Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25910) > Сторінка 408 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.93 грн
500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 TT120N16SOFHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 190A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2796.02 грн
5+2537.26 грн
10+2279.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22SHPSA1 INFINEON INFN-S-A0003614768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4871.40 грн
5+4347.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD220N16SHPSA1 DD220N16SHPSA1 INFINEON infineon-dd220n16s-ds-v03_01-en.pdf Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4366.24 грн
5+3761.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON INFNS28361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10412.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.66 грн
10+369.15 грн
100+267.59 грн
500+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1282.32 грн
50+1152.18 грн
100+1027.97 грн
250+1007.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1270.84 грн
5+1112.76 грн
10+953.79 грн
50+843.84 грн
100+626.02 грн
250+613.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+254.34 грн
500+205.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1557.86 грн
5+1420.09 грн
10+1282.32 грн
50+1152.18 грн
100+1027.97 грн
250+1007.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2097.46 грн
5+1825.45 грн
10+1552.56 грн
50+1440.84 грн
100+1213.43 грн
250+1189.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+433.62 грн
100+317.05 грн
500+250.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+517.52 грн
50+432.17 грн
100+353.51 грн
250+346.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+953.79 грн
50+843.84 грн
100+626.02 грн
250+613.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+756.85 грн
5+637.63 грн
10+517.52 грн
50+432.17 грн
100+353.51 грн
250+346.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.37 грн
10+433.62 грн
100+317.05 грн
500+250.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+676.48 грн
50+575.68 грн
100+482.95 грн
250+473.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+423.91 грн
10+308.22 грн
100+254.34 грн
500+205.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1552.56 грн
50+1440.84 грн
100+1213.43 грн
250+1189.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+369.15 грн
100+267.59 грн
500+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+788.64 грн
5+733.01 грн
10+676.48 грн
50+575.68 грн
100+482.95 грн
250+473.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.82 грн
250+59.73 грн
500+57.91 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.39 грн
11+86.37 грн
50+79.75 грн
100+67.82 грн
250+59.73 грн
500+57.91 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 ITS5215LCUMA1 INFINEON 1523206.pdf Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.96 грн
250+124.14 грн
500+117.33 грн
1000+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.84 грн
250+13.95 грн
1000+9.84 грн
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.09 грн
10+241.98 грн
100+171.33 грн
500+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.33 грн
500+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC234L32F200NACKXUMA1 TC234L32F200NACKXUMA1 INFINEON Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 192KB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1409.49 грн
10+1122.47 грн
25+1050.05 грн
50+897.14 грн
100+766.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON 1849741.html Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+78.42 грн
17+52.90 грн
100+36.47 грн
500+29.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.47 грн
500+29.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 INFINEON 2355476.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.83 грн
250+55.34 грн
500+52.53 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 INFINEON 2355476.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.79 грн
13+72.42 грн
50+69.50 грн
100+61.83 грн
250+55.34 грн
500+52.53 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 INFINEON DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.45V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6112.21 грн
5+5990.34 грн
10+5867.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1 BSZ013NE2LS5IATMA1 INFINEON 2849735.pdf Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+106.86 грн
11+83.46 грн
100+59.61 грн
500+45.27 грн
1000+38.38 грн
5000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 INFINEON Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010 Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.57 грн
16+57.58 грн
100+38.77 грн
500+28.13 грн
1000+21.65 грн
5000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.44 грн
5+1348.55 грн
10+1347.67 грн
50+735.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 IDH02G120C5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.63 грн
10+102.44 грн
100+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.50 грн
15+61.38 грн
100+50.16 грн
500+35.84 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.16 грн
500+35.84 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 INFINEON 2849605.pdf Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6172.26 грн
5+6048.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON 2883915.pdf Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3269.38 грн
5+2934.67 грн
10+2599.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1 F3L75R12W1H3B27BOMA1 INFINEON 2882448.pdf Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2786.31 грн
5+2639.70 грн
10+2492.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06W1E3BOMA1 FS50R06W1E3BOMA1 INFINEON 2078944.pdf Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPack
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2663.55 грн
5+2520.48 грн
10+2377.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 IMI111T026HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.64 грн
5+518.40 грн
10+451.28 грн
50+387.89 грн
100+326.26 грн
250+311.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 IMI111T046HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.51 грн
