Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15414) > Сторінка 88 з 257

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 100 125 150 175 200 225 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFP14N55X2M IXYS Description: IXFP14N55X2M
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100F IXFK21N100F IXYS DS98880A(IXFK-FX21N100F).pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM1630 IXYS Description: POWER MOSFET TO-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N4845EE320 N4845EE320 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A38836A5-5E37-4579-BBBB-5CC2031DEE94&filename=Littelfuse-Discrete-Thyristors-Phase-Control-N4845EE3-0-Datasheet.PDF Description: SCR 3.2KV W108
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 4845 A
Supplier Device Package: W108
Voltage - Off State: 3.2 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT55N120A4HV IXYT55N120A4HV IXYS 014125.pdf Description: IGBT PT 1200V 175A TO-268HV
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+948.49 грн
30+557.42 грн
120+479.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4 IXYH55N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyh55n120a4-datasheet?assetguid=7cc37be0-870e-4788-8cf1-9672fa37c982 Description: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.68 грн
30+447.80 грн
120+382.28 грн
510+338.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4 IXYH85N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyh85n120a4-datasheet?assetguid=f5249e62-6772-4617-a066-4441b1dbab32 Description: IGBT PT 1200V 300A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1269.30 грн
30+764.81 грн
120+681.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRL IXTY48P05T-TRL IXYS littelfusediscretemosfetspchannelixt48p05td.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRL IXTA48P05T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-4n80p-datasheet?assetguid=595aff53-2a35-43a0-b191-4cbac9044a16 Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS IXYK140N120A4_DS.pdf Description: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3545.98 грн
25+2359.99 грн
100+2289.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS IXYX140N120A4_DS.pdf Description: IGBT PT 1200V 480A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3677.71 грн
30+2416.07 грн
120+2394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet?assetguid=13a5ea28-9028-4ba7-bc80-764d7c886511 Description: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3921.03 грн
10+2869.62 грн
100+2590.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRL IXTA3N110-TRL IXYS Description: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRL IXFA80N25X3TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3 IXFH80N25X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.92 грн
10+802.62 грн
100+664.49 грн
500+543.02 грн
1000+472.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-14IO1 IXYS Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR TO-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170-TRL IXGT32N170-TRL IXYS PdfFile324374.pdf Description: IGBT NPT 1700V 75A TO-268AA
Power - Max: 350 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 11mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1450.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1 IXYH10N170CV1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF?assetguid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D Description: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+960.11 грн
30+564.26 грн
120+485.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1 IXYH24N170CV1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf Description: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/155ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.76mJ (off)
Test Condition: 850V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.29 грн
30+662.01 грн
120+570.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170C IXYH24N170C IXYS IXYH24N170C.pdf Description: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/160ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.95mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.10 грн
30+612.81 грн
120+557.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170C IXYH30N170C IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf Description: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+595.21 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI36-06AS-TRL DSEI36-06AS-TRL IXYS littelfuse-power-semiconductors-dsei36-06as-datasheet?assetguid=e6dafff2-758c-449a-9042-56d94bd941ff Description: DIODE STANDARD 600V 37A TO263AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 37 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AA
Current - Average Rectified (Io): 37A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI36-06AS-TRL DSEI36-06AS-TRL IXYS littelfuse-power-semiconductors-dsei36-06as-datasheet?assetguid=e6dafff2-758c-449a-9042-56d94bd941ff Description: DIODE STANDARD 600V 37A TO263AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 37 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AA
Current - Average Rectified (Io): 37A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.06 грн
10+362.36 грн
100+265.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N85XHV IXFT40N85XHV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 IXBK64N250 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-64n250-datasheet?assetguid=6f198893-d712-49ff-908d-12cba0a8ef2b Description: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7560.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRL IXTA1N200P3HVTRL IXYS Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRL IXTA1N200P3HVTRL IXYS Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-16IO1B MCC132-16IO1B IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=469670e0-e5d5-41ad-b104-35c18b54f920&amp;filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mcc132-16io1b%2520datasheet.pdf Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR Y4-M
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 300 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 130 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4750A, 5130A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y4-M6
