Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18014) > Сторінка 86 з 301

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 120 150 180 210 240 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CLA20EF1200PZ-TRL CLA20EF1200PZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf Description: SCR 1.2KV 35A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB CLA20EF1200PB IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PB.pdf Description: SCR 1.2KV 35MA TO220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB CLA20EF1200PZ-TUB IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf Description: SCR 1.2KV 35A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 130A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.4 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.07 грн
50+187.71 грн
100+160.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA IXYS Description: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TUB DSA30C150PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS IXYH120N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.61 грн
30+439.48 грн
120+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TRL DSA30C150PC-TRL IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TRL DSA30C200PC-TRL IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C45PC-TUB DSA30C45PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TUB DSA30C200PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC-TRL IXYS DSA15IM200UC.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC-TRL IXYS DSA15IM200UC.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.87 грн
10+104.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV IXBT14N300HV IXYS Description: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3312.26 грн
30+2233.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5 IXYH90N65A5 IXYS IXYH90N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEK350-02DA MEK350-02DA IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f9a4636c-ad4d-45f1-8e3a-908cfe229687&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK350-02DA-Datasheet Description: DIODE MODULE GP 200V 356A Y4-M6
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 356A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5328.96 грн
12+3964.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HV IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDA95-22N1B MDA95-22N1B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=441D64ED-A6F7-4150-8AEA-B5FCDAD504FD&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDA95-22N1B-Datasheet Description: DIODE MOD GP 2200V 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR IXYS Description: POWER DIODE DISC-SCHOTTKY ISOPLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD56-16N1B MDD56-16N1B IXYS MDD56-16N1B.pdf Description: DIODE MOD GP 1.6KV 95A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2264.32 грн
10+1937.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1200UZ-TRL DMA10P1200UZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fDMA10P1200UZ.pdf Description: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HV IXXA30N65C3HV IXYS Description: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL DPG30C300PC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51 Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL DPG30C300PC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51 Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TUB DPG30C300PC-TUB IXYS Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PA LSIC2SD120N40PA IXYS Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3631.30 грн
10+2646.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf Description: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1 IXYN100N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=58ffeeed-9b24-40ca-bcd4-ea5864ca8970&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65b3d1_datasheet.pdf Description: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60AL IXYS Description: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4 IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4 IXYP30N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n120a4-datasheet?assetguid=9fce9f90-2af9-4a75-bf7f-be975fe328f4 Description: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HV IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Description: IGBT PT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HV IXBA14N300HV IXYS Description: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
W2054NC450 IXYS Description: DIODE STANDARD 4500V 2055A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2055A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M1104NC450 IXYS Description: DIODE STANDARD 4500V 1104A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1104A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 1500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM100-01X1-SLSAM IXYS GWM100-01X1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM120-0075X1-SLSAM IXYS GWM120-0075X1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS GWM160-0055X1.pdf Description: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM220-004P3-SL SAM IXYS GWM220-004P3.pdf Description: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEE95-06DA MEE95-06DA IXYS MEA95-06DA_MEK95-06DA_MEE95-06DA.pdf Description: DIODE MODULE 600V 95A TO240AA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.24 грн
10+2199.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK75-12DA MEK75-12DA IXYS MEA-MEK-MEE_75-12DA.PDF Description: DIODE MOD GP 1200V 75A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.17 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1200 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2217.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEE75-12DA MEE75-12DA IXYS L343.pdf Description: DIODE MOD GP 1.2KV 75A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.17 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NTZ-TRL IXYS Description: THYRISTOR - TO268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250 IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=d862da0b-11e1-49fe-a32a-4515921a64e4&amp;filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtf1n250_datasheet.pdf Description: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-12AZ-TRL DSP45-12AZ-TRL IXYS Description: DIODE ARRAY GP 1200V 45A TO268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: TO-268AA (D3Pak-HV)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+283.75 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-18A DSP45-18A IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP45-18A-Datasheet?assetguid=91090e86-fca9-4436-8c3a-e9be97a70b50 Description: DIODE STANDARD 1800V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1800 V
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.06 грн
30+266.81 грн
120+248.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170C IXYX50N170C IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyx50n170c-datasheet?assetguid=07d284af-ff38-43e9-9dc7-89f24c802f28 Description: IGBT 1700V 178A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 178 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1827.29 грн
30+1126.06 грн
120+1051.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
W5715ED600 IXYS Description: RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX6610T IX6610T IXYS IX6610_R00A.pdf Description: IC MOSF DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM6N90A IXYS 91543.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT54N65X3HV IXYS Description: DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250C IXGH4N250C IXYS DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf Description: IGBT 2500V 13A 150W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 1250V, 4A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 46 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250C IXYS DS100789A(IXYH8N250C)_.pdf Description: IGBT 2500V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS10-01AS-TRL DSS10-01AS-TRL IXYS DSS10-01AS_2021.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD72-18N1B MDD72-18N1B IXYS MDD72-18N1B.pdf Description: DIODE MOD GP 1800V 113A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 113A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf
CLA20EF1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PB.pdf
CLA20EF1200PB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35MA TO220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf
CLA20EF1200PZ-TUB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 130A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.4 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.07 грн
50+187.71 грн
100+160.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TUB
DSA30C150PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5.pdf
IXYH120N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.61 грн
30+439.48 грн
120+374.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TRL
DSA30C150PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TRL
DSA30C200PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C45PC-TUB
DSA30C45PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TUB
DSA30C200PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC.pdf
DSA15IM200UC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC.pdf
DSA15IM200UC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+104.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV
IXBT14N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3312.26 грн
30+2233.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5 IXYH90N65A5.pdf
IXYH90N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEK350-02DA media?resourcetype=datasheets&itemid=f9a4636c-ad4d-45f1-8e3a-908cfe229687&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK350-02DA-Datasheet
MEK350-02DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 200V 356A Y4-M6
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 356A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5328.96 грн
12+3964.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDA95-22N1B media?resourcetype=datasheets&itemid=441D64ED-A6F7-4150-8AEA-B5FCDAD504FD&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDA95-22N1B-Datasheet
MDA95-22N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 2200V 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISC-SCHOTTKY ISOPLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD56-16N1B MDD56-16N1B.pdf
MDD56-16N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1.6KV 95A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.48 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2264.32 грн
10+1937.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA10P1200UZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fDMA10P1200UZ.pdf
DMA10P1200UZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXXA30N65C3HV
IXXA30N65C3HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51
DPG30C300PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DPG30C300PC-Datasheet?assetguid=A6D00945-3547-4C51-A033-F4148B459A51
DPG30C300PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO-263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPG30C300PC-TUB
DPG30C300PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LSIC2SD120N40PA
LSIC2SD120N40PA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD SIC 1200V 42A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3631.30 грн
10+2646.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH14N300HV media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_14n300hv_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=58ffeeed-9b24-40ca-bcd4-ea5864ca8970&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65b3d1_datasheet.pdf
IXYN100N65B3D1
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 185 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.74 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGM40N60AL
Виробник: IXYS
Description: POWER MOSFET TO-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120B4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120C4
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-220
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N120A4 littelfuse-discrete-igbts-ixy-30n120a4-datasheet?assetguid=9fce9f90-2af9-4a75-bf7f-be975fe328f4
IXYP30N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 106A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 184 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA30N120A3HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-263HV
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH30N120B3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA14N300HV
IXBA14N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
W2054NC450
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 4500V 2055A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2055A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3000 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M1104NC450
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 4500V 1104A W5
Packaging: Box
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1104A
Supplier Device Package: W5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 1500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 4500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM100-01X1-SLSAM GWM100-01X1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM120-0075X1-SLSAM GWM120-0075X1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM160-0055X1-SLSAM GWM160-0055X1.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GWM220-004P3-SL SAM GWM220-004P3.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS
Packaging: Tube
Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: ISOPLUS-DIL™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEE95-06DA MEA95-06DA_MEK95-06DA_MEE95-06DA.pdf
MEE95-06DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 600V 95A TO240AA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2476.24 грн
10+2199.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEK75-12DA MEA-MEK-MEE_75-12DA.PDF
MEK75-12DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1200V 75A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.17 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1200 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2217.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MEE75-12DA L343.pdf
MEE75-12DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1.2KV 75A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.17 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA60MT1200NTZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR - TO268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250 media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=d862da0b-11e1-49fe-a32a-4515921a64e4&amp;filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtf1n250_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-12AZ-TRL
DSP45-12AZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 45A TO268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: TO-268AA (D3Pak-HV)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+283.75 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-18A Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP45-18A-Datasheet?assetguid=91090e86-fca9-4436-8c3a-e9be97a70b50
DSP45-18A
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1800V 45A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1800 V
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.06 грн
30+266.81 грн
120+248.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX50N170C littelfuse-discrete-igbts-ixyx50n170c-datasheet?assetguid=07d284af-ff38-43e9-9dc7-89f24c802f28
IXYX50N170C
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 178A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/180ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 178 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1827.29 грн
30+1126.06 грн
120+1051.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
W5715ED600
Виробник: IXYS
Description: RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 a
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IX6610T IX6610_R00A.pdf
IX6610T
Виробник: IXYS
Description: IC MOSF DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM6N90A 91543.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT54N65X3HV
Виробник: IXYS
Description: DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH4N250C DS100320(IXGH-GT4N250C).pdf
IXGH4N250C
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 13A 150W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 360µJ (off)
Test Condition: 1250V, 4A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 46 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250C DS100789A(IXYH8N250C)_.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS10-01AS-TRL DSS10-01AS_2021.pdf
DSS10-01AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD72-18N1B MDD72-18N1B.pdf
MDD72-18N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1800V 113A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 113A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 120 150 180 210 240 270 300 301  [ Наступна Сторінка >> ]