Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (15696) > Сторінка 91 з 262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MEK150-04DA MEK150-04DA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK150-04DA-Datasheet?assetguid=cdfb7df5-7ced-4bec-863c-29b13272ae6f Description: DIODE MOD GP 400V 150A TO-240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-16N1B MDD44-16N1B IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD44-16N1B-Datasheet?assetguid=472568E2-30F6-4226-80BC-79C3D899C4DC Description: DIODE MOD GP 1600V 64A TO-240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2023.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA660U1600PTEH IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6121d227-b8cc-43e1-b8e1-5fab292cc1a4&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mdma660u1600pteh%2520datasheet.pdf Description: BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E3
Packaging: Box
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 660 A
Current - Average Rectified (Io): 660 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Supplier Device Package: E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA660U1600PT-PC IXYS Description: MDMA660U1600PTEH-PC
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA900U1600PTEH MDMA900U1600PTEH IXYS MDMA900U1600PTEH.pdf Description: BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: E3
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 900 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.92 V @ 900 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA900U1600PT-PC IXYS Description: MDMA900U1600PTEH-PC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ24-12IO1 IXYS Description: BRIDGE RECT 3 PHASE 1200V 27A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA40U1800GU DMA40U1800GU IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f71e2749-7cb7-4a6d-a573-5ff9e7c0a117&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dma40u1800gu%2520datasheet.pdf Description: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Supplier Device Package: GUFP
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 5-SIP
Packaging: Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.95 грн
14+993.19 грн
112+910.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA90U1800LB-TUB IXYS DMA90U1800LB.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.8KV 90A SMPD.B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io): 90 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Supplier Device Package: ISOPLUS-SMPD™.B
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-SMD Module
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA28N60A3 IXGA28N60A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_28n60a3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
Switching Energy: 700µJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N1718NC180 IXYS Description: SCR 1.8KV 3450A W11
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N1718NC120 IXYS Description: SCR 1.2KV 3450A W11
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC95-08I01B MCC95-08I01B IXYS Description: DIODE MOD GP 800V 116A TO240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 116A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N12T2 IXTA110N12T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n12t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh80n65x2-4-datasheet?assetguid=34d5abcd-1798-4a02-af00-91fa7bcec2a9 Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.76 грн
30+841.64 грн
60+781.76 грн
120+686.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 IXXH80N65B4D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30 Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/112ns
Switching Energy: 3.36mJ (on), 1.83mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-16N1B MDD95-16N1B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=787A264D-A97F-47ED-A9E8-A5F7A19F18C1&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD95-16N1B-Datasheet Description: DIODE MOD GP 1600V 120A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1600 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2922.06 грн
36+1891.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4 IXTN400N15X4 IXYS littelfusediscretemosfetsnchannelultrajuncti.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3116.45 грн
10+2260.66 грн
100+2108.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1 IXSK30N60CD1 IXYS Description: IGBT 600V 55A 200W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60BD1 IXSK30N60BD1 IXYS Description: IGBT 600V 55A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 IXYH100N65A3 IXYS DS100803IXYH100N65A3.pdf Description: IGBT 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/174ns
Switching Energy: 3.15mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 470 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3 IXGH120N30B3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 300V 75A 540W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TRL DSP8-08S-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08S-Datasheet?assetguid=af3f4e23-d4d4-426d-8a6d-319eb7a8b2fc Description: DIODE ARRAY GP 800V 11A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TUB DSP8-08S-TUB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08S-Datasheet?assetguid=af3f4e23-d4d4-426d-8a6d-319eb7a8b2fc Description: DIODE ARRAY GP 800V 8A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRL IXTA2R4N120P-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRL IXTA70N075T2-TRL IXYS Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TRR IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf Description: IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TUB IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA65P1800TA MCMA65P1800TA IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fMCMA65P1800TA.pdf Description: SCR MODULE 1.8KV 65A TO240AA
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2531.72 грн
10+2248.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-12N1B MDD95-12N1B IXYS MDD95-12N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.2KV 120A TO240AA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-22N1B MDD95-22N1B IXYS MDD95-22N1B.pdf Description: DIODE MODULE 2.2KV 120A TO240AA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-18N1B MDD95-18N1B IXYS MDD95-18N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.8KV 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3038.07 грн
10+2729.83 грн
100+2370.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-14N1B MDD95-14N1B IXYS MDD95-14N1B.pdf Description: DIODE MODULE 1.4KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-08N1B MDD95-08N1B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=C739CD69-01DF-4C28-9717-59284F453676&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD95-08N1B-Datasheet Description: DIODE MOD GP 800V 120A TO-240AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-20N1B MDD95-20N1B IXYS MDD95-20N1B.pdf Description: DIODE MODULE 2KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.45 грн
50+252.67 грн
100+231.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100 IXYS Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100A IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=F7DB4069-B88F-41BF-AFEC-9BE33ADDE318&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-5N100A-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL CLA50E1200TC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4 Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+345.38 грн
800+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL CLA50E1200TC-TRL IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4 Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.57 грн
10+510.23 грн
