Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 353 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
TLE75242ESHDBTOBO1 TLE75242ESHDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75242ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3807.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75080ESHDBTOBO1 TLE75080ESHDBTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-SPIDERPLUSMB_EVAL-UserManual-v01-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f012e5244eaa Description: INFINEON - TLE75080ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4011.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHDBTOBO1 TLE75602ESHDBTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-SPIDERPLUSMB_EVAL-UserManual-v01-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f012e5244eaa Description: INFINEON - TLE75602ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75008ESDDBTOBO1 TLE75008ESDDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75008ESDDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3063.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75620ESTDBTOBO1 TLE75620ESTDBTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLE75620ESTDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7BPSA1 FP50R12W2T7BPSA1 INFINEON 3797060.pdf Description: INFINEON - FP50R12W2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4069.55 грн
5+3515.32 грн
10+2961.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 IAUAN04S7N005AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N005-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f19068b361215 Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.43 грн
10+199.00 грн
100+139.79 грн
500+111.48 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB160N75CP2AKSA1 IKQB160N75CP2AKSA1 INFINEON 3961592.pdf Description: INFINEON - IKQB160N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 750 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.88 грн
5+516.40 грн
10+402.93 грн
50+366.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CH7XKSA1 IKQ75N120CH7XKSA1 INFINEON Infineon-IKQ75N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a14ad72d65 Description: INFINEON - IKQ75N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.92 грн
5+815.72 грн
10+792.69 грн
50+560.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CS7XKSA1 IKQ120N120CS7XKSA1 INFINEON 4162920.pdf Description: INFINEON - IKQ120N120CS7XKSA1 - IGBT, 216 A, 1.65 V, 1.004 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.004kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 216A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1054.18 грн
5+927.55 грн
10+800.92 грн
50+691.79 грн
100+589.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N65EH7XKSA1 IKQ120N65EH7XKSA1 INFINEON 3983229.pdf Description: INFINEON - IKQ120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+649.61 грн
5+542.72 грн
10+435.82 грн
50+397.82 грн
100+360.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB120N75CP2AKSA1 IKQB120N75CP2AKSA1 INFINEON 3961591.pdf Description: INFINEON - IKQB120N75CP2AKSA1 - IGBT, 150 A, 1.4 V, 577 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 577W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+693.20 грн
5+671.82 грн
10+649.61 грн
50+371.09 грн
100+305.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 IKQ150N65EH7XKSA1 INFINEON 3983230.pdf Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 621W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.85 грн
5+682.51 грн
10+521.34 грн
50+474.17 грн
100+429.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS7XKSA1 IKQ75N120CS7XKSA1 INFINEON Infineon-IKQ75N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a559ec887495 Description: INFINEON - IKQ75N120CS7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 154A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.31 грн
5+939.88 грн
10+908.64 грн
50+594.05 грн
100+470.12 грн
250+469.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 IPA030N10NF2SXKSA1 INFINEON 3328477.pdf Description: INFINEON - IPA030N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 2600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.46 грн
10+186.66 грн
100+169.39 грн
500+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL7141XUMA1 6EDL7141XUMA1 INFINEON 3668053.pdf Description: INFINEON - 6EDL7141XUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 48 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 6EDL7141 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.71 грн
10+415.26 грн
25+396.35 грн
50+344.37 грн
100+295.32 грн
250+281.93 грн
500+257.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+272.18 грн
10+137.32 грн
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 INFINEON 3737949.pdf Description: INFINEON - IPA60R600P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.01 грн
10+94.56 грн
100+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9351VSJXTMA1 TLE9351VSJXTMA1 INFINEON 3629256.pdf Description: INFINEON - TLE9351VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.77 грн
250+57.80 грн
500+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350VSJXTMA1 TLE9350VSJXTMA1 INFINEON 3629255.pdf Description: INFINEON - TLE9350VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.47 грн
250+43.70 грн
500+41.94 грн
1000+39.61 грн
2500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 INFINEON INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.81 грн
16+53.37 грн
100+39.39 грн
500+30.77 грн
1000+25.23 грн
5000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7BOMA1 FP15R12W1T7BOMA1 INFINEON 3542779.pdf Description: INFINEON - FP15R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3049.08 грн
5+2845.15 грн
10+2641.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27 Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 IPB015N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27 Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.28 грн
10+102.79 грн
100+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+223.66 грн
50+148.84 грн
250+120.06 грн
1000+83.23 грн
2000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.84 грн
250+120.06 грн
1000+83.23 грн
2000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON 2255439.pdf Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+77.30 грн
12000+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON IPx80N03S4L-03%2C04.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.31 грн
10+145.55 грн
100+117.59 грн
500+85.52 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N03S4L03ATMA1 INFINEON IPx80N03S4L-03%2C04.pdf Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.59 грн
500+85.52 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1 Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON INFNS15601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.52 грн
250+40.62 грн
1000+33.67 грн
3000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.80 грн
500+49.86 грн
1000+44.19 грн