Packaging: Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4034.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-18IO1B MCC132-18IO1B IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=8adc3d6a-68c4-40b6-b632-7058faa38df4&amp;filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mcc132-18io1b%2520datasheet.pdf Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR Y4-M
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 300 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 130 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4750A, 5130A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y4-M6
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-25MOT1-TUB CS20-25MOT1-TUB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-25moT1-Datasheet?assetguid=1aa8f834-ccb4-4263-a838-d035df1046fc Description: SCR 2.5KV TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -10°C ~ 70°C
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A @ 50Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Voltage - Off State: 2.5 kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2533.17 грн
30+1628.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TUB DSEP60-12AZ-TUB IXYS littelfuse-power-semiconductors-dsep60-12az-datasheet?assetguid=3bd4afa4-e70f-4d40-bea9-6601a0267772 Description: DIODE STANDARD 1200V 60A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 600V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-268AA (D3Pak-HV)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP6-06BS-TUB DSEP6-06BS-TUB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=ab904792-a1bd-4c09-94d6-b38166049baa&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep6-06bs%2520datasheet.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 400V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP6-06AS-TUB DSEP6-06AS-TUB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=01813e50-fdce-40dd-b89a-8827a33af355&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep6-06as%2520datasheet.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.03 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 400V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12B DSEP60-12B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=97049d1a-2730-4fa6-8341-38130c33194d&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep60-12b%2520datasheet.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.25 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 600V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.97 грн
30+422.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3 IXYX200N65B3 IXYS DS100697IXYKX200N65B3.pdf Description: IGBT 650V 410A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/370ns
Switching Energy: 5mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 0Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 410 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1100 A
Power - Max: 1560 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA20E1600PZ-TRL CMA20E1600PZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCMA20E1600PZ.pdf Description: SCR 1.6KV 31A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 28 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 195A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.46 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 31 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA20E1600PB CMA20E1600PB IXYS Description: SCR 1.6KV 31A TO220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA20E1600PZ-TUB CMA20E1600PZ-TUB IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCMA20E1600PZ.pdf Description: SCR 1.6KV 31A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 28 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 195A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.46 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 31 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170C IXYH10N170C IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyh10n170cdatashee.pdf Description: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.59 грн
30+407.21 грн
120+346.40 грн
510+301.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHV IXYH25N250CHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 235A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1704.80 грн
30+1123.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HV IXYH8N250CV1HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 29A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3 IXYH30N65C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1 IXYH40N65C3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=097B1532-5263-463D-9683-6B0C7D39951B&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-40N65C3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1 IXYH40N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=CE930E34-1A02-46F8-85BC-52B83B11FC42&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-40N65B3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 IXYH40N65C3H1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n65c3h1-datasheet?assetguid=8988c00e-fa3d-4371-88c5-e1afd0817bb2 Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3 IXYH40N65C3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n65c3-datasheet?assetguid=09bd2958-7a8f-4ac3-9434-46d6ebaf6db3 Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV130N15T IXTV130N15T IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3 IXGA30N60C3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=1c2e09fe-9002-469e-a60b-7957698727f8&filename=littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf Description: IGBT 600V 60A 220W TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N6012ZD060 IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=2b3c79ff-9988-4f36-8452-f873c8d9528f&amp;filename=littelfuse_discrete_thyristors_phase_control_n6012zd0_0_datasheet.pdf Description: SCR 600V 11795A W46
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 71500A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 6012 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
Current - Off State (Max): 100 mA
Supplier Device Package: W46
Current - On State (It (RMS)) (Max): 11795 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3TRL IXFA130N15X3TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3 IXFA130N15X3 IXYS DS100808B(IXFA-FP-FH130N15X3).pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.84 грн
