Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 407 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S25FL512SAGMFVG10 S25FL512SAGMFVG10 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.24 грн
10+551.44 грн
25+535.43 грн
50+484.79 грн
100+423.11 грн
250+412.43 грн
500+407.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFV010 S25FL512SAGMFV010 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGMFV010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+626.15 грн
10+580.79 грн
25+564.78 грн
50+514.52 грн
100+448.26 грн
250+435.30 грн
500+428.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIA13 S25FL512SAGBHIA13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIA13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+374.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIC13 S25FL512SAGBHIC13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIC13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+368.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIR13 S25FL512SAGMFIR13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGMFIR13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.54 грн
10+498.07 грн
50+471.39 грн
200+426.98 грн
500+375.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIA13 S25FL512SAGBHIA13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIA13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+374.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFB010 S25FL512SDSMFB010 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SDSMFB010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+662.61 грн
10+615.47 грн
25+596.80 грн
50+540.95 грн
100+471.90 грн
250+460.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIR13 S25FL512SAGMFIR13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGMFIR13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+498.07 грн
50+471.39 грн
200+426.98 грн
500+375.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIG13 S25FL512SAGMFIG13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGMFIG13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.43 грн
10+498.96 грн
50+472.28 грн
200+428.63 грн
500+388.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIC13 S25FL512SAGBHIC13 INFINEON 4092547.pdf Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIC13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+368.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHI010 S29GL512T10DHI010 INFINEON 2309620.pdf Description: INFINEON - S29GL512T10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+780.01 грн
10+724.87 грн
25+701.75 грн
50+584.72 грн
100+519.16 грн
250+506.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FHI020 S29GL512T10FHI020 INFINEON 2309620.pdf Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+780.90 грн
10+724.87 грн
25+702.64 грн
50+586.38 грн
100+514.59 грн
250+503.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S10TFIV20 S29GL128S10TFIV20 INFINEON 2309619.pdf Description: INFINEON - S29GL128S10TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+431.36 грн
10+332.64 грн
25+326.41 грн
50+296.49 грн
100+268.35 грн
250+262.25 грн
500+257.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1BN6327XTSA1 BGA9H1BN6327XTSA1 INFINEON 3668054.pdf Description: INFINEON - BGA9H1BN6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.7GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.23 грн
500+42.62 грн
1000+38.58 грн
2500+37.74 грн
5000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1BN6327XTSA1 BGA9H1BN6327XTSA1 INFINEON 3668054.pdf Description: INFINEON - BGA9H1BN6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.7GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.90 грн
19+48.56 грн
100+47.23 грн
500+42.62 грн
1000+38.58 грн
2500+37.74 грн
5000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BGA824N6E6327XTSA1 BGA824N6E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0017755634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA824N6E6327XTSA1 - IC, HF-Verstärker, 17dB Verstärkung / 0.55dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.55dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.31 грн
500+27.34 грн
1000+24.17 грн
2500+23.10 грн
5000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVIIBE1MSKTOBO1 CYTVIIBE1MSKTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - CYTVIIBE1MSKTOBO1 - Starter-Kit, CYT2B75XX, CYT2B95XX, 32 Bit, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0 / Cortex-M4F
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYT2B75XX, CYT2B95XX
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75XX, CYT2B95XX
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0, Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.70 грн
200+176.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014LQI-412 CY8C4014LQI-412 INFINEON INFN-S-A0020866335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4014LQI-412 - PSOC, 32BIT, CORTEX-M0, 16MHZ, QFN-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
CPU-Geschwindigkeit: 16MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C40xx
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Bauform - MPU: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+171.66 грн
10+127.19 грн
50+116.51 грн
100+89.20 грн
250+75.02 грн
500+70.82 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T CY8C4013LQI-411T INFINEON 2573471.pdf Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.42 грн
250+48.10 грн
500+46.27 грн
1000+44.52 грн
2500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPMG1S1DRPTOBO1 EVALPMG1S1DRPTOBO1 INFINEON 4425903.pdf Description: INFINEON - EVALPMG1S1DRPTOBO1 - Evaluationskit, CYPM1111-40LQXI, 32 Bit, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EZ-PD PMG1-S1 CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9466.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.85 грн
10+99.61 грн
100+70.53 грн
500+47.32 грн
1000+39.03 грн
5000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON 3159561.pdf Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 20681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.81 грн
500+41.95 грн
1000+33.39 грн
5000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.87 грн
14+65.02 грн
100+44.29 грн
500+34.36 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20110-SX2I CY8C20110-SX2I INFINEON 2144222.pdf Description: INFINEON - CY8C20110-SX2I - IC, Touchscreen-Controller, 4-10 Tasten, CapSense Express, I2C-Schnittstelle, 2.4V bis 2.9V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.9V
Auflösung (Bit): -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.70 грн
10+182.33 грн
25+158.32 грн
50+141.23 грн
100+125.03 грн
250+120.45 грн
500+117.40 грн
