Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 405 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.85 грн
10+95.17 грн
50+86.63 грн
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 2EP100RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.85 грн
10+95.17 грн
50+86.63 грн
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.64 грн
10+103.17 грн
50+93.39 грн
100+76.81 грн
250+66.63 грн
500+64.11 грн
1000+62.06 грн
2500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 2EP100RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.81 грн
250+66.63 грн
500+64.11 грн
1000+62.06 грн
2500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 2EP130RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.72 грн
250+75.17 грн
500+72.42 грн
1000+69.98 грн
2500+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 INFINEON 4406533.pdf Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49915.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G120C5BFKSA1 IDW10G120C5BFKSA1 INFINEON INFNS29996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.67 грн
10+430.48 грн
100+294.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5EVK KITPSC3M5EVK INFINEON 4473641.pdf Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3578.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.29 грн
12+77.11 грн
100+60.21 грн
500+47.32 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 INFINEON 2327425.pdf Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.12 грн
500+44.18 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF IRS21064STRPBF INFINEON 2820291.pdf Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+122.74 грн
10+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF IRS21064STRPBF INFINEON 2820291.pdf Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1 IPB65R125CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef50e9a49e3 Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.73 грн
10+207.23 грн
100+165.43 грн
500+147.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.65 грн
10+246.37 грн
50+220.57 грн
200+180.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P03P4L07ATMA2 INFINEON 2354663.pdf Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.13 грн
10+210.79 грн
50+189.44 грн
200+166.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.87 грн
10+302.40 грн
100+281.94 грн
500+251.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+125.41 грн
10+95.17 грн
100+87.07 грн
500+80.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.78 грн
10+391.34 грн
100+368.22 грн
500+341.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 INFINEON INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.23 грн
10+165.43 грн
100+121.85 грн
500+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.19 грн
10+107.62 грн
100+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 REF5AR3995BZ114W1TOBO1 INFINEON 4417818.pdf Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 REF5BR3995BZ116W1TOBO1 INFINEON 4417809.pdf Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 REFSSRACDC2ATOBO1 INFINEON 4417815.pdf Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3458.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 REF5AR4770BZS115W1TOBO1 INFINEON 4417808.pdf Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10489.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ115W1TOBO1 REF5BR4780BZ115W1TOBO1 INFINEON 4417812.pdf Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR0680BZS144W1TOBO1 REF5AR0680BZS144W1TOBO1 INFINEON 4417817.pdf Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR0680BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ122W1TOBO1 REF5BR2280BZ122W1TOBO1 INFINEON 4417811.pdf Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3207NHUMA1 BTS3207NHUMA1 INFINEON Infineon-BTS3207N-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0bcc33622 Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.12 грн
250+38.04 грн
500+37.28 грн
1000+36.44 грн
2500+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.22 грн
500+33.28 грн
1500+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V202A-TG FM28V202A-TG INFINEON 2309613.pdf Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2530.38 грн
5+2436.10 грн
10+2341.82 грн
25+2105.17 грн
50+1895.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.42 грн
250+141.80 грн
500+136.46 грн
1000+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_PSC3M5_MC1 KIT_PSC3M5_MC1 INFINEON Infineon-KIT_PSC3M5_MC1_release_notes-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193bd9123e12b91 Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28856.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 FF4000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4417800.pdf Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376576.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 IDWD40E120D7XKSA1 INFINEON 4148555.pdf Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 185A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 155ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.75 грн
10+224.13 грн
100+203.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR2280VJZXKLA1 ICE3AR2280VJZXKLA1 INFINEON 2354751.pdf Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 28W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.14 грн
10+156.54 грн
50+144.08 грн
100+104.89 грн
250+92.24 грн
500+80.05 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 ICE5GR4780AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.96 грн
11+88.50 грн
50+80.05 грн
100+65.99 грн
250+57.18 грн
500+54.89 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 ICE5GR4780AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.99 грн
250+57.18 грн
500+54.89 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDP710FETBDTOBO1 EVALXDP710FETBDTOBO1 INFINEON 4436332.pdf Description: INFINEON - EVALXDP710FETBDTOBO1 - FET-Board, 100A, 100V, GPU, AI, EVAL_XDP710_V2 Evaluationsboard
