86.45 грн
250+73.44 грн
1000+55.04 грн
3000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 BSC072N04LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.45 грн
250+73.44 грн
1000+55.04 грн
3000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.02 грн
10+85.62 грн
100+66.19 грн
500+53.06 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.19 грн
500+53.06 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 INFINEON INFNS27302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.86 грн
5+268.39 грн
10+266.75 грн
50+245.40 грн
100+224.41 грн
250+220.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1 FF750R12ME7B11BPSA1 INFINEON 3517983.pdf Description: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16422.27 грн
5+16093.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1 FF750R17ME7DB11BPSA1 INFINEON 3739844.pdf Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14515.52 грн
5+14514.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 INFINEON INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.74 грн
50+69.98 грн
100+49.64 грн
500+38.30 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.93 грн
50+63.06 грн
100+45.61 грн
500+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.27 грн
13+66.52 грн
100+47.75 грн
500+38.00 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002220380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.20 грн
10+103.74 грн
100+74.26 грн
500+62.54 грн
1000+47.99 грн
5000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0049 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.42 грн
16+54.67 грн
100+38.78 грн
500+28.21 грн
1000+24.49 грн
5000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.91 грн
11+78.05 грн
100+56.07 грн
500+41.89 грн
1000+34.08 грн
5000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 IPD50N06S409ATMA2 INFINEON INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.64 грн
500+38.30 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1 IPD50R280CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002220380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.26 грн
500+62.54 грн
1000+47.99 грн
5000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.49 грн
50+48.66 грн
100+41.74 грн
500+31.73 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.15 грн
13+65.45 грн
100+46.85 грн
500+36.85 грн
1000+30.34 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.51 грн
500+53.82 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.28 грн
50+70.14 грн
100+60.92 грн
500+54.05 грн
1000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.74 грн
500+31.73 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 IPD50N03S2L06ATMA1 INFINEON INFNS09521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0051 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.08 грн
500+98.62 грн
1000+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 INFINEON 2354540.pdf Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.72 грн
13+64.30 грн
100+41.00 грн
500+31.80 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0 Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.98 грн
500+44.11 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 IPD50N04S410ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.85 грн
500+36.85 грн
1000+30.34 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0049 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.15 грн
500+39.22 грн
1000+34.01 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 IPD50R650CEAUMA1 INFINEON 2354540.pdf Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.00 грн
500+31.80 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 IPD50N06S2L13ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.92 грн
500+54.05 грн
1000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.83 грн
500+54.89 грн
1000+38.04 грн
5000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8 Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.87 грн
500+46.63 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.27 грн
12+72.04 грн
100+50.06 грн
500+37.00 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.06 грн
500+37.00 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.75 грн
13+67.26 грн
100+52.44 грн
500+35.01 грн
1000+26.32 грн
5000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.44 грн
500+35.01 грн
1000+26.32 грн
5000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON 3980138.pdf Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.48 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON 3980138.pdf Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.39 грн
16+52.53 грн
100+41.91 грн
500+33.48 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4BPSA1 FP50R12KT4BPSA1 INFINEON 2211632.pdf Description: INFINEON - FP50R12KT4BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6122.02 грн
5+5514.43 грн
10+4906.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B15BPSA1 FS50R12KT4B15BPSA1 INFINEON 2200747.pdf Description: INFINEON - FS50R12KT4B15BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6065.22 грн
5+5741.66 грн
10+5418.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4B11BPSA1 FP50R12KT4B11BPSA1 INFINEON 2354609.pdf Description: INFINEON - FP50R12KT4B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6247.99 грн
5+5607.47 грн
10+4966.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 INFINEON 3968296.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.61 грн
500+77.98 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 INFINEON 3968298.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.91 грн
500+89.45 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1 INFINEON 3968296.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.52 грн
10+163.84 грн
100+113.61 грн
500+77.98 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 INFINEON 3968298.pdf Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.34 грн
10+163.84 грн
100+116.91 грн
500+89.45 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 INFINEON 3674732.pdf Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.43 грн
10+215.70 грн
100+158.90 грн
500+141.43 грн
1000+124.20 грн
2000+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 INFINEON 3674732.pdf Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.90 грн
500+141.43 грн
1000+124.20 грн
2000+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49641MXTSA1 TLE49641MXTSA1 INFINEON INFNS19290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE49641MXTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Unipolar, 25 mA, SOT-23, 3 Pin(s), 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.11 грн
500+32.11 грн
1000+26.11 грн
2500+22.37 грн
5000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133TCBUMA1 BTS133TCBUMA1 INFINEON Infineon-BTS133TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b434dac161e7&fileId=db3a3043242ebc9e01242f40dc3f002b&ack=t Description: INFINEON - BTS133TCBUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 28A, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.45 грн
10+260.16 грн
25+242.05 грн
50+208.71 грн
100+177.13 грн
250+162.31 грн
500+146.78 грн
