Продукція > DI0
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI020P06PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -60V, -20A, 150C, P, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -70A; 29.7W; QFN3X3 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: QFN3X3 On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 29.7W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Drain current: -20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Application: automotive industry | на замовлення 3354 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI020P06PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI020P06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022N20PQ-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 200V, 22A, 42m?, 150C, AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, P, -60V, -22A, 45m?, 150C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; Idm: -60A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -22A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 43W Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, P, -60V, -22A, 45m?, 150C, AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16.1A; Idm: 60A; 43W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI022P06D1-Q | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16.1A; Idm: 60A; 43W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -16.1A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 43W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI024N15D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; Idm: 68A; 60W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A On-state resistance: 54mΩ Power dissipation: 60W Pulsed drain current: 68A Case: DPAK; TO252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06BPT | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 3x3, N, 65V, 25A, 21m, 175C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06BPT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 25A; Idm: 100A; 20W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 25A Power dissipation: 20W Case: QFN3X3 On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 15A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 4315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI025N06PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N06PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 15A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 9nC Application: automotive industry Kind of package: reel; tape | на замовлення 4775 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI025N06PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 4315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N20PQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 25A 8-POWERTDFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI025N20PQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048? | на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N20PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 100A; 135W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 135W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI025N20PQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 25A 8-POWERTDFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI028N10PQ2 | Diotec Semiconductor | Description: DI028N10PQ2 Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI028N10PQ2 | Diotec Semiconductor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DI028N10PQ2-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI028N10PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI028N10PQ2-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI028N10PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 32.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI028P03PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI028P03PT | Diotec Semiconductor | Description: IC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI02H | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI030N03D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI030N03D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 80A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 40W Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 17.5nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI030N03D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI030N03D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI030N03D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V | на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI030N03D1 | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI032N03PTK | Diotec Semiconductor | Description: IC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI034N10PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 35A; Idm: 110A; 35.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 35.7W Case: Dual PQFN5X6 On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.6nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2 | Diotec Semiconductor | MOSFETs PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 35A, 15m?, 175C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 20A; Idm: 110A; 35.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 35.7W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N06PQ2-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 25W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: 35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: QFN3X3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI035N10PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: QFN3X3 On-state resistance: 14mΩ Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 25W Gate charge: 22nC | на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI035N10PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035N10PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI035P02PT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 52W; QFN3X3 Case: QFN3X3 Power dissipation: 52W Gate charge: 58nC Polarisation: unipolar Drain current: -35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: -80A | на замовлення 185 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI035P02PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035P02PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 3900 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm | на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V | на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI035P04PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm | на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT-AQ | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI035P04PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101 | на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI036N20PQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 200V, 36A, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI038N04PQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI038N04PQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI038N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI038N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI038N04PQ2-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8-POWERVDFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 120A Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8-POWERVDFN | на замовлення 4918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI040N03PT | DIOTEC | Description: DIOTEC - DI040N03PT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 4.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7000 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101 | на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 25W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 120A Gate charge: 12nC Application: automotive industry Kind of package: reel; tape | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI040N03PT-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7000 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N10D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs DPAK, N, 100V, 40A, 15m?, 175C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N10D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N10D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO-252-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N10D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 160A; 37.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 37.5W Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 38.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N10D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17M, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1192 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DI040N10D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17M, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1192 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040N10D1-AQ | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17m, 175C, AEC-Q101 | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040P04D1 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040P04D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK P -40V -40A Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040P04D1-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 52W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DI040P04D1-AQ | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2485 шт В кошику од. на суму грн. |