Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24518) > Сторінка 345 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 INFINEON Infineon-IST011N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa91e7c17ec7 Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.12 грн
10+212.08 грн
100+151.37 грн
500+130.04 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.77 грн
250+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+169.87 грн
250+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP INFINEON INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.28 грн
500+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 WCDSC006XUMA1 INFINEON INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.76 грн
13+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 WCDSC006XUMA1 INFINEON INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSON
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.46 грн
10+184.56 грн
50+182.94 грн
200+167.62 грн
500+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPB144N12N3GATMA1 INFINEON IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.37 грн
10+126.28 грн
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPB144N12N3GATMA1 INFINEON IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 IPD35N12S3L24ATMA1 INFINEON Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.71 грн
10+97.14 грн
100+71.80 грн
500+56.52 грн
1000+40.03 грн
5000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.99 грн
500+202.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.99 грн
10+205.61 грн
100+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 IPD35N12S3L24ATMA1 INFINEON Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.80 грн
500+56.52 грн
1000+40.03 грн
5000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 INFINEON INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.94 грн
200+167.62 грн
500+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.42 грн
250+71.56 грн
1000+62.01 грн
5000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.07 грн
500+42.47 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 IPD30N12S3L31ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2 Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.23 грн
12+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.66 грн
10+117.37 грн
100+88.23 грн
500+66.30 грн
1000+57.10 грн
5000+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 TLS205B0LDV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224 Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 20V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 500mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSON-EP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 5.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 350mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.15 грн
250+48.71 грн
500+46.83 грн
1000+45.31 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON 2576639.pdf Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.12 грн
10+294.65 грн
100+252.56 грн
500+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1 INFINEON 2576639.pdf Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+294.65 грн
100+252.56 грн
500+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 INFINEON 3437297.pdf Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.23 грн
50+101.99 грн
250+77.31 грн
1000+60.21 грн
3000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 INFINEON 3437297.pdf Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.99 грн
250+77.31 грн
1000+60.21 грн
3000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON 3328488.pdf Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+223.42 грн
500+194.68 грн
1000+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1 ISC0603NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0603NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd473cc46d80 Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.33 грн
10+88.23 грн
100+75.04 грн
500+63.29 грн
1000+50.72 грн
5000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1 ISC0603NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISC0603NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd473cc46d80 Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+63.29 грн
1000+50.72 грн
5000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
KP464XTMA1 KP464XTMA1 INFINEON 3982056.pdf Description: INFINEON - KP464XTMA1 - Drucksensor, XENSIV, Absolutdruck, 40 kPa, 115 kPa, 3 V, 5.25 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q103
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
Bauform - Sensor: DFN
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 40kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.70 грн
10+158.66 грн
25+149.75 грн
50+130.04 грн
100+115.18 грн
250+110.32 грн
500+105.46 грн
1000+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
KP466XTMA1 KP466XTMA1 INFINEON 3982057.pdf Description: INFINEON - KP466XTMA1 - Drucksensor, XENSIV, Absolutdruck, 60 kPa, 165 kPa, 3 V, 5.25 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q103
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 165kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
Bauform - Sensor: DFN
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 60kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.61 грн
10+151.37 грн
25+143.28 грн
50+124.78 грн
100+109.63 грн
250+105.46 грн
500+100.61 грн
1000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
KP466XTMA1 KP466XTMA1 INFINEON 3982057.pdf Description: INFINEON - KP466XTMA1 - Drucksensor, XENSIV, Absolutdruck, 60 kPa, 165 kPa, 3 V, 5.25 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q103
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 165kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
Bauform - Sensor: DFN
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 60kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.63 грн
250+105.46 грн
500+100.61 грн
1000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3XKSA2 INFINEON INFN-S-A0004583437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.75 грн
10+164.32 грн
100+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR1580VJZXKLA1 ICE3AR1580VJZXKLA1 INFINEON 4098594.pdf Description: INFINEON - ICE3AR1580VJZXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback, 10.5V bis 25V Eingangsspannung, 57W, 100kHz, DIP-7
tariffCode: 85423119
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 57W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.80 грн
10+127.09 грн
50+109.28 грн
100+96.21 грн
250+83.95 грн
500+80.49 грн
1000+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 INFINEON 2849734.pdf Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.66 грн
50+83.38 грн
250+62.49 грн
1000+45.85 грн
3000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 INFINEON 2849734.pdf Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.38 грн
250+62.49 грн
1000+45.85 грн
3000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 INFINEON 2849738.pdf Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.55 грн
