Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25910) > Сторінка 405 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 FF55MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON Infineon-FF55MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018ba8c3b0a3719a Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3438.06 грн
5+3144.86 грн
10+2851.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 INFINEON 3968294.pdf Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4667.39 грн
5+4253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 IPB407N30NATMA1 INFINEON Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474 Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+503.39 грн
50+465.79 грн
100+328.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S70KS1282GABHV020 S70KS1282GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
DRAM-Dichte: 128Mbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+410.66 грн
10+383.28 грн
25+376.22 грн
50+344.42 грн
100+289.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.98 грн
500+81.51 грн
1000+67.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON 3097838.pdf Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+415.96 грн
10+278.19 грн
100+201.36 грн
500+177.95 грн
1000+156.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 INFINEON 3097838.pdf Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.36 грн
500+177.95 грн
1000+156.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 FF3MR20KM1HHPSA1 INFINEON 4018763.pdf Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+68140.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HPHPSA1 FF3MR12KM1HPHPSA1 INFINEON 4379509.pdf Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29597.54 грн
5+29005.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HHPSA1 FF3MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4379508.pdf Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28490.96 грн
5+27921.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME7B11BPSA1 FF300R17ME7B11BPSA1 INFINEON 4068214.pdf Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13232.96 грн
5+12558.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJV33XUMA1 TLS203B0EJV33XUMA1 INFINEON 2211716.pdf Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.58 грн
250+67.37 грн
500+64.80 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE989XEVALBLQFPTOBO1 TLE989XEVALBLQFPTOBO1 INFINEON 4334661.pdf Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE988x, TLE989x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29246.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH55N04NM6ATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1 INFINEON 4327858.pdf Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.63 грн
10+271.12 грн
100+193.41 грн
500+159.09 грн
1000+143.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 ESD123B2W0201E6327XTSA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+21.02 грн
67+13.25 грн
133+6.65 грн
500+5.78 грн
1000+3.68 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 ESD123B2W0201E6327XTSA1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.78 грн
1000+3.68 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 BSC007N04LS6SCATMA1 INFINEON Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88 Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.58 грн
10+221.67 грн
100+166.03 грн
500+132.85 грн
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 BSC007N04LS6SCATMA1 INFINEON Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88 Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.03 грн
500+132.85 грн
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 2EP130RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.43 грн
10+114.81 грн
50+105.09 грн
100+86.11 грн
250+74.64 грн
500+71.91 грн
1000+69.49 грн
2500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.94 грн
10+94.50 грн
50+86.02 грн
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 2EP100RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.94 грн
10+94.50 грн
50+86.02 грн
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.65 грн
10+102.44 грн
50+92.73 грн
100+76.27 грн
250+66.16 грн
500+63.66 грн
1000+61.62 грн
2500+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 2EP100RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 2EP101RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 2EP110RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.27 грн
250+66.16 грн
500+63.66 грн
1000+61.62 грн
2500+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 2EP130RXTMA1 INFINEON 4417820.pdf Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.11 грн
250+74.64 грн
500+71.91 грн
1000+69.49 грн
2500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 INFINEON 4406533.pdf Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49563.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G120C5BFKSA1 IDW10G120C5BFKSA1 INFINEON INFNS29996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.68 грн
10+427.44 грн
100+292.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5EVK KITPSC3M5EVK INFINEON Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3552.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0 Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.51 грн
12+76.57 грн
100+59.79 грн
500+46.99 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 INFINEON 2327425.pdf Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.73 грн
500+43.87 грн
1000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF IRS21064STRPBF INFINEON 2820291.pdf Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.11 грн
10+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF IRS21064STRPBF INFINEON 2820291.pdf Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1 IPB65R125CFD7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef50e9a49e3 Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.62 грн
10+205.77 грн
100+164.26 грн
500+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.14 грн
10+244.63 грн
50+219.02 грн
200+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 IPB80P03P4L07ATMA2 INFINEON 2354663.pdf Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.60 грн
10+209.30 грн
50+188.11 грн
200+165.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 IPB60R045P7ATMA1 INFINEON Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.42 грн
10+300.27 грн
100+279.96 грн
500+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+124.52 грн
10+94.50 грн
100+86.46 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.79 грн
10+388.58 грн
100+365.62 грн
500+338.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 INFINEON INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.82 грн
10+164.26 грн
100+120.99 грн
500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.24 грн