100+404.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 IXFA220N06T3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y82N120C3H1 IXYS Description: DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL CLA20EF1200PZ-TRL IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf Description: SCR 1.2KV 35A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB CLA20EF1200PB IXYS Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PB.pdf Description: SCR 1.2KV 35MA TO220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB CLA20EF1200PZ-TUB IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA20EF1200PZ-Datasheet?assetguid=b4d6e4f0-e5db-4d08-b024-c6def3ffd29e Description: SCR 1.2KV 35A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 130A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.4 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
50+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA IXYS Description: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TUB DSA30C150PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS IXYH120N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.93 грн
30+530.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TRL DSA30C150PC-TRL IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TRL DSA30C200PC-TRL IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C45PC-TUB DSA30C45PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TUB DSA30C200PC-TUB IXYS Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC-TRL IXYS Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL DSA15IM200UC-TRL IXYS Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV IXBT14N300HV IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c Description: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5 IXYH90N65A5 IXYS IXYH90N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEK350-02DA MEK350-02DA IXYS Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK350-02DA-Datasheet?assetguid=f9a4636c-ad4d-45f1-8e3a-908cfe229687 Description: DIODE MODULE GP 200V 356A Y4-M6
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 356A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4767.16 грн
12+3546.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HV IXYS Description: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDA95-22N1B MDA95-22N1B IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=441D64ED-A6F7-4150-8AEA-B5FCDAD504FD&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDA95-22N1B-Datasheet Description: DIODE MOD GP 2200V 120A TO240AA
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR IXYS Description: POWER DIODE DISC-SCHOTTKY ISOPLU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MEK150-04DA Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK150-04DA-Datasheet?assetguid=cdfb7df5-7ced-4bec-863c-29b13272ae6f
MEK150-04DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 400V 150A TO-240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD44-16N1B Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD44-16N1B-Datasheet?assetguid=472568E2-30F6-4226-80BC-79C3D899C4DC
MDD44-16N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1600V 64A TO-240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2023.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA660U1600PTEH media?resourcetype=datasheets&itemid=6121d227-b8cc-43e1-b8e1-5fab292cc1a4&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mdma660u1600pteh%2520datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: E3
Packaging: Box
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 660 A
Current - Average Rectified (Io): 660 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Supplier Device Package: E3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA660U1600PT-PC
Виробник: IXYS
Description: MDMA660U1600PTEH-PC
Packaging: Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA900U1600PTEH MDMA900U1600PTEH.pdf
MDMA900U1600PTEH
Виробник: IXYS
Description: BIPOLARMODULE-BRIDGE RECTIFIER E
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: E3
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 900 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.92 V @ 900 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDMA900U1600PT-PC
Виробник: IXYS
Description: MDMA900U1600PTEH-PC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ24-12IO1
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 3 PHASE 1200V 27A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMA40U1800GU media?resourcetype=datasheets&itemid=f71e2749-7cb7-4a6d-a573-5ff9e7c0a117&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dma40u1800gu%2520datasheet.pdf
DMA40U1800GU
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io): 40 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Supplier Device Package: GUFP
Technology: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 5-SIP
Packaging: Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1435.95 грн
14+993.19 грн
112+910.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMA90U1800LB-TUB DMA90U1800LB.pdf
Виробник: IXYS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.8KV 90A SMPD.B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io): 90 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Supplier Device Package: ISOPLUS-SMPD™.B
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-SMD Module
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA28N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_28n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGA28N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
Switching Energy: 700µJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N1718NC180
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.8KV 3450A W11
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
N1718NC120
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 3450A W11
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCC95-08I01B
MCC95-08I01B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 800V 116A TO240AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 116A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA110N12T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n12t2_datasheet.pdf.pdf
IXTA110N12T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 littelfuse-discrete-mosfets-ixfh80n65x2-4-datasheet?assetguid=34d5abcd-1798-4a02-af00-91fa7bcec2a9
IXFH80N65X2-4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1396.76 грн
30+841.64 грн
60+781.76 грн
120+686.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH80N65B4D1 littelfuse-discrete-igbts-ixxh80n65b4d1-datasheet?assetguid=279c11a8-2935-4966-866a-fc76b6081c30
IXXH80N65B4D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 180A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/112ns
Switching Energy: 3.36mJ (on), 1.83mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-16N1B media?resourcetype=datasheets&itemid=787A264D-A97F-47ED-A9E8-A5F7A19F18C1&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD95-16N1B-Datasheet
MDD95-16N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 1600V 120A TO-240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1600 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2922.06 грн
36+1891.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN400N15X4 littelfusediscretemosfetsnchannelultrajuncti.pdf
IXTN400N15X4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3116.45 грн
10+2260.66 грн
100+2108.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60CD1
IXSK30N60CD1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 55A 200W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK30N60BD1
IXSK30N60BD1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 55A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A
Supplier Device Package: TO-264AA (IXSK)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 1.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH100N65A3 DS100803IXYH100N65A3.pdf
IXYH100N65A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 240A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/174ns
