Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 406 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 INFINEON INFNS11754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS3007ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 30 V, 900 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS300
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.26 грн
500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.35 грн
500+32.45 грн
1000+27.35 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 IQFH61N06NM5ATMA1 INFINEON 4619912.pdf Description: INFINEON - IQFH61N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 610 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.36 грн
10+393.88 грн
100+294.38 грн
500+265.72 грн
1000+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R025M2HXKSA1 IMW40R025M2HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+794.34 грн
5+632.35 грн
10+469.53 грн
50+410.80 грн
100+355.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R036M2HXKSA1 IMW40R036M2HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - IMW40R036M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+644.68 грн
5+511.47 грн
10+378.26 грн
50+323.75 грн
100+273.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R011M2HXKSA1 IMW40R011M2HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - IMW40R011M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1304.16 грн
5+1054.18 грн
10+804.21 грн
50+730.73 грн
100+659.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R045M2HXKSA1 IMW40R045M2HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - IMW40R045M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.47 грн
10+314.94 грн
100+263.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R015M2HXKSA1 IMW40R015M2HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - IMW40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 94 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.21 грн
5+835.45 грн
10+629.88 грн
50+559.69 грн
100+492.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A0HTSA1 TLE493DP3B6A0HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B3HTSA1 TLE493DW3B6B3HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: INFINEON - TLE493DW3B6B3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.90 грн
10+115.12 грн
50+111.01 грн
100+98.50 грн
250+86.69 грн
500+83.17 грн
1000+79.65 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A2HTSA1 TLE493DP3B6A2HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B1HTSA1 TLE493DW3B6B1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: INFINEON - TLE493DW3B6B1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.90 грн
10+115.12 грн
50+111.01 грн
100+98.50 грн
250+86.69 грн
500+83.17 грн
1000+79.65 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A3HTSA1 TLE493DP3B6A3HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A2HTSA1 TLE493DP3B6A2HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A0HTSA1 TLE493DP3B6A0HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B1HTSA1 TLE493DW3B6B1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75 Description: INFINEON - TLE493DW3B6B1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.50 грн
250+86.69 грн
500+83.17 грн
1000+79.65 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A1HTSA1 TLE493DP3B6A1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A1HTSA1 TLE493DP3B6A1HTSA1 INFINEON Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 11440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.50 грн
500+8.70 грн
1000+7.19 грн
5000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1 IPT009N06NM5ATMA1 INFINEON 4000742.pdf Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+240.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 INFINEON Infineon-CY8C41x5_CY8C41x6_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817712a75d7a Description: INFINEON - CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 - ARM-MCU, PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4100
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: HVMS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 41I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.97 грн
10+716.22 грн
25+683.33 грн
50+592.52 грн
100+508.18 грн
250+424.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 IPB024N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB024N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159ef08d94417f4 Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.26 грн
10+250.80 грн
100+178.44 грн
500+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N045TATMA1 IAUCN08S7N045TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4 Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.66 грн
10+144.72 грн
100+100.32 грн
500+75.82 грн
1000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 INFINEON infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18053.52 грн
5+16720.58 грн
10+15386.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 INFINEON infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16774.03 грн
5+15298.83 грн
10+13823.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95633QXXUMA1 TLE95633QXXUMA1 INFINEON 3328500.pdf Description: INFINEON - TLE95633QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.67 грн
250+135.33 грн
500+131.10 грн
1000+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 INFINEON INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL02G65C5XUMA2 IDL02G65C5XUMA2 INFINEON INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.52 грн
11+77.46 грн
100+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 FS1000R08A7P3BHPSA1 INFINEON 4590045.pdf Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33313.70 грн
5+29149.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1 FP75R12KT4B16BOSA1 INFINEON 4626549.pdf Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7571.71 грн
5+7337.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R06KE3BOSA1 FP100R06KE3BOSA1 INFINEON 2255567.pdf Description: INFINEON - FP100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5824.33 грн
5+5643.42 грн
10+5462.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.39 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 15824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.93 грн
500+41.31 грн
1000+34.89 грн