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: FET-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Evaluationsboard EVAL_XDP710_V2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9560.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 INFINEON 4256795.pdf Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 541A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.99 грн
10+270.38 грн
100+210.79 грн
500+169.31 грн
1000+144.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 INFINEON 4256795.pdf Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.79 грн
500+169.31 грн
1000+144.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.76 грн
500+31.96 грн
1000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B15BPSA1 FS75R12KT4B15BPSA1 INFINEON Infineon-FS75R12KT4_B15-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a4964ea8d0126 Description: INFINEON - FS75R12KT4B15BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 385W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6813.78 грн
5+6100.48 грн
10+5387.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 IPDQ65R017CFD7AXTMA1 INFINEON 4013779.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1226.50 грн
50+1044.74 грн
100+911.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 IPDQ65R017CFD7AXTMA1 INFINEON 4013779.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.54 грн
5+1359.02 грн
10+1226.50 грн
50+1044.74 грн
100+911.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK05G65C5XTMA2 IDK05G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IDK05G65C5XTMA2 IDK05G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.43 грн
10+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 INFINEON 3920489.pdf Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+171.66 грн
10+112.96 грн
100+81.65 грн
500+61.69 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 IPD028N06NF2SATMA1 INFINEON 3920489.pdf Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.65 грн
500+61.69 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1 ISG0616N10NM5HSCATMA1 INFINEON 4334664.pdf Description: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+426.92 грн
50+300.62 грн
100+233.92 грн
500+180.87 грн
1500+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60UTR11AIPXUMA1 BGT60UTR11AIPXUMA1 INFINEON 4425926.pdf Description: INFINEON - BGT60UTR11AIPXUMA1 - Radarsensor, 15m, 57.4-63GHz, 1.8V, 1 Sendeantenne, 1 Empfangsantenne, -20°C bis 70°C, VF2BGA-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Frequenz, min.: 57.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Anzahl der Sendeantennen: 1Antennas
SSB-Rauschmaß, typ.: 12dB
Erfassungsbereich, max.: 15m
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
productTraceability: No
Anzahl der Empfangsantennen, max.: 1Antennas
Anzahl der Empfangsantennen: 1Antennas
Frequenz, max.: 63GHz
Anzahl der Sendeantennen, max.: 1Antennas
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+764.89 грн
50+672.27 грн
100+573.29 грн
250+545.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60UTR11AIPXUMA1 BGT60UTR11AIPXUMA1 INFINEON 4425926.pdf Description: INFINEON - BGT60UTR11AIPXUMA1 - Radarsensor, 15m, 57.4-63GHz, 1.8V, 1 Sendeantenne, 1 Empfangsantenne, -20°C bis 70°C, VF2BGA-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Antenne: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Frequenz, min.: 57.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Anzahl der Sendeantennen: 1Antennas
SSB-Rauschmaß, typ.: 12dB
Sensorgehäuse/-bauform: VF2BGA
Erfassungsbereich, max.: 15m
euEccn: NLR
Verstärkung bei Spannungsumwandlung, typ.: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Empfangsantennen, max.: 1Antennas
Anzahl der Empfangsantennen: 1Antennas
Frequenz, max.: 63GHz
Anzahl der Sendeantennen, max.: 1Antennas
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+879.63 грн
5+822.71 грн
10+764.89 грн
50+672.27 грн
100+573.29 грн
250+545.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409627.pdf Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.64 грн
10+289.95 грн
100+257.04 грн
500+208.95 грн
1000+174.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 INFINEON 2718672.pdf Description: INFINEON - IKY40N120CH3XKSA1 - IGBT, 80 A, 2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.38 грн
5+553.21 грн
10+458.05 грн
50+391.47 грн
100+301.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1 IMZC120R022M2HXKSA1 INFINEON IMZC120R022M2HXKSA1.pdf Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1669.43 грн
5+1473.76 грн
10+1275.42 грн
50+1060.43 грн
100+886.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 INFINEON 4423397.pdf Description: INFINEON - DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 25 A, 2.3 V, Brücke, Modul, 71 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchlassspannung, max.: 2.3V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 71Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15674.10 грн
5+15078.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON INFNS27932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+400.24 грн
50+332.00 грн
100+286.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON INFNS27932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+654.61 грн
5+500.74 грн
10+400.24 грн
50+332.00 грн
100+286.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2308STRPBF IRS2308STRPBF INFINEON 690966.pdf Description: INFINEON - IRS2308STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.72 грн
14+65.55 грн
50+59.23 грн
100+48.48 грн
250+41.93 грн
500+40.18 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 4417820.pdf
2EP101RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.85 грн
10+95.17 грн
50+86.63 грн
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 4417820.pdf
2EP100RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.85 грн
10+95.17 грн
50+86.63 грн
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 4417820.pdf
2EP110RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.64 грн
10+103.17 грн
50+93.39 грн
100+76.81 грн
250+66.63 грн
500+64.11 грн
1000+62.06 грн
2500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 4417820.pdf
2EP100RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 4417820.pdf
2EP101RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.03 грн
