Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25877) > Сторінка 408 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON INFNS28361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10267.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.08 грн
10+364.03 грн
100+263.88 грн
500+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1264.52 грн
50+1136.19 грн
100+1013.71 грн
250+993.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1253.20 грн
5+1097.31 грн
10+940.55 грн
50+832.13 грн
100+617.33 грн
250+605.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+250.81 грн
500+202.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 IMBG120R017M2HXTMA1 INFINEON 4410322.pdf Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1536.24 грн
5+1400.38 грн
10+1264.52 грн
50+1136.19 грн
100+1013.71 грн
250+993.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2068.35 грн
5+1800.11 грн
10+1531.01 грн
50+1420.84 грн
100+1196.59 грн
250+1172.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+427.60 грн
100+312.65 грн
500+247.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+510.34 грн
50+426.17 грн
100+348.60 грн
250+341.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+940.55 грн
50+832.13 грн
100+617.33 грн
250+605.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 IMBG120R053M2HXTMA1 INFINEON 4410318.pdf Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+746.35 грн
5+628.78 грн
10+510.34 грн
50+426.17 грн
100+348.60 грн
250+341.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1 INFINEON 4410317.pdf Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.91 грн
10+427.60 грн
100+312.65 грн
500+247.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+667.10 грн
50+567.69 грн
100+476.25 грн
250+466.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 IMBG120R181M2HXTMA1 INFINEON 4410315.pdf Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+418.02 грн
10+303.94 грн
100+250.81 грн
500+202.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 IMBG120R012M2HXTMA1 INFINEON 4410323.pdf Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1531.01 грн
50+1420.84 грн
100+1196.59 грн
250+1172.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 IMBG120R116M2HXTMA1 INFINEON 4410316.pdf Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+364.03 грн
100+263.88 грн
500+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+777.70 грн
5+722.83 грн
10+667.10 грн
50+567.69 грн
100+476.25 грн
250+466.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.49 грн
250+62.03 грн
500+59.72 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.63 грн
10+95.80 грн
50+86.65 грн
100+71.49 грн
250+62.03 грн
500+59.72 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 ITS5215LCUMA1 INFINEON 1523206.pdf Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.14 грн
250+122.42 грн
500+115.70 грн
1000+108.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.55 грн
250+13.76 грн
1000+9.70 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.06 грн
10+238.62 грн
100+168.95 грн
500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.95 грн
500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC234L32F200NACKXUMA1 TC234L32F200NACKXUMA1 INFINEON Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 192KB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1389.93 грн
10+1106.89 грн
25+1035.48 грн
50+884.69 грн
100+755.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON 1849741.html Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.33 грн
17+52.17 грн
100+35.97 грн
500+28.87 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9 Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.97 грн
500+28.87 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 INFINEON 2355476.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.97 грн
250+54.57 грн
500+51.81 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 ICE2PCS06GXUMA1 INFINEON 2355476.pdf Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.41 грн
13+71.41 грн
50+68.54 грн
100+60.97 грн
250+54.57 грн
500+51.81 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 INFINEON DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.45V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6027.38 грн
5+5907.20 грн
10+5786.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1 BSZ013NE2LS5IATMA1 INFINEON 2849735.pdf Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.38 грн
11+82.30 грн
100+58.78 грн
500+44.64 грн
1000+37.85 грн
5000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 INFINEON Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010 Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.43 грн
16+56.78 грн
100+38.23 грн
500+27.74 грн
1000+21.35 грн
5000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 IPW60R018CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.71 грн
5+1329.84 грн
10+1328.97 грн
50+725.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 IDH02G120C5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.18 грн
10+101.02 грн
100+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.54 грн
15+60.53 грн
100+49.47 грн
500+35.34 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.47 грн
500+35.34 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 INFINEON 2849605.pdf Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6086.60 грн
5+5964.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON 2883915.pdf Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2488.98 грн
5+2483.76 грн
10+2478.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1 F3L75R12W1H3B27BOMA1 INFINEON 2882448.pdf Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2747.63 грн
5+2603.07 грн
10+2457.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06W1E3BOMA1 FS50R06W1E3BOMA1 INFINEON 2078944.pdf Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPack
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2626.58 грн
5+2485.50 грн
10+2344.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 IMI111T026HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.52 грн
5+511.21 грн
10+445.02 грн
50+382.50 грн
100+321.73 грн
250+306.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 IMI111T046HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+629.65 грн
5+558.24 грн
10+486.82 грн
50+418.89 грн
100+353.83 грн