5000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4BOSA1 FF900R12IE4BOSA1 INFINEON Infineon-FF900R12IE4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011febc3dd603eec Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25826.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.36 грн
50+19.00 грн
250+16.12 грн
1000+10.00 грн
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.71 грн
500+11.07 грн
1000+9.09 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.30 грн
250+17.27 грн
1000+10.69 грн
3000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 INFINEON Infineon-AURIX-TC4Dx_A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197acf008b77e49 Description: INFINEON - TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 500 MHz
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+6077.59 грн
25+5365.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 INFINEON Infineon-AURIX-TC4Dx_A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197acf008b77e49 Description: INFINEON - TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 500 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 20MB
Versorgungsspannung, min.: 943mV
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 10.8MB
MCU-Baureihe: TC4Dx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: -
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.128V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, FlexRay, I2C, PCIe, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7275.68 грн
5+6677.05 грн
10+6077.59 грн
25+5365.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON 3974510.pdf Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON 3974510.pdf Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1162.73 грн
5+1010.60 грн
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON 4520232.pdf Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.25 грн
5+720.33 грн
10+590.41 грн
50+531.44 грн
100+474.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1 IMTA65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265861.pdf Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+521.34 грн
50+437.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1 IMT65R060M2HXUMA1 INFINEON 4503013.pdf Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+347.01 грн
100+251.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1 IMTA65R026M2HXTMA1 INFINEON 4520232.pdf Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+590.41 грн
50+531.44 грн
100+474.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.27 грн
5+611.79 грн
10+498.31 грн
50+416.90 грн
100+342.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1 IMT65R033M2HXUMA1 INFINEON 4503010.pdf Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+561.63 грн
50+481.81 грн
100+408.09 грн
250+399.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 INFINEON 4503009.pdf Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+609.32 грн
50+521.51 грн
100+440.52 грн
250+432.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1130.66 грн
50+1032.33 грн
100+936.71 грн
250+917.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 INFINEON 4520233.pdf Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+498.31 грн
50+416.90 грн
100+342.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 INFINEON 4503011.pdf Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+432.53 грн
50+357.35 грн
100+288.27 грн
250+282.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 INFINEON 4503012.pdf Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+366.74 грн
100+317.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.18 грн
10+316.58 грн
100+227.78 грн
500+190.13 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 IMT44R015M2HXTMA2 INFINEON 4609068.pdf Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.92 грн
5+880.68 грн
10+723.62 грн
50+615.43 грн
100+515.23 грн
250+504.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 IMT65R010M2HXUMA1 INFINEON 4503006.pdf Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1570.59 грн
5+1351.03 грн
10+1130.66 грн
50+1032.33 грн
100+936.71 грн
250+917.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R011M2HXTMA2 IMT44R011M2HXTMA2 INFINEON 4609067.pdf Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1256.47 грн
5+1072.27 грн
10+888.08 грн
50+791.05 грн
100+699.19 грн
250+685.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 IPF036N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+217.09 грн
500+187.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.99 грн
250+50.00 грн
1000+33.29 грн
2000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 INFINEON Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3 Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11872.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 INFNS11754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS3007ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 30 V, 900 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 900mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS300
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca399955e75&ack=t
IPD90N04S403ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+55.26 грн
500+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 INFNS15027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.35 грн
500+32.45 грн
1000+27.35 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 4619912.pdf
IQFH61N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH61N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 510 A, 610 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+581.36 грн
10+393.88 грн
100+294.38 грн
500+265.72 грн
1000+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R025M2HXKSA1
IMW40R025M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+794.34 грн
5+632.35 грн
10+469.53 грн
50+410.80 грн
100+355.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R036M2HXKSA1
IMW40R036M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R036M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+644.68 грн
5+511.47 грн
10+378.26 грн
50+323.75 грн
100+273.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R011M2HXKSA1
IMW40R011M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R011M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1304.16 грн
5+1054.18 грн
10+804.21 грн
