Продукція > irf

Description: MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4226TRPBF

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4231TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	11.29 грн
68+	11.17 грн
69+	10.67 грн
100+	9.78 грн

Мінімальне замовлення: 67 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4231TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4231TRPBF

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4231TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4231TRPBF/BKN

International Rectifier HiRel Products

Description: IRFHM4231TRPBF/BKN

на замовлення 404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 38 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4234TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

729+	48.40 грн
1000+	44.64 грн

Мінімальне замовлення: 729 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4234TRPBF

MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A

на замовлення 4394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4234TRPBF

Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011 pF @ 13 V

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

525+	38.62 грн

Мінімальне замовлення: 525 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM4234TRPBF

Trans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 412 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

286+	49.47 грн
298+	47.48 грн

Мінімальне замовлення: 286 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM7194TRPBF

MOSFET TRENCH_MOSFETS

на замовлення 1238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM7194TRPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/34A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TR2PBF

IRFHM792TR2PBF Транзисторы HEXFET

на замовлення 11 шт:

термін постачання 4 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TR2PBF

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TRPBF

International Rectifier HiRel Products

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

649+	54.43 грн

Мінімальне замовлення: 649 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TRPBF

MOSFET 100V DUAL N-CH HEXFET

на замовлення 20418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM792TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM792TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.8 A, 4.8 A, 0.164 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.164ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 10.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.164ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 10.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8228TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1667 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8228TRPBF

MOSFET 25V 12nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

на замовлення 3047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8235TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8235TRPBF

Description: MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8235TRPBF

MOSFET 25V 7.3nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830DTR2PBF
Код товару: 48693

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830DTR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830DTRPBF

MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830DTRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1797 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TR2PBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TR2PBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TR2PBF

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM830TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V

на замовлення 7703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.81 грн
10+	64.91 грн
100+	43.09 грн
500+	31.66 грн
1000+	28.84 грн
2000+	26.46 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	74.93 грн
246+	57.49 грн
277+	50.96 грн
308+	44.32 грн
500+	38.51 грн
1000+	34.03 грн

Мінімальне замовлення: 189 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms

на замовлення 1029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.26 грн
17+	44.41 грн
25+	41.74 грн
50+	38.25 грн
100+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM830TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

731+	48.26 грн

Мінімальне замовлення: 731 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TR2PBF

Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 7.3nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM831TRPBF

на замовлення 208000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.51 грн
10+	36.80 грн
100+	25.47 грн
500+	19.97 грн
1000+	17.00 грн
2000+	15.14 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBF

MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1340+	26.33 грн

Мінімальне замовлення: 1340 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.79 грн
10+	44.04 грн
100+	28.71 грн
500+	20.76 грн
1000+	18.77 грн
2000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

MOSFETs Y

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

IRFHM8326TRPBFXTMA1

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

358+	39.51 грн
486+	29.07 грн
516+	27.38 грн
1000+	26.31 грн
4000+	21.25 грн

Мінімальне замовлення: 358 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

на замовлення 3948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8326TRPBFXTMA1

Description: TRENCH <= 40V
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

480+	21.16 грн

Мінімальне замовлення: 480 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8329TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1316+	26.81 грн

Мінімальне замовлення: 1316 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8330TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8330TRPBF

MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

на замовлення 2676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8330TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8334TRPBF

MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

на замовлення 3187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8334TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8334TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8334TRPBF-INF

Description: MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8337TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8337TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8337TRPBF

MOSFET 30V 5nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8337TRPBF-IR

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8342TRPBF

MOSFET 30V 3.8nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8342TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8342TRPBF-IR

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TR2PBF

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

621+	56.88 грн
1000+	52.45 грн

Мінімальне замовлення: 621 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF

MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC

на замовлення 3375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

442+	31.95 грн

Мінімальне замовлення: 442 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.21 грн
24+	31.95 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF

Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM8363TRPBF