1000+113.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4471GAUMA1 TLE4471GAUMA1 INFINEON 2290975.pdf Description: INFINEON - TLE4471GAUMA1 - LDO-Spannungsregler, feste/einstellbare Vout, 5.5V bis 40Vin, 3 Ausgänge: 5V/450mA, 250mVdo, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest, Tracking/Nachführung
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA, 100mA, 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.96 грн
10+239.25 грн
25+219.68 грн
50+194.91 грн
100+170.77 грн
250+162.38 грн
500+136.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.85 грн
500+100.76 грн
1000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JGXUMA1 ICE3RBR1765JGXUMA1 INFINEON 2354754.pdf Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.41 грн
250+59.92 грн
500+59.84 грн
1000+59.77 грн
2500+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JGXUMA1 ICE3RBR1765JGXUMA1 INFINEON 2354754.pdf Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.98 грн
13+73.47 грн
50+71.95 грн
100+65.41 грн
250+59.92 грн
500+59.84 грн
1000+59.77 грн
2500+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 INFINEON 2882445.pdf Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.39 грн
250+62.17 грн
1000+39.39 грн
3000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 INFINEON Infineon-BSZ215C%20H-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015133809974350a Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.86 грн
10+93.39 грн
100+61.90 грн
500+42.29 грн
1000+36.29 грн
5000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 INFINEON Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.19 грн
10+89.83 грн
100+69.55 грн
500+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500801TMBAKSA1 BTS500801TMBAKSA1 INFINEON 2333315.pdf Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0095ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 38V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.68 грн
10+270.38 грн
25+257.04 грн
50+226.29 грн
100+198.97 грн
250+189.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFINEON INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.17 грн
10+971.24 грн
25+906.31 грн
50+808.54 грн
100+715.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFINEON INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+971.24 грн
25+906.31 грн
50+808.54 грн
100+715.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 BTS3050EJXUMA1 INFINEON Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.65 грн
10+99.61 грн
50+88.67 грн
100+62.68 грн
250+50.39 грн
500+47.80 грн
1000+40.10 грн
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 BTS3050EJXUMA1 INFINEON Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.68 грн
250+50.39 грн
500+47.80 грн
1000+40.10 грн
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 INFINEON 4098592.pdf Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+146.75 грн
10+107.62 грн
50+97.84 грн
100+81.35 грн
250+70.14 грн
500+67.54 грн
1000+64.27 грн
2500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 2EDR8259HXUMA1 INFINEON 4098592.pdf Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.35 грн
250+70.14 грн
500+67.54 грн
1000+64.27 грн
2500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P03P4L07ATMA2 INFINEON 2354663.pdf Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+189.44 грн
200+166.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.76 грн
28+32.73 грн
100+21.08 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.08 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 TT120N16SOFHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 190A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2815.88 грн
5+2555.28 грн
10+2295.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22SHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4906.00 грн
5+4378.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD220N16SHPSA1 DD220N16SHPSA1 INFINEON infineon-dd220n16s-ds-v03_01-en.pdf Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4397.25 грн
5+3788.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON INFNS28361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10486.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.55 грн
10+371.77 грн
100+269.49 грн
500+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1291.43 грн
50+1160.36 грн
100+1035.28 грн
250+1014.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1279.86 грн
5+1120.66 грн
10+960.56 грн
50+849.83 грн
100+630.47 грн
250+618.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.15 грн
500+206.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.92 грн
5+1430.17 грн
10+1291.43 грн
50+1160.36 грн
100+1035.28 грн
250+1014.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2112.35 грн
5+1838.41 грн
10+1563.59 грн
50+1451.08 грн
100+1222.05 грн
250+1197.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+436.70 грн
100+319.30 грн
500+252.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+521.20 грн
50+435.24 грн
100+356.02 грн
250+349.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+960.56 грн
50+849.83 грн
100+630.47 грн
250+618.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+762.23 грн
5+642.16 грн
10+521.20 грн
50+435.24 грн
100+356.02 грн
250+349.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.69 грн
10+436.70 грн
100+319.30 грн
500+252.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+681.29 грн
50+579.77 грн
100+486.38 грн
250+476.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+426.92 грн
10+310.40 грн
100+256.15 грн
500+206.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1563.59 грн
50+1451.08 грн
100+1222.05 грн
250+1197.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFVG10 4092547.pdf
S25FL512SAGMFVG10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFVG10 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+593.24 грн
10+551.44 грн
25+535.43 грн
50+484.79 грн
100+423.11 грн
250+412.43 грн
500+407.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFV010 4092547.pdf
S25FL512SAGMFV010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFV010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+626.15 грн
10+580.79 грн
25+564.78 грн
50+514.52 грн
100+448.26 грн
250+435.30 грн
500+428.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIA13 4092547.pdf
S25FL512SAGBHIA13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIA13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+374.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIC13 4092547.pdf
S25FL512SAGBHIC13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIC13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+368.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIR13 4092547.pdf
S25FL512SAGMFIR13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFIR13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+534.54 грн
10+498.07 грн
50+471.39 грн
200+426.98 грн
