Продукція > DMN

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2300UFL4Q-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2300UFL4Q-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-7

Description: DIODES INC. - DMN2310U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 8553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	12.43 грн
42+	7.18 грн
100+	3.20 грн

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-7

на замовлення 3094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 8553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.19 грн
6000+	2.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFB4-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.28 грн
20000+	2.87 грн
30000+	2.72 грн
50000+	2.40 грн
70000+	2.31 грн
100000+	2.22 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFB4-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin X2-DFN

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.96 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

Description: DIODES INC. - DMN2310UFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.9 A, 0.15 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: U-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 198000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.27 грн
6000+	4.58 грн
9000+	4.33 грн
15000+	3.79 грн
21000+	3.64 грн
30000+	3.48 грн
75000+	3.09 грн
150000+	2.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

на замовлення 2665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN1212-3 T&R 3K

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UFD-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 198000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3312+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 3312 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.174ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-13

Description: DIODES INC. - DMN2310UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.174 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UT-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.66 грн
9000+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K

на замовлення 31231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7
Код товару: 209449

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.41 грн
19+	15.78 грн
25+	13.07 грн
50+	10.65 грн
100+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q100

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3261+	4.35 грн

Мінімальне замовлення: 3261 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.79 грн
20000+	2.43 грн
30000+	2.30 грн
50000+	2.02 грн
70000+	1.94 грн
100000+	1.87 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-13

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	2.41 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K

на замовлення 8289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V

на замовлення 138572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	13.98 грн
31+	9.72 грн
100+	3.87 грн
500+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

Description: DIODES INC. - DMN2310UW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.73 грн
6000+	2.52 грн
9000+	2.41 грн
15000+	2.11 грн
21000+	1.85 грн
30000+	1.74 грн
75000+	1.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UW-7

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	2.41 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-13

DMN2310UWQ-13

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2310UWQ-7

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2320UFB4-7B

MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF

на замовлення 7399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2320UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2320UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 10 V

на замовлення 5812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.46 грн
10+	38.89 грн
100+	25.24 грн
500+	18.17 грн
1000+	16.39 грн
2000+	14.89 грн
5000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

Description: DIODES INC. - DMN2400UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.55 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 2232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.63 грн
20+	15.03 грн
25+	12.44 грн
50+	10.15 грн
100+	8.86 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	20.97 грн
25+	12.19 грн
100+	7.62 грн
500+	5.27 грн
1000+	4.66 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K

на замовлення 13461 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7

Description: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V

на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.30 грн
6000+	3.72 грн
9000+	3.51 грн
15000+	3.07 грн
21000+	2.93 грн
30000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFB4-7R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.29 грн
17+	18.10 грн
100+	11.45 грн
500+	8.02 грн
1000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFD-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd

на замовлення 1536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-13

MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UFDQ-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 11769000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1245000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.38 грн
6000+	6.21 грн
9000+	5.78 грн
30000+	5.18 грн
75000+	4.74 грн
99000+	4.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 97 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 20990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.28 грн
14+	22.29 грн
25+	18.52 грн
50+	15.16 грн
100+	13.26 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.31 грн
32+	24.19 грн
35+	21.69 грн
100+	9.48 грн
250+	8.68 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.96 грн
6000+	4.83 грн
9000+	4.50 грн
30000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Diodes

2 N-Channel , 20V, SOT-563 Транзистори

на замовлення 15 шт:

термін постачання 4-5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.20 грн
35+	21.91 грн
100+	9.25 грн
1000+	7.77 грн
3000+	5.85 грн
9000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 19 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 22988 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.96 грн
6000+	4.83 грн
9000+	4.50 грн
30000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 1257000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.38 грн
6000+	6.21 грн
9000+	5.78 грн
30000+	5.18 грн
75000+	4.74 грн
99000+	4.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.33A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.30 грн
9000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2400UV-7

Description: DIODES INC. - DMN2400UV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.33 A, 1.33 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 530mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 530mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

на замовлення 1038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	20.97 грн
25+	12.27 грн
30+	10.08 грн
50+	8.18 грн
100+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 59964 шт:

термін постачання 329-338 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7B

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7R

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

на замовлення 7448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	17.86 грн
29+	10.54 грн
100+	4.22 грн

Мінімальне замовлення: 18 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7R

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4-7R

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4Q-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4Q-7B

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.33 грн
20000+	2.92 грн
30000+	2.77 грн
50000+	2.44 грн
70000+	2.35 грн
100000+	2.26 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFB4Q-7R

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V

на замовлення 5216747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	20.97 грн
25+	12.27 грн
100+	7.70 грн
500+	5.33 грн
1000+	4.72 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V

на замовлення 5214000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.23 грн
6000+	3.67 грн
9000+	3.46 грн
15000+	3.03 грн
21000+	2.90 грн
30000+	2.77 грн
75000+	2.45 грн
150000+	2.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2450UFD-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

на замовлення 8760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2451UFB4-7B