Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 403 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IAUT300N10S5N014ATMA1 IAUT300N10S5N014ATMA1 INFINEON Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.13 грн
10+332.21 грн
100+240.11 грн
500+222.20 грн
1000+198.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1 IAUT300N10S5N014ATMA1 INFINEON Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.11 грн
500+222.20 грн
1000+198.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD40203ETXUMA2 TLD40203ETXUMA2 INFINEON infineon-tld4020-3std-kit-ug-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - TLD40203ETXUMA2 - LED Driver, 5.5V to 29V Supply, 3 Channel, 51.5 mA Output, -40 to 125°C, TFDSO-EP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TFDSO-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 29V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 51.5mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.99 грн
10+89.63 грн
50+73.76 грн
100+61.24 грн
250+53.57 грн
500+51.31 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.53 грн
15+56.33 грн
100+44.57 грн
500+37.11 грн
1000+31.15 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 ISC015N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.57 грн
500+37.11 грн
1000+31.15 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1 IPB65R190CFD7AATMA1 INFINEON 3177178.pdf Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.00 грн
10+179.26 грн
100+125.81 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1 IPDQ60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1134.77 грн
5+991.69 грн
10+847.79 грн
50+733.78 грн
100+628.00 грн
250+615.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1 IPDQ60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+847.79 грн
50+733.78 грн
100+628.00 грн
250+615.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 INFINEON infineon-ff2000uxtr23t2m1p-datasheet-ja.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 675 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 675A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+195706.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243 Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2637.93 грн
50+2296.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1 IQDH35N03LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.58 грн
10+183.37 грн
100+144.72 грн
500+116.82 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 INFINEON IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.38 грн
10+217.09 грн
100+192.42 грн
500+151.95 грн
1000+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1 IQDH35N03LM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.72 грн
500+116.82 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 INFINEON IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.42 грн
500+151.95 грн
1000+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35 Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.71 грн
10+189.13 грн
100+170.22 грн
500+151.19 грн
1000+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGSCATMA1 INFINEON Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35 Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.22 грн
500+151.19 грн
1000+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.21 грн
13+67.59 грн
100+52.54 грн
500+41.39 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.58 грн
500+29.09 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.54 грн
500+41.39 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.27 грн
15+55.09 грн
100+37.58 грн
500+29.09 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.80 грн
500+15.58 грн
1500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2318BF104AXIXQMA1 CYUSB2318BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619271.pdf Description: INFINEON - CYUSB2318BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1658.57 грн
10+1322.25 грн
25+1238.38 грн
50+1107.16 грн
100+981.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2317BF104AXIXQMA1 CYUSB2317BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619271.pdf Description: INFINEON - CYUSB2317BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1574.70 грн
10+1253.18 грн
25+1173.42 грн
50+1048.37 грн
100+929.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2316BF104AXIXQMA1 CYUSB2316BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619270.pdf Description: INFINEON - CYUSB2316BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.82 грн
10+1184.11 грн
25+1107.63 грн
50+989.58 грн
100+876.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2315BF104AXIXQMA1 CYUSB2315BF104AXIXQMA1 INFINEON 4619270.pdf Description: INFINEON - CYUSB2315BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.29 грн
10+1023.76 грн
25+955.51 грн
50+853.66 грн
100+756.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.57 грн
10+185.02 грн
100+160.35 грн
500+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 IPB013N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24 Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.35 грн
500+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
USB0010TOBO1 USB0010TOBO1 INFINEON Infineon-USB0010-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a4701958b03695f41c7 Description: INFINEON - USB0010TOBO1 - USB-Dongle, XDP Designer GUI V2.0-Systemplatine, USB auf I2C, 5V
tariffCode: 84718000
Art des Zubehörs: USB-Dongle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Systemplatine XDP Designer GUI V2.0 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5404.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-418.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB640E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 76 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 76pF
Produktpalette: BB640
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.57 грн
500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.03 грн
250+126.87 грн
500+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.04 грн
500+43.45 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1 IMT65R048M1HXUMA1 INFINEON 3974513.pdf Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+658.66 грн
5+555.05 грн
10+451.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1 IMT65R048M1HXUMA1 INFINEON 3974513.pdf Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+451.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 FF2000UXTR23T2M1BPSA1 INFINEON infineon-ff2000uxtr23t2m1-datasheet-ja.pdf Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 710A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+206889.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1 IPB65R190CFD7AATMA1 INFINEON 3177178.pdf Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.81 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON INFNS28358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6815.19 грн
5+6268.37 грн
10+5721.54 грн
50+5206.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.39 грн
500+67.50 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON INFN-S-A0008597355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.15 грн