500+375.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIA13 4092547.pdf
S25FL512SAGBHIA13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIA13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+374.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFB010 4092547.pdf
S25FL512SDSMFB010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SDSMFB010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+662.61 грн
10+615.47 грн
25+596.80 грн
50+540.95 грн
100+471.90 грн
250+460.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIR13 4092547.pdf
S25FL512SAGMFIR13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFIR13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+498.07 грн
50+471.39 грн
200+426.98 грн
500+375.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFIG13 4092547.pdf
S25FL512SAGMFIG13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFIG13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+535.43 грн
10+498.96 грн
50+472.28 грн
200+428.63 грн
500+388.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHIC13 4092547.pdf
S25FL512SAGBHIC13
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGBHIC13 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+534.54 грн
50+471.39 грн
100+459.83 грн
500+407.16 грн
1000+368.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10DHI010 2309620.pdf
S29GL512T10DHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T10DHI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+780.01 грн
10+724.87 грн
25+701.75 грн
50+584.72 грн
100+519.16 грн
250+506.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10FHI020 2309620.pdf
S29GL512T10FHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL512T10FHI020 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+780.90 грн
10+724.87 грн
25+702.64 грн
50+586.38 грн
100+514.59 грн
250+503.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S10TFIV20 2309619.pdf
S29GL128S10TFIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL128S10TFIV20 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 100ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+431.36 грн
10+332.64 грн
25+326.41 грн
50+296.49 грн
100+268.35 грн
250+262.25 грн
500+257.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1BN6327XTSA1 3668054.pdf
BGA9H1BN6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA9H1BN6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.7GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.23 грн
500+42.62 грн
1000+38.58 грн
2500+37.74 грн
5000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1BN6327XTSA1 3668054.pdf
BGA9H1BN6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA9H1BN6327XTSA1 - HF-Verstärker, 2.3GHz bis 2.7GHz, 1.1V bis 3.3V, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.6dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20.3dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 2.3GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 2.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.90 грн
19+48.56 грн
100+47.23 грн
500+42.62 грн
1000+38.58 грн
2500+37.74 грн
5000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BGA824N6E6327XTSA1 INFN-S-A0017755634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA824N6E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA824N6E6327XTSA1 - IC, HF-Verstärker, 17dB Verstärkung / 0.55dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.55dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 17dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.31 грн
500+27.34 грн
1000+24.17 грн
2500+23.10 грн
5000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVIIBE1MSKTOBO1
CYTVIIBE1MSKTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVIIBE1MSKTOBO1 - Starter-Kit, CYT2B75XX, CYT2B95XX, 32 Bit, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0 / Cortex-M4F
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYT2B75XX, CYT2B95XX
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT2B75XX, CYT2B95XX
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0, Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.70 грн
200+176.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4014LQI-412 INFN-S-A0020866335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4014LQI-412
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4014LQI-412 - PSOC, 32BIT, CORTEX-M0, 16MHZ, QFN-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
CPU-Geschwindigkeit: 16MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C40xx
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Bauform - MPU: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.66 грн
10+127.19 грн
50+116.51 грн
100+89.20 грн
250+75.02 грн
500+70.82 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T 2573471.pdf
CY8C4013LQI-411T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.42 грн
250+48.10 грн
500+46.27 грн
1000+44.52 грн
2500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPMG1S1DRPTOBO1 4425903.pdf
EVALPMG1S1DRPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPMG1S1DRPTOBO1 - Evaluationskit, CYPM1111-40LQXI, 32 Bit, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: EZ-PD
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EZ-PD PMG1-S1 CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9466.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
IAUC120N06S5L032ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.85 грн
10+99.61 грн
100+70.53 грн
500+47.32 грн
1000+39.03 грн
5000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 3159561.pdf
IAUC120N06S5L032ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 20681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.81 грн
500+41.95 грн
1000+33.39 грн
5000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1
ISZ033N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.87 грн
14+65.02 грн
100+44.29 грн
500+34.36 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20110-SX2I 2144222.pdf
CY8C20110-SX2I
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C20110-SX2I - IC, Touchscreen-Controller, 4-10 Tasten, CapSense Express, I2C-Schnittstelle, 2.4V bis 2.9V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.9V
Auflösung (Bit): -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.70 грн
10+182.33 грн
25+158.32 грн
50+141.23 грн
100+125.03 грн
250+120.45 грн
500+117.40 грн
1000+113.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4471GAUMA1 2290975.pdf
TLE4471GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4471GAUMA1 - LDO-Spannungsregler, feste/einstellbare Vout, 5.5V bis 40Vin, 3 Ausgänge: 5V/450mA, 250mVdo, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest, Tracking/Nachführung
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA, 100mA, 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.96 грн
10+239.25 грн
25+219.68 грн
50+194.91 грн
100+170.77 грн
