Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFN100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN100N50P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4627.82 грн
5+4204.18 грн
10+3845.77 грн
50+3112.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3248.66 грн
10+2354.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N50Q3IXYSDiscrete Semiconductor Modules Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2643.66 грн
10+1891.81 грн
100+1583.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N65X2IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 78A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 30mΩ
Gate-source voltage: ±40V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 595W
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN100N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/78A miniBLOC SOT-227
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2317.93 грн
10+1786.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 86A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1449.97 грн
10+1244.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 86A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Electrical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Mechanical mounting: screw
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: SOT227B
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate charge: 224nC
Reverse recovery time: 200ns
On-state resistance: 33mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 86A
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 570W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN102N30PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN106N20IXYSMODULE
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN106N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN106N20IXYSDiscrete Semiconductor Modules 200V 106A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN106N20MOSFET N-Channel , Id=106A, Vdss=200V, SOT-227B (miniBLOC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN106N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 106A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3IXYSMOSFET Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 90A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90A
Power dissipation: 1.5kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 56mΩ
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 254nC
Reverse recovery time: 250ns
Pulsed drain current: 275A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3SOT-227B, N-Channel MOSFET, Id=90A, Vdss=600V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 SOT
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N65X3LittelfuseMOSFETs MBLOC 650V 110A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XN-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5198.01 грн
10+3868.20 грн
100+3623.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XIXYSMOSFET Modules 850V X-Class HiPerFE Power MOSFET
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6765.34 грн
10+5547.72 грн
100+4643.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN110N85XIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 850V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 220A
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1.17kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 33mΩ
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 425nC
Reverse recovery time: 205ns
Pulsed drain current: 220A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N10IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20IXYSMOSFET Modules 200V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N20    06+
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N60X3LittelfuseMOSFETs MBLOC 600V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/108A Ultra Junction X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 108A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 108A
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 24mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN120N65X2Trans MOSFET N-CH 650V 108A 4-Pin SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN130N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 130 A, 0.022 ohm, ISOTOP, Modul
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 700
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N30Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N65X3LittelfuseMOSFETs MOSFET 130A 650V X3 SOT227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N90SKIXYSDescription: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN130N90SKIXYSMOSFET MSFT SILICON CARBIDE MINI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN132N50P3 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5kW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5kW
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3012.19 грн
5+2848.69 грн
10+2684.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±40V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 39mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 112A
Pulsed drain current: 330A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 1.5kW
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3087.36 грн
5+2690.67 грн
10+2649.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3339.52 грн
10+2423.32 грн
100+2115.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3IXYSMOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3504.29 грн
10+2745.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 200V 0.018 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N20P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 200 V, 0.018 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 680W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2759.29 грн
5+2574.05 грн
10+2338.07 грн
50+1849.48 грн
100+1597.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 200V; 115A; SOT227B; screw; Idm: 280A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 680W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 18mΩ
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Technology: HiPerFET™; Polar™
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2239.81 грн
10+1589.07 грн
100+1318.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2030.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N25TIXYSMOSFET Modules GigaMOS HiperFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2318.25 грн
10+1649.87 грн
100+1451.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYSMOSFET Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2868.02 грн
10+2411.05 грн
100+1828.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN140N30P - MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700W
Bauform - Transistor: ISOTOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2498.34 грн
5+2172.16 грн
10+1845.97 грн
50+1699.16 грн
100+1554.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PIXYSCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 110A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 700W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2630.07 грн
5+2099.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 110A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 SOT
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 SOT227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N10IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N15IXYSMOSFET 150V 150A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2N-Channel 650V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 25 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4234.98 грн
10+3115.10 грн
100+2827.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN150N65X2IXYSMOSFET Modules 650V/145A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4408.75 грн
10+3639.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TIXYSMOSFET Modules TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2196.32 грн
10+1669.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30T
Код товару: 162434
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TN-CH 300V 130A SOT227 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 900W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2112.44 грн
10+1496.94 грн
100+1299.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN1704IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N10IXYSDiscrete Semiconductor Modules 170 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2303.50 грн
10+1641.95 грн
100+1451.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N25X3IXYSMOSFET Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2421.83 грн
10+2171.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3406.31 грн
10+2922.37 грн
100+2565.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 138A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N30PIXYSDiscrete Semiconductor Modules 138 Amps 300V 0.018 Rds
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3508.31 грн
10+3081.89 грн
20+2590.85 грн
50+2543.91 грн
100+2351.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN170N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000 pF @ 25 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3844.34 грн
10+2822.16 грн
100+2725.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]