250+61.67 грн
500+59.23 грн
1000+57.25 грн
2500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 4417820.pdf
2EP110RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.81 грн
250+66.63 грн
500+64.11 грн
1000+62.06 грн
2500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 4417820.pdf
2EP130RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.72 грн
250+75.17 грн
500+72.42 грн
1000+69.98 грн
2500+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 4406533.pdf
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+49915.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G120C5BFKSA1 INFNS29996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW10G120C5BFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+565.67 грн
10+430.48 грн
100+294.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5EVK 4473641.pdf
KITPSC3M5EVK
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3578.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+110.29 грн
12+77.11 грн
100+60.21 грн
500+47.32 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 2327425.pdf
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.12 грн
500+44.18 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF 2820291.pdf
IRS21064STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+122.74 грн
10+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF 2820291.pdf
IRS21064STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef50e9a49e3
IPB65R125CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+299.73 грн
10+207.23 грн
100+165.43 грн
500+147.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.65 грн
10+246.37 грн
50+220.57 грн
200+180.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 2354663.pdf
IPB80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.13 грн
10+210.79 грн
50+189.44 грн
200+166.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+346.87 грн
10+302.40 грн
100+281.94 грн
500+251.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+125.41 грн
10+95.17 грн
100+87.07 грн
500+80.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+564.78 грн
10+391.34 грн
100+368.22 грн
500+341.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P04P405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.23 грн
10+165.43 грн
100+121.85 грн
500+91.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.19 грн
10+107.62 грн
100+88.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 4417818.pdf
REF5AR3995BZ114W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 4417809.pdf
REF5BR3995BZ116W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 4417815.pdf
REFSSRACDC2ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3458.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 4417808.pdf
REF5AR4770BZS115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10489.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ115W1TOBO1 4417812.pdf
REF5BR4780BZ115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR0680BZS144W1TOBO1 4417817.pdf
REF5AR0680BZS144W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR0680BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ122W1TOBO1 4417811.pdf
REF5BR2280BZ122W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8441.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3207NHUMA1 Infineon-BTS3207N-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0bcc33622
BTS3207NHUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.12 грн
250+38.04 грн
500+37.28 грн
1000+36.44 грн
2500+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.22 грн
500+33.28 грн
1500+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V202A-TG 2309613.pdf
FM28V202A-TG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2530.38 грн
5+2436.10 грн
10+2341.82 грн
25+2105.17 грн
50+1895.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04I06PTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.42 грн
250+141.80 грн
500+136.46 грн
1000+132.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_PSC3M5_MC1 Infineon-KIT_PSC3M5_MC1_release_notes-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193bd9123e12b91
KIT_PSC3M5_MC1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28856.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 4417800.pdf
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376576.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 4148555.pdf
IDWD40E120D7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 185A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 155ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+323.75 грн
10+224.13 грн
100+203.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR2280VJZXKLA1 2354751.pdf
ICE3AR2280VJZXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 28W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.14 грн
10+156.54 грн
50+144.08 грн
100+104.89 грн
250+92.24 грн
500+80.05 грн
1000+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR4780AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.96 грн
11+88.50 грн
50+80.05 грн
100+65.99 грн
250+57.18 грн
500+54.89 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR4780AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.99 грн
250+57.18 грн
500+54.89 грн
1000+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDP710FETBDTOBO1 4436332.pdf
EVALXDP710FETBDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDP710FETBDTOBO1 - FET-Board, 100A, 100V, GPU, AI, EVAL_XDP710_V2 Evaluationsboard
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: FET-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Evaluationsboard EVAL_XDP710_V2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9560.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1 4256795.pdf
ISCH42N04LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 541A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.99 грн
10+270.38 грн
100+210.79 грн
500+169.31 грн
1000+144.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1 4256795.pdf
ISCH42N04LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+210.79 грн
500+169.31 грн
1000+144.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7412447e2b
