Продукція > DMN

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 8553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.21 грн
6000+	2.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFB4-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.31 грн
20000+	2.90 грн
30000+	2.75 грн
50000+	2.42 грн
70000+	2.33 грн
100000+	2.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFB4-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin X2-DFN

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.95 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 198000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.32 грн
6000+	4.62 грн
9000+	4.37 грн
15000+	3.83 грн
21000+	3.67 грн
30000+	3.51 грн
75000+	3.12 грн
150000+	3.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 198000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3312+	4.27 грн

Мінімальне замовлення: 3312 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1212-3 T&R 3K

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.42 грн
6000+	4.83 грн
9000+	4.44 грн
15000+	3.87 грн
21000+	3.70 грн
30000+	3.31 грн
75000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K

на замовлення 11046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3261+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 3261 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 98097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	24.30 грн
21+	14.72 грн
100+	6.17 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7
Код товару: 209449

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-13

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.40 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.81 грн
20000+	2.45 грн
30000+	2.32 грн
50000+	2.04 грн
70000+	1.96 грн
100000+	1.88 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K

на замовлення 8289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 138572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	14.11 грн
31+	9.81 грн
100+	3.91 грн
500+	3.55 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.40 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.76 грн
6000+	2.54 грн
9000+	2.43 грн
15000+	2.13 грн
21000+	1.87 грн
30000+	1.76 грн
75000+	1.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-13

DMN2310UWQ-13

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-7

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2320UFB4-7B

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF

на замовлення 8572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2320UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2320UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V

на замовлення 5812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.06 грн
10+	39.25 грн
100+	25.47 грн
500+	18.33 грн
1000+	16.54 грн
2000+	15.03 грн
5000+	13.17 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 136168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.87 грн
20+	15.47 грн
25+	12.83 грн
50+	10.47 грн
100+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.55 грн
9000+	4.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.16 грн
25+	12.30 грн
100+	7.69 грн
500+	5.32 грн
1000+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K

на замовлення 13461 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.34 грн
6000+	3.76 грн
9000+	3.54 грн
15000+	3.10 грн
21000+	2.96 грн
30000+	2.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.57 грн
17+	18.27 грн
100+	11.56 грн
500+	8.09 грн
1000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFD-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-13

MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1245000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн
6000+	6.19 грн
9000+	5.77 грн
30000+	5.16 грн
75000+	4.73 грн
99000+	4.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 97 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.22 грн
32+	24.14 грн
35+	21.64 грн
100+	9.46 грн
250+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.95 грн
6000+	4.82 грн
9000+	4.49 грн
30000+	4.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 20990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.62 грн
14+	22.49 грн
25+	18.69 грн
50+	15.30 грн
100+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.11 грн
35+	21.86 грн
100+	9.23 грн
1000+	7.76 грн
3000+	5.83 грн
9000+	4.61 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Diodes

2 N-Channel , 20V, SOT-563 Транзистори

на замовлення 15 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

15+	51.99 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.95 грн
6000+	4.82 грн
9000+	4.49 грн
30000+	4.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1257000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.36 грн
6000+	6.19 грн
9000+	5.77 грн
30000+	5.16 грн
75000+	4.73 грн
99000+	4.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 22988 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 11769000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.38 грн
9000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

на замовлення 2808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.16 грн
25+	12.38 грн
30+	10.17 грн
50+	8.26 грн
100+	7.18 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 59964 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7R

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 3K

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7R

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

на замовлення 7448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.03 грн
29+	10.64 грн
100+	4.26 грн

Мінімальне замовлення: 18 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4Q-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4Q-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.36 грн
20000+	2.94 грн
30000+	2.79 грн
50000+	2.46 грн
70000+	2.37 грн
100000+	2.28 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4Q-7R

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V

на замовлення 5216747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	21.16 грн
25+	12.38 грн
100+	7.77 грн
500+	5.38 грн
1000+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V

на замовлення 5214000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.27 грн
6000+	3.70 грн
9000+	3.49 грн
15000+	3.05 грн
21000+	2.92 грн
30000+	2.80 грн
75000+	2.47 грн
150000+	2.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 33749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 8760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V

на замовлення 560000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.30 грн
20000+	2.58 грн
30000+	2.49 грн
50000+	2.25 грн
70000+	2.17 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4Q-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.50 грн
20000+	2.18 грн
30000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4Q-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 34572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	15.68 грн
34+	9.06 грн
100+	5.60 грн
500+	3.85 грн
1000+	3.39 грн
2000+	3.00 грн
5000+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4Q-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 16417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4Q-7R

на замовлення 228000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4Q-7R

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 228000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.95 грн
6000+	2.51 грн
9000+	2.12 грн
15000+	1.96 грн
21000+	1.95 грн
30000+	1.85 грн
75000+	1.69 грн
150000+	1.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4Q-7R

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 3K

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFDFWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFDQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.55 грн
20000+	4.02 грн
30000+	3.83 грн
50000+	3.39 грн
70000+	3.28 грн
100000+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1212-3 T&R 10K

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFDQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFDQ-7