10+137.32 грн
100+95.39 грн
500+67.50 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+325.63 грн
100+252.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM535U6DXKMA1 IM535U6DXKMA1 INFINEON Infineon-IM535-U6D-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754a6d015075fd Description: INFINEON - IM535U6DXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1530.29 грн
5+1289.36 грн
10+1048.43 грн
50+876.57 грн
100+719.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 BTS3205NHUMA1 INFINEON 1932152.pdf Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Strombegrenzung: 900mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.78 грн
250+56.95 грн
500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 BTS3205NHUMA1 INFINEON 1932152.pdf Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 900mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.99 грн
10+102.79 грн
50+92.10 грн
100+70.78 грн
250+56.95 грн
500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALDCLINKDPTTOBO1 EVALDCLINKDPTTOBO1 INFINEON infineon-eval-dclink-dpt-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - EVALDCLINKDPTTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, 800V, Doppelimpuls-DUT-Board EVAL-1ED3144MC12H-SIC
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Evaluationsboard
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Eval-1ED3144MC12H-SIC/Eval-1ED3144MC12H-QDPAK Double Pulse DUT-Boards, modulare Evaluationsplattform von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35333.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGM787U50E6327XUMA1 BGM787U50E6327XUMA1 INFINEON Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.15 грн
250+131.10 грн
500+124.05 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGM787U50E6327XUMA1 BGM787U50E6327XUMA1 INFINEON Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.8dB
Bauform - HF-IC: WF2BGA
Verstärkung: 21dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 600MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.09 грн
10+213.80 грн
25+201.46 грн
50+162.64 грн
100+138.15 грн
250+131.10 грн
500+124.05 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9021EPXUMA1 BTM9021EPXUMA1 INFINEON Infineon-BTM9020EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f5001939aa0a5a646fe Description: INFINEON - BTM9021EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 2 Ausgänge, 7-18V, SDI, SCLK, CS, SDO, -40-150°C TSSOP-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.20 грн
250+117.00 грн
500+106.43 грн
1000+90.92 грн
2500+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8XUMA1 TLE49SRC8XUMA1 INFINEON 4163372.pdf Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.83 грн
10+272.18 грн
25+257.38 грн
50+232.89 грн
100+207.92 грн
250+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8XUMA1 TLE49SRC8XUMA1 INFINEON 4163372.pdf Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.92 грн
250+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HSHPSA1 FF3MR12KM1HSHPSA1 INFINEON infineon-ff3mr12km1h-s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - FF3MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27610.25 грн
5+27057.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1 FF1300UXTR23T2M1BPSA1 INFINEON 4607948.pdf Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.07 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.07kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+216757.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1000UXTR23T2M1BPSA1 FF1000UXTR23T2M1BPSA1 INFINEON 4607946.pdf Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.33 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.33kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+258447.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA14M3N10E6327XTSA1 BGSA14M3N10E6327XTSA1 INFINEON 4384420.pdf Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: 5A991.a
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.11 грн
500+19.01 грн
1000+17.06 грн
2500+16.70 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA14M3N10E6327XTSA1 BGSA14M3N10E6327XTSA1 INFINEON 4384420.pdf Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: 5A991.a
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.51 грн
28+29.68 грн
100+23.11 грн
500+19.01 грн
1000+17.06 грн
2500+16.70 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N015ATMA1 IAUCN04S7N015ATMA1 INFINEON 4146084.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.21 грн
500+47.72 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.51 грн
500+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD120E65E7XKSA1 IDWD120E65E7XKSA1 INFINEON 4130666.pdf Description: INFINEON - IDWD120E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 2.1 V, 98 ns, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 98ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.45 грн
10+181.73 грн
100+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON 2849756.pdf Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.65 грн
500+24.82 грн
1000+19.31 грн
5000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 INFINEON 3812023.pdf Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.16 грн
500+64.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 INFINEON 3812023.pdf Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.71 грн
10+126.63 грн
100+87.16 грн
500+64.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680
IAUT300N10S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+462.13 грн
10+332.21 грн
100+240.11 грн
500+222.20 грн
1000+198.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680
IAUT300N10S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUT300N10S5N014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+240.11 грн
500+222.20 грн
1000+198.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD40203ETXUMA2 infineon-tld4020-3std-kit-ug-usermanual-en.pdf
TLD40203ETXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD40203ETXUMA2 - LED Driver, 5.5V to 29V Supply, 3 Channel, 51.5 mA Output, -40 to 125°C, TFDSO-EP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TFDSO-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 29V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 51.5mA
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.99 грн
10+89.63 грн
50+73.76 грн
100+61.24 грн
250+53.57 грн
500+51.31 грн
1000+50.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff
ISC015N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+78.53 грн
15+56.33 грн
100+44.57 грн
500+37.11 грн
1000+31.15 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N03LF2SATMA1 Infineon-ISC015N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00193912755420fff
ISC015N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC015N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 214 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.57 грн
500+37.11 грн
1000+31.15 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1 3177178.pdf
IPB65R190CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+273.00 грн
10+179.26 грн