BSO110N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO110N03MSGXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0092 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.76 грн
500+31.96 грн
1000+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT4B15BPSA1 Infineon-FS75R12KT4_B15-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a4964ea8d0126
FS75R12KT4B15BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT4B15BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 385W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6813.78 грн
5+6100.48 грн
10+5387.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 4013779.pdf
IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1226.50 грн
50+1044.74 грн
100+911.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 4013779.pdf
IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1491.54 грн
5+1359.02 грн
10+1226.50 грн
50+1044.74 грн
100+911.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK05G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK05G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IDK05G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK05G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK05G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.43 грн
10+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 3920489.pdf
IPD028N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.66 грн
10+112.96 грн
100+81.65 грн
500+61.69 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 3920489.pdf
IPD028N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD028N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 139 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.65 грн
500+61.69 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0616N10NM5HSCATMA1 4334664.pdf
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISG0616N10NM5HSCATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 139 A, 0.004 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 139A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WHITFN-U01
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.004ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 167W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+426.92 грн
50+300.62 грн
100+233.92 грн
500+180.87 грн
1500+160.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60UTR11AIPXUMA1 4425926.pdf
BGT60UTR11AIPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT60UTR11AIPXUMA1 - Radarsensor, 15m, 57.4-63GHz, 1.8V, 1 Sendeantenne, 1 Empfangsantenne, -20°C bis 70°C, VF2BGA-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Frequenz, min.: 57.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Anzahl der Sendeantennen: 1Antennas
SSB-Rauschmaß, typ.: 12dB
Erfassungsbereich, max.: 15m
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
productTraceability: No
Anzahl der Empfangsantennen, max.: 1Antennas
Anzahl der Empfangsantennen: 1Antennas
Frequenz, max.: 63GHz
Anzahl der Sendeantennen, max.: 1Antennas
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+764.89 грн
50+672.27 грн
100+573.29 грн
250+545.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60UTR11AIPXUMA1 4425926.pdf
BGT60UTR11AIPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGT60UTR11AIPXUMA1 - Radarsensor, 15m, 57.4-63GHz, 1.8V, 1 Sendeantenne, 1 Empfangsantenne, -20°C bis 70°C, VF2BGA-28
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Antenne: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Frequenz, min.: 57.4GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Anzahl der Sendeantennen: 1Antennas
SSB-Rauschmaß, typ.: 12dB
Sensorgehäuse/-bauform: VF2BGA
Erfassungsbereich, max.: 15m
euEccn: NLR
Verstärkung bei Spannungsumwandlung, typ.: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Empfangsantennen, max.: 1Antennas
Anzahl der Empfangsantennen: 1Antennas
Frequenz, max.: 63GHz
Anzahl der Sendeantennen, max.: 1Antennas
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+879.63 грн
5+822.71 грн
10+764.89 грн
50+672.27 грн
100+573.29 грн
250+545.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 4409627.pdf
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 447 A, 860 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 447A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.64 грн
10+289.95 грн
100+257.04 грн
500+208.95 грн
1000+174.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 2718672.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY40N120CH3XKSA1 - IGBT, 80 A, 2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+648.38 грн
5+553.21 грн
10+458.05 грн
50+391.47 грн
100+301.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R022M2HXKSA1 IMZC120R022M2HXKSA1.pdf
IMZC120R022M2HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R022M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 80 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1669.43 грн
5+1473.76 грн
10+1275.42 грн
50+1060.43 грн
100+886.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 4423397.pdf
DDB2U60N12W3RFC39BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U60N12W3RFC39BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 25 A, 2.3 V, Brücke, Modul, 71 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Durchlassspannung, max.: 2.3V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 71Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15674.10 грн
5+15078.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 INFNS27932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+400.24 грн
50+332.00 грн
100+286.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 INFNS27932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3180AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 80 A, 5800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+654.61 грн
5+500.74 грн
10+400.24 грн
50+332.00 грн
100+286.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2308STRPBF 690966.pdf
IRS2308STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2308STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.72 грн
14+65.55 грн
50+59.23 грн
100+48.48 грн
250+41.93 грн
500+40.18 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]