Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 408 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 403 404 405 406 407 408 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS452RATMA1 BTS452RATMA1 INFINEON 1651317.pdf Description: INFINEON - BTS452RATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 6.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 52V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.47 грн
250+88.81 грн
500+85.34 грн
1000+83.95 грн
2500+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.59 грн
500+37.66 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON 2331320.pdf Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 INFINEON INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 AIMDQ75R016M2HXTMA1 INFINEON Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650 Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1439.25 грн
5+1232.02 грн
10+1024.80 грн
50+911.76 грн
100+804.85 грн
250+788.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1 IPT60R024CM8XTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+573.92 грн
50+474.30 грн
100+383.69 грн
250+376.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1 IPT60R024CM8XTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.95 грн
5+703.44 грн
10+573.92 грн
50+474.30 грн
100+383.69 грн
250+376.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1 IMDQ75R016M2HXTMA1 INFINEON Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1355.06 грн
5+1158.36 грн
10+960.85 грн
50+842.61 грн
100+731.30 грн
250+716.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LTRXUMA1 GS0650046LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.93 грн
10+216.94 грн
100+154.61 грн
500+120.27 грн
1000+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 GS0650111LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.79 грн
10+250.13 грн
100+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 GS0650116LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.98 грн
10+276.03 грн
100+243.65 грн
500+193.18 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 GS0650146LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.12 грн
10+347.27 грн
100+306.79 грн
500+242.79 грн
1000+181.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 GS0650306LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.95 грн
5+685.63 грн
10+523.73 грн
50+454.75 грн
100+390.63 грн
250+379.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.00 грн
5+708.29 грн
10+578.78 грн
50+494.59 грн
100+417.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 GS0650146LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.98 грн
10+361.03 грн
100+311.65 грн
500+251.81 грн
1000+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 GS0650186LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.92 грн
5+509.16 грн
10+440.36 грн
50+356.29 грн
100+274.07 грн
250+268.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 GS0650086LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.74 грн
10+199.13 грн
100+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 GS0650111LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.98 грн
10+347.27 грн
100+300.32 грн
500+242.79 грн
1000+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 GS0650112LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.60 грн
10+363.46 грн
100+314.08 грн
500+254.81 грн
1000+195.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 GS0650116LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.17 грн
10+284.94 грн
100+246.08 грн
500+198.44 грн
1000+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.81 грн
5+709.10 грн
10+579.59 грн
50+474.30 грн
100+378.14 грн
250+328.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 GS0650302LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.00 грн
5+820.00 грн
10+803.81 грн
50+730.61 грн
100+659.84 грн
250+645.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.59 грн
5+414.45 грн
10+334.31 грн
50+284.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 GS0650046LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.46 грн
10+170.80 грн
100+118.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LMRXUSA1 GS0650146LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LMRXUSA1 GS0650112LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 GS0650146LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3 Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+306.79 грн
500+242.79 грн
1000+181.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 GS0650086LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 GS0650046LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 GS0650302LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+578.78 грн
50+494.59 грн
100+417.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 GS0650302LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149 Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+803.81 грн
50+730.61 грн
100+659.84 грн
250+645.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+253.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+334.31 грн
50+284.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 GS0650186LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+440.36 грн
50+356.29 грн
100+274.07 грн
250+268.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 GS0650116LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.65 грн
500+193.18 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 GS0650306LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+523.73 грн
50+454.75 грн
100+390.63 грн
250+379.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LTRXUMA1 GS0650046LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9 Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.61 грн
500+120.27 грн
1000+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LMRXUSA1 GS0650116LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0 Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+266.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 GS0650116LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+246.08 грн
500+198.44 грн
1000+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 GS0650112LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+314.08 грн
500+254.81 грн
1000+195.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 GS0650111LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+300.32 грн
500+242.79 грн
1000+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+579.59 грн