5+566.09 грн
10+493.68 грн
50+424.79 грн
100+358.81 грн
250+342.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 IMI111T046HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+493.68 грн
50+424.79 грн
100+358.81 грн
250+342.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 IMI111T026HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+451.28 грн
50+387.89 грн
100+326.26 грн
250+311.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 INFINEON 2577557.pdf Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+213.72 грн
10+116.57 грн
100+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON 2718609.pdf Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.09 грн
12+76.21 грн
50+68.27 грн
100+52.32 грн
250+45.34 грн
500+43.53 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON 4409624.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.13 грн
10+274.66 грн
100+238.45 грн
500+205.01 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON 4018762.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.94 грн
10+141.30 грн
100+103.33 грн
500+80.53 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 IQD005N04NM6CGSCATMA1 INFINEON 4409625.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.31 грн
10+290.55 грн
100+249.93 грн
500+207.47 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 IQD009N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409626.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.14 грн
10+298.50 грн
100+256.99 грн
500+213.22 грн
1000+183.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON 4018762.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.33 грн
500+80.53 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 IQD005N04NM6CGSCATMA1 INFINEON 4409625.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+249.93 грн
500+207.47 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON 4409624.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+238.45 грн
500+205.01 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409627.pdf Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+255.23 грн
500+207.47 грн
1000+173.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 IQD009N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409626.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+256.99 грн
500+213.22 грн
1000+183.19 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR2280AGXUMA1 ICE5GR2280AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR2280AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 23W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 23W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.54 грн
250+61.16 грн
500+58.21 грн
1000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d
ISP75DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.93 грн
500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TT120N16SOFHPSA1 INFN-S-A0003614704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TT120N16SOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TT120N16SOFHPSA1 - Thyristormodul, Reihenschaltung, 190A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 119A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 190A
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 100mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2796.02 грн
5+2537.26 грн
10+2279.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFN-S-A0003614768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DD180N22SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD180N22SHPSA1 - Diodenmodul, 2.2 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4871.40 грн
5+4347.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD220N16SHPSA1 infineon-dd220n16s-ds-v03_01-en.pdf
DD220N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD220N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 226 A, 1.39 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 5.75kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.39V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 226A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4366.24 грн
5+3761.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 INFNS28361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10412.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.66 грн
10+369.15 грн
100+267.59 грн
500+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1282.32 грн
50+1152.18 грн
100+1027.97 грн
250+1007.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1270.84 грн
5+1112.76 грн
10+953.79 грн
50+843.84 грн
100+626.02 грн
250+613.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+254.34 грн
500+205.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1557.86 грн
5+1420.09 грн
10+1282.32 грн
50+1152.18 грн
100+1027.97 грн
250+1007.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2097.46 грн
5+1825.45 грн
10+1552.56 грн
50+1440.84 грн
100+1213.43 грн
250+1189.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+433.62 грн
100+317.05 грн
500+250.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+517.52 грн
50+432.17 грн
100+353.51 грн
250+346.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+953.79 грн
50+843.84 грн
100+626.02 грн
250+613.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+756.85 грн
5+637.63 грн
10+517.52 грн
50+432.17 грн
100+353.51 грн
250+346.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+609.37 грн
10+433.62 грн
100+317.05 грн
500+250.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+676.48 грн
50+575.68 грн
100+482.95 грн
250+473.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+423.91 грн
10+308.22 грн
100+254.34 грн
500+205.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1552.56 грн
50+1440.84 грн
100+1213.43 грн
250+1189.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+369.15 грн
100+267.59 грн
500+208.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+788.64 грн
5+733.01 грн
10+676.48 грн
50+575.68 грн
100+482.95 грн
250+473.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI20I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.82 грн
250+59.73 грн
500+57.91 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI20I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.39 грн
