Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 407 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 402 403 404 405 406 407 408 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 INFINEON 4503009.pdf Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+599.82 грн
50+513.38 грн
100+433.65 грн
250+425.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1113.03 грн
50+1016.24 грн
100+922.11 грн
250+903.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+490.54 грн
50+410.40 грн
100+337.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+425.78 грн
50+351.78 грн
100+283.78 грн
250+278.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 INFINEON 4503012.pdf Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+361.03 грн
100+312.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.25 грн
10+361.03 грн
100+266.32 грн
500+218.73 грн
1000+179.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 IMT44R015M2HXTMA2 INFINEON 4609068.pdf Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1020.75 грн
5+866.95 грн
10+712.34 грн
50+605.84 грн
100+507.20 грн
250+496.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1546.10 грн
5+1329.97 грн
10+1113.03 грн
50+1016.24 грн
100+922.11 грн
250+903.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON 4609067.pdf Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1236.88 грн
5+1055.56 грн
10+874.23 грн
50+778.72 грн
100+688.29 грн
250+674.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+213.70 грн
500+184.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.65 грн
250+53.10 грн
1000+35.25 грн
2000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 INFINEON Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3 Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11687.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T4BOMA1 FS35R12W1T4BOMA1 INFINEON 2079074.pdf Description: INFINEON - FS35R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 65 A, 1.85 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 225W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2098.16 грн
5+1835.08 грн
10+1572.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 - Demoboard, TLE9252VSK, CAN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9252VSK
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9252VSK
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7035.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7XKSA1 IPA60R360P7XKSA1 INFINEON 2718756.pdf Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.70 грн
10+108.47 грн
100+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON 3154645.pdf Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.99 грн
13+64.11 грн
100+43.31 грн
500+28.26 грн
1000+21.79 грн
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON 3154645.pdf Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.31 грн
500+28.26 грн
1000+21.79 грн
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-333047-02 CYBT-333047-02 INFINEON 4626035.pdf Description: INFINEON - CYBT-333047-02 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 1/2, 4Mbit/s, -96.5dBm, 2.3-3.6V, -30-85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: No
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -96.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.29 грн
5+660.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 - Evaluationskit, FS520R12A8P1LB, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: FS520R12A8P1LB
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS520R12A8P1LB, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+228596.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.39 грн
500+41.87 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD609812BEVALTOBO1 TLD609812BEVALTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - TLD609812BEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLD6098-1EP, 8V bis 27Vin, 50Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD6098-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 48.6V
Core-Chip: TLD6098-1EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8447.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
11+80.06 грн
100+54.15 грн
500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.93 грн
10+284.13 грн
100+203.18 грн
500+183.40 грн
1000+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+213.70 грн
500+194.68 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON 4421043.pdf Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.93 грн
500+43.22 грн
1000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 IAUCN04S7N020ATMA1 INFINEON 4146085.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.65 грн
500+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.64 грн
10+312.46 грн
100+225.03 грн
500+195.43 грн
1000+175.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 IQD020N10NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409629.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+225.03 грн
500+195.43 грн
1000+175.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 IQD020N10NM5ATMA1 INFINEON 4015300.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.18 грн
500+183.40 грн
1000+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 IQD020N10NM5SCATMA1 INFINEON 4409638.pdf Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.59 грн
10+297.08 грн
100+213.70 грн
500+194.68 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1 IPB020N03LF2SATMA1 INFINEON infineon-ipb020n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.32 грн
10+149.75 грн
100+103.61 грн
500+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 INFINEON 2576637.pdf Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.80 грн
10+97.14 грн
100+68.81 грн
500+51.34 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1 IPL60R285P7AUMA1 INFINEON infineon-ipl60r285p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.81 грн
500+51.34 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED2147S65FXUMA1 1ED2147S65FXUMA1 INFINEON Infineon-1ED21x7x-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01948416048c0e61 Description: INFINEON - 1ED2147S65FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, Si-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -4A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 6.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.52 грн
10+82.57 грн
50+74.31 грн
100+61.18 грн
250+53.08 грн
500+51.00 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
REFAUDIOGANB750WTOBO1 REFAUDIOGANB750WTOBO1 INFINEON REFAUDIOGANB750WTOBO1 Description: INFINEON - REFAUDIOGANB750WTOBO1 - Evaluationsboard, IRS20957SPBF, Class D-Audiotreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS20957SPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS20957SPBF
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Class D-Audiotreiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20467.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N03LF2SAKSA1 IPP018N03LF2SAKSA1 INFINEON Infineon-IPP018N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019030cd1e162b8f Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.95 грн
11+75.69 грн
100+52.70 грн
500+39.01 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N03LF2SATMA1 IPB018N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB018N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.94 грн
10+152.18 грн
100+105.23 грн
