Продукція > SIC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SICH50-MPanduitCable Mounting & Accessories Snap-In Cord Clip 50 Bundle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICH75-CPanduit CorpDescription: SNAP IN CLIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICH75-CPanduitCable Mounting & Accessories Snap-In Cord Clip 75 Bundle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICH75-MPanduit CorpDescription: CBL CLIP WIRE SADDLE SPLIT ARROW
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Split Arrowhead
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Length: 1.000" (25.40mm)
Type: Clip, Wire Saddle
Width: 0.380" (9.65mm)
Panel Hole Size: 0.250" (6.35mm)
Height: 0.960" (24.38mm)
Opening Size: 0.750" (19.05mm)
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Type Attributes: Round
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICH75-MPanduitCable Mounting & Accessories Snap-In Cord Clip 75 Bundle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICILY 150 150CC SCOOTER AND MOPInterlightDescription: Replacement for Roketa Sicily 15
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICMHPE16BKSVAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors 16 way M 1.5 SICMA Panel Through Sealed Connector
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICMHPE16BKSV-BAptiv (formerly Delphi)Automotive Connectors SICMA 1.5 16W MALE SEALED THRU PANEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICMOSFETInfineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET KIT
Packaging: Book
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 30 Pieces (6 Values - 5 Each)
Kit Type: MOSFETs
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9136.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT1060Y-BPMCC Corp.DIODE SIL CARB 650V 27A TO247AD Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT2060DY-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 20A SiC Schottky 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT2060Y-BPMCC Corp.DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AD Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT2060Y-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 20A SiC Schottky 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT30120-BPMicro Commercial Components (MCC)MCC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT3060Y-BPMCC Corp.DIODE SIL CARB 650V 30A TO247AD Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT40120Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2938pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT40120YA-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO247AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2900pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.58 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 38 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT40120YA-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 40A SiC Schottky Rectifier 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT4060DY-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 40A SiC Schottky Rectifier 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT5060Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT5060Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE SIL CARB 650V 119A TO247AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2453pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 119A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICPT60120Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Array
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICQ670CD-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SICQ670CD-T1-GE3 - Gate-Treiber, VRPower, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 31 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PowerPAK MLP55
Eingang: PWM
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 31Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 24V
Eingabeverzögerung: 30ns
Ausgabeverzögerung: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.58 грн
10+208.13 грн
25+192.87 грн
50+168.64 грн
100+146.72 грн
250+143.27 грн
500+139.14 грн
1000+132.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICR101200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICR10650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 695pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.70 грн
50+176.87 грн
100+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICR10650CTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 5A TO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
50+107.04 грн
100+91.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICR20650WTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICR40650WTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247AD
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICR40650WTTBSMC Diode SolutionsDescription: SIC SCHOTTKY 40A, 650V TO-247AD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICR5650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 5A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.13 грн
10+178.79 грн
100+146.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICR6650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 5V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB101200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB10650CTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 5A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB12650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB12650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB12650TRSMC Diode SolutionsDescription: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB12650TRSMC Diode SolutionsDescription: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB20650ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.25 грн
10+333.26 грн
100+269.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICRB20650ASMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD101200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD101200TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD10650CTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD10650CTTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD5650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD5650TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD6650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRD6650TRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRF101200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A ITO220AC
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 640pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
50+133.74 грн
100+121.29 грн
500+93.36 грн
1000+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRF10650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A ITO220AC
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 695pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICRF10650CTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 5A ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICRF5650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 5A ITO220AC
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.48 грн
10+174.31 грн
100+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRF6650SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 5V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.38 грн
10+134.09 грн
100+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICRS50650WTSMC Diode SolutionsDescription: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4000pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1612.58 грн
10+1367.80 грн
100+1182.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-12OmegaDescription: SICSS-032U-12
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-12-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-12-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-18OmegaDescription: SICSS-032U-18
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-24OmegaDescription: SICSS-032U-24
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-27-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-27-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-32-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-32-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-37-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-37-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-42-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-42-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-47-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-47-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-52-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-52-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-57-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-57-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-6-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-6-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-032U-62-SHXOmegaDescription: SICSS-032U-62-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-125G-6-SHX-M-PFAOmegaDescription: QUICK DISCONNECT THERMOCOUPLE PR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICSS-IM300U-150-SHXOmegaDescription: SICSS-IM300U-150-SHX
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICTM1.0/099018000
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICU02120B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU02120B-TPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 1200V,2A,SIC 27A 18A 50W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU02120B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0260B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0260B-TPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 650V,2A,SIC 22A 13A 33W
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0260B-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+86.26 грн
100+68.64 грн
500+54.51 грн
1000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0460B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0460B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0460B-TPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 650V,4A,SIC 34A 20A 60W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0460Y-TPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes SIC SBD,DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU05120H-TPMicro Commercial ComponentsSICU05120H-TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU05120H-TPMicro Commercial ComponentsSICU05120H-TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0660P-TPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 650V,6A,SIC SBD,TO-252 Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICU0860P-TPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers 650V,8A,SIC SBD,TO-252 Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU10120Y-TPMicro Commercial Components (MCC)SiC Schottky Diodes 10A SiC Schottky 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU10120Y-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.54 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 13 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICU1060P-TPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers 650V,10A,SIC SBD,TO-252 Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW020N065H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5740 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW020N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW020N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW020N065H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5740 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N065H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5740 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.22 грн
10+586.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N065H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5740 pF @ 400 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.20 грн
10+590.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120H-BPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SICW025N120H-BP - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 86 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247AB
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197.38 грн
5+1126.66 грн
10+1055.94 грн
50+979.77 грн
100+782.48 грн
250+781.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.83 грн
10+830.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1223.58 грн
10+836.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW025N120Y-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]