11+86.37 грн
50+79.75 грн
100+67.82 грн
250+59.73 грн
500+57.91 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 1523206.pdf
ITS5215LCUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.96 грн
250+124.14 грн
500+117.33 грн
1000+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 61105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.84 грн
250+13.95 грн
1000+9.84 грн
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.09 грн
10+241.98 грн
100+171.33 грн
500+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+171.33 грн
500+145.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC234L32F200NACKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf
TC234L32F200NACKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 192KB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1409.49 грн
10+1122.47 грн
25+1050.05 грн
50+897.14 грн
100+766.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 1849741.html
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+78.42 грн
17+52.90 грн
100+36.47 грн
500+29.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.47 грн
500+29.28 грн
1000+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 2355476.pdf
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.83 грн
250+55.34 грн
500+52.53 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 2355476.pdf
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.79 грн
13+72.42 грн
50+69.50 грн
100+61.83 грн
250+55.34 грн
500+52.53 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.45V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6112.21 грн
5+5990.34 грн
10+5867.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1 2849735.pdf
BSZ013NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+106.86 грн
11+83.46 грн
100+59.61 грн
500+45.27 грн
1000+38.38 грн
5000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010
ISC046N04NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.57 грн
16+57.58 грн
100+38.77 грн
500+28.13 грн
1000+21.65 грн
5000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1349.44 грн
5+1348.55 грн
10+1347.67 грн
50+735.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 INFN-S-A0001300459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH02G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.63 грн
10+102.44 грн
100+93.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.50 грн
15+61.38 грн
100+50.16 грн
500+35.84 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.16 грн
500+35.84 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 2849605.pdf
F1225R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6172.26 грн
5+6048.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 2883915.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3269.38 грн
5+2934.67 грн
10+2599.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1 2882448.pdf
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2786.31 грн
5+2639.70 грн
10+2492.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06W1E3BOMA1 2078944.pdf
FS50R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPack
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2663.55 грн
5+2520.48 грн
10+2377.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T026HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+584.64 грн
5+518.40 грн
10+451.28 грн
50+387.89 грн
100+326.26 грн
250+311.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T046HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+638.51 грн
5+566.09 грн
10+493.68 грн
50+424.79 грн
100+358.81 грн
250+342.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T046HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+493.68 грн
50+424.79 грн
100+358.81 грн
250+342.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T026HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+451.28 грн
50+387.89 грн
100+326.26 грн
250+311.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 2577557.pdf
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+213.72 грн
10+116.57 грн
100+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 2718609.pdf
TLS835B2ELVSEXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.09 грн
12+76.21 грн
50+68.27 грн
100+52.32 грн
250+45.34 грн
500+43.53 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 4409624.pdf
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.13 грн
10+274.66 грн
100+238.45 грн
500+205.01 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 4018762.pdf
IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.94 грн
10+141.30 грн
100+103.33 грн
500+80.53 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 4409625.pdf
IQD005N04NM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+345.31 грн
10+290.55 грн
100+249.93 грн
500+207.47 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 4409626.pdf
IQD009N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+354.14 грн
10+298.50 грн
100+256.99 грн
500+213.22 грн
1000+183.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 4018762.pdf
IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.33 грн
500+80.53 грн
1000+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 4409625.pdf
IQD005N04NM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+249.93 грн
500+207.47 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 4409624.pdf
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+238.45 грн
500+205.01 грн
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 4409627.pdf
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+255.23 грн
500+207.47 грн
1000+173.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 4409626.pdf
IQD009N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+256.99 грн
500+213.22 грн
1000+183.19 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR2280AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR2280AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR2280AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 23W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 23W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.54 грн
250+61.16 грн
500+58.21 грн
1000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]