500+49.68 грн
1000+36.91 грн
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 INFINEON 2849738.pdf Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.57 грн
11+77.87 грн
100+60.55 грн
500+49.68 грн
1000+36.91 грн
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7002VH6327XTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7002VH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA427H6327XTSA1 BGA427H6327XTSA1 INFINEON 1932178.pdf Description: INFINEON - BGA427H6327XTSA1 - IC, HF-Verstärker, 18.5dB Verstärkung / 2.2dB Rauschzahl, DC bis 3GHz, 2V-5V Versorgung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.2dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 7dBm
Verstärkung: 18.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0Hz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 3GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 0Hz
Versorgungsspannung, max.: 5V
Frequenz, max.: 3GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 18.5dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.98 грн
500+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67 Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.25 грн
10+349.69 грн
100+258.22 грн
500+217.98 грн
1000+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON IKW20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8cf069f1f0a Description: INFINEON - IKW20N60H3FKSA1 - IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.70 грн
10+263.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON 2332240.pdf Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.47 грн
200+78.92 грн
500+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1 IPF023N08NF2SATMA1 INFINEON 3812013.pdf Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1 IPF023N08NF2SATMA1 INFINEON 3812013.pdf Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.08 грн
10+195.89 грн
100+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFI013 S70FL01GSAGMFI013 INFINEON Infineon-S70FL01GS_1_Gbit_(128_Mbyte)_3.0V_SPI_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb3adf5e12&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_2_3_1 Description: INFINEON - S70FL01GSAGMFI013 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, SPI, SOIC
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1179.41 грн
10+1094.41 грн
25+1060.41 грн
50+884.70 грн
100+795.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 F411MR12W2M1HPB76BPSA1 INFINEON 4130647.pdf Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13390.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HB70BPSA1 F411MR12W2M1HB70BPSA1 INFINEON 4130646.pdf Description: INFINEON - F411MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11497.81 грн
5+11267.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.63 грн
250+45.98 грн
1000+29.46 грн
3000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 INFINEON 3154612.pdf Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.75 грн
10+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 INFINEON 3154612.pdf Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 INFINEON INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.38 грн
500+39.76 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.11 грн
500+20.97 грн
1000+15.89 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB4347-BZXC CYUSB4347-BZXC INFINEON 4092642.pdf Description: INFINEON - CYUSB4347-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 3 V, 3.6 V, LFBGA, 192 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Anschlüsse: 7Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 192Pin(s)
Übertragungsrate: 10Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1469.20 грн
5+1351.02 грн
10+1178.60 грн
25+1056.08 грн
50+955.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV552AUMA1 TLE4473GV552AUMA1 INFINEON Infineon-TLE4473G%20V55-2-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72b2501f36 Description: INFINEON - TLE4473GV552AUMA1 - IC, LDO-Festspannungsregler, 2 Ausgänge, 5.6V bis 42Vin, 0.3V Dropout, 0.3Aout, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 4.875V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.125V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.6V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.65 грн
10+248.51 грн
25+229.08 грн
50+202.95 грн
100+177.62 грн
250+168.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7B11NPSA1 FF900R12ME7B11NPSA1 INFINEON 3092697.pdf Description: INFINEON - FF900R12ME7B11NPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20796.27 грн
5+18197.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R17ME7WB11BPSA1 FF900R17ME7WB11BPSA1 INFINEON 4148553.pdf Description: INFINEON - FF900R17ME7WB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 800 A, 1.67 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.67V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41645.96 грн
5+40078.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R17ME7B11BPSA1 FF900R17ME7B11BPSA1 INFINEON 3739845.pdf Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20627.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.14 грн
250+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103SPBF IRS2103SPBF INFINEON 3121106.pdf Description: INFINEON - IRS2103SPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 600mAout Spitze, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.18 грн
10+111.71 грн
50+91.47 грн
100+74.71 грн
250+66.40 грн
500+62.38 грн
1000+57.38 грн
2500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON 4013649.pdf Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+239.61 грн
50+151.37 грн
250+104.42 грн
1000+81.18 грн
3000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.00 грн
500+66.82 грн
1000+59.11 грн
5000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 Infineon-IST011N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa91e7c17ec7
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.12 грн
10+212.08 грн
100+151.37 грн
500+130.04 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF INFN-S-A0012838297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3006TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3006TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.77 грн
250+110.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF INFN-S-A0012838786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3107TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.87 грн
250+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP INFN-S-A0002297198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS38N20DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS38N20DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 43 A, 0.054 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.28 грн
500+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WCDSC006XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.76 грн
