Продукція > WNS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08APC by Schneider ElectricSoftware ITA Base Remote Software Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+214.66 грн
100+175.91 грн
500+140.53 грн
1000+123.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC09APC by Schneider ElectricSoftware ITA Base Onsite Software Installation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 12 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+693.36 грн
5+560.86 грн
10+434.06 грн
50+341.92 грн
100+284.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+491.77 грн
10+377.97 грн
100+305.63 грн
500+255.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC101200WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.63 грн
500+130.58 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.33 грн
10+216.22 грн
100+166.63 грн
500+130.58 грн
1000+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.46 грн
10+173.95 грн
100+139.81 грн
500+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12APC by Schneider ElectricSpecialist Controllers Remote System Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.49 грн
10+179.64 грн
100+126.80 грн
500+97.37 грн
1000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.80 грн
500+97.37 грн
1000+83.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.55 грн
10+192.47 грн
100+136.40 грн
500+105.55 грн
1000+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650TJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedDiode Schottky SiC 650V 12A 5-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC12650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.69 грн
10+205.65 грн
100+163.38 грн
500+148.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC13APC by Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans OnSite System Training
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC14Schneider ElectricCalibration, Warranties, & Service Plans EcoStruxure Optimization Services
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 19 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.95 грн
10+261.74 грн
100+227.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC201200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.78 грн
5+609.63 грн
10+562.49 грн
50+478.53 грн
100+401.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200CWQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1.02nF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC201200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 52 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.28 грн
5+739.69 грн
10+663.28 грн
50+566.84 грн
100+436.15 грн
250+427.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D001200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D001200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0212006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.01 грн
26+31.54 грн
100+30.48 грн
500+27.32 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D021200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.48 грн
500+27.32 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D03650MBJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D03650MB/SMB/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
12+73.89 грн
100+48.93 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.76 грн
100+51.64 грн
500+38.36 грн
1000+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.93 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.37 грн
11+79.50 грн
100+52.67 грн
500+38.04 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
12+71.86 грн
100+48.20 грн
500+36.15 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.20 грн
500+36.15 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 10503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.74 грн
100+57.99 грн
500+43.28 грн
1000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D04650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
15+56.49 грн
100+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
50+61.29 грн
100+54.84 грн
500+40.84 грн
1000+37.42 грн
2000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D0512006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1200
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D051400D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D051400D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.24 грн
100+71.26 грн
500+53.64 грн
1000+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.44 грн
10+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D06650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.94 грн
10+94.29 грн
100+65.35 грн
500+47.32 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.93 грн
500+45.36 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+115.18 грн
100+79.16 грн
500+59.85 грн
1000+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9.5 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 9.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.01 грн
100+48.93 грн
500+45.36 грн
1000+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 198pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D06650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.45 грн
18+47.63 грн
100+46.82 грн
500+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D06650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+124.46 грн
100+85.95 грн
500+65.20 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
50+93.02 грн
100+84.85 грн
500+65.98 грн
1000+61.53 грн
2000+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650Q
Код товару: 203152
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]