250+337.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 IMI111T046HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+486.82 грн
50+418.89 грн
100+353.83 грн
250+337.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 IMI111T026HXUMA1 INFINEON 3868972.pdf Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+445.02 грн
50+382.50 грн
100+321.73 грн
250+306.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 IPA60R180C7XKSA1 INFINEON 2577557.pdf Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.75 грн
10+114.96 грн
100+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON 2718609.pdf Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.64 грн
12+75.16 грн
50+67.32 грн
100+51.59 грн
250+44.71 грн
500+42.92 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON 4409624.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.42 грн
10+270.84 грн
100+235.14 грн
500+202.17 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON 4018762.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.21 грн
10+139.34 грн
100+101.89 грн
500+79.41 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 IQD005N04NM6CGSCATMA1 INFINEON 4409625.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.52 грн
10+286.52 грн
100+246.46 грн
500+204.60 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 IQD009N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409626.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.22 грн
10+294.36 грн
100+253.43 грн
500+210.26 грн
1000+180.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 IQE004NE1LM7CGSCATMA1 INFINEON 4018762.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.89 грн
500+79.41 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 IQD005N04NM6CGSCATMA1 INFINEON 4409625.pdf Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+246.46 грн
500+204.60 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 IQDH45N04LM6CGSCATMA1 INFINEON 4409624.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.14 грн
500+202.17 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409627.pdf Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+243.85 грн
500+201.36 грн
1000+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 IQD009N06NM5CGSCATMA1 INFINEON 4409626.pdf Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+253.43 грн
500+210.26 грн
1000+180.65 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR2280AGXUMA1 ICE5GR2280AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR2280AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 23W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 23W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.58 грн
250+60.31 грн
500+57.40 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR2280AGXUMA1 ICE5GR2280AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR2280AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 23W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 23W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.06 грн
11+84.82 грн
50+82.56 грн
100+68.58 грн
250+60.31 грн
500+57.40 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKY50N120CH3XKSA1 IKY50N120CH3XKSA1 INFINEON 2718674.pdf Description: INFINEON - IKY50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+728.06 грн
5+626.16 грн
10+523.40 грн
50+447.20 грн
100+351.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242STRXUMA1 AUIR3242STRXUMA1 INFINEON 2774188.pdf Description: INFINEON - AUIR3242STRXUMA1 - MOSFET-Treiber, AEC-Q100, High-Side, 3V bis 36V Versorgungsspannung, 1.5µs Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 36V
Eingabeverzögerung: 2µs
Ausgabeverzögerung: 1.5µs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.59 грн
10+142.82 грн
25+130.63 грн
50+111.60 грн
100+91.82 грн
250+90.32 грн
500+88.08 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJV50XUMA1 TLS203B0EJV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS203B0EJV50-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969f626064277 Description: INFINEON - TLS203B0EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 290mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.24 грн
10+98.41 грн
50+88.83 грн
100+73.27 грн
250+63.60 грн
500+61.21 грн
1000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 INFNS28361-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10267.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+539.08 грн
10+364.03 грн
100+263.88 грн
500+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1264.52 грн
50+1136.19 грн
100+1013.71 грн
250+993.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1253.20 грн
5+1097.31 грн
10+940.55 грн
50+832.13 грн
100+617.33 грн
250+605.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+250.81 грн
500+202.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R017M2HXTMA1 4410322.pdf
IMBG120R017M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R017M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.0171 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1536.24 грн
5+1400.38 грн
10+1264.52 грн
50+1136.19 грн
100+1013.71 грн
250+993.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2068.35 грн
5+1800.11 грн
10+1531.01 грн
50+1420.84 грн
100+1196.59 грн
250+1172.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+427.60 грн
100+312.65 грн
500+247.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+510.34 грн
50+426.17 грн
100+348.60 грн
250+341.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R022M2HXTMA1 4410321.pdf
IMBG120R022M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+940.55 грн
50+832.13 грн
100+617.33 грн
250+605.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R053M2HXTMA1 4410318.pdf
IMBG120R053M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+746.35 грн
5+628.78 грн
10+510.34 грн
50+426.17 грн
100+348.60 грн
250+341.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R078M2HXTMA1 4410317.pdf
IMBG120R078M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R078M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0781ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+600.91 грн
10+427.60 грн
100+312.65 грн
500+247.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+667.10 грн
50+567.69 грн
100+476.25 грн
250+466.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R181M2HXTMA1 4410315.pdf
IMBG120R181M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+418.02 грн
10+303.94 грн
100+250.81 грн