50+474.30 грн
100+378.14 грн
250+328.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 GS0650111LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 GS0650146LRTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+311.65 грн
500+251.81 грн
1000+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LTRXUMA1 GS0650086LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+228.27 грн
500+184.91 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9RPI55513EVKTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27540.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.00 грн
14+61.20 грн
100+48.73 грн
500+40.59 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.73 грн
500+40.59 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+501.07 грн
50+411.91 грн
100+330.27 грн
250+323.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+713.15 грн
5+607.11 грн
10+501.07 грн
50+411.91 грн
100+330.27 грн
250+323.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2461SXUMA1 IRS2461SXUMA1 INFINEON 4626039.pdf Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.22 грн
10+260.65 грн
25+240.41 грн
50+212.72 грн
100+186.64 грн
250+177.62 грн
500+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6395.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 TLE9009DQUXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69 Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.73 грн
10+408.79 грн
25+390.98 грн
50+346.51 грн
100+304.59 грн
250+300.43 грн
500+295.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 TLE9009DQUXUMA1 INFINEON Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69 Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+408.79 грн
25+390.98 грн
50+346.51 грн
100+304.59 грн
250+300.43 грн
500+295.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON 2619562.pdf Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.04 грн
500+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F43L100R07W2S5B40BPSA1 INFINEON Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4032.81 грн
5+3842.59 грн
10+3641.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.89 грн
500+151.08 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 IQDH45N04LM6SCATMA1 INFINEON 4409633.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.84 грн
10+250.94 грн
100+178.89 грн
500+151.08 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1 IPW65R025CM8XKSA1 INFINEON Infineon-IPW65R025CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d8f4f0608b Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.62 грн
5+684.01 грн
10+512.40 грн
50+462.27 грн
100+414.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452RATMA1 1651317.pdf
BTS452RATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS452RATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 6.5A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 52V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.47 грн
250+88.81 грн
500+85.34 грн
1000+83.95 грн
2500+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.59 грн
500+37.66 грн
1000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 2331320.pdf
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P04P405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon-AIMDQ75R016M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c95d1335f0195eb49b2bf6650
AIMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1439.25 грн
5+1232.02 грн
10+1024.80 грн
50+911.76 грн
100+804.85 грн
250+788.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1
IPT60R024CM8XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+573.92 грн
50+474.30 грн
100+383.69 грн
250+376.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R024CM8XTMA1
IPT60R024CM8XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R024CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 103 A, 0.024 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.95 грн
5+703.44 грн
10+573.92 грн
50+474.30 грн
100+383.69 грн
250+376.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M2HXTMA1
IMDQ75R016M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1355.06 грн
5+1158.36 грн
10+960.85 грн
50+842.61 грн
100+731.30 грн
250+716.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LTRXUMA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.93 грн
10+216.94 грн
100+154.61 грн
500+120.27 грн
1000+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+374.79 грн
10+250.13 грн
100+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.98 грн
10+276.03 грн
100+243.65 грн
500+193.18 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.12 грн
10+347.27 грн
100+306.79 грн
500+242.79 грн
1000+181.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.95 грн
5+685.63 грн
10+523.73 грн
50+454.75 грн
100+390.63 грн
250+379.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+837.00 грн
5+708.29 грн
10+578.78 грн
50+494.59 грн
100+417.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+407.98 грн
10+361.03 грн
100+311.65 грн
500+251.81 грн
1000+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+573.92 грн
5+509.16 грн
10+440.36 грн
50+356.29 грн
100+274.07 грн
250+268.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.74 грн
10+199.13 грн
100+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+390.98 грн
10+347.27 грн
100+300.32 грн
500+242.79 грн
1000+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+409.60 грн
10+363.46 грн
100+314.08 грн
500+254.81 грн
1000+195.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+322.17 грн
10+284.94 грн
100+246.08 грн
500+198.44 грн
1000+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+837.81 грн
5+709.10 грн
10+579.59 грн
50+474.30 грн
100+378.14 грн
250+328.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+837.00 грн
5+820.00 грн
10+803.81 грн
50+730.61 грн
100+659.84 грн
250+645.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+494.59 грн
5+414.45 грн
10+334.31 грн
50+284.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.8nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.455ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.46 грн
10+170.80 грн
100+118.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e37b92de3
GS0650146LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+306.79 грн
500+242.79 грн
1000+181.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LMRXUSA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LMRXUSA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+578.78 грн