5000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1 IPG20N06S4L11ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.99 грн
10+97.85 грн
100+70.80 грн
500+49.86 грн
1000+44.19 грн
5000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.19 грн
11+78.53 грн
100+61.10 грн
500+44.59 грн
1000+36.72 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.41 грн
500+40.16 грн
1000+33.90 грн
5000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 INFINEON INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.61 грн
500+32.30 грн
1000+26.85 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1 IPG20N06S2L50ATMA1 INFINEON INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.32 грн
15+57.48 грн
100+41.61 грн
500+32.30 грн
1000+26.85 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.11 грн
50+130.75 грн
250+89.63 грн
1000+57.57 грн
3000+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 IPG20N06S4L11ATMA2 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.75 грн
250+89.63 грн
1000+57.57 грн
3000+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 INFINEON IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.25 грн
500+42.68 грн
1000+34.96 грн
5000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987 Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.09 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+209.69 грн
500+186.31 грн
1000+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415AATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570 Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
10+89.63 грн
100+64.39 грн
500+46.50 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 IPG20N06S415AATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570 Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.50 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF INFINEON INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.21 грн
250+62.82 грн
1000+42.84 грн
3000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15V104QSN-108SXI CY15V104QSN-108SXI INFINEON INFN-S-A0016371515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15V104QSN-108SXI - FRAM, 4MB, QSPI, 108MHz, 1.71V bis 1.89V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: QSPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 108MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 1.89V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2691.38 грн
5+2355.06 грн
10+1951.31 грн
25+1624.86 грн
50+1384.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V020-SGTR FM28V020-SGTR INFINEON INFN-S-A0014514233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM28V020-SGTR - FRAM, 256kB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 32K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.57 грн
10+883.15 грн
25+856.01 грн
50+775.78 грн
100+698.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.80 грн
10+418.55 грн
25+406.21 грн
50+368.04 грн
100+331.97 грн
250+329.86 грн
500+321.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.57 грн
10+411.15 грн
25+389.77 грн
50+357.35 грн
100+325.63 грн
250+315.06 грн
500+308.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 INFINEON Infineon-SPOC_Application_UserManual-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163ee3784416c4c Description: INFINEON - SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4523.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1 IQE006NE2LM5SCATMA1 INFINEON 3795145.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.00 грн
10+134.03 грн
100+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1 IQE006NE2LM5SCATMA1 INFINEON 3795145.pdf Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.00 грн
10+134.03 грн
100+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47 Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGNFI003 S25FL256SAGNFI003 INFINEON INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.87 грн
10+263.96 грн
25+256.56 грн
50+220.67 грн
100+198.76 грн
250+192.42 грн
500+187.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1 IAUAN04S7N004AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212 Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.04 грн
10+264.78 грн
100+207.22 грн
500+161.11 грн
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 IAUAN04S7N006AUMA1 INFINEON Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218 Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.60 грн
10+181.73 грн
100+147.19 грн
500+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1 IAUAN04S7N008AUMA1 INFINEON 4256787.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.77 грн
10+143.90 грн
100+114.30 грн
500+94.68 грн
1000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1 IAUAN04S7N007AUMA1 INFINEON 4256786.pdf Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.66 грн
10+152.12 грн
100+115.94 грн
500+92.39 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.68 грн
10+111.01 грн
100+75.65 грн
500+55.43 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF120R12W2H3B27BOMA1 DF120R12W2H3B27BOMA1 INFINEON INFNS28137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V
Verlustleistung Pd: 180W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2602.57 грн
5+2235.82 грн
10+1869.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75242ESHDBTOBO1
TLE75242ESHDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75242ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3807.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75080ESHDBTOBO1 Infineon-Infineon-SPIDERPLUSMB_EVAL-UserManual-v01-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f012e5244eaa
TLE75080ESHDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75080ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4011.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESHDBTOBO1 Infineon-Infineon-SPIDERPLUSMB_EVAL-UserManual-v01-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180f012e5244eaa
TLE75602ESHDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75602ESHDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75008ESDDBTOBO1
TLE75008ESDDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75008ESDDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3063.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75620ESTDBTOBO1
TLE75620ESTDBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE75620ESTDBTOBO1 - Tochterplatine, SPIDER+-Hauptplatinen, SPI-Treiber-Relaissteuerung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPIDER+ von Infineon
Produktpalette: -
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7BPSA1 3797060.pdf
FP50R12W2T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12W2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4069.55 грн
5+3515.32 грн
10+2961.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N005AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N005-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f19068b361215
IAUAN04S7N005AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 510 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+303.43 грн