10+106.86 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 REF5AR3995BZ114W1TOBO1 INFINEON 4417818.pdf Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 REF5BR3995BZ116W1TOBO1 INFINEON 4417809.pdf Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 REFSSRACDC2ATOBO1 INFINEON 4417815.pdf Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3433.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 REF5AR4770BZS115W1TOBO1 INFINEON 4417808.pdf Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10415.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ115W1TOBO1 REF5BR4780BZ115W1TOBO1 INFINEON 4417812.pdf Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR0680BZS144W1TOBO1 REF5AR0680BZS144W1TOBO1 INFINEON 4417817.pdf Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR0680BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ122W1TOBO1 REF5BR2280BZ122W1TOBO1 INFINEON 4417811.pdf Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3207NHUMA1 BTS3207NHUMA1 INFINEON 1836333.pdf Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.12 грн
250+33.91 грн
500+32.55 грн
1000+30.51 грн
2500+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.95 грн
500+33.05 грн
1500+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V202A-TG FM28V202A-TG INFINEON 2309613.pdf Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2512.53 грн
5+2418.92 грн
10+2325.31 грн
25+2090.33 грн
50+1881.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.61 грн
250+140.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_PSC3M5_MC1 KIT_PSC3M5_MC1 INFINEON Infineon-KIT_PSC3M5_MC1_release_notes-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193bd9123e12b91 Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28653.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 FF4000UXTR33T2M1BPSA1 INFINEON 4417800.pdf Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373921.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 IDWD40E120D7XKSA1 INFINEON 4148555.pdf Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 185A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 155ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.46 грн
10+222.55 грн
100+202.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR2280VJZXKLA1 ICE3AR2280VJZXKLA1 INFINEON 2354751.pdf Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 28W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.45 грн
10+155.43 грн
50+143.07 грн
100+104.15 грн
250+91.59 грн
500+79.48 грн
1000+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 ICE5GR4780AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.11 грн
11+87.87 грн
50+79.48 грн
100+65.52 грн
250+56.77 грн
500+54.50 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 ICE5GR4780AGXUMA1 INFINEON 2576754.pdf Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.52 грн
250+56.77 грн
500+54.50 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDP710FETBDTOBO1 EVALXDP710FETBDTOBO1 INFINEON 4436332.pdf Description: INFINEON - EVALXDP710FETBDTOBO1 - FET-Board, 100A, 100V, GPU, AI, EVAL_XDP710_V2 Evaluationsboard
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: FET-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Evaluationsboard EVAL_XDP710_V2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9492.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1 ISCH42N04LM7ATMA1 INFINEON 4256795.pdf Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 541A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.44 грн
10+268.47 грн
100+209.30 грн
500+168.11 грн
1000+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF55MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon-FF55MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018ba8c3b0a3719a
FF55MR12W1M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF55MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3438.06 грн
5+3144.86 грн
10+2851.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 3968294.pdf
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4667.39 грн
5+4253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB407N30NATMA1 Infineon-IPB407N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d760faf575474
IPB407N30NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+503.39 грн
50+465.79 грн
100+328.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S70KS1282GABHV020 INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70KS1282GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
DRAM-Dichte: 128Mbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+410.66 грн
10+383.28 грн
25+376.22 грн
50+344.42 грн
100+289.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC031N06NS3GATMA1 INFNS16151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC031N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC031N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.98 грн
500+81.51 грн
1000+67.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 3097838.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+415.96 грн
10+278.19 грн
100+201.36 грн
500+177.95 грн
1000+156.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC074N15NS5ATMA1 3097838.pdf
BSC074N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC074N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+201.36 грн
500+177.95 грн
1000+156.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR20KM1HHPSA1 4018763.pdf
FF3MR20KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 375 A, 2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+68140.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HPHPSA1 4379509.pdf
FF3MR12KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 220 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+29597.54 грн
5+29005.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF3MR12KM1HHPSA1 4379508.pdf
FF3MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28490.96 грн
5+27921.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME7B11BPSA1 4068214.pdf
FF300R17ME7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 300 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13232.96 грн
5+12558.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJV33XUMA1 2211716.pdf
TLS203B0EJV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS203B0EJV33XUMA1 - LDO-Festspannungsregler, AEC-Q100, 2.3V bis 20V, 270mV Dropout-Spannung, 3.3V/300mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V, 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 270mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 270mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.58 грн
250+67.37 грн
500+64.80 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE989XEVALBLQFPTOBO1 4334661.pdf
TLE989XEVALBLQFPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE989XEVALBLQFPTOBO1 - Evaluationskit, TLE988x, TLE989x, Controller für 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE988x, TLE989x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE988x/TLE989x, Sockelplatine, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-BLDC-Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+29246.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH55N04NM6ATMA1 4327858.pdf