50+730.73 грн
100+659.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R045M2HXKSA1
IMW40R045M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R045M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+548.47 грн
10+314.94 грн
100+263.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW40R015M2HXKSA1
IMW40R015M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMW40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 94 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1040.21 грн
5+835.45 грн
10+629.88 грн
50+559.69 грн
100+492.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A0HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B3HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B3HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW3B6B3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.90 грн
10+115.12 грн
50+111.01 грн
100+98.50 грн
250+86.69 грн
500+83.17 грн
1000+79.65 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A2HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A2HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B1HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW3B6B1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.90 грн
10+115.12 грн
50+111.01 грн
100+98.50 грн
250+86.69 грн
500+83.17 грн
1000+79.65 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A3HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A3HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A2HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A2HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A0HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A0HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A0HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW3B6B1HTSA1 Infineon-TLE493D-W3B6-Bx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f42a9b8b7b75
TLE493DW3B6B1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW3B6B1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+98.50 грн
250+86.69 грн
500+83.17 грн
1000+79.65 грн
2500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A1HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DP3B6A1HTSA1 Infineon-TLE493D-P3B6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f302ca0476fb
TLE493DP3B6A1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DP3B6A1HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Magnetischer Positionssensor, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Magnetischer Positionssensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+157.06 грн
10+124.99 грн
50+120.88 грн
100+106.90 грн
250+94.45 грн
500+90.22 грн
1000+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 11440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.50 грн
500+8.70 грн
1000+7.19 грн
5000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N06NM5ATMA1 4000742.pdf
IPT009N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 427 A, 900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 427A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+240.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 Infineon-CY8C41x5_CY8C41x6_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817712a75d7a
CY8C4146LWEHVS015XXQLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4146LWEHVS015XXQLA1 - ARM-MCU, PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFQFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4100
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: HVMS
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 41I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4100 Family HVMS Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+920.97 грн
10+716.22 грн
25+683.33 грн
50+592.52 грн
100+508.18 грн
250+424.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 Infineon-IPB024N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159ef08d94417f4
IPB024N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+378.26 грн
10+250.80 грн
100+178.44 грн
500+146.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N045T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196448d194f7ce4
IAUCN08S7N045TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+223.66 грн
10+144.72 грн
100+100.32 грн
500+75.82 грн
1000+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+18053.52 грн
5+16720.58 грн
10+15386.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 infineon-f3l8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+16774.03 грн
5+15298.83 грн
10+13823.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95633QXXUMA1 3328500.pdf
TLE95633QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE95633QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: VQFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+141.67 грн
250+135.33 грн
500+131.10 грн
1000+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL02G65C5XUMA2 INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDL02G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL02G65C5XUMA2 INFNS29200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDL02G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL02G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+122.52 грн
11+77.46 грн
100+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 4590045.pdf
FS1000R08A7P3BHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+33313.70 грн
5+29149.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4B16BOSA1 4626549.pdf
FP75R12KT4B16BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP75R12KT4B16BOSA1 - IGBT-Modul, PIM, 75 A, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7571.71 грн
5+7337.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R06KE3BOSA1 2255567.pdf
FP100R06KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5824.33 грн
5+5643.42 грн
10+5462.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+132.39 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 15824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.93 грн
500+41.31 грн
1000+34.89 грн
5000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4BOSA1 Infineon-FF900R12IE4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431f848401011febc3dd603eec
FF900R12IE4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R12IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 5.1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+25826.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+41.36 грн