Switching Energy: 3.15mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 470 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH120N30B3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh120n30b3_datasheet.pdf.pdf
IXGH120N30B3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 300V 75A 540W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 540 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08S-Datasheet?assetguid=af3f4e23-d4d4-426d-8a6d-319eb7a8b2fc
DSP8-08S-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 11A TO-263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 11A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP8-08S-TUB Littelfuse-Power-Semiconductors-DSP8-08S-Datasheet?assetguid=af3f4e23-d4d4-426d-8a6d-319eb7a8b2fc
DSP8-08S-TUB
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 8A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2R4N120P-TRL
IXTA2R4N120P-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA70N075T2-TRL
IXTA70N075T2-TRL
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TRR IXA30RG1200DHGLB.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXA30RG1200DHG-TUB IXA30RG1200DHGLB.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCMA65P1800TA Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fMCMA65P1800TA.pdf
MCMA65P1800TA
Виробник: IXYS
Description: SCR MODULE 1.8KV 65A TO240AA
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2531.72 грн
10+2248.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-12N1B MDD95-12N1B.pdf
MDD95-12N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.2KV 120A TO240AA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-22N1B MDD95-22N1B.pdf
MDD95-22N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2.2KV 120A TO240AA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-18N1B MDD95-18N1B.pdf
MDD95-18N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.8KV 120A TO240AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 1800 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3038.07 грн
10+2729.83 грн
100+2370.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-14N1B MDD95-14N1B.pdf
MDD95-14N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 1.4KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-08N1B media?resourcetype=datasheets&itemid=C739CD69-01DF-4C28-9717-59284F453676&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDD95-08N1B-Datasheet
MDD95-08N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 800V 120A TO-240AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-240AA
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Supplier Device Package: TO-240AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.43 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MDD95-20N1B MDD95-20N1B.pdf
MDD95-20N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE 2KV 120A TO240AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+491.45 грн
50+252.67 грн
100+231.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTM5N100A media?resourcetype=datasheets&itemid=F7DB4069-B88F-41BF-AFEC-9BE33ADDE318&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-5N100A-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (IXTM)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4
CLA50E1200TC-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+345.38 грн
800+330.26 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA50E1200TC-TRL Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA50E1200TC-Datasheet?assetguid=0a7ad2bc-21e4-400c-913e-65dfcb8907e4
CLA50E1200TC-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 79A TO-268AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 550A, 595A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 50 µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+766.57 грн
10+510.23 грн
100+404.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA220N06T3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n06t3_datasheet.pdf.pdf
IXFA220N06T3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMIX1Y82N120C3H1
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TRL Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PZ.pdf
CLA20EF1200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35A TO263
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PB Viewer.aspx?p=https%3a%2f%2fixapps.ixys.com%2fDataSheet%2fCLA20EF1200PB.pdf
CLA20EF1200PB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35MA TO220
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CLA20EF1200PZ-TUB Littelfuse-Power-Semiconductors-CLA20EF1200PZ-Datasheet?assetguid=b4d6e4f0-e5db-4d08-b024-c6def3ffd29e
CLA20EF1200PZ-TUB
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.2KV 35A TO-263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 130A
Current - On State (It (AV)) (Max): 20 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.4 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 35 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.47 грн
50+152.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXG70IF1200NA
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TUB
DSA30C150PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5.pdf
IXYH120N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 290A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/370ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 314 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 290 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 790 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+913.93 грн
30+530.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C150PC-TRL
DSA30C150PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TRL
DSA30C200PC-TRL
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C45PC-TUB
DSA30C45PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSA30C200PC-TUB
DSA30C200PC-TUB
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISCRETES-SCHOTTKY T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF
DSA15IM200UC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSA15IM200UC-TRL Power-Semiconductor-Discrete-Diode-DSA15IM200UC-Datasheet?assetguid=E11AB165-7251-4394-9B12-0D46B7E1EDBF
DSA15IM200UC-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 67pF @ 24V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBT14N300HV littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c
IXBT14N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 38A TO-268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-268HV (IXBT)
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH90N65A5 IXYH90N65A5.pdf
IXYH90N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 220A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/420ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 650 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEK350-02DA Littelfuse-Power-Semiconductors-MEK350-02DA-Datasheet?assetguid=f9a4636c-ad4d-45f1-8e3a-908cfe229687
MEK350-02DA
Виробник: IXYS
Description: DIODE MODULE GP 200V 356A Y4-M6
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M6
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 356A
Supplier Device Package: Y4-M6
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 260 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4767.16 грн
12+3546.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXT100N75B4HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT DISCRETE TO-268HV
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MDA95-22N1B media?resourcetype=datasheets&itemid=441D64ED-A6F7-4150-8AEA-B5FCDAD504FD&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MDA95-22N1B-Datasheet
MDA95-22N1B
Виробник: IXYS
Description: DIODE MOD GP 2200V 120A TO240AA
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-240AA
Packaging: Box
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-240AA
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DCG20C1200HR
Виробник: IXYS
Description: POWER DIODE DISC-SCHOTTKY ISOPLU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 104 130 156 182 208 234 260 262  [ Наступна Сторінка >> ]