Продукція > DI0

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI025N06BPTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 25A; Idm: 100A; 20W; PQFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 20W
Case: PQFN3X3
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06BPTDiotec Semiconductor PowerQFN 3x3, N, 65V, 25A, 21m, 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI025N06PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 25 A, 0.02 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.36 грн
100+16.51 грн
500+12.86 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 15A; Idm: 80A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.64 грн
25+16.70 грн
50+13.46 грн
100+12.38 грн
250+11.13 грн
500+10.30 грн
1000+9.56 грн
2000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 65V 25A 8-POWERVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.52 грн
100+17.59 грн
500+12.51 грн
1000+11.22 грн
2000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N06PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 65V, 25A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 0, 200V, 25A, 0.048?
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+121.47 грн
100+72.49 грн
500+59.02 грн
5000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI025N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N , 200V 25A 48mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2Diotec Semiconductor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2Diotec SemiconductorDescription: DI028N10PQ2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 28A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 32.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+91.01 грн
500+70.75 грн
1000+58.06 грн
5000+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 28A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028N10PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI028N10PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
10+107.12 грн
100+91.01 грн
500+70.75 грн
1000+58.06 грн
5000+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028P03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -28A, 150C, P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI028P03PTDiotec SemiconductorDescription: IC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI02HApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.52 грн
500+21.61 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1DIOTECDescription: DIOTEC - DI030N03D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.02 грн
21+39.22 грн
100+23.52 грн
500+21.61 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI030N03D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.50 грн
100+23.65 грн
500+17.00 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI032N03PTKDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI034N10PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2Diotec Semiconductor PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 60V, 35A, 15m?, 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.22 грн
18+46.55 грн
100+39.38 грн
500+30.74 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 35.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N06PQ2-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+39.38 грн
500+30.74 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+55.49 грн
100+28.93 грн
500+28.65 грн
1000+27.75 грн
2500+24.51 грн
5000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+46.07 грн
100+30.27 грн
500+22.04 грн
1000+19.98 грн
2000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.35 грн
100+29.09 грн
500+21.14 грн
1000+19.15 грн
2000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035N10PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.018 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.57 грн
28+28.91 грн
100+24.81 грн
500+19.59 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 130A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.64 грн
10+44.37 грн
100+29.00 грн
500+22.27 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 100V 35A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035N10PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 100V, 35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.47 грн
10+51.36 грн
100+28.30 грн
500+22.71 грн
1000+18.78 грн
5000+16.78 грн
10000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P02PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 52W; QFN3X3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 52W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
15+29.08 грн
25+26.18 грн
100+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P02PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P02PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 3900 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.07 грн
16+50.82 грн
100+42.12 грн
500+35.08 грн
1000+29.89 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+40.31 грн
100+26.30 грн
500+19.02 грн
1000+17.20 грн
2000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.64 грн
19+43.25 грн
100+29.07 грн
500+21.02 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+45.33 грн
100+23.61 грн
500+23.40 грн
1000+22.71 грн
2500+20.02 грн
5000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PTDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.07 грн
500+21.02 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.43 грн
500+20.57 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI035P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.019 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.14 грн
19+44.38 грн
100+28.43 грн
500+20.57 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -35A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.24 грн
100+26.18 грн
500+18.88 грн
1000+17.05 грн
2000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI035P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -35A, 150C, P, AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
10+36.36 грн
100+18.92 грн
500+18.78 грн
1000+18.16 грн
2500+16.08 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI036N20PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 200V, 36A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.25 грн
10+98.44 грн
100+51.29 грн
500+50.81 грн
1000+49.15 грн
2500+43.49 грн
5000+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI038N04PQ2-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.53 грн
100+15.67 грн
500+11.09 грн
1000+9.93 грн
2000+8.95 грн
5000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
15+21.20 грн
100+11.05 грн
500+10.91 грн
1000+10.56 грн
2500+9.32 грн
5000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 25W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
19+22.27 грн
100+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, 30V, 40A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
11+27.90 грн
100+17.86 грн
500+12.70 грн
1000+11.39 грн
2000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040N03PT-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.007 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.54 грн
32+25.21 грн
100+21.67 грн
500+17.13 грн
1000+14.29 грн
5000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
12+27.07 грн
100+14.64 грн
500+12.56 грн
1000+10.22 грн
5000+8.97 грн
10000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N03PT-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1Diotec SemiconductorMOSFETs DPAK, N, 100V, 40A, 15m?, 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17M,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1192 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17M,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1192 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040N10D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, N, 100V, 40A, 17m, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.44 грн
100+51.30 грн
500+40.98 грн
1000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK P -40V -40A 0.015? 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.81 грн
100+43.95 грн
500+32.47 грн
1000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+53.24 грн
500+42.03 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 P -40V -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.33 грн
100+38.56 грн
500+28.20 грн
1000+25.62 грн
2000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -40V, -40A, 150C, P, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI040P04PT-AQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.015 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.00 грн
19+43.89 грн
100+37.77 грн
500+29.84 грн
1000+24.92 грн
5000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI040P04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 3X3, -40V, -40A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3538 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.13 грн
100+34.45 грн
500+25.20 грн
1000+22.90 грн
2000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.04 грн
100+25.40 грн
500+18.34 грн
1000+16.58 грн
2000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V 45A 0.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 280A; 16W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 16W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PTDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 280A; 16W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 16W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 45A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N03PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 30V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 3X3 N 45V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI045N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8-POWERTDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]