500+202.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R012M2HXTMA1 4410323.pdf
IMBG120R012M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R012M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 1.2 kV, 0.0122 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1531.01 грн
50+1420.84 грн
100+1196.59 грн
250+1172.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R116M2HXTMA1 4410316.pdf
IMBG120R116M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R116M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21.2 A, 1.2 kV, 0.1157 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 123W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1157ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+364.03 грн
100+263.88 грн
500+205.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R040M2HXTMA1 4410319.pdf
IMBG120R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+777.70 грн
5+722.83 грн
10+667.10 грн
50+567.69 грн
100+476.25 грн
250+466.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI20I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.49 грн
250+62.03 грн
500+59.72 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI20I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI20I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 4.4A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.63 грн
10+95.80 грн
50+86.65 грн
100+71.49 грн
250+62.03 грн
500+59.72 грн
1000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 1523206.pdf
ITS5215LCUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.14 грн
250+122.42 грн
500+115.70 грн
1000+108.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 70667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.55 грн
250+13.76 грн
1000+9.70 грн
3000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.06 грн
10+238.62 грн
100+168.95 грн
500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 INFN-S-A0001300603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB50N60TATMA1 - IGBT, 90 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 90A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+168.95 грн
500+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TC234L32F200NACKXUMA1 Infineon-TC23xAC_DS-DS-v01_00-EN.pdf
TC234L32F200NACKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC234L32F200NACKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 200 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: -
Betriebsfrequenz, max.: 200MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 192KB
MCU-Baureihe: TC2xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 120I/O(s)
Anzahl der Pins: 144Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC2xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: ASCLIN, CAN, FlexRay, I2S, QSPI, SENT
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1389.93 грн
10+1106.89 грн
25+1035.48 грн
50+884.69 грн
100+755.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 1849741.html
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.33 грн
17+52.17 грн
100+35.97 грн
500+28.87 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a30431ff9881501203d3a5e7d17a9
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.97 грн
500+28.87 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 2355476.pdf
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.97 грн
250+54.57 грн
500+51.81 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS06GXUMA1 2355476.pdf
ICE2PCS06GXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE2PCS06GXUMA1 - PFC-Controller, 10.4V-25V Versorgungsspannung, 450µA Anlaufstrom, 10mA Betriebsstrom, 65kHz, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 58kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10.4V
euEccn: NLR
Frequenzmodus: Fest
PFC-Betriebsmodus: CCM - Continuous Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Strommittelwert
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 25V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.41 грн
13+71.41 грн
50+68.54 грн
100+60.97 грн
250+54.57 грн
500+51.81 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 DDB2U60N07W1RF_B58_Rev1.00_8-24-23.pdf
DDB2U60N07W1RFB58BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U60N07W1RFB58BPSA1 - Diodenmodul, 650 V, 60 A, 1.45 V, Brücke, Modul, 21 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 341A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.45V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6027.38 грн
5+5907.20 грн
10+5786.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ013NE2LS5IATMA1 2849735.pdf
BSZ013NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ013NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0011 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.38 грн
11+82.30 грн
100+58.78 грн
500+44.64 грн
1000+37.85 грн
5000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N04NM5ATMA1 Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010
ISC046N04NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 77 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.43 грн
16+56.78 грн
100+38.23 грн
500+27.74 грн
1000+21.35 грн
5000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R018CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R018CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01635e133c12291d
IPW60R018CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1330.71 грн
5+1329.84 грн
10+1328.97 грн
50+725.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH02G120C5XKSA1 INFN-S-A0001300459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH02G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.18 грн
10+101.02 грн
100+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.54 грн
15+60.53 грн
100+49.47 грн
500+35.34 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.47 грн
500+35.34 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 2849605.pdf
F1225R12KT4GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F1225R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Zwölferpack, 25 A, 1.85 V, 160 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Produktpalette: EconoPACK3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zwölferpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6086.60 грн
5+5964.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 2883915.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2488.98 грн
