Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISS588DN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.56 грн
6000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
на замовлення 12976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.06 грн
10+82.91 грн
100+55.92 грн
500+41.29 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.35 грн
100+61.11 грн
500+45.58 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 46.5A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 46.5A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS588DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS588DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58.1 A, 8000 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.92 грн
500+41.29 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 50.1A
на замовлення 22612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS60DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.1A (Ta), 181.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3960 pF @ 15 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+77.29 грн
100+54.49 грн
500+41.60 грн
1000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 30.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.85 грн
17+47.04 грн
25+45.91 грн
50+44.08 грн
100+39.84 грн
500+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+73.97 грн
100+49.51 грн
500+36.64 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 27315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.61 грн
50+75.03 грн
100+53.97 грн
500+39.55 грн
1500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Pch 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 21043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -89.6A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 42.1W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 231nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.41 грн
10+79.08 грн
50+55.02 грн
100+47.38 грн
250+39.84 грн
500+35.73 грн
1000+32.62 грн
3000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.59 грн
6000+29.23 грн
9000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS61DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 111.9 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 27315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.97 грн
500+39.55 грн
1500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 30.9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.59 грн
100+41.04 грн
500+30.22 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS63DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127.5 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.27 грн
50+62.43 грн
100+44.14 грн
500+32.98 грн
1500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS63DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S
на замовлення 36825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 7212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+73.44 грн
100+53.17 грн
500+39.56 грн
1000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 8775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.20 грн
500+39.48 грн
1000+33.86 грн
5000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.42 грн
6000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS64DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS64DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
11+78.76 грн
100+58.20 грн
500+39.48 грн
1000+33.86 грн
5000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS65DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 94 A, 4600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.18 грн
10+86.97 грн
100+58.12 грн
500+42.42 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 17111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.38 грн
100+45.56 грн
500+33.59 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS65DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 94 A, 4600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.12 грн
500+42.42 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.75 грн
6000+26.64 грн
9000+25.61 грн
15000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 33301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS65DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; 75.2A; Idm: -120A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 138nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42.1W
Drain current: 75.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS66DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 178.3 A, 1380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1380µohm
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+105.67 грн
100+72.02 грн
500+48.76 грн
1000+41.32 грн
5000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 30V
на замовлення 17317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3327 pF @ 15 V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+91.93 грн
100+62.17 грн
500+46.39 грн
1000+42.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS66DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS66DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 178.3 A, 1380 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00115ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1380µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.43 грн
500+42.34 грн
1000+37.00 грн
5000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 5646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.48 грн
10+83.72 грн
100+65.27 грн
500+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+60.16 грн
100+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3VishayMOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 125-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 28100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.93 грн
50+86.16 грн
100+57.31 грн
500+42.87 грн
1500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.48 грн
100+47.76 грн
500+35.28 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 18041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS71DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS71DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.059 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
на замовлення 28100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.31 грн
500+42.87 грн
1500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS71DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.33 грн
10+119.92 грн
25+118.72 грн
50+112.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.26 грн
10+116.24 грн
100+78.28 грн
500+57.82 грн
1000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.29 грн
177+80.01 грн
500+64.81 грн
1000+56.70 грн
3000+47.63 грн
6000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 719 pF @ 75 V
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.65 грн
100+61.31 грн
500+45.75 грн
1000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET
на замовлення 66905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.72 грн
10+113.29 грн
100+80.01 грн
500+62.50 грн
1000+52.50 грн
3000+45.73 грн
6000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS73DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS73DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 16.2 A, 0.125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.77 грн
500+50.72 грн
1000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.00 грн
277+51.21 грн
281+50.42 грн
286+47.85 грн
290+43.61 грн
500+41.19 грн
1000+40.51 грн
3000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.49 грн
500+37.29 грн
1000+33.79 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.00 грн
25+51.21 грн
50+48.62 грн
100+44.31 грн
250+41.86 грн
500+41.19 грн
1000+40.51 грн
3000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.6A
на замовлення 33827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 6250 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
10+113.80 грн
100+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 70V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+63.85 грн
100+51.32 грн
500+41.57 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS78LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 35 V
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+74.57 грн
100+55.94 грн
500+41.57 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS78LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 66.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS78LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 19.4A
на замовлення 40553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DNVishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DNVishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 20V (D-S)
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 8293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+113.44 грн
100+77.72 грн
500+58.58 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -8...12V
Gate charge: 122nC
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 169A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5784 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.96 грн
10+97.28 грн
25+83.86 грн
75+70.45 грн
100+68.77 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS80DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 210 A, 0.00076 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 65
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 760
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 58.3A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.04 грн
12+72.91 грн
100+56.74 грн
500+44.68 грн
1000+33.58 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+79.25 грн
100+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.74 грн
500+44.68 грн
1000+33.58 грн
5000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS92DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.59 грн
6000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.60 грн
14+59.99 грн
100+45.44 грн
500+33.89 грн
1000+28.57 грн
5000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 100 V
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.89 грн
100+41.08 грн
500+30.16 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S
на замовлення 15542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS94DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS94DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19.5 A, 0.075 ohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 12658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.44 грн
500+33.89 грн
1000+28.57 грн
5000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
на замовлення 61900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.54 грн
6000+27.36 грн
9000+26.32 грн
15000+23.60 грн
21000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS98DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 26544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]