13+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WCDSC006XUMA1 INFN-S-A0010773126-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WCDSC006XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WCDSC006XUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 4A, 4.75V-5.5V, 40ns Verzögerung, WSON-10, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSON
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.46 грн
10+184.56 грн
50+182.94 грн
200+167.62 грн
500+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPB144N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.37 грн
10+126.28 грн
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
IPB144N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB144N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf
IPD35N12S3L24ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.71 грн
10+97.14 грн
100+71.80 грн
500+56.52 грн
1000+40.03 грн
5000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 2849742.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+237.99 грн
500+202.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 2849742.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.99 грн
10+205.61 грн
100+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N12S3L24ATMA1 Infineon-IPD35N12S3L-24-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0752f7fdf
IPD35N12S3L24ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD35N12S3L24ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.80 грн
500+56.52 грн
1000+40.03 грн
5000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFNS29924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB038N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.94 грн
200+167.62 грн
500+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.42 грн
250+71.56 грн
1000+62.01 грн
5000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2
IPD30N12S3L31ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.07 грн
500+42.47 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N12S3L31ATMA1 Infineon-IPD30N12S3L-31-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158bae780ec7fd2
IPD30N12S3L31ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N12S3L31ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 30 A, 0.026 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.23 грн
12+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.66 грн
10+117.37 грн
100+88.23 грн
500+66.30 грн
1000+57.10 грн
5000+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224
TLS205B0LDV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 20V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 500mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSON-EP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 5.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 350mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.15 грн
250+48.71 грн
500+46.83 грн
1000+45.31 грн
2500+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 2576639.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.12 грн
10+294.65 грн
100+252.56 грн
500+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R080P7ATMA1 2576639.pdf
IPB60R080P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R080P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+294.65 грн
100+252.56 грн
500+212.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 3437297.pdf
ISC0802NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.23 грн
50+101.99 грн
250+77.31 грн
1000+60.21 грн
3000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0802NLSATMA1 3437297.pdf
ISC0802NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0802NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.99 грн
250+77.31 грн
1000+60.21 грн
3000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 3328488.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+223.42 грн
500+194.68 грн
1000+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1 Infineon-ISC0603NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd473cc46d80
ISC0603NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.33 грн
10+88.23 грн
100+75.04 грн
500+63.29 грн
1000+50.72 грн
5000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0603NLSATMA1 Infineon-ISC0603NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd473cc46d80
ISC0603NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0603NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 56 A, 0.0085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+63.29 грн
1000+50.72 грн
5000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
KP464XTMA1 3982056.pdf
KP464XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP464XTMA1 - Drucksensor, XENSIV, Absolutdruck, 40 kPa, 115 kPa, 3 V, 5.25 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q103
Druckmessung: Absolutdruck
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 115kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
Bauform - Sensor: DFN
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 40kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.70 грн
10+158.66 грн
25+149.75 грн
50+130.04 грн
100+115.18 грн
250+110.32 грн
500+105.46 грн
1000+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
KP466XTMA1 3982057.pdf
KP466XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP466XTMA1 - Drucksensor, XENSIV, Absolutdruck, 60 kPa, 165 kPa, 3 V, 5.25 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q103
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 165kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
Bauform - Sensor: DFN
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 60kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.61 грн
10+151.37 грн
25+143.28 грн
50+124.78 грн
100+109.63 грн
250+105.46 грн
500+100.61 грн
1000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
KP466XTMA1 3982057.pdf
KP466XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP466XTMA1 - Drucksensor, XENSIV, Absolutdruck, 60 kPa, 165 kPa, 3 V, 5.25 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: ±1kPa
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q103
Druckmessung: Absolutdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 165kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
Bauform - Sensor: DFN
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q103
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 60kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.63 грн
250+105.46 грн
500+100.61 грн
1000+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3XKSA2 INFN-S-A0004583437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA11N80C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA11N80C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.75 грн
10+164.32 грн
100+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR1580VJZXKLA1 4098594.pdf
ICE3AR1580VJZXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3AR1580VJZXKLA1 - AC/DC-Wandler, Flyback, 10.5V bis 25V Eingangsspannung, 57W, 100kHz, DIP-7
tariffCode: 85423119
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 57W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.80 грн
10+127.09 грн
50+109.28 грн
100+96.21 грн
250+83.95 грн
500+80.49 грн