5+2483.76 грн
10+2478.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1 2882448.pdf
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2747.63 грн
5+2603.07 грн
10+2457.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06W1E3BOMA1 2078944.pdf
FS50R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: EasyPack
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 70A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2626.58 грн
5+2485.50 грн
10+2344.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T026HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+576.52 грн
5+511.21 грн
10+445.02 грн
50+382.50 грн
100+321.73 грн
250+306.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T046HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+629.65 грн
5+558.24 грн
10+486.82 грн
50+418.89 грн
100+353.83 грн
250+337.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T046HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T046HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T046HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 4 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+486.82 грн
50+418.89 грн
100+353.83 грн
250+337.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMI111T026HXUMA1 3868972.pdf
IMI111T026HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMI111T026HXUMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 2 A, 1.5 kV, SOIC, iMOTION
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SOIC
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 2A
Produktpalette: IMI111T Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: iMOTION
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+445.02 грн
50+382.50 грн
100+321.73 грн
250+306.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7XKSA1 2577557.pdf
IPA60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R180C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.155 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.75 грн
10+114.96 грн
100+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 2718609.pdf
TLS835B2ELVSEXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS835B2ELVSEXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 3V bis 40V, 250mV Dropout, 3.3V/350mAout, SSOP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.64 грн
12+75.16 грн
50+67.32 грн
100+51.59 грн
250+44.71 грн
500+42.92 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 4409624.pdf
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 611A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.42 грн
10+270.84 грн
100+235.14 грн
500+202.17 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 4018762.pdf
IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.21 грн
10+139.34 грн
100+101.89 грн
500+79.41 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 4409625.pdf
IQD005N04NM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 597A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.52 грн
10+286.52 грн
100+246.46 грн
500+204.60 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 4409626.pdf
IQD009N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 445A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+349.22 грн
10+294.36 грн
100+253.43 грн
500+210.26 грн
1000+180.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1 4018762.pdf
IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.89 грн
500+79.41 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGSCATMA1 4409625.pdf
IQD005N04NM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 597 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+246.46 грн
500+204.60 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6CGSCATMA1 4409624.pdf
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 611 A, 490 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+235.14 грн
500+202.17 грн
1000+176.17 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 4409627.pdf
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+243.85 грн
500+201.36 грн
1000+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IQD009N06NM5CGSCATMA1 4409626.pdf
IQD009N06NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD009N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 445 A, 900 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+253.43 грн
500+210.26 грн
1000+180.65 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR2280AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR2280AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR2280AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 23W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 23W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.58 грн
250+60.31 грн
500+57.40 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR2280AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR2280AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR2280AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 23W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 23W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.06 грн
11+84.82 грн
50+82.56 грн
100+68.58 грн
250+60.31 грн
500+57.40 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IKY50N120CH3XKSA1 2718674.pdf
IKY50N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+728.06 грн
5+626.16 грн
10+523.40 грн
50+447.20 грн
100+351.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242STRXUMA1 2774188.pdf
AUIR3242STRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR3242STRXUMA1 - MOSFET-Treiber, AEC-Q100, High-Side, 3V bis 36V Versorgungsspannung, 1.5µs Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 350mA
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 36V
Eingabeverzögerung: 2µs
Ausgabeverzögerung: 1.5µs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.59 грн
10+142.82 грн
25+130.63 грн
50+111.60 грн
100+91.82 грн
250+90.32 грн
500+88.08 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJV50XUMA1 Infineon-TLS203B0EJV50-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969f626064277
TLS203B0EJV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJV50XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 290mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.24 грн
10+98.41 грн
50+88.83 грн
100+73.27 грн
250+63.60 грн
500+61.21 грн
1000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 413 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]