10+199.00 грн
100+139.79 грн
500+111.48 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB160N75CP2AKSA1 3961592.pdf
IKQB160N75CP2AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQB160N75CP2AKSA1 - IGBT, 200 A, 1.4 V, 750 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+629.88 грн
5+516.40 грн
10+402.93 грн
50+366.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CH7XKSA1 Infineon-IKQ75N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a14ad72d65
IKQ75N120CH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ75N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 549 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 549W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+837.92 грн
5+815.72 грн
10+792.69 грн
50+560.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N120CS7XKSA1 4162920.pdf
IKQ120N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N120CS7XKSA1 - IGBT, 216 A, 1.65 V, 1.004 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.004kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 216A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1054.18 грн
5+927.55 грн
10+800.92 грн
50+691.79 грн
100+589.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N65EH7XKSA1 3983229.pdf
IKQ120N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 498 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 498W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+649.61 грн
5+542.72 грн
10+435.82 грн
50+397.82 грн
100+360.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQB120N75CP2AKSA1 3961591.pdf
IKQB120N75CP2AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQB120N75CP2AKSA1 - IGBT, 150 A, 1.4 V, 577 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 577W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+693.20 грн
5+671.82 грн
10+649.61 грн
50+371.09 грн
100+305.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ150N65EH7XKSA1 3983230.pdf
IKQ150N65EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ150N65EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.4 V, 621 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 621W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+842.85 грн
5+682.51 грн
10+521.34 грн
50+474.17 грн
100+429.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ75N120CS7XKSA1 Infineon-IKQ75N120CS7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a559ec887495
IKQ75N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ75N120CS7XKSA1 - IGBT, 154 A, 1.65 V, 630 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 154A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+970.31 грн
5+939.88 грн
10+908.64 грн
50+594.05 грн
100+470.12 грн
250+469.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10NF2SXKSA1 3328477.pdf
IPA030N10NF2SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA030N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 2600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+363.46 грн
10+186.66 грн
100+169.39 грн
500+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL7141XUMA1 3668053.pdf
6EDL7141XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL7141XUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 48 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 6EDL7141 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+505.71 грн
10+415.26 грн
25+396.35 грн
50+344.37 грн
100+295.32 грн
250+281.93 грн
500+257.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 INFN-S-A0004583470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R190C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+272.18 грн
10+137.32 грн
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 3737949.pdf
IPA60R600P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R600P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+148.01 грн
10+94.56 грн
100+65.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9351VSJXTMA1 3629256.pdf
TLE9351VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9351VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+71.77 грн
250+57.80 грн
500+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350VSJXTMA1 3629255.pdf
TLE9350VSJXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9350VSJXTMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+50.47 грн
250+43.70 грн
500+41.94 грн
1000+39.61 грн
2500+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6ATMA1 INFNS22476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R1K4C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.81 грн
16+53.37 грн
100+39.39 грн
500+30.77 грн
1000+25.23 грн
5000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T7BOMA1 3542779.pdf
FP15R12W1T7BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP15R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 15 A, 1.6 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 15A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3049.08 грн
5+2845.15 грн
10+2641.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27
IPB015N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon-IPB015N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67bcc63b27
IPB015N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+165.28 грн
10+102.79 грн
100+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+223.66 грн
50+148.84 грн
250+120.06 грн
1000+83.23 грн
2000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 38007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+148.84 грн
250+120.06 грн
1000+83.23 грн
2000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR 2255439.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7341QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+77.30 грн
12000+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPx80N03S4L-03%2C04.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+188.31 грн
10+145.55 грн
100+117.59 грн
500+85.52 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L03ATMA1 IPx80N03S4L-03%2C04.pdf
IPB80N03S4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N03S4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+117.59 грн
500+85.52 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 Infineon-IDW40G65C5B-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e451799b149e1
IDW40G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1078.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 INFNS15601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N06S4L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.52 грн
250+40.62 грн
1000+33.67 грн
3000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
IPG20N06S4L11ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+70.80 грн
500+49.86 грн
1000+44.19 грн
5000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
IPG20N06S4L11ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.99 грн
10+97.85 грн
100+70.80 грн
500+49.86 грн
1000+44.19 грн
5000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+110.19 грн
11+78.53 грн
100+61.10 грн
500+44.59 грн
1000+36.72 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t