IQFH55N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQFH55N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 451 A, 550 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 451A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.63 грн
10+271.12 грн
100+193.41 грн
500+159.09 грн
1000+143.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 3763994.pdf
ESD123B2W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+21.02 грн
67+13.25 грн
133+6.65 грн
500+5.78 грн
1000+3.68 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ESD123B2W0201E6327XTSA1 3763994.pdf
ESD123B2W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD123B2W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9.7 V, WLL-3-1, 3 Pin(s), 5.5 V, ESD123-B2-W0201 Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: WLL-3-1
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ESD123-B2-W0201 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.78 грн
1000+3.68 грн
5000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88
BSC007N04LS6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.58 грн
10+221.67 грн
100+166.03 грн
500+132.85 грн
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon-BSC007N04LS6SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4af65380e88
BSC007N04LS6SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC007N04LS6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 700 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+166.03 грн
500+132.85 грн
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 4417820.pdf
2EP130RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.43 грн
10+114.81 грн
50+105.09 грн
100+86.11 грн
250+74.64 грн
500+71.91 грн
1000+69.49 грн
2500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 4417820.pdf
2EP101RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.94 грн
10+94.50 грн
50+86.02 грн
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 4417820.pdf
2EP100RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.94 грн
10+94.50 грн
50+86.02 грн
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 4417820.pdf
2EP110RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10mA
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 280ns
Ausgabeverzögerung: 280ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.65 грн
10+102.44 грн
50+92.73 грн
100+76.27 грн
250+66.16 грн
500+63.66 грн
1000+61.62 грн
2500+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EP100RXTMA1 4417820.pdf
2EP100RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP100RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP101RXTMA1 4417820.pdf
2EP101RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP101RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.52 грн
250+61.24 грн
500+58.82 грн
1000+56.85 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP110RXTMA1 4417820.pdf
2EP110RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP110RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.27 грн
250+66.16 грн
500+63.66 грн
1000+61.62 грн
2500+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EP130RXTMA1 4417820.pdf
2EP130RXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EP130RXTMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, Vollbrücke, GaN-HEMT, IGBT, SiC-­MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.11 грн
250+74.64 грн
500+71.91 грн
1000+69.49 грн
2500+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 4406533.pdf
EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUCFD7QDTOBO1 - Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G, 12.2V Server-Stromversorgung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDI20N12AF, 2EDN7524F, XMC1402, XMC4200, ICE2QR2280G
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: Server-Stromversorgung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+49563.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDW10G120C5BFKSA1 INFNS29996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW10G120C5BFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+561.68 грн
10+427.44 грн
100+292.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5EVK
KITPSC3M5EVK
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5EVK - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33F
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, USB-A/USB-C-Kabel, Überbrückungsdrähte, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3552.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 Infineon-IPD80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cea08926648f0
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.51 грн
12+76.57 грн
100+59.79 грн
500+46.99 грн
1000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R750P7ATMA1 2327425.pdf
IPD80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.73 грн
500+43.87 грн
1000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF 2820291.pdf
IRS21064STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.11 грн
10+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064STRPBF 2820291.pdf
IRS21064STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21064STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 200ns Verzögerung, NSOIC-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 220ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R125CFD7ATMA1 Infineon-IPB65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef50e9a49e3
IPB65R125CFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R125CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.62 грн
10+205.77 грн
100+164.26 грн
500+146.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 INFNS19697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+354.14 грн
10+244.63 грн
50+219.02 грн
200+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P03P4L07ATMA2 2354663.pdf
IPB80P03P4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P03P4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.60 грн
10+209.30 грн
50+188.11 грн
200+165.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R045P7ATMA1 Infineon-IPB60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48707f64aad
IPB60R045P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R045P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.42 грн
10+300.27 грн
100+279.96 грн
500+250.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFNS19753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB026N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+124.52 грн
10+94.50 грн
100+86.46 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+560.79 грн
10+388.58 грн
100+365.62 грн
500+338.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P405ATMA2 INFNS17039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80P04P405ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.82 грн
10+164.26 грн
100+120.99 грн
500+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.24 грн
10+106.86 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR3995BZ114W1TOBO1 4417818.pdf
