Результат пошуку "12N50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.4A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.4A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT12N50 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C12N50Z4 | Anaren | High Frequency/RF Resistors |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB12N50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 305 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET 500V 12A |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP12N50P | IXYS | MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500 |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA12N50P | IXYS | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50PM | IXYS/Littelfuse | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 5007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50C-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 500V |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 4036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD12N50DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF12N50DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
на замовлення 995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CHV1812N500104KXT | CAL | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF12N50C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF12N50FTH |
на замовлення 11497 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF12N50TH |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP12N50TH |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTB12N50 |
на замовлення 8646 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTB12N50T4 |
на замовлення 5589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
R1112N501B | RICOH | 06+ |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA12N50C3 | INFINEON | 09+ SOT-23 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA12N50C3 | INF | 08+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA12N50C3XK |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPB12N50C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB12N50C3 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB12N50C3 | Infineon technologies |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPB12N50C3 | INFINEON |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPI12N50C3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPP12N50C3 | INF | 07+; |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPP12N50C3 | Infineon technologies |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPW12N50C3 | INF | 07+; |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
T12N50DX |
на замовлення 6480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ZXT12N50DX | ZETEX | 07+ MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ZXT12N50DX | ZETEX | MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ZXT12N50DXTC |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF12N50FTH Код товару: 158661 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
SPP12N50C3 Код товару: 47987 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.76 грн |
14+ | 59.66 грн |
38+ | 56.19 грн |
500+ | 54.11 грн |
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.68 грн |
5+ | 88.17 грн |
14+ | 71.59 грн |
38+ | 67.43 грн |
500+ | 64.93 грн |
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 32.32 грн |
C12N50Z4 |
Виробник: Anaren
High Frequency/RF Resistors
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257.16 грн |
10+ | 226.68 грн |
25+ | 177.14 грн |
50+ | 171.15 грн |
100+ | 147.17 грн |
250+ | 127.86 грн |
500+ | 115.21 грн |
FDB12N50TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 160.82 грн |
10+ | 131.72 грн |
100+ | 91.23 грн |
250+ | 83.91 грн |
500+ | 79.91 грн |
800+ | 65.66 грн |
2400+ | 61.93 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127 грн |
4+ | 106.13 грн |
10+ | 81.16 грн |
28+ | 76.31 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 152.4 грн |
3+ | 132.26 грн |
10+ | 97.39 грн |
28+ | 91.57 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.28 грн |
3+ | 203.94 грн |
5+ | 162.32 грн |
14+ | 154 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 293.14 грн |
3+ | 254.14 грн |
5+ | 194.79 грн |
14+ | 184.8 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 12A
MOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 299.12 грн |
10+ | 248.13 грн |
50+ | 183.13 грн |
100+ | 159.82 грн |
250+ | 155.16 грн |
500+ | 145.17 грн |
1000+ | 134.52 грн |
IXFP12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 288.24 грн |
10+ | 236.64 грн |
50+ | 175.14 грн |
100+ | 152.5 грн |
250+ | 149.17 грн |
500+ | 135.85 грн |
1000+ | 121.2 грн |
IXTA12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 282.8 грн |
10+ | 233.58 грн |
50+ | 195.79 грн |
100+ | 163.82 грн |
250+ | 161.16 грн |
500+ | 145.84 грн |
1000+ | 126.53 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.7 грн |
3+ | 167.87 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.04 грн |
3+ | 209.19 грн |
6+ | 160.66 грн |
17+ | 151.5 грн |
250+ | 149.84 грн |
IXTP12N50PM |
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 143.35 грн |
10+ | 133.8 грн |
100+ | 124.24 грн |
SIHA12N50E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.76 грн |
10+ | 107.22 грн |
100+ | 74.58 грн |
250+ | 72.59 грн |
500+ | 61.93 грн |
1000+ | 50.74 грн |
5000+ | 49.08 грн |
SIHB12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 169.37 грн |
10+ | 138.61 грн |
100+ | 95.89 грн |
250+ | 88.57 грн |
500+ | 84.57 грн |
1000+ | 66.59 грн |
2000+ | 65.06 грн |
SIHD12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.08 грн |
10+ | 85.77 грн |
100+ | 63.2 грн |
250+ | 61.07 грн |
500+ | 55.87 грн |
1000+ | 52.61 грн |
SIHP12N50C-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 500V
MOSFET N-Channel 500V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 325.53 грн |
10+ | 269.57 грн |
25+ | 221.09 грн |
100+ | 189.79 грн |
250+ | 179.14 грн |
500+ | 168.48 грн |
1000+ | 143.84 грн |
SIHP12N50E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.97 грн |
10+ | 106.45 грн |
100+ | 73.25 грн |
250+ | 67.26 грн |
500+ | 61.27 грн |
1000+ | 60.07 грн |
2500+ | 58.87 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 112.8 грн |
5+ | 94.34 грн |
12+ | 72.14 грн |
31+ | 68.67 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 135.36 грн |
5+ | 117.56 грн |
12+ | 86.57 грн |
31+ | 82.41 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.22 грн |
10+ | 86.54 грн |
100+ | 63.8 грн |
250+ | 61.47 грн |
500+ | 57.2 грн |
1000+ | 50.08 грн |
2500+ | 48.75 грн |
STD12N50DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.19 грн |
10+ | 105.68 грн |
100+ | 73.25 грн |
500+ | 61.47 грн |
1000+ | 52.14 грн |
2500+ | 49.48 грн |
5000+ | 47.88 грн |
STD12N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.55 грн |
10+ | 88.84 грн |
100+ | 59.87 грн |
500+ | 50.81 грн |
1000+ | 41.35 грн |
2500+ | 38.89 грн |
5000+ | 37.03 грн |
STF12N50DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.95 грн |
10+ | 118.7 грн |
100+ | 84.57 грн |
250+ | 83.24 грн |
500+ | 71.92 грн |
1000+ | 60.73 грн |
2000+ | 57.74 грн |
STF12N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.98 грн |
10+ | 90.37 грн |
100+ | 65.06 грн |
250+ | 64.4 грн |
500+ | 53.54 грн |
1000+ | 46.15 грн |
2000+ | 43.69 грн |
STP12N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.54 грн |
10+ | 92.66 грн |
100+ | 66.26 грн |
250+ | 64.4 грн |
500+ | 55.27 грн |
1000+ | 47.35 грн |
2000+ | 44.88 грн |
ZXT12N50DXTA |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.77 грн |
10+ | 87.3 грн |
100+ | 59.07 грн |
500+ | 50.08 грн |
1000+ | 40.76 грн |
2000+ | 38.42 грн |
5000+ | 36.56 грн |
AOTF12N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB12N50C3 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB12N50C3 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]