50+516.85 грн
100+462.45 грн
500+382.94 грн
1000+344.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A1237NC240 IXYS Description: SCR 2.4KV 2555A W11
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRL IXTT1N250HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646 Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2140.23 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-14IO1 MCC56-14IO1 IXYS Description: SCR MODULE 1.4KV 100A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1500A, 1600A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 64 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRL IXTA220N04T2-TRL IXYS PdfFile146995.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA50E1600HB CMA50E1600HB IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f4358637-7c3d-484f-8bf1-dc9dd27d441c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CMA50E1600HB-Datasheet Description: SCR 1.6KV 79A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.37 грн
30+277.61 грн
120+237.35 грн
510+210.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHV IXTY1R4N120PHV IXYS DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120P-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120P-TRL IXTA1R4N120P-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP14N55X2M
Виробник: IXYS
Description: IXFP14N55X2M
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100F DS98880A(IXFK-FX21N100F).pdf
IXFK21N100F
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM1630
Виробник: IXYS
Description: POWER MOSFET TO-3
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N4845EE320 media?resourcetype=datasheets&itemid=A38836A5-5E37-4579-BBBB-5CC2031DEE94&filename=Littelfuse-Discrete-Thyristors-Phase-Control-N4845EE3-0-Datasheet.PDF
N4845EE320
Виробник: IXYS
Description: SCR 3.2KV W108
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65000A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 4845 A
Supplier Device Package: W108
Voltage - Off State: 3.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT55N120A4HV 014125.pdf
IXYT55N120A4HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 175A TO-268HV
Power - Max: 650 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Part Status: Active
Gate Charge: 110 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268HV (IXYT)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+948.49 грн
30+557.42 грн
120+479.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH55N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyh55n120a4-datasheet?assetguid=7cc37be0-870e-4788-8cf1-9672fa37c982
IXYH55N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 175A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/300ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 5.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 350 A
Power - Max: 650 W
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+775.68 грн
30+447.80 грн
120+382.28 грн
510+338.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH85N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyh85n120a4-datasheet?assetguid=f5249e62-6772-4617-a066-4441b1dbab32
IXYH85N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 300A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/400ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 8.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 520 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1269.30 грн
30+764.81 грн
120+681.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY48P05T-TRL littelfusediscretemosfetspchannelixt48p05td.pdf
IXTY48P05T-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA48P05T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-4n80p-datasheet?assetguid=595aff53-2a35-43a0-b191-4cbac9044a16
IXTA48P05T-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4_DS.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3545.98 грн
25+2359.99 грн
100+2289.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4_DS.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 480A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3677.71 грн
30+2416.07 грн
120+2394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet?assetguid=13a5ea28-9028-4ba7-bc80-764d7c886511
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3921.03 грн
10+2869.62 грн
100+2590.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N110-TRL
IXTA3N110-TRL
Виробник: IXYS
Description: IXTA3N110 TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA80N25X3TRL
IXFA80N25X3TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N25X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_80n25x3_datasheet.pdf.pdf
IXFH80N25X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+922.92 грн
10+802.62 грн
100+664.49 грн
500+543.02 грн
1000+472.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCC26-14IO1
Виробник: IXYS
Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR TO-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT32N170-TRL PdfFile324374.pdf
IXGT32N170-TRL
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 75A TO-268AA
Power - Max: 350 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Part Status: Active
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Switching Energy: 11mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1450.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170CV1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYH10N170CV1-Datasheet.PDF?assetguid=19D287B4-5C8A-4D57-AF55-0AFDED612E1D
IXYH10N170CV1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+960.11 грн
30+564.26 грн
120+485.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170CV1 media?resourcetype=datasheets&itemid=50271284-6150-4065-87d9-fe039e795f51&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n170cv1_datasheet.pdf
IXYH24N170CV1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/155ns
Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.76mJ (off)
Test Condition: 850V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1121.29 грн
30+662.01 грн
120+570.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH24N170C IXYH24N170C.pdf
IXYH24N170C
