Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN1014UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
13+25.09 грн
100+13.53 грн
500+9.39 грн
1000+7.73 грн
3000+5.25 грн
9000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.56 грн
10+45.81 грн
100+29.68 грн
500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+36.84 грн
100+20.78 грн
500+15.88 грн
1000+14.36 грн
3000+11.94 грн
6000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 648000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.67 грн
6000+13.21 грн
9000+12.85 грн
15000+11.21 грн
21000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 3.3V
Power Dissipation (Max): 1.47W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 3.3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 6 V
на замовлення 650477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.32 грн
100+24.16 грн
500+17.37 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 7000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.50 грн
24+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+31.93 грн
100+20.57 грн
500+14.70 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6; ESD
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 0.69W
Drain current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 7000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+49.54 грн
100+26.85 грн
500+18.43 грн
1000+15.46 грн
3000+13.88 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNDiodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 50.6nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 0.83W
Drain current: 8.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1040+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 1040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.28 грн
50+29.24 грн
250+18.60 грн
1000+10.54 грн
5000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
на замовлення 151696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.28 грн
100+11.56 грн
500+10.66 грн
1000+9.70 грн
2000+9.11 грн
5000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13
Код товару: 121899
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.23 грн
20000+7.13 грн
30000+7.02 грн
50000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+13.64 грн
1000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.24 грн
250+18.60 грн
1000+10.54 грн
5000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
на замовлення 34223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.65 грн
12+26.60 грн
100+14.84 грн
500+11.25 грн
1000+9.04 грн
5000+7.94 грн
10000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
6000+9.62 грн
9000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.01 грн
50+26.58 грн
100+12.89 грн
500+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 19681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.75 грн
100+15.84 грн
500+11.22 грн
1000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 699000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.89 грн
500+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 12V; 9.3A; 1.2W; SC59; SMT
Technology: MOSFET
Mounting: SMD
Case: SC59
Gate-source voltage: 8V
Drain-source voltage: 12V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 50.6nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 9.3A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7DiodesMOSFET N-CH 12V 9.3A SC-59 Транзистори
на замовлення 357 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
27+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.94 грн
6000+9.61 грн
9000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
6000+8.31 грн
9000+7.90 грн
15000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-13Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
6000+8.93 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SC59 T&R 3K
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.98 грн
100+16.22 грн
500+12.29 грн
1000+9.94 грн
3000+8.22 грн
6000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USNQ-7Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.44 грн
20000+6.62 грн
30000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 50.4nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 1.11W
Drain current: 10.1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 12V Enh Mode FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.47 грн
1000+13.41 грн
3000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.30 грн
25+32.78 грн
100+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
917+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 917 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
13+23.48 грн
100+15.01 грн
500+10.63 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V Enh Mode FET
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
13+24.93 грн
100+14.29 грн
500+10.84 грн
1000+9.73 грн
3000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
9000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10.7 A, 7000 µohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.73W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 50.4nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 1.11W
Drain current: 10.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
9000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.90 грн
31+13.46 грн
50+11.13 грн
100+10.05 грн
500+7.56 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+59.70 грн
100+32.86 грн
500+20.30 грн
1000+18.29 грн
3000+11.67 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.73 грн
6000+8.54 грн
9000+8.12 грн
15000+7.18 грн
21000+6.92 грн
30000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.77 грн
38+21.58 грн
100+11.52 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 72792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.43 грн
100+16.26 грн
500+11.53 грн
1000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
на замовлення 8359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
13+25.33 грн
100+14.15 грн
500+10.70 грн
1000+9.53 грн
3000+6.90 грн
6000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1029UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.52 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.21 грн
16+48.06 грн
25+44.71 грн
100+34.91 грн
250+32.00 грн
500+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1032UCP4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DSN1010-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH U-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: U-WLB1818-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1033UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+6.42 грн
9000+6.09 грн
15000+5.36 грн
21000+5.15 грн
30000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
на замовлення 11952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
14+23.82 грн
100+9.32 грн
1000+7.25 грн
3000+5.45 грн
9000+4.97 грн
24000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.09 грн
500+9.80 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
37+22.23 грн
100+14.09 грн
500+9.80 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 167858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.82 грн
100+12.54 грн
500+8.81 грн
1000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.34W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
6000+9.57 грн
9000+8.80 грн
15000+8.13 грн
21000+7.84 грн
30000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 35980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
13+26.12 грн
100+15.88 грн
500+12.36 грн
1000+10.08 грн
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.34W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
на замовлення 113990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+26.77 грн
100+18.10 грн
500+12.89 грн
1000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.34W
Case: X1-WLB0808-4
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1057UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.35 грн
100+8.97 грн
500+6.70 грн
1000+5.32 грн
5000+4.63 грн
10000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+46.60 грн
100+26.44 грн
500+20.30 грн
1000+18.36 грн
3000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.14 грн
10+43.82 грн
100+25.61 грн
500+20.02 грн
1000+18.22 грн
2000+16.43 грн
4000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 12 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]