Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 650A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFB4229PBFXKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C21223-24SXI | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 4KB Versorgungsspannung, min.: 2.4V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 256Byte MCU-Baureihe: CY8C21x23 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 720A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 925A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A228.c Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: 3A228.c Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALM1CM610N3TOBO2 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IKCM10H60GA Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA euEccn: NLR Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AIMW120R035M1HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228mW Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AIMBG75R040M1HXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AIMZH120R160M1TXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AIMZHN120R060M1TXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE94112ESSHIELDTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLE94112ES Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES euEccn: NLR Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: 2ED1324S12P Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P euEccn: NLR Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF1600R12IP7BOSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: PrimePACK 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF1MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF1MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IM72D128V01 Kit-Anwendungsbereich: Audio productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel euEccn: NLR Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE8251VSJXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 2Mbps MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Treiber CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 13908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE8251VSJXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 2Mbps MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Treiber CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 13908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE4999C4HALA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Linear rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5mA Qualifikation: AEC-Q100 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: SSO Bauform - Sensor: SSO euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AIMZA75R140M1HXKSA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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REF5AR4780BZS114W1TOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4780BZS Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Prozessorserie: - Unterart Anwendung: SNT usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: CoolSET euEccn: NLR Prozessorkern: ICE5AR4780BZS Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60R010S7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60R010S7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 694W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7A productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPQC60T017S7AXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60R015CFD7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 657W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPQC60T010S7AXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60T017S7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60T010S7AXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPQC60T017S7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMDQ75R020M1HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMDQ75R090M1HXUMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60T017S7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60T017S7AXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPQC60T010S7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 694W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ60R015CFD7XTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 657W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPQC60T017S7AXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR3410TRPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYUSB3014-BZXI Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard, SuperSpeed-USB-C-Kabel, Kurzanleitung, Gehäuse, Schaumstoff euEccn: NLR Unterart Anwendung: USB-Peripherie-Controller hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW920820M2EVB-01 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85176200 Prozessorkern: CYW20820 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Cypress Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IM06B15AC1XKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: CIPOS rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 15A rohsPhthalatesCompliant: TBA Nennspannung (Vces / Vdss): 650V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP Produktpalette: CIPOS Mini Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL2EP130RPRTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL2EP130RPRTOBO1 - Evaluationsboard, 2EP130R, Transformatortreiber, Power-Management, für 3 Transformatoren tariffCode: 85437090 Prozessorkern: 2EP130R Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EP130R euEccn: NLR Unterart Anwendung: Transformatortreiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PROF2BTS70061EPPDBTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit High-Side-Schalter Prozessorkern: BTS7006-1EPP Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Tochterplatine BTS7006-1EPP euEccn: NLR Unterart Anwendung: High-Side-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PROF2BTS70021EPPDBTOBO1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit High-Side-Schalter Prozessorkern: BTS7002-1EPP Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Tochterplatine BTS7002-1EPP euEccn: NLR Unterart Anwendung: High-Side-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FL512SAGMFI013 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: -ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