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 58A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/160ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 1.95mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 96 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 145 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+843.10 грн
30+612.81 грн
120+557.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N170C littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh30n170c_datasheet.pdf.pdf
IXYH30N170C
Виробник: IXYS
Description: 1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Test Condition: 850V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 108 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 255 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+595.21 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI36-06AS-TRL littelfuse-power-semiconductors-dsei36-06as-datasheet?assetguid=e6dafff2-758c-449a-9042-56d94bd941ff
DSEI36-06AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 600V 37A TO263AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 37 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AA
Current - Average Rectified (Io): 37A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI36-06AS-TRL littelfuse-power-semiconductors-dsei36-06as-datasheet?assetguid=e6dafff2-758c-449a-9042-56d94bd941ff
DSEI36-06AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 600V 37A TO263AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 37 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AA
Current - Average Rectified (Io): 37A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.06 грн
10+362.36 грн
100+265.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N85XHV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
IXFT40N85XHV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBK64N250 littelfuse-discrete-igbts-ixb-64n250-datasheet?assetguid=6f198893-d712-49ff-908d-12cba0a8ef2b
IXBK64N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 75A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Power - Max: 735 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7560.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRL
IXTA1N200P3HVTRL
Виробник: IXYS
Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HVTRL
IXTA1N200P3HVTRL
Виробник: IXYS
Description: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-16IO1B media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=469670e0-e5d5-41ad-b104-35c18b54f920&amp;filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mcc132-16io1b%2520datasheet.pdf
MCC132-16IO1B
Виробник: IXYS
Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR Y4-M
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 300 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 130 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4750A, 5130A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y4-M6
Packaging: Box
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+4034.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC132-18IO1B media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=8adc3d6a-68c4-40b6-b632-7058faa38df4&amp;filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mcc132-18io1b%2520datasheet.pdf
MCC132-18IO1B
Виробник: IXYS
Description: BIPOLAR MODULE - THYRISTOR Y4-M
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 300 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 130 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4750A, 5130A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Y4-M6
Packaging: Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS20-25MOT1-TUB Littelfuse-Power-Semiconductors-CS20-25moT1-Datasheet?assetguid=1aa8f834-ccb4-4263-a838-d035df1046fc
CS20-25MOT1-TUB
Виробник: IXYS
Description: SCR 2.5KV TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -10°C ~ 70°C
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A @ 50Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Voltage - Off State: 2.5 kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2533.17 грн
30+1628.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12AZ-TUB littelfuse-power-semiconductors-dsep60-12az-datasheet?assetguid=3bd4afa4-e70f-4d40-bea9-6601a0267772
DSEP60-12AZ-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE STANDARD 1200V 60A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 600V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-268AA (D3Pak-HV)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+797.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP6-06BS-TUB media?resourcetype=datasheets&itemid=ab904792-a1bd-4c09-94d6-b38166049baa&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep6-06bs%2520datasheet.pdf
DSEP6-06BS-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.66 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 400V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP6-06AS-TUB media?resourcetype=datasheets&itemid=01813e50-fdce-40dd-b89a-8827a33af355&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep6-06as%2520datasheet.pdf
DSEP6-06AS-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.03 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 400V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+77.56 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEP60-12B media?resourcetype=datasheets&itemid=97049d1a-2730-4fa6-8341-38130c33194d&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep60-12b%2520datasheet.pdf
DSEP60-12B
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.25 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 60A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 600V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+698.97 грн
30+422.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX200N65B3 DS100697IXYKX200N65B3.pdf
IXYX200N65B3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 410A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/370ns
Switching Energy: 5mJ (on), 4mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 0Ohm, 15V
Gate Charge: 340 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 410 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1100 A
Power - Max: 1560 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA20E1600PZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCMA20E1600PZ.pdf