1000+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT54E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT54E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.82 грн
1000+3.03 грн
5000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.02 грн
10+105.38 грн
100+75.33 грн
500+60.09 грн
1000+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.25 грн
200+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1 Infineon-IPLK80R750P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1e37f02ed
IPLK80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R750P7XKSA1 2327430.pdf
IPP80R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.38 грн
10+99.62 грн
100+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
BSC22DN20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC22DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 7 A, 0.194 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.194ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.18 грн
50+51.87 грн
250+45.61 грн
1000+32.49 грн
3000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1 3542795.pdf
IPLK60R600PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK60R600PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.517 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.97 грн
10+82.33 грн
100+62.82 грн
500+49.62 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203SPHXUMA1 2577520.pdf
BSO203SPHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO203SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.40 грн
14+60.76 грн
100+50.30 грн
500+41.89 грн
1000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2 Infineon-IPB90R340C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336c52a950136c5c59ef500ad
IPB90R340C3ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+446.23 грн
10+312.85 грн
100+235.46 грн
500+202.59 грн
1000+186.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY23EP05SXI-1H 2309547.pdf
CY23EP05SXI-1H
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY23EP05SXI-1H - Taktpuffer, ohne Verzögerung, 10MHz-220MHz, 5 Ausgänge, 2.3V bis 3.6 V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktpuffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 5Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+964.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5190QUXUMA1 INFN-S-A0004843252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5190QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5190QUXUMA1 - LED-Treiber, Boost, Buck, Buck-Boost, AEC-Q100, 1 Ausgang, 4.5V bis 40Vin, 55V, 300kHz, TQFP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 55V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 300kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: LITIX
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.59 грн
10+148.19 грн
25+144.08 грн
50+129.96 грн
100+116.44 грн
250+110.09 грн
500+107.26 грн
1000+103.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLD700216OTPPRGTOBO1 3812089.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD700216OTPPRGTOBO1 - Board, OTP-Programmierer, WRITE/READ/EMULATE, LITIX Pixel Rear
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: OTP-Programmierer-Board
euEccn: NLR
Unterstützte Produktfamilien: LITIX Pixel Rear
Merkmale: 7x Chip-Select zum Programmieren von bis zu 7 Bausteinen im gleichen Bus
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+43929.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304PNSBTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_AUDIO_MA2304DNS_B_and_EVAL_AUDIO_MA2304PNS_B-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01894e562c0a37a9
EVALAUDIOMA2304PNSBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALAUDIOMA2304PNSBTOBO1 - Evaluationskit, MA2304PNS, Audio-Leistungsverstärker, Klasse D, Audio
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: MA2304PNS
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MA2304PNS, 3x Schnittstellenboard, Micro-USB-Kabel, Leistungsinduktivität
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21078.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1
EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALAUDIOMA2304DNSBTOBO1 - Evaluationskit, MA2304DNS, Audio-Leistungsverstärker, Klasse D, Audio
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MA2304DNS
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MA2304DNS, 3x Schnittstellenboard, Micro-USB-Kabel, Leistungsinduktivität
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Audio-Leistungsverstärker, Klasse D
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21185.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d
BSC072N04LDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.14 грн
50+86.45 грн
250+73.44 грн
1000+55.04 грн
3000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N04LDATMA1 Infineon-BSC072N04LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905d7c0180c4d
BSC072N04LDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC072N04LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.45 грн
250+73.44 грн
1000+55.04 грн
3000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.02 грн
10+85.62 грн
100+66.19 грн
500+53.06 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.19 грн
500+53.06 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 INFNS27302-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.86 грн
5+268.39 грн
10+266.75 грн
50+245.40 грн
100+224.41 грн
250+220.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1 3517983.pdf
FF750R12ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16422.27 грн
5+16093.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1 3739844.pdf
FF750R17ME7DB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 750A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14515.52 грн
5+14514.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.74 грн
50+69.98 грн
100+49.64 грн
500+38.30 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.93 грн
50+63.06 грн
100+45.61 грн
500+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.27 грн
13+66.52 грн
100+47.75 грн
500+38.00 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1 INFN-S-A0002220380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50R280CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.20 грн
10+103.74 грн
100+74.26 грн
500+62.54 грн
1000+47.99 грн
5000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N03S4L06ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0049 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.42 грн
16+54.67 грн
100+38.78 грн
500+28.21 грн
1000+24.49 грн
5000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.91 грн
11+78.05 грн
100+56.07 грн
500+41.89 грн
1000+34.08 грн
5000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S409ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.64 грн
500+38.30 грн
1000+32.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R280CEAUMA1 INFN-S-A0002220380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50R280CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R280CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.1 A, 0.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 6464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.26 грн
