Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1310-6 T&R 3K
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
11+29.14 грн
100+16.29 грн
500+12.43 грн
1000+9.94 грн
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135.2pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 530mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+8.36 грн
9000+7.96 грн
15000+7.04 грн
21000+6.79 грн
30000+6.54 грн
75000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2300UFL4Q-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.76 грн
104+7.76 грн
234+3.45 грн
500+3.06 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
42+7.18 грн
100+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.06 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.75 грн
50+6.35 грн
100+2.83 грн
1000+2.55 грн
3000+1.86 грн
9000+1.59 грн
24000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.28 грн
20000+2.87 грн
30000+2.72 грн
50000+2.40 грн
70000+2.31 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 6002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.69 грн
29+11.04 грн
100+6.08 грн
500+4.49 грн
1000+3.52 грн
5000+3.04 грн
10000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin X2-DFN
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3312+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.06 грн
40+20.46 грн
100+13.13 грн
500+10.47 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
6000+4.58 грн
9000+4.33 грн
15000+3.79 грн
21000+3.64 грн
30000+3.48 грн
75000+3.09 грн
150000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.13 грн
500+10.47 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UFD-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
18+17.86 грн
100+12.63 грн
500+10.29 грн
1000+8.35 грн
3000+4.69 грн
6000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.24 грн
1000+3.80 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.68 грн
71+11.36 грн
118+6.85 грн
500+5.24 грн
1000+3.80 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
6000+4.79 грн
9000+4.40 грн
15000+3.83 грн
21000+3.67 грн
30000+3.28 грн
75000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
на замовлення 11046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.96 грн
27+11.99 грн
100+5.38 грн
1000+4.90 грн
3000+4.76 грн
9000+4.07 грн
24000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-7
Код товару: 209449
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 98097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
21+14.58 грн
100+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3261+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.79 грн
20000+2.43 грн
30000+2.30 грн
50000+2.02 грн
70000+1.94 грн
100000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-13Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.60 грн
1500+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 138572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
31+9.72 грн
100+3.87 грн
500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
на замовлення 8289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.51 грн
27+12.07 грн
100+4.90 грн
1000+3.38 грн
3000+2.69 грн
9000+2.28 грн
24000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.52 грн
102+7.92 грн
198+4.08 грн
500+3.60 грн
1500+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
6000+2.52 грн
9000+2.41 грн
15000+2.11 грн
21000+1.85 грн
30000+1.74 грн
75000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-13Diodes ZetexDMN2310UWQ-13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2310UWQ-7Diodes Zetex20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.75 грн
20000+9.60 грн
30000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
10+34.14 грн
100+20.43 грн
500+16.22 грн
1000+13.46 грн
2500+13.39 грн
5000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2320UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V
на замовлення 145925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+31.78 грн
100+20.46 грн
500+14.62 грн
1000+13.14 грн
2000+11.90 грн
5000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.76 грн
57+14.26 грн
100+9.02 грн
500+6.20 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.20 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+17.94 грн
100+9.80 грн
500+7.25 грн
1000+6.42 грн
3000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.19 грн
100+7.62 грн
500+5.27 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K
на замовлення 13461 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
15+21.50 грн
25+12.94 грн
100+7.04 грн
500+5.25 грн
1000+4.63 грн
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.30 грн
6000+3.72 грн
9000+3.51 грн
15000+3.07 грн
21000+2.93 грн
30000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFB4-7RDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFD-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+18.10 грн
100+11.45 грн
500+8.02 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFD-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFDQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.59 грн
11+30.09 грн
100+16.36 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UFDQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
6000+4.83 грн
9000+4.50 грн
30000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1257000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+6.21 грн
9000+5.78 грн
30000+5.18 грн
75000+4.74 грн
99000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 11769000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+6.21 грн
9000+5.78 грн
30000+5.18 грн
75000+4.74 грн
99000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.31 грн
32+24.19 грн
35+21.69 грн
100+9.48 грн
250+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.96 грн
6000+4.83 грн
9000+4.50 грн
30000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes2 N-Channel , 20V, SOT-563 Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 22988 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
9+37.37 грн
15+21.67 грн
100+12.01 грн
500+9.11 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.20 грн
35+21.91 грн
100+9.25 грн
1000+7.77 грн
3000+5.85 грн
9000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2400UV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.49 грн
47+17.48 грн
100+9.18 грн
500+7.70 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.87 грн
100+6.15 грн
500+4.23 грн
1000+3.74 грн
2000+3.32 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]