CMA20E1600PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.6KV 31A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 28 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 195A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.46 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 31 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA20E1600PB
CMA20E1600PB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.6KV 31A TO220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA20E1600PZ-TUB Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCMA20E1600PZ.pdf
CMA20E1600PZ-TUB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.6KV 31A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 28 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 195A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.46 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 31 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH10N170C littelfusediscreteigbtsxptixyh10n170cdatashee.pdf
IXYH10N170C
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 36A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/130ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 850V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A
Power - Max: 280 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+710.59 грн
30+407.21 грн
120+346.40 грн
510+301.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH25N250CHV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_25n250chv_datasheet.pdf.pdf
IXYH25N250CHV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 235A TO-247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/230ns
Switching Energy: 8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
Test Condition: 1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 235 A
Power - Max: 937 W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1704.80 грн
30+1123.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH8N250CV1HV littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh8n250cv1hv_datasheet.pdf.pdf
IXYH8N250CV1HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 29A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/180ns
Switching Energy: 2.6mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 1250V, 8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Power - Max: 280 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH30N65C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3_datasheet.pdf.pdf
IXYH30N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=097B1532-5263-463D-9683-6B0C7D39951B&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-40N65C3D1-Datasheet.PDF
IXYH40N65C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/110ns
Switching Energy: 830µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=CE930E34-1A02-46F8-85BC-52B83B11FC42&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXY-40N65B3D1-Datasheet.PDF
IXYH40N65B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 195 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3H1 littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n65c3h1-datasheet?assetguid=8988c00e-fa3d-4371-88c5-e1afd0817bb2
IXYH40N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N65C3 littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n65c3-datasheet?assetguid=09bd2958-7a8f-4ac3-9434-46d6ebaf6db3
IXYH40N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/106ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTV130N15T
IXTV130N15T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N60C3 media?resourcetype=datasheets&itemid=1c2e09fe-9002-469e-a60b-7957698727f8&filename=littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf
IXGA30N60C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N6012ZD060 media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=2b3c79ff-9988-4f36-8452-f873c8d9528f&amp;filename=littelfuse_discrete_thyristors_phase_control_n6012zd0_0_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: SCR 600V 11795A W46
Packaging: Box
Package / Case: TO-200AF
Mounting Type: Chassis Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Current - Hold (Ih) (Max): 1 A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 300 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 71500A @ 50Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 6012 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
Current - Off State (Max): 100 mA
Supplier Device Package: W46
Current - On State (It (RMS)) (Max): 11795 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3TRL
IXFA130N15X3TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA130N15X3 DS100808B(IXFA-FP-FH130N15X3).pdf
IXFA130N15X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+671.84 грн
50+516.85 грн
100+462.45 грн
500+382.94 грн
1000+344.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A1237NC240
Виробник: IXYS
Description: SCR 2.4KV 2555A W11
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT1N250HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixtt1n250hv-datasheet?assetguid=b97491fe-f9b5-41c0-b140-7e8b8600f646
IXTT1N250HV-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+2140.23 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH14N100Q
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC56-14IO1
MCC56-14IO1
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.4KV 100A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 1500A, 1600A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 64 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 100 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA220N04T2-TRL PdfFile146995.pdf
IXTA220N04T2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+126.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA50E1600HB media?resourcetype=datasheets&itemid=f4358637-7c3d-484f-8bf1-dc9dd27d441c&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CMA50E1600HB-Datasheet
CMA50E1600HB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.6KV 79A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.37 грн
30+277.61 грн
120+237.35 грн
510+210.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120PHV DS99871E(IXTY-TA-TP1R4N120P-HV).pdf
IXTY1R4N120PHV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY1R4N120P-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1R4N120P-TRL
IXTA1R4N120P-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 25 50 75 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 100 125 150 175 200 225 250 257  [ Наступна Сторінка >> ]