Продукція > SCT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SCTWA20N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 20A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.37 грн
10+777.42 грн
30+750.17 грн
120+703.65 грн
270+642.60 грн
510+604.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1453.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsDescription: IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 40A 3-Pin HIP-247 Tube
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1453.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA30N120STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 34A
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 270W
Gate charge: 105nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
Case: HIP247™
Mounting: THT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2869.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs 650 V 45 A 75 mOhm
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.09 грн
30+528.90 грн
120+453.71 грн
510+411.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+885.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA35N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 240W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.59 грн
10+748.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 240W
Case: HIP247-4
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+748.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.50 грн
10+658.32 грн
100+501.02 грн
600+451.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ TJ = 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA35N65G2VAGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A TO247
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2VSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247-4 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247LL
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 45
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchFET Gen II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA40N12G24AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA40N12G24AGSTMicroelectronicsDescription: TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.02 грн
10+943.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMMOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 318W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1936.02 грн
10+1504.29 грн
25+1414.32 грн
100+1234.52 грн
250+1190.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA50N120-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 65A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+3426.45 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 177A; 389W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 389W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: tube
Case: HIP247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 177A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247-4 package
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1238.43 грн
10+947.93 грн
30+876.48 грн
120+762.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA60N120G2-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA60N120G2-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 389W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 547W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2184.49 грн
30+1378.71 грн
120+1349.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3544.36 грн
5+3428.38 грн
10+3311.46 грн
25+3121.37 грн
50+2826.17 грн
100+2710.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA70N120G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 547W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2299.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3544.36 грн
5+3428.38 грн
10+3311.46 грн
25+3121.37 грн
50+2826.17 грн
100+2710.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3070.08 грн
5+3038.97 грн
10+2823.04 грн
25+2516.73 грн
50+2236.02 грн
100+2039.90 грн
250+1971.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA70N120G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2VSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247LL
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronics
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2VSTMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1876.73 грн
30+1170.63 грн
120+1120.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsDescription: TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 565W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: HiP247™ Long Leads
Part Status: Active
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1970.66 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTWA90N65G2V-4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, HiP247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 565W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: HiP247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTWA90N65G2V-4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 119A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+1970.66 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX-2
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX1-83-2W+Mini-CircuitsAudio Transformers / Signal Transformers 1:1 Core & Wire Transformer, 10 - 8000 MHz, 50ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsAudio Transformers / Signal Transformers 1:2 CORE & WIRE Transformer, 10 - 9000 MHz, 50?
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsDescription: 1:2 XFMR, 10 - 9000 MHZ, 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10MHz ~ 9GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 5.9dB
Phase Difference: 9°
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5169.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2-93-2W+Mini-CircuitsDescription: 1:2 XFMR, 10 - 9000 MHZ, 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Frequency Range: 10MHz ~ 9GHz
Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2
Insertion Loss (Max): 5.9dB
Phase Difference: 9°
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+4406.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2B
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2B/SCDRX2DS
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2B/SCRX2B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2B/SCRX2BC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2B/SCRX2BS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2B/SDRX2BD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2BD/SCRX2BD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2BS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX2G
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX5A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX5A/RX5A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX5AS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX6A
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX6A/RX6A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX8/RX8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX8A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SCTX8IR/RX8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23