50+494.59 грн
100+417.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650302LTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160754f5149
GS0650302LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+803.81 грн
50+730.61 грн
100+659.84 грн
250+645.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+253.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+334.31 грн
50+284.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+440.36 грн
50+356.29 грн
100+274.07 грн
250+268.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.65 грн
500+193.18 грн
1000+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+523.73 грн
50+454.75 грн
100+390.63 грн
250+379.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650046LTRXUMA1 Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e1aea2dc9
GS0650046LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650046LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 4.6 A, 0.455 ohm, 0.8 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+154.61 грн
500+120.27 грн
1000+106.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e35232de0
GS0650116LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+266.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+246.08 грн
500+198.44 грн
1000+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650112LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606de3513f
GS0650112LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+314.08 грн
500+254.81 грн
1000+195.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LTRXUMA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+300.32 грн
500+242.79 грн
1000+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+579.59 грн
50+474.30 грн
100+378.14 грн
250+328.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650111LMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-1-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e51606b81513c
GS0650111LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650111LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRTRXUMA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+311.65 грн
500+251.81 грн
1000+192.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+218.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650086LTRXUMA1 Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd
GS0650086LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+228.27 грн
500+184.91 грн
1000+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9RPI55513EVKTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9RPI55513EVKTOBO1 - Evaluationskit, CYW55513, WiFi 6/6E, Bluetooth 5.4
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYW55513 mit RPi CM4 Mod, 2x Dipolantenne, 2x konfektioniertes SMA/U.FL-Kabel, USB-Kabel, Handbuch
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth and WiFi
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27540.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.00 грн
14+61.20 грн
100+48.73 грн
500+40.59 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.73 грн
500+40.59 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+501.07 грн
50+411.91 грн
100+330.27 грн
250+323.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1 4148566.pdf
IPT067N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+713.15 грн
5+607.11 грн
10+501.07 грн
50+411.91 грн
100+330.27 грн
250+323.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2461SXUMA1 4626039.pdf
IRS2461SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2461SXUMA1 - Audioleistungsverstärker, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, WSOIC, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: -
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: -
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+343.22 грн
10+260.65 грн
25+240.41 грн
50+212.72 грн
100+186.64 грн
250+177.62 грн
500+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1
EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED3012MC12ISICTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED3012MC12I, Opto-Emulator-Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED3012MC12I
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED3012MC12I
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Opto-Emulator-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6395.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69
TLE9009DQUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Anzahl der Zellen: 9Cells
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Schnittstellen: Iso UART, UART
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.73 грн
10+408.79 грн
25+390.98 грн
50+346.51 грн
100+304.59 грн
250+300.43 грн
500+295.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9009DQUXUMA1 Infineon-TLE9009DQU-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01920088e7510c69
TLE9009DQUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9009DQUXUMA1 - Akkuwächter, Lithium-Ionen, Iso UART, UART, 9 Zellen, 4.75-60V Versorgung, -40-150°C, TQFP-EP-48
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+408.79 грн
25+390.98 грн
50+346.51 грн
100+304.59 грн
250+300.43 грн
500+295.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 2619562.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N65S5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 270 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.04 грн
500+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F43L100R07W2S5B40BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F43L100R07W2S5B40BPSA1 - IGBT-Modul, 80 A, 1.42 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 80A
Produktpalette: EasyPACK 2B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4032.81 грн
5+3842.59 грн
10+3641.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 4409633.pdf
IQDH45N04LM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.89 грн
500+151.08 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6SCATMA1 4409633.pdf
IQDH45N04LM6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+378.84 грн
10+250.94 грн
100+178.89 грн
500+151.08 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1 Infineon-IPW65R025CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d8f4f0608b
IPW65R025CM8XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+855.62 грн
5+684.01 грн
10+512.40 грн
50+462.27 грн
100+414.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 403 404 405 406 407 408 409  [ Наступна Сторінка >> ]