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10+ | 1071.11 грн |
50+ | 938.79 грн |
100+ | 815.77 грн |
250+ | 789.66 грн |
IPB60R060P7ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 435.52 грн |
10+ | 322.73 грн |
50+ | 310.38 грн |
200+ | 224.00 грн |
500+ | 174.30 грн |
IPB60R060P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 310.38 грн |
200+ | 224.00 грн |
500+ | 174.30 грн |
FF750R17ME7DPB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 650A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 650A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 23243.28 грн |
5+ | 22470.20 грн |
BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET ONE4ALL Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET ONE4ALL Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET ONE4ALL Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET ONE4ALL Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Daughter Board, SPOC+2 Motherboards, Power Controller
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Daughter Board, SPOC+2 Motherboards, Power Controller
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5078.09 грн |
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3554.99 грн |
IRFB4229PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 242.87 грн |
10+ | 212.41 грн |
100+ | 176.19 грн |
500+ | 146.78 грн |
1000+ | 124.91 грн |
CY8C21223-24SXI | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 243.70 грн |
10+ | 207.47 грн |
25+ | 197.59 грн |
50+ | 173.54 грн |
100+ | 139.02 грн |
250+ | 131.26 грн |
500+ | 125.61 грн |
1000+ | 122.79 грн |
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 17905.85 грн |
5+ | 17891.86 грн |
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 433218.07 грн |
FF2000UXTR33T2M1BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 0.0024 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 548726.42 грн |
EVALM1CM610N3TOBO2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9094.12 грн |
AIMW120R035M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2609.85 грн |
5+ | 2270.65 грн |
10+ | 1930.63 грн |
50+ | 1791.96 грн |
100+ | 1496.75 грн |
AIMBG75R040M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 624.06 грн |
50+ | 511.44 грн |
100+ | 409.30 грн |
250+ | 400.83 грн |
AIMZH120R160M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 806.83 грн |
5+ | 717.91 грн |
10+ | 628.17 грн |
50+ | 543.55 грн |
100+ | 464.34 грн |
AIMZHN120R060M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1093.34 грн |
5+ | 1028.30 грн |
10+ | 962.43 грн |
50+ | 821.06 грн |
100+ | 690.86 грн |
TLE94112ESSHIELDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluation Shield Board, TLE94112ES, Brushed DC Motor Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluation Shield Board, TLE94112ES, Brushed DC Motor Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1719.86 грн |
EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 62691.48 грн |
EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21961.41 грн |
FF1600R12IP7BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
Dauer-Kollektorstrom: 1.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 44469.48 грн |
FF1MR12KM1HHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 46112.78 грн |
FF1MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 0.00147 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48068.10 грн |
EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM72D128V01
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM72D128V01
Kit-Anwendungsbereich: Audio
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12584.07 грн |
TLE8251VSJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 271.69 грн |
10+ | 177.83 грн |
50+ | 145.72 грн |
100+ | 105.50 грн |
250+ | 95.97 грн |
500+ | 86.09 грн |
1000+ | 75.51 грн |
2500+ | 68.59 грн |
TLE8251VSJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 105.50 грн |
250+ | 95.97 грн |
500+ | 86.09 грн |
1000+ | 75.51 грн |
2500+ | 68.59 грн |
TLE4999C4HALA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 437.99 грн |
10+ | 337.55 грн |
25+ | 329.32 грн |
50+ | 298.15 грн |
100+ | 268.16 грн |
250+ | 246.28 грн |
500+ | 224.41 грн |
AIMZA75R140M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMZA75R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 554.08 грн |
10+ | 330.96 грн |
100+ | 253.58 грн |
REF5AR4780BZS114W1TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR4780BZS114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4780BZS, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4780BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4780BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - REF5AR4780BZS114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4780BZS, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4780BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4780BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11460.27 грн |
IPDQ60R010S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1598.84 грн |
5+ | 1456.41 грн |
10+ | 1313.16 грн |
50+ | 1146.73 грн |
100+ | 1000.66 грн |
250+ | 961.84 грн |
IPDQ60R010S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1313.16 грн |
50+ | 1146.73 грн |
100+ | 1000.66 грн |
250+ | 961.84 грн |
IPQC60T017S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 871.87 грн |
50+ | 755.31 грн |
100+ | 642.17 грн |
IPDQ60R015CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1568.38 грн |
5+ | 1351.03 грн |
10+ | 1132.85 грн |
50+ | 952.55 грн |
100+ | 786.84 грн |
250+ | 771.31 грн |
IPQC60T010S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2323.34 грн |
5+ | 1878.76 грн |
10+ | 1604.60 грн |
50+ | 1402.84 грн |
100+ | 1205.30 грн |
IPDQ60T017S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1066.17 грн |
5+ | 949.26 грн |
10+ | 832.35 грн |
50+ | 730.85 грн |
IPDQ60T010S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IPDQ60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2323.34 грн |
5+ | 1878.76 грн |
10+ | 1604.60 грн |
50+ | 1402.84 грн |
100+ | 1205.30 грн |
IPQC60T017S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPQC60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 843.05 грн |
50+ | 730.85 грн |
IMDQ75R020M1HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R020M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 0.018 ohm, HDSOP