500+62.54 грн
1000+47.99 грн
5000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.49 грн
50+48.66 грн
100+41.74 грн
500+31.73 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.15 грн
13+65.45 грн
100+46.85 грн
500+36.85 грн
1000+30.34 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1 Infineon-IPD50P04P4_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3&ack=t
IPD50P04P413ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 23289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.51 грн
500+53.82 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.28 грн
50+70.14 грн
100+60.92 грн
500+54.05 грн
1000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon-IPD50N04S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c87fdc25e50&ack=t
IPD50N04S4L08ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 25068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.74 грн
500+31.73 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S2L06ATMA1 INFNS09521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50N03S2L06ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S2L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0051 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.08 грн
500+98.62 грн
1000+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 2354540.pdf
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.72 грн
13+64.30 грн
100+41.00 грн
500+31.80 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon-IPD50N06S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203885cc580ca0
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0096 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.98 грн
500+44.11 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S410ATMA1 Infineon-IPD50N04S4_10-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c862acb5e4b&ack=t
IPD50N04S410ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.85 грн
500+36.85 грн
1000+30.34 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N03S4L06ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N03S4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0049 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.15 грн
500+39.22 грн
1000+34.01 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R650CEAUMA1 2354540.pdf
IPD50R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.00 грн
500+31.80 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon-IPD50N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e8e55e1a
IPD50N06S2L13ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S2L13ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.92 грн
500+54.05 грн
1000+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA2 Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
IPD50P04P413ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.83 грн
500+54.89 грн
1000+38.04 грн
5000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon-IPD50P03P4L-11-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8
IPD50P03P4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.87 грн
500+46.63 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.27 грн
12+72.04 грн
100+50.06 грн
500+37.00 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S214ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 50 A, 0.0108 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.06 грн
500+37.00 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t
IPD50P03P4L11ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.75 грн
13+67.26 грн
100+52.44 грн
500+35.01 грн
1000+26.32 грн
5000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon-IPD50P03P4L_11-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ebbe0127e8&ack=t
IPD50P03P4L11ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P03P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.44 грн
500+35.01 грн
1000+26.32 грн
5000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 3980138.pdf
IRF8910TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+33.48 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 3980138.pdf
IRF8910TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8910TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0107 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0107ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+63.39 грн
16+52.53 грн
100+41.91 грн
500+33.48 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4BPSA1 2211632.pdf
FP50R12KT4BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KT4BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6122.02 грн
5+5514.43 грн
10+4906.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B15BPSA1 2200747.pdf
FS50R12KT4B15BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12KT4B15BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6065.22 грн
5+5741.66 грн
10+5418.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12KT4B11BPSA1 2354609.pdf
FP50R12KT4B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KT4B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6247.99 грн
5+5607.47 грн
10+4966.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 3968296.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.61 грн
500+77.98 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 3968298.pdf
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.91 грн
500+89.45 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1 3968296.pdf
IQE022N06LM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.52 грн
10+163.84 грн
100+113.61 грн
500+77.98 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1 3968298.pdf
IQE022N06LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.34 грн
10+163.84 грн
100+116.91 грн
500+89.45 грн
1000+79.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1 3674732.pdf
ISC010N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+347.43 грн
10+215.70 грн
100+158.90 грн
500+141.43 грн
1000+124.20 грн
2000+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N06NM5ATMA1 3674732.pdf
ISC010N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00087ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+158.90 грн
500+141.43 грн
1000+124.20 грн
2000+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49641MXTSA1 INFNS19290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE49641MXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49641MXTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Unipolar, 25 mA, SOT-23, 3 Pin(s), 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.11 грн
500+32.11 грн
1000+26.11 грн
2500+22.37 грн
5000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133TCBUMA1 Infineon-BTS133TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b434dac161e7&fileId=db3a3043242ebc9e01242f40dc3f002b&ack=t
BTS133TCBUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS133TCBUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 28A, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+277.45 грн
10+260.16 грн
25+242.05 грн
50+208.71 грн
100+177.13 грн
250+162.31 грн
500+146.78 грн
1000+131.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 338 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]