100+125.81 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1 Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b
IPDQ60R017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1134.77 грн
5+991.69 грн
10+847.79 грн
50+733.78 грн
100+628.00 грн
250+615.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R017S7AXTMA1 Infineon-IPDQ60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc675f681b
IPDQ60R017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+847.79 грн
50+733.78 грн
100+628.00 грн
250+615.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 infineon-ff2000uxtr23t2m1p-datasheet-ja.pdf
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1PBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 675 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 675A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+195706.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243
IMCQ120R007M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2637.93 грн
50+2296.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f
IQDH35N03LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+242.58 грн
10+183.37 грн
100+144.72 грн
500+116.82 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf
IQDH35N03LM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+257.38 грн
10+217.09 грн
100+192.42 грн
500+151.95 грн
1000+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5ATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a456befa5020f
IQDH35N03LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+144.72 грн
500+116.82 грн
1000+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1.pdf
IQDH35N03LM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+192.42 грн
500+151.95 грн
1000+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+232.71 грн
10+189.13 грн
100+170.22 грн
500+151.19 грн
1000+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH35N03LM5CGSCATMA1 Infineon-IQDH35N03LM5CGSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c293450e35
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH35N03LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 700 A, 350 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+170.22 грн
500+151.19 грн
1000+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1.pdf
ISZ028N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+96.21 грн
13+67.59 грн
100+52.54 грн
500+41.39 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1
ISC028N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+37.58 грн
500+29.09 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1.pdf
ISZ028N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+52.54 грн
500+41.39 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC028N03LF2SATMA1
ISC028N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+73.27 грн
15+55.09 грн
100+37.58 грн
500+29.09 грн
1000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.80 грн
500+15.58 грн
1500+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2318BF104AXIXQMA1 4619271.pdf
CYUSB2318BF104AXIXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2318BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1658.57 грн
10+1322.25 грн
25+1238.38 грн
50+1107.16 грн
100+981.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2317BF104AXIXQMA1 4619271.pdf
CYUSB2317BF104AXIXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2317BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1574.70 грн
10+1253.18 грн
25+1173.42 грн
50+1048.37 грн
100+929.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2316BF104AXIXQMA1 4619270.pdf
CYUSB2316BF104AXIXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2316BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1490.82 грн
10+1184.11 грн
25+1107.63 грн
50+989.58 грн
100+876.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2315BF104AXIXQMA1 4619270.pdf
CYUSB2315BF104AXIXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB2315BF104AXIXQMA1 - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 2.0, 1.62 V, 3.63 V, LGA, 104 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -45°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 104Pin(s)
Übertragungsrate: 480Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1294.29 грн
10+1023.76 грн
25+955.51 грн
50+853.66 грн
100+756.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24
IPB013N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+367.57 грн
10+185.02 грн
100+160.35 грн
500+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB013N06NF2SATMA1 Infineon-IPB013N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67b6253b24
IPB013N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB013N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+160.35 грн
500+142.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
USB0010TOBO1 Infineon-USB0010-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a4701958b03695f41c7
USB0010TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - USB0010TOBO1 - USB-Dongle, XDP Designer GUI V2.0-Systemplatine, USB auf I2C, 5V
tariffCode: 84718000
Art des Zubehörs: USB-Dongle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Systemplatine XDP Designer GUI V2.0 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5404.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 SIEMD095-418.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB640E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 76 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 76pF
Produktpalette: BB640
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.57 грн
500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2102STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 130 mA /270mAout, 150ns Ein/Aus, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+136.03 грн
250+126.87 грн
500+119.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+53.04 грн
500+43.45 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1 3974513.pdf
IMT65R048M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+658.66 грн
5+555.05 грн
10+451.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R048M1HXUMA1 3974513.pdf
IMT65R048M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+451.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000UXTR23T2M1BPSA1 infineon-ff2000uxtr23t2m1-datasheet-ja.pdf
FF2000UXTR23T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 710 A, 2.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 710A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+206889.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1 3177178.pdf
IPB65R190CFD7AATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+125.81 грн
500+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 INFNS28358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 320A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6815.19 грн
5+6268.37 грн
10+5721.54 грн
50+5206.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
IAUC100N08S5N031ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.39 грн
500+67.50 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 INFN-S-A0008597355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IAUC100N08S5N031ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N031ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+212.15 грн