1000+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 2849734.pdf
BSC065N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.66 грн
50+83.38 грн
250+62.49 грн
1000+45.85 грн
3000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 2849734.pdf
BSC065N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 64 A, 6500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.38 грн
250+62.49 грн
1000+45.85 грн
3000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 2849738.pdf
BSZ065N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.55 грн
500+49.68 грн
1000+36.91 грн
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 2849738.pdf
BSZ065N06LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.57 грн
11+77.87 грн
100+60.55 грн
500+49.68 грн
1000+36.91 грн
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 45894.pdf
BAS7002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7002VH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA427H6327XTSA1 1932178.pdf
BGA427H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA427H6327XTSA1 - IC, HF-Verstärker, 18.5dB Verstärkung / 2.2dB Rauschzahl, DC bis 3GHz, 2V-5V Versorgung, SOT-343-4
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 2.2dB
Bauform - HF-IC: SOT-343
Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung (OIP3), typ.: 7dBm
Verstärkung: 18.5dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-343
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 0Hz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 3GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 0Hz
Versorgungsspannung, max.: 5V
Frequenz, max.: 3GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Verstärkung, typ.: 18.5dB
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.98 грн
500+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LFATMA1 Infineon-IPB020N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b253d4c3c67
IPB020N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+534.25 грн
10+349.69 грн
100+258.22 грн
500+217.98 грн
1000+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8cf069f1f0a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW20N60H3FKSA1 - IGBT, 20 A, 2.4 V, 170 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.70 грн
10+263.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 2332240.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.47 грн
200+78.92 грн
500+65.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1 3812013.pdf
IPF023N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPF023N08NF2SATMA1 3812013.pdf
IPF023N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF023N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 209 A, 0.002 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.08 грн
10+195.89 грн
100+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFI013 Infineon-S70FL01GS_1_Gbit_(128_Mbyte)_3.0V_SPI_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0edb3adf5e12&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_2_3_1
S70FL01GSAGMFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70FL01GSAGMFI013 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, CFI, SPI, SOIC
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1179.41 грн
10+1094.41 грн
25+1060.41 грн
50+884.70 грн
100+795.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 4130647.pdf
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HPB76BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13390.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F411MR12W2M1HB70BPSA1 4130646.pdf
F411MR12W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F411MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11497.81 грн
5+11267.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.63 грн
250+45.98 грн
1000+29.46 грн
3000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 3154612.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.75 грн
10+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N04NDATMA1 3154612.pdf
BSC076N04NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC076N04NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7000 µohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 INFNS30319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC030N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.38 грн
500+39.76 грн
1000+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.11 грн
500+20.97 грн
1000+15.89 грн
5000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB4347-BZXC 4092642.pdf
CYUSB4347-BZXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB4347-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 3 V, 3.6 V, LFBGA, 192 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LFBGA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Anschlüsse: 7Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 192Pin(s)
Übertragungsrate: 10Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1469.20 грн
5+1351.02 грн
10+1178.60 грн
25+1056.08 грн
50+955.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV552AUMA1 Infineon-TLE4473G%20V55-2-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72b2501f36
TLE4473GV552AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4473GV552AUMA1 - IC, LDO-Festspannungsregler, 2 Ausgänge, 5.6V bis 42Vin, 0.3V Dropout, 0.3Aout, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 4.875V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.125V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.6V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.65 грн
10+248.51 грн
25+229.08 грн
50+202.95 грн
100+177.62 грн
250+168.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7B11NPSA1 3092697.pdf
FF900R12ME7B11NPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12ME7B11NPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20796.27 грн
5+18197.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R17ME7WB11BPSA1 4148553.pdf
FF900R17ME7WB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R17ME7WB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 800 A, 1.67 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.67V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+41645.96 грн
5+40078.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R17ME7B11BPSA1 3739845.pdf
FF900R17ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20627.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.14 грн
250+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103SPBF 3121106.pdf
IRS2103SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2103SPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgungsspannung, 600mAout Spitze, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.18 грн
10+111.71 грн
50+91.47 грн
100+74.71 грн
250+66.40 грн
500+62.38 грн
1000+57.38 грн
2500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 4013649.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+239.61 грн
50+151.37 грн
250+104.42 грн
1000+81.18 грн
3000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.00 грн
500+66.82 грн
1000+59.11 грн
5000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]