50+19.00 грн
250+16.12 грн
1000+10.00 грн
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+15.71 грн
500+11.07 грн
1000+9.09 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.30 грн
250+17.27 грн
1000+10.69 грн
3000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 Infineon-AURIX-TC4Dx_A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197acf008b77e49
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 500 MHz
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+6077.59 грн
25+5365.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 Infineon-AURIX-TC4Dx_A-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197acf008b77e49
TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TC4D7XP20MF500MCABKXUMA1 - 32-Bit-Mikrocontroller, AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers, TriCore, 32 Bit, 500 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: TriCore
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 20MB
Versorgungsspannung, min.: 943mV
Betriebsfrequenz, max.: 500MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: AURIX
RAM-Speichergröße: 10.8MB
MCU-Baureihe: TC4Dx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: -
Anzahl der Pins: 292Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: AURIX Family TC4Dx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.128V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, FlexRay, I2C, PCIe, SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7275.68 грн
5+6677.05 грн
10+6077.59 грн
25+5365.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 3974510.pdf
IMT65R022M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R022M1HXUMA1 3974510.pdf
IMT65R022M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R022M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.022 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1162.73 грн
5+1010.60 грн
10+857.66 грн
50+730.73 грн
100+613.90 грн
250+601.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1 4520232.pdf
IMTA65R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+850.25 грн
5+720.33 грн
10+590.41 грн
50+531.44 грн
100+474.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R040M2HXTMA1 4265861.pdf
IMTA65R040M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+521.34 грн
50+437.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R060M2HXUMA1 4503013.pdf
IMT65R060M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41.4 A, 650 V, 0.055 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+347.01 грн
100+251.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R026M2HXTMA1 4520232.pdf
IMTA65R026M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+590.41 грн
50+531.44 грн
100+474.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
IMTA65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+725.27 грн
5+611.79 грн
10+498.31 грн
50+416.90 грн
100+342.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R033M2HXUMA1 4503010.pdf
IMT65R033M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+561.63 грн
50+481.81 грн
100+408.09 грн
250+399.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 4503009.pdf
IMT65R026M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+609.32 грн
50+521.51 грн
100+440.52 грн
250+432.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
IMT65R010M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+1130.66 грн
50+1032.33 грн
100+936.71 грн
250+917.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 4520233.pdf
IMTA65R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+498.31 грн
50+416.90 грн
100+342.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 4503011.pdf
IMT65R040M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58.7 A, 650 V, 0.036 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+432.53 грн
50+357.35 грн
100+288.27 грн
250+282.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 4503012.pdf
IMT65R050M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+366.74 грн
100+317.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
IMT65R107M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+471.18 грн
10+316.58 грн
100+227.78 грн
500+190.13 грн
1000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 4609068.pdf
IMT44R015M2HXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R015M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 440 V, 0.0191 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1036.92 грн
5+880.68 грн
10+723.62 грн
50+615.43 грн
100+515.23 грн
250+504.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R010M2HXUMA1 4503006.pdf
IMT65R010M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 168A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 681W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1570.59 грн
5+1351.03 грн
10+1130.66 грн
50+1032.33 грн
100+936.71 грн
250+917.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R011M2HXTMA2 4609067.pdf
IMT44R011M2HXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT44R011M2HXTMA2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 440 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 440V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1256.47 грн
5+1072.27 грн
10+888.08 грн
50+791.05 грн
100+699.19 грн
250+685.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF036N15NM6ATMA1 Infineon-IPF036N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f4a1a8d600db
IPF036N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF036N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+217.09 грн
500+187.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+68.99 грн
250+50.00 грн
1000+33.29 грн
2000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 Infineon-CYPM13xx_EZ-PD_PMG1-S3_Power_delivery_MCU_Gen1-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017ddd0263aa58f3
EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPMG1S3DUALDRPTOBO1 - Evaluationsboard, CYPM1321-97BZXI, Power-Delivery-MCU Gen1
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYPM1321-97BZXI
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Power Delivery-MCU Gen1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYPM1321-97BZXI
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11872.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]