10+137.32 грн
100+95.39 грн
500+67.50 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 201W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+325.63 грн
100+252.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM535U6DXKMA1 Infineon-IM535-U6D-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754a6d015075fd
IM535U6DXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM535U6DXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: DIP
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
usEccn: EAR99
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1530.29 грн
5+1289.36 грн
10+1048.43 грн
50+876.57 грн
100+719.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 1932152.pdf
BTS3205NHUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Strombegrenzung: 900mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+70.78 грн
250+56.95 грн
500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3205NHUMA1 1932152.pdf
BTS3205NHUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3205NHUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 900mA, 0.7 Ohm, SOT-223-4
tariffCode: 85423919
Durchlasswiderstand: 0.7ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 900mA
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.99 грн
10+102.79 грн
50+92.10 грн
100+70.78 грн
250+56.95 грн
500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALDCLINKDPTTOBO1 infineon-eval-dclink-dpt-usermanual-en.pdf
EVALDCLINKDPTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALDCLINKDPTTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, 800V, Doppelimpuls-DUT-Board EVAL-1ED3144MC12H-SIC
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Evaluationsboard
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Eval-1ED3144MC12H-SIC/Eval-1ED3144MC12H-QDPAK Double Pulse DUT-Boards, modulare Evaluationsplattform von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+35333.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGM787U50E6327XUMA1 Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a
BGM787U50E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: -
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+138.15 грн
250+131.10 грн
500+124.05 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGM787U50E6327XUMA1 Infineon-BGM787U50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95c8db420195ccaccf64550a
BGM787U50E6327XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGM787U50E6327XUMA1 - HF-Verstärker, 600MHz bis 2.7GHz, 1.8V, 21dB, WF2BGA-50
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.8dB
Bauform - HF-IC: WF2BGA
Verstärkung: 21dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 600MHz
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 50Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+254.09 грн
10+213.80 грн
25+201.46 грн
50+162.64 грн
100+138.15 грн
250+131.10 грн
500+124.05 грн
1000+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9021EPXUMA1 Infineon-BTM9020EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f5001939aa0a5a646fe
BTM9021EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTM9021EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 2 Ausgänge, 7-18V, SDI, SCLK, CS, SDO, -40-150°C TSSOP-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+138.20 грн
250+117.00 грн
500+106.43 грн
1000+90.92 грн
2500+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8XUMA1 4163372.pdf
TLE49SRC8XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+310.83 грн
10+272.18 грн
25+257.38 грн
50+232.89 грн
100+207.92 грн
250+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8XUMA1 4163372.pdf
TLE49SRC8XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49SRC8XUMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SPC-Schnittstelle, XENSIV, TSOP, 8 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Winkelsensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+207.92 грн
250+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HSHPSA1 infineon-ff3mr12km1h-s-datasheet-en.pdf
FF3MR12KM1HSHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HSHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+27610.25 грн
5+27057.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1300UXTR23T2M1BPSA1 4607948.pdf
FF1300UXTR23T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1300UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.07 kA, 2.3 kV, 0.00159 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.07kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00159ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+216757.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF1000UXTR23T2M1BPSA1 4607946.pdf
FF1000UXTR23T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 1.33 kA, 2.3 kV, 0.00119 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.33kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+258447.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA14M3N10E6327XTSA1 4384420.pdf
BGSA14M3N10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: 5A991.a
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.11 грн
500+19.01 грн
1000+17.06 грн
2500+16.70 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA14M3N10E6327XTSA1 4384420.pdf
BGSA14M3N10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA14M3N10E6327XTSA1 - HF-Schalter, 7.125GHz, 1.2V bis 1.8V, SP4T, TSNP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: 5A991.a
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.8V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+42.51 грн
28+29.68 грн
100+23.11 грн
500+19.01 грн
1000+17.06 грн
2500+16.70 грн
5000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N015ATMA1 4146084.pdf
IAUCN04S7N015ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1530 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1530µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.21 грн
500+47.72 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF INFN-S-A0012838768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2407TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+73.51 грн
500+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD120E65E7XKSA1 4130666.pdf
IDWD120E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD120E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 150 A, Einfach, 2.1 V, 98 ns, 400 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 98ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+326.45 грн
10+181.73 грн
100+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S55R4ATMA1 2849756.pdf
IPZ40N04S55R4ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ40N04S55R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.65 грн
500+24.82 грн
1000+19.31 грн
5000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 3812023.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+87.16 грн
500+64.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 3812023.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+195.71 грн
10+126.63 грн
100+87.16 грн
500+64.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]