Продукція > RQ3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RQ3E180AJTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180AJTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.11 грн
10+85.73 грн
100+55.95 грн
500+47.66 грн
1000+42.71 грн
3000+39.85 грн
6000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
10+40.15 грн
100+27.07 грн
500+21.01 грн
1000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.35 грн
10+37.90 грн
100+22.30 грн
500+17.84 грн
1000+16.72 грн
3000+15.75 грн
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 N CHAN 30V
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.38 грн
10+96.15 грн
100+59.29 грн
500+50.02 грн
1000+47.17 грн
3000+45.08 грн
6000+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180BNTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+86.72 грн
100+64.19 грн
500+55.36 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
10+38.34 грн
100+26.39 грн
500+20.68 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3E180GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.18 грн
10+44.23 грн
100+26.61 грн
500+22.23 грн
1000+18.95 грн
3000+17.35 грн
6000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.73 грн
6000+12.13 грн
9000+11.58 грн
15000+10.28 грн
21000+9.93 грн
30000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTBROHM SemiconductorMOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET
на замовлення 18354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.53 грн
10+33.25 грн
100+20.07 грн
500+15.68 грн
1000+12.75 грн
3000+10.73 грн
9000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V
на замовлення 48879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.64 грн
100+22.38 грн
500+16.04 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G100GNTBROHMDescription: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.49 грн
23+36.42 грн
100+24.95 грн
500+21.36 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTBROHMDescription: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.83 грн
500+56.38 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+88.31 грн
100+62.62 грн
500+48.05 грн
1000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTBROHMDescription: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.08 грн
10+117.86 грн
100+72.83 грн
500+56.38 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G110ATTBROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.32 грн
10+102.56 грн
100+62.91 грн
500+52.05 грн
1000+47.86 грн
3000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G120BJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G120BJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.73 грн
10+68.51 грн
100+39.71 грн
500+32.54 грн
1000+31.98 грн
3000+27.17 грн
6000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G120BJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+74.12 грн
25+62.07 грн
100+45.48 грн
250+39.21 грн
500+35.36 грн
1000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G120BJFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.55 грн
13+63.73 грн
100+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G120BKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 N CHAN 40V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.17 грн
10+70.27 грн
100+40.48 грн
500+31.84 грн
1000+29.05 грн
3000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G150GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G150GNTBROHM SemiconductorMOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.66 грн
10+71.55 грн
100+50.51 грн
500+43.41 грн
1000+35.39 грн
3000+32.89 грн
6000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G150GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G270BJFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.61 грн
10+83.72 грн
100+65.43 грн
500+58.50 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G270BJFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.43 грн
500+58.50 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G270BKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.61 грн
10+81.73 грн
100+55.81 грн
500+47.24 грн
1000+40.27 грн
3000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3G270BKFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 9600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
10+83.72 грн
100+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L050GNTBROHMDescription: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.09 грн
17+48.93 грн
100+32.35 грн
500+23.85 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L050GNTBROHMDescription: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.35 грн
500+23.85 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L050GNTBROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L060BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 N CHAN 60V
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.54 грн
10+62.26 грн
100+36.93 грн
500+33.23 грн
1000+30.17 грн
3000+26.27 грн
6000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTBROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 10467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.30 грн
10+87.33 грн
100+58.59 грн
500+49.61 грн
1000+40.41 грн
3000+38.04 грн
6000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTBROHMDescription: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.44 грн
10+90.23 грн
100+60.96 грн
500+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTBRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.35 грн
6000+34.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTBROHMDescription: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.028 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.96 грн
500+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070ATTBRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V
на замовлення 7279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+82.57 грн
100+55.80 грн
500+41.60 грн
1000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L070BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.58 грн
10+56.25 грн
100+38.11 грн
500+32.26 грн
1000+29.54 грн
3000+25.08 грн
6000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L090GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 17670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.82 грн
100+41.82 грн
500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L090GNTBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.59 грн
10+60.89 грн
100+39.99 грн
500+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L090GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+74.57 грн
25+62.50 грн
100+45.82 грн
250+39.52 грн
500+35.64 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BJFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3L120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.36 грн
13+64.46 грн
100+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.36 грн
10+69.63 грн
100+40.13 грн
500+32.89 грн
1000+29.19 грн
3000+24.73 грн
6000+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BKFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.68 грн
13+65.35 грн
100+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.60 грн
10+63.70 грн
100+43.06 грн
500+36.58 грн
1000+32.19 грн
3000+27.31 грн
6000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BKFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L120BLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs HSMT N CHAN 60V
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.17 грн
10+70.27 грн
100+40.90 грн
500+32.19 грн
1000+29.89 грн
3000+25.50 грн
6000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.12 грн
100+52.10 грн
500+40.00 грн
1000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BJFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.81 грн
10+87.33 грн
100+50.65 грн
500+41.52 грн
1000+37.55 грн
3000+31.91 грн
6000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BJFRATCBRohm SemiconductorDescription: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+90.54 грн
100+54.07 грн
500+45.77 грн
1000+39.64 грн
3000+33.58 грн
6000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BKFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3L270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0146 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.48 грн
10+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+90.54 грн
100+54.07 грн
500+45.77 грн
1000+39.64 грн
3000+33.58 грн
6000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3L270BLFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
10+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N025ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.66 грн
10+57.45 грн
100+32.96 грн
500+25.64 грн
1000+23.34 грн
3000+20.27 грн
6000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N025ATTB1ROHMDescription: ROHM - RQ3N025ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 7 A, 0.24 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
15+54.54 грн
100+35.93 грн
500+25.96 грн
1000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N040ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 P CHAN 80V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.61 грн
10+71.87 грн
100+41.73 грн
500+34.21 грн
1000+29.89 грн
3000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N060ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N060ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 P-CH 80V 6A
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.44 грн
10+89.74 грн
100+52.39 грн
500+41.59 грн
1000+38.46 грн
3000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3N060ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+84.23 грн
100+56.93 грн
500+42.45 грн
1000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1ROHMDescription: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1ROHM SemiconductorMOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+97.75 грн
100+68.07 грн
250+62.36 грн
500+56.57 грн
1000+51.28 грн
3000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1ROHMDescription: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
10+106.48 грн
100+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P045ATTB1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+104.54 грн
100+72.08 грн
500+54.13 грн
1000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P120BKFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs Nch 100V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.18 грн
10+86.53 грн
100+50.23 грн
500+41.18 грн
1000+36.09 грн
3000+33.09 грн
6000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P120BLFRATCBROHM SemiconductorMOSFETs HSMT N CHAN 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P270BKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+95.40 грн
25+80.40 грн
100+59.47 грн
250+51.63 грн
500+46.80 грн
1000+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P270BKFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
10+87.79 грн
100+68.93 грн
500+54.27 грн
1000+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P270BKFRATCBRohm SemiconductorDescription: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P270BKFRATCBROHMDescription: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.93 грн
500+54.27 грн
1000+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P300BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P300BETB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P300BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 14405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+138.20 грн
100+110.02 грн
500+87.37 грн
1000+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P300BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.93 грн
6000+72.22 грн
9000+69.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ3P300BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.09 грн
10+141.02 грн
100+85.00 грн
500+71.76 грн
1000+67.72 грн
3000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2