Продукція > DMN

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMN3009SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 2359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.01 грн
10+	39.64 грн
100+	25.80 грн
500+	18.61 грн
1000+	16.80 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SK3-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 1587 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

8+	56.38 грн
13+	32.57 грн
100+	22.02 грн
500+	16.79 грн
1000+	16.54 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm

на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.00 грн
10+	43.83 грн
25+	36.68 грн
50+	30.26 грн
100+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO T/R

на замовлення 257500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4097 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Description: DIODES INC. - DMN3009SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3009SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-7

Description: DIODES INC. - DMN3010LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 6500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V

на замовлення 23246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.94 грн
10+	35.08 грн
100+	24.37 грн
500+	17.85 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-7

Description: DIODES INC. - DMN3010LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 6500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.36 грн
6000+	13.12 грн
10000+	12.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13
Код товару: 191700

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 777500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.40 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.89 грн
10+	46.74 грн
100+	30.57 грн
500+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF

на замовлення 4748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LSS

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.43 грн
10+	51.83 грн
25+	43.53 грн
50+	36.02 грн
100+	31.92 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A

на замовлення 1832 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3011LSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.58W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3011LSSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3011LSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.58W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.00 грн
5000+	11.47 грн
7500+	10.94 грн
12500+	9.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 1K

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.77 грн
10+	94.68 грн
100+	64.14 грн
500+	47.94 грн
1000+	44.00 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-13

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-7

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Part Status: Active

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.61 грн
10+	88.47 грн
100+	68.81 грн
500+	54.73 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Part Status: Active

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LFG-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3012LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3013LDG-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.16W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.92 грн
6000+	20.00 грн
9000+	18.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3013LDG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3013LDG-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; Idm: 80A; 1.25W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17.7mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3013LFG-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3013LFG-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 1602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.91 грн
10+	37.77 грн
100+	24.60 грн
500+	17.74 грн
1000+	16.02 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3015LSD-13

Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3015LSD-13

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	25.07 грн
33+	23.25 грн
100+	18.39 грн
250+	16.94 грн
500+	15.90 грн
1000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 31 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A

на замовлення 2564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3015LSD-13

Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDN-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-8 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDN-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active

на замовлення 163878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.83 грн
10+	32.23 грн
100+	22.38 грн
500+	16.40 грн
1000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.19 грн
6000+	12.06 грн
9000+	11.19 грн
30000+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V

на замовлення 759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-13

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

на замовлення 268632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	23.30 грн
18+	17.20 грн
100+	9.60 грн
500+	8.20 грн
1000+	6.72 грн
2000+	6.65 грн
5000+	6.46 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

MOSFETs N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

на замовлення 15861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-13

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 9970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

на замовлення 250000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

10+	46.53 грн
12+	35.40 грн
14+	30.16 грн
30+	21.69 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

на замовлення 14605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.47 грн
10+	34.18 грн
25+	28.54 грн
50+	23.44 грн
100+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDE-7

MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.02W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm

на замовлення 1748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

на замовлення 17900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.70 грн
11+	29.47 грн
100+	18.95 грн
500+	13.54 грн
1000+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 14398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN3016LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.02W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm

на замовлення 1748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.02W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.19 грн
6000+	9.87 грн
9000+	9.41 грн
15000+	8.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7-90

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V

на замовлення 504000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.24 грн
6000+	10.27 грн
9000+	9.54 грн
30000+	8.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDF-7-90

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDFQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDFQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDFQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN3016LFDFQ-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.