REF5AR3995BZ114W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR3995BZ114W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR3995BZ, SMPS/SNT, 14W, 15V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ116W1TOBO1 4417809.pdf
REF5BR3995BZ116W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ116W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR3995BZ, SMPS/SNT, 16W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFSSRACDC2ATOBO1 4417815.pdf
REFSSRACDC2ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFSSRACDC2ATOBO1 - Referenzplatine, Coolset, iSSI30R12H, IPT60T022S7, SMPS/SNT, Halbleiter-Isolator, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine XMC1302-T028X0128
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Halbleiter-Isolator
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolMOS
euEccn: NLR
Prozessorkern: iSSI30R12H, IPT60T022S7
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3433.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR4770BZS115W1TOBO1 4417808.pdf
REF5AR4770BZS115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR4770BZS115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR4770BZS, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR4770BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR4770BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10415.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ115W1TOBO1 4417812.pdf
REF5BR4780BZ115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ115W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR4780BZ, SMPS/SNT, 15W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5AR0680BZS144W1TOBO1 4417817.pdf
REF5AR0680BZS144W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5AR0680BZS144W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5AR0680BZS, SMPS/SNT, 44W, 12V, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5AR0680BZS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5AR0680BZS
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR2280BZ122W1TOBO1 4417811.pdf
REF5BR2280BZ122W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR2280BZ122W1TOBO1 - Referenzplatine, Coolset, ICE5BR2280BZ, SMPS/SNT, 22W, Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzplatine ICE5BR2280BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SNT
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR2280BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8381.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3207NHUMA1 1836333.pdf
BTS3207NHUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3207NHUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 10V, 7.5A, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 7.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.12 грн
250+33.91 грн
500+32.55 грн
1000+30.51 грн
2500+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.95 грн
500+33.05 грн
1500+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V202A-TG 2309613.pdf
FM28V202A-TG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM28V202A-TG - FRAM, 2MB (128K x 16), parallel, 33MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-II-44
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 2Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 33MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2512.53 грн
5+2418.92 грн
10+2325.31 грн
25+2090.33 грн
50+1881.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 INFN-S-A0002785736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
6EDL04I06PTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 6EDL04I06PTXUMA1 - IGBT-Treiber, Vollbrücke, 375mA, 13V bis 17.5V Versorgungsspannung, 530ns/490ns Verzögerung, SOIC-28
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Vollbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 13V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 490ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.61 грн
250+140.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_PSC3M5_MC1 Infineon-KIT_PSC3M5_MC1_release_notes-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193bd9123e12b91
KIT_PSC3M5_MC1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_MC1 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, Motorsteuerkarte/Adapterkarte, Stromversorgung, USB-Kabel, Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28653.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 4417800.pdf
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373921.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40E120D7XKSA1 4148555.pdf
IDWD40E120D7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 67 A, Einfach, 3 V, 155 ns, 185 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 185A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 155ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 67A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+321.46 грн
10+222.55 грн
100+202.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR2280VJZXKLA1 2354751.pdf
ICE3AR2280VJZXKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE3AR2280VJZXKLA1 - AC/DC-Flyback-Wandler, CoolSET, feste Frequenz, 85V AC bis 265V AC, 28W, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 100kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 28W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 265VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+238.45 грн
10+155.43 грн
50+143.07 грн
100+104.15 грн
250+91.59 грн
500+79.48 грн
1000+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR4780AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.11 грн
11+87.87 грн
50+79.48 грн
100+65.52 грн
250+56.77 грн
500+54.50 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5GR4780AGXUMA1 2576754.pdf
ICE5GR4780AGXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5GR4780AGXUMA1 - AC/DC-Wandler, Flyback nicht isoliert, 10.5V bis 24V AC Eingangsspannung, 125kHz, 15W, SOIC-12
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 125kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: 15W
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 10.5VAC
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: 0
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.52 грн
250+56.77 грн
500+54.50 грн
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVALXDP710FETBDTOBO1 4436332.pdf
EVALXDP710FETBDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDP710FETBDTOBO1 - FET-Board, 100A, 100V, GPU, AI, EVAL_XDP710_V2 Evaluationsboard
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: FET-Board
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Evaluationsboard EVAL_XDP710_V2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9492.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH42N04LM7ATMA1 4256795.pdf
ISCH42N04LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 541A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.44 грн
10+268.47 грн
100+209.30 грн
500+168.11 грн
1000+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]