500+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N75EH7 IKZA50N75EH7 INFINEON 4603896.pdf Description: INFINEON - IKZA50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.59 грн
10+393.41 грн
100+300.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N75EH7 IKWH50N75EH7 INFINEON 4603895.pdf Description: INFINEON - IKWH50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.02 грн
10+395.02 грн
100+301.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3021ASXUMA1 1EDI3021ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+300.32 грн
25+279.27 грн
50+238.28 грн
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+164.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3021ASXUMA1 1EDI3021ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.31 грн
10+300.32 грн
25+279.27 грн
50+238.28 грн
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+164.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3020ASXUMA1 1EDI3020ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+326.22 грн
10+247.70 грн
25+225.03 грн
50+192.42 грн
100+163.05 грн
250+155.42 грн
500+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3020ASXUMA1 1EDI3020ASXUMA1 INFINEON 3517978.pdf Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+247.70 грн
25+225.03 грн
50+192.42 грн
100+163.05 грн
250+155.42 грн
500+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.39 грн
500+41.49 грн
1000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L2R6ATMA1 IPC100N04S5L2R6ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5L-2R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801c9332907 Description: INFINEON - IPC100N04S5L2R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.57 грн
13+63.62 грн
100+42.34 грн
500+30.97 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPB80P04P4L08ATMA2 INFINEON IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.57 грн
500+55.92 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYW955913EVK-01 CYW955913EVK-01 INFINEON 4626033.pdf Description: INFINEON - CYW955913EVK-01 - Evaluationskit, CYW55913 1x1 WiFi 6E und Bluetooth Low Energy 5.4
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW55913
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55913
euEccn: NLR
IC-Funktion: Connected Microcontroller
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9116.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON 59953.pdf description Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.78 грн
250+52.45 грн
500+50.37 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N045TATMA1 IAUCN08S7N045TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4 Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.76 грн
500+74.64 грн
1000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.10 грн
250+48.57 грн
1000+32.17 грн
2000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DG48VSWITCHKITTOBO1 DG48VSWITCHKITTOBO1 INFINEON Infineon-Dual_Gate_48V_switch_board_quick_introduction-Presentations-v02_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2029a416004e Description: INFINEON - DG48VSWITCHKITTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Schalter-Evaluationsboard 2ED4820-EM
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20492.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFWATERPUMP150WTOBO1 REFWATERPUMP150WTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - REFWATERPUMP150WTOBO1 - Referenzdesign-Board, TLE9954EQW40, 32 Bit, ARM Cortex-M23, 150W-Hilfswasserpumpe
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Wärme-Management-System
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board TLE9954EQW40
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M23
Unterart Anwendung: Hilfswasserpumpe
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: TLE995x
euEccn: NLR
Prozessorkern: TLE9954EQW40
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48108.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF45W1ZVS184EMTOBO2 REF45W1ZVS184EMTOBO2 INFINEON 4546507.pdf Description: INFINEON - REF45W1ZVS184EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE184EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7362.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF45W1ZVS184LMTOBO2 REF45W1ZVS184LMTOBO2 INFINEON 4546508.pdf Description: INFINEON - REF45W1ZVS184LMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184LM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184LM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE184LM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7362.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF60W1ZVS186EMTOBO2 REF60W1ZVS186EMTOBO2 INFINEON 4546509.pdf Description: INFINEON - REF60W1ZVS186EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE186EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE186EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE186EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9202.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXI CY7C1049GN30-10ZSXI INFINEON 2629516.pdf Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+222.61 грн
Мінімальне замовлення: 1350
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXIT CY62126EV30LL-45ZSXIT INFINEON INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.13 грн
10+169.99 грн
25+165.13 грн
50+150.33 грн
100+135.30 грн
250+130.44 грн
500+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50G120C5XKSA1 IDWD50G120C5XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD50G120C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195473528d41ab4 Description: INFINEON - IDWD50G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 223 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 223nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.55 грн
5+947.90 грн
10+721.24 грн
50+661.46 грн
100+602.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4267GATMA1 TLE4267GATMA1 INFINEON INFN-S-A0006155620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4267GATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 40V, 300mV Dropout, 5Vout, 400mAout, TO-263-7
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.56 грн
250+111.01 грн
500+108.24 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452RATMA1 BTS452RATMA1 INFINEON 1651317.pdf Description: INFINEON - BTS452RATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 6.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 52V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.47 грн
250+88.81 грн
500+85.34 грн
1000+83.95 грн
2500+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 4503009.pdf
IMT65R026M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+599.82 грн
50+513.38 грн
100+433.65 грн
250+425.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
IMT65R010M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1113.03 грн
50+1016.24 грн
100+922.11 грн
250+903.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
IMTA65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+490.54 грн
50+410.40 грн
100+337.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 4503011.pdf
IMT65R040M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+425.78 грн
50+351.78 грн
100+283.78 грн
250+278.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 4503012.pdf
IMT65R050M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+361.03 грн
100+312.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
IMT65R107M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+551.25 грн
10+361.03 грн
100+266.32 грн
500+218.73 грн