250+162.38 грн
500+136.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 INFN-S-A0003614705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R195C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.173 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.173ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.85 грн
500+100.76 грн
1000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JGXUMA1 2354754.pdf
ICE3RBR1765JGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.41 грн
250+59.92 грн
500+59.84 грн
1000+59.77 грн
2500+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JGXUMA1 2354754.pdf
ICE3RBR1765JGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3RBR1765JGXUMA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 27.5W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 650V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 27.5W
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.98 грн
13+73.47 грн
50+71.95 грн
100+65.41 грн
250+59.92 грн
500+59.84 грн
1000+59.77 грн
2500+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1 2882445.pdf
BSZ215CHXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.39 грн
250+62.17 грн
1000+39.39 грн
3000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ215CHXTMA1 Infineon-BSZ215C%20H-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015133809974350a
BSZ215CHXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ215CHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.86 грн
10+93.39 грн
100+61.90 грн
500+42.29 грн
1000+36.29 грн
5000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9
ISP16DP10LMAXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.19 грн
10+89.83 грн
100+69.55 грн
500+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500801TMBAKSA1 2333315.pdf
BTS500801TMBAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500801TMBAKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 38V, 9.5A, TO-220-7
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.0095ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 38V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+404.68 грн
10+270.38 грн
25+257.04 грн
50+226.29 грн
100+198.97 грн
250+189.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC4500F100K1024ACXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.17 грн
10+971.24 грн
25+906.31 грн
50+808.54 грн
100+715.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500F100K1024ACXUMA1 INFNS28106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC4500F100K1024ACXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4500F100K1024ACXUMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 160KB
MCU-Baureihe: XMC4500
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 55I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4500 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+971.24 грн
25+906.31 грн
50+808.54 грн
100+715.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce
BTS3050EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.65 грн
10+99.61 грн
50+88.67 грн
100+62.68 грн
250+50.39 грн
500+47.80 грн
1000+40.10 грн
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050EJXUMA1 Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce
BTS3050EJXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3050EJXUMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, AEC-Q100, 1 Ausgang, 5.5V, 4A, 0.044 Ohm, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.044ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.68 грн
250+50.39 грн
500+47.80 грн
1000+40.10 грн
2500+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 4098592.pdf
2EDR8259HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+146.75 грн
10+107.62 грн
50+97.84 грн
100+81.35 грн
250+70.14 грн
500+67.54 грн
1000+64.27 грн
2500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR8259HXUMA1 4098592.pdf
2EDR8259HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR8259HXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.35 грн
250+70.14 грн
500+67.54 грн
1000+64.27 грн
2500+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 2354663.pdf
IPB80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.44 грн
200+166.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d
ISP75DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+51.76 грн
28+32.73 грн
100+21.08 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d
ISP75DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.08 грн
500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 INFN-S-A0003614704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT120N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 190A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2815.88 грн
5+2555.28 грн
10+2295.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFN-S-A0003614768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DD180N22SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4906.00 грн
5+4378.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD220N16SHPSA1 infineon-dd220n16s-ds-v03_01-en.pdf
DD220N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4397.25 грн
5+3788.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 INFNS28361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10486.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+550.55 грн
10+371.77 грн
100+269.49 грн
500+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1291.43 грн
50+1160.36 грн
100+1035.28 грн
250+1014.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1279.86 грн
5+1120.66 грн
10+960.56 грн
50+849.83 грн
100+630.47 грн
250+618.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+256.15 грн
500+206.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1568.92 грн
5+1430.17 грн
10+1291.43 грн
50+1160.36 грн
100+1035.28 грн
250+1014.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2112.35 грн
5+1838.41 грн
10+1563.59 грн
50+1451.08 грн
100+1222.05 грн
250+1197.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+436.70 грн
100+319.30 грн
500+252.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+521.20 грн
50+435.24 грн
100+356.02 грн
250+349.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+960.56 грн
50+849.83 грн
100+630.47 грн
250+618.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+762.23 грн
5+642.16 грн
10+521.20 грн
50+435.24 грн
100+356.02 грн
250+349.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+613.69 грн
10+436.70 грн
100+319.30 грн
500+252.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+681.29 грн
50+579.77 грн
100+486.38 грн
250+476.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+426.92 грн
10+310.40 грн
100+256.15 грн
500+206.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1563.59 грн
50+1451.08 грн
100+1222.05 грн
250+1197.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]