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Drain-Source-Spannung Vds: 750V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1374.90 грн |
5+ | 1276.93 грн |
10+ | 1178.14 грн |
50+ | 1033.59 грн |
100+ | 897.63 грн |
250+ | 869.40 грн |
IMDQ75R090M1HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R090M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 750 V, 0.083 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMDQ75R090M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 750 V, 0.083 ohm, HDSOP
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 480.80 грн |
10+ | 373.78 грн |
100+ | 323.56 грн |
500+ | 253.05 грн |
IPDQ60T017S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 832.35 грн |
50+ | 730.85 грн |
IPDQ60T017S7AXTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 871.87 грн |
50+ | 755.31 грн |
100+ | 642.17 грн |
IPQC60T010S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IPQC60T010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2235.25 грн |
5+ | 1807.13 грн |
10+ | 1543.68 грн |
50+ | 1350.09 грн |
100+ | 1159.44 грн |
IPDQ60R015CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPDQ60R015CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 149 A, 0.012 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 657W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1132.85 грн |
50+ | 952.55 грн |
100+ | 786.84 грн |
250+ | 771.31 грн |
IPQC60T017S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1050.52 грн |
5+ | 961.61 грн |
10+ | 871.87 грн |
50+ | 755.31 грн |
100+ | 642.17 грн |
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 461.87 грн |
10+ | 327.67 грн |
100+ | 284.04 грн |
500+ | 244.64 грн |
IRFR3410TRPBF | ![]() |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.034 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.034 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 41.00 грн |
DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 - Kamera-Kit, CYUSB3014-BZXI, USB-Peripherie-Controller, FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYUSB3014-BZXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard, SuperSpeed-USB-C-Kabel, Kurzanleitung, Gehäuse, Schaumstoff
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Peripherie-Controller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DEMOFX3U3VCAM01TOBO1 - Kamera-Kit, CYUSB3014-BZXI, USB-Peripherie-Controller, FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYUSB3014-BZXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: FX3-Basisplatine, Kamera-Erweiterungsboard, SuperSpeed-USB-C-Kabel, Kurzanleitung, Gehäuse, Schaumstoff
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Peripherie-Controller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 21513.53 грн |
CYW920820M2EVB-01 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920820M2EVB-01 - EVALUATIONSKIT, BLUETOOTH LOW ENERGY
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: CYW20820
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYW920820M2EVB-01 - EVALUATIONSKIT, BLUETOOTH LOW ENERGY
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: CYW20820
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4631.04 грн |
IM06B15AC1XKMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM06B15AC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 650 V, 15 A, 2 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nennspannung (Vces / Vdss): 650V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Mini Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IM06B15AC1XKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 650 V, 15 A, 2 kV, DIP, CIPOS
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nennspannung (Vces / Vdss): 650V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Mini Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 805.18 грн |
5+ | 703.09 грн |
10+ | 601.83 грн |
50+ | 464.04 грн |
100+ | 419.88 грн |
250+ | 411.41 грн |
EVAL2EP130RPRTOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2EP130RPRTOBO1 - Evaluationsboard, 2EP130R, Transformatortreiber, Power-Management, für 3 Transformatoren
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 2EP130R
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EP130R
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transformatortreiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - EVAL2EP130RPRTOBO1 - Evaluationsboard, 2EP130R, Transformatortreiber, Power-Management, für 3 Transformatoren
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: 2EP130R
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EP130R
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Transformatortreiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8181.09 грн |
PROF2BTS70061EPPDBTOBO1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70061EPPDBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7006-1EPP, High-Side-Schalter, Power-Management - Lastschalter
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit High-Side-Schalter
Prozessorkern: BTS7006-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine BTS7006-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PROF2BTS70061EPPDBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7006-1EPP, High-Side-Schalter, Power-Management - Lastschalter
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit High-Side-Schalter
Prozessorkern: BTS7006-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine BTS7006-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3610.15 грн |
PROF2BTS70021EPPDBTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPDBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, High-Side-Schalter, Power-Management - Lastschalter
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit High-Side-Schalter
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPDBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, High-Side-Schalter, Power-Management - Lastschalter
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit High-Side-Schalter
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3610.15 грн |
S25FL512SAGMFI013 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI013 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI013 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 736.03 грн |