1000+179.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 4609068.pdf
IMT44R015M2HXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.75 грн
5+866.95 грн
10+712.34 грн
50+605.84 грн
100+507.20 грн
250+496.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
IMT65R010M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1546.10 грн
5+1329.97 грн
10+1113.03 грн
50+1016.24 грн
100+922.11 грн
250+903.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R011M2HXTMA2 4609067.pdf
IMT44R011M2HXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1236.88 грн
5+1055.56 грн
10+874.23 грн
50+778.72 грн
100+688.29 грн
250+674.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
IPF036N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+213.70 грн
500+184.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.65 грн
250+53.10 грн
1000+35.25 грн
2000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11687.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T4BOMA1 2079074.pdf
FS35R12W1T4BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 65 A, 1.85 V, 225 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 225W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2098.16 грн
5+1835.08 грн
10+1572.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1
DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBOARDTLE9252VSKTOBO1 - Demoboard, TLE9252VSK, CAN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9252VSK
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9252VSK
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CAN-FD-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7035.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7XKSA1 2718756.pdf
IPA60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.70 грн
10+108.47 грн
100+82.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 3154645.pdf
IAUC24N10S5L300ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.99 грн
13+64.11 грн
100+43.31 грн
500+28.26 грн
1000+21.79 грн
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 3154645.pdf
IAUC24N10S5L300ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC24N10S5L300ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.0235 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.31 грн
500+28.26 грн
1000+21.79 грн
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-333047-02 4626035.pdf
CYBT-333047-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-333047-02 - Bluetooth-Modul, BLE 5.0, Klasse 1/2, 4Mbit/s, -96.5dBm, 2.3-3.6V, -30-85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.3V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
Produktpalette: EZ-BT WICED Series
productTraceability: No
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -96.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+674.29 грн
5+660.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1
EVINVHPD2SIFS52012TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVINVHPD2SIFS52012TOBO1 - Evaluationskit, FS520R12A8P1LB, Stromversorgungsmodul, 10V bis 18V
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: FS520R12A8P1LB
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FS520R12A8P1LB, Gate-Treiber-Platine, Phasenstromsensor und Logik-Platine
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+228596.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.39 грн
500+41.87 грн
1000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD609812BEVALTOBO1
TLD609812BEVALTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD609812BEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLD6098-1EP, 8V bis 27Vin, 50Vout, 1A, Aufwärts (Boost), analog, digital
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD6098-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1A
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 48.6V
Core-Chip: TLD6098-1EP
Eingangsspannung, max.: 27V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Boost
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8447.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.90 грн
11+80.06 грн
100+54.15 грн
500+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 4015300.pdf
IQD020N10NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+420.93 грн
10+284.13 грн
100+203.18 грн
500+183.40 грн
1000+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 4409638.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+213.70 грн
500+194.68 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 4421043.pdf
IPD020N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 143 A, 2050 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.93 грн
500+43.22 грн
1000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N020ATMA1 4146085.pdf
IAUCN04S7N020ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N020ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.65 грн
500+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+447.64 грн
10+312.46 грн
100+225.03 грн
500+195.43 грн
1000+175.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5CGSCATMA1 4409629.pdf
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+225.03 грн
500+195.43 грн
1000+175.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5ATMA1 4015300.pdf
IQD020N10NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+203.18 грн
500+183.40 грн
1000+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD020N10NM5SCATMA1 4409638.pdf
IQD020N10NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD020N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 2050 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.59 грн
10+297.08 грн
100+213.70 грн
500+194.68 грн
1000+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N03LF2SATMA1 infineon-ipb020n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB020N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.32 грн
10+149.75 грн
100+103.61 грн
500+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1 2576637.pdf
IPL60R285P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.80 грн
10+97.14 грн
100+68.81 грн
500+51.34 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R285P7AUMA1 infineon-ipl60r285p7-ds-en.pdf
IPL60R285P7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.81 грн
500+51.34 грн
1000+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED2147S65FXUMA1 Infineon-1ED21x7x-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01948416048c0e61
1ED2147S65FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED2147S65FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side, Si-MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -4A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 6.6V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.52 грн
10+82.57 грн
50+74.31 грн
100+61.18 грн
250+53.08 грн
500+51.00 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
REFAUDIOGANB750WTOBO1 REFAUDIOGANB750WTOBO1
REFAUDIOGANB750WTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFAUDIOGANB750WTOBO1 - Evaluationsboard, IRS20957SPBF, Class D-Audiotreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS20957SPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS20957SPBF
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Class D-Audiotreiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20467.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP018N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP018N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019030cd1e162b8f