IPG20N06S2L35ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+56.41 грн
500+40.16 грн
1000+33.90 грн
5000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1 INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N06S2L50ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+41.61 грн
500+32.30 грн
1000+26.85 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1 INFNS13551-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPG20N06S2L50ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+100.32 грн
15+57.48 грн
100+41.61 грн
500+32.30 грн
1000+26.85 грн
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
IPG20N06S4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+203.11 грн
50+130.75 грн
250+89.63 грн
1000+57.57 грн
3000+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2 Infineon-IPG20N06S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf66f8b06c1e
IPG20N06S4L11ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+130.75 грн
250+89.63 грн
1000+57.57 грн
3000+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+56.25 грн
500+42.68 грн
1000+34.96 грн
5000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1 Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987
IPL60R104C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R104C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.09 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+209.69 грн
500+186.31 грн
1000+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570
IPG20N06S415AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.52 грн
10+89.63 грн
100+64.39 грн
500+46.50 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1 Infineon-IPG20N06S4-15A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01508026e8d06570
IPG20N06S415AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+46.50 грн
1000+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1018ETRPBF INFN-S-A0012838608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR1018ETRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+96.21 грн
250+62.82 грн
1000+42.84 грн
3000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15V104QSN-108SXI INFN-S-A0016371515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15V104QSN-108SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15V104QSN-108SXI - FRAM, 4MB, QSPI, 108MHz, 1.71V bis 1.89V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: QSPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 108MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 1.89V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2691.38 грн
5+2355.06 грн
10+1951.31 грн
25+1624.86 грн
50+1384.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V020-SGTR INFN-S-A0014514233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM28V020-SGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V020-SGTR - FRAM, 256kB, parallel, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 32K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+950.57 грн
10+883.15 грн
25+856.01 грн
50+775.78 грн
100+698.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM16W08-SGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+449.80 грн
10+418.55 грн
25+406.21 грн
50+368.04 грн
100+331.97 грн
250+329.86 грн
500+321.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR CYPR-S-A0001416961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM16W08-SGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM16W08-SGTR - FRAM, 64kB, Parallel, 5.5V bis 2.7V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+441.57 грн
10+411.15 грн
25+389.77 грн
50+357.35 грн
100+325.63 грн
250+315.06 грн
500+308.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 Infineon-SPOC_Application_UserManual-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163ee3784416c4c
SPOC2DBBTS722204ESATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS722204ESATOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4523.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1 3795145.pdf
IQE006NE2LM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.00 грн
10+134.03 грн
100+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1 3795145.pdf
IQE006NE2LM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.00 грн
10+134.03 грн
100+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CGSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c82701863e47
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+307.54 грн
10+200.64 грн
100+139.79 грн
500+106.13 грн
1000+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256SAGNFI003 INFN-S-A0017271249-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGNFI003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFI003 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+282.87 грн
10+263.96 грн
25+256.56 грн
50+220.67 грн
100+198.76 грн
250+192.42 грн
500+187.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N004AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N004-Data-Sheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f190682281212
IAUAN04S7N004AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N004AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 390 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+407.04 грн
10+264.78 грн
100+207.22 грн
500+161.11 грн
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N006AUMA1 Infineon-IAUAN04S7N006-DataSheet-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f1906a25b1218
IAUAN04S7N006AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 570 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+228.60 грн
10+181.73 грн
100+147.19 грн
500+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N008AUMA1 4256787.pdf
IAUAN04S7N008AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N008AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 820 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+190.77 грн
10+143.90 грн
100+114.30 грн
500+94.68 грн
1000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUAN04S7N007AUMA1 4256786.pdf
IAUAN04S7N007AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUAN04S7N007AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 720 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+223.66 грн
10+152.12 грн
100+115.94 грн
500+92.39 грн
1000+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 Infineon-IGB20N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec81bcaeb2fee
IGB20N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N65S5ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+172.68 грн
10+111.01 грн
100+75.65 грн
500+55.43 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF120R12W2H3B27BOMA1 INFNS28137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF120R12W2H3B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V
Verlustleistung Pd: 180W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2602.57 грн
5+2235.82 грн
10+1869.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 348 349 350 351 352 353 354 355 356 357 358 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]