IPP018N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP018N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.95 грн
11+75.69 грн
100+52.70 грн
500+39.01 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N03LF2SATMA1
IPB018N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.94 грн
10+152.18 грн
100+105.23 грн
500+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N75EH7 4603896.pdf
IKZA50N75EH7
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+494.59 грн
10+393.41 грн
100+300.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH50N75EH7 4603895.pdf
IKWH50N75EH7
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH50N75EH7 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 250 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+497.02 грн
10+395.02 грн
100+301.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3021ASXUMA1 3517978.pdf
1EDI3021ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+300.32 грн
25+279.27 грн
50+238.28 грн
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+164.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3021ASXUMA1 3517978.pdf
1EDI3021ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3021ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+436.31 грн
10+300.32 грн
25+279.27 грн
50+238.28 грн
100+194.27 грн
250+183.87 грн
500+164.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3020ASXUMA1 3517978.pdf
1EDI3020ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.22 грн
10+247.70 грн
25+225.03 грн
50+192.42 грн
100+163.05 грн
250+155.42 грн
500+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI3020ASXUMA1 3517978.pdf
1EDI3020ASXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3020ASXUMA1 - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+247.70 грн
25+225.03 грн
50+192.42 грн
100+163.05 грн
250+155.42 грн
500+149.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.39 грн
500+41.49 грн
1000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-2R6-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590801c9332907
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L2R6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.57 грн
13+63.62 грн
100+42.34 грн
500+30.97 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2 IPx80P04P4L-08_rev1.2_7-3-19.pdf
IPB80P04P4L08ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.57 грн
500+55.92 грн
1000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYW955913EVK-01 4626033.pdf
CYW955913EVK-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW955913EVK-01 - Evaluationskit, CYW55913 1x1 WiFi 6E und Bluetooth Low Energy 5.4
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW55913
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55913
euEccn: NLR
IC-Funktion: Connected Microcontroller
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9116.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description 59953.pdf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.78 грн
250+52.45 грн
500+50.37 грн
1000+48.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4
IAUCN08S7N045TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.76 грн
500+74.64 грн
1000+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.10 грн
250+48.57 грн
1000+32.17 грн
2000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DG48VSWITCHKITTOBO1 Infineon-Dual_Gate_48V_switch_board_quick_introduction-Presentations-v02_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2029a416004e
DG48VSWITCHKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DG48VSWITCHKITTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED4820-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED4820-EM
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Schalter-Evaluationsboard 2ED4820-EM
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20492.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFWATERPUMP150WTOBO1
REFWATERPUMP150WTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFWATERPUMP150WTOBO1 - Referenzdesign-Board, TLE9954EQW40, 32 Bit, ARM Cortex-M23, 150W-Hilfswasserpumpe
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Wärme-Management-System
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board TLE9954EQW40
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M23
Unterart Anwendung: Hilfswasserpumpe
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: TLE995x
euEccn: NLR
Prozessorkern: TLE9954EQW40
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+48108.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF45W1ZVS184EMTOBO2 4546507.pdf
REF45W1ZVS184EMTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF45W1ZVS184EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE184EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7362.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF45W1ZVS184LMTOBO2 4546508.pdf
REF45W1ZVS184LMTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF45W1ZVS184LMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE184LM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE184LM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE184LM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7362.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF60W1ZVS186EMTOBO2 4546509.pdf
REF60W1ZVS186EMTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF60W1ZVS186EMTOBO2 - Referenzdesign-Board, ICE186EM, ZVS-Flyback-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE186EM für Hilfsstromversorgung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: ZVS-Flyback-Controller
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE186EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9202.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXI 2629516.pdf
CY7C1049GN30-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1350+222.61 грн
Мінімальне замовлення: 1350
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXIT INFN-S-A0013908107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62126EV30LL-45ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62126EV30LL-45ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.13 грн
10+169.99 грн
25+165.13 грн
50+150.33 грн
100+135.30 грн
250+130.44 грн
500+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50G120C5XKSA1 Infineon-IDWD50G120C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195473528d41ab4
IDWD50G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD50G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 223 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 223nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1174.55 грн
5+947.90 грн
10+721.24 грн
50+661.46 грн
100+602.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4267GATMA1 INFN-S-A0006155620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4267GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4267GATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 40V, 300mV Dropout, 5Vout, 400mAout, TO-263-7
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.56 грн
250+111.01 грн
500+108.24 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452RATMA1 1651317.pdf
BTS452RATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS452RATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 6.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 52V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.47 грн
250+88.81 грн
500+85.34 грн
1000+83.95 грн
2500+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 402 403 404 405 406 